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JPS6310604B2 - - Google Patents
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JPS6310604B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6310604B2
JPS6310604B2 JP18087081A JP18087081A JPS6310604B2 JP S6310604 B2 JPS6310604 B2 JP S6310604B2 JP 18087081 A JP18087081 A JP 18087081A JP 18087081 A JP18087081 A JP 18087081A JP S6310604 B2 JPS6310604 B2 JP S6310604B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
detection
circuit
transistors
double
transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP18087081A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5881310A (ja
Inventor
Oonori Murakami
Masayuki Ozasa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP56180870A priority Critical patent/JPS5881310A/ja
Publication of JPS5881310A publication Critical patent/JPS5881310A/ja
Publication of JPS6310604B2 publication Critical patent/JPS6310604B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03DDEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
    • H03D1/00Demodulation of amplitude-modulated oscillations
    • H03D1/14Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles
    • H03D1/18Demodulation of amplitude-modulated oscillations by means of non-linear elements having more than two poles of semiconductor devices

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Amplitude Modulation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、AM変調信号を否特性良く検波する
両波整流回路に関する。
従来よりAM変調波の検波には、検波効率が良
い、歪特性が良い、搬送波(キヤリア)が2倍に
なることで後段のフイルターが構成し易い等の理
由によつて両波整流回路がよく用いられている。
第1図は従来例として示す両波整流回路であ
る。第1図において、1は変調された信号の入力
端子、2は整流信号の出力端子、3は検波端子、
4,5は基準電圧端子、6は電源端子、7は接地
電位端子、8,9は同逆相波形形成のための差動
増幅器構成の各トランジスタ、10,11は夫々
上記両トランジスタ8,9の回路における電流源
トランジスタ、12,13は検波用OR回路トラ
ンジスタ、14は差動増幅器のエミツタ抵抗、1
5,16は負荷抵抗、17,18は電流源トラン
ジスタのエミツタ抵抗、19は検波回路の電流
源、20は信号入力のカツプリングコンデンサ、
21は検波後のキヤリアー除去ローパスフイルタ
ー、40,41はバイアス供給用抵抗である。
今、変調信号入力端子1に第2図aの信号が入
力されたとすると、上記差動回路中の一方のトラ
ンジスタ8のコレクターには、入力のaとは逆相
でα1倍の信号bが現われ、上記差動回路中の他方
のトランジスタ9のコレクターは上記入力のaと
同相でα2倍の信号cが現われる。この両コレクタ
信号b,cによつて得られる検波用OR回路から
の出力、すなわち、検波端子3での波形はdのご
とく両波整流の形になる。このdの波形の信号ス
ペクトラムは、信号波fsと搬送波fcに対して2fc
現われる。そこで上記検波端子3に接続するロー
パスフイルター21の特性を第2図eのように決
めればfsとfcが近づいても充分分離できる。この
様にしてAM検波は出来るが、この第1図の回路
を構成する素子のバラツキを考慮すると次にのべ
る構な問題が生じてくる。ここで、第2図b,c
においてα1vin、α2vin、Vo1、Vo2は夫々次のよ
うな各式で表わせる。
α1Vin=RL1/REVin ………(1) α2Vin=RL2/REVin ………(2) Vo1=VCC−〔VB−VBE3/R1+(LB2RB2+VBE2)−(
IB1RB1+VBE1)/RE〕RL1………(3) Vo2=VCC−〔VB−VBE4/R2−(IB2RB2+VBE2)−(
IB1RB1+VBE1)/RE〕RL2………(4) 先ずバラツキの要因の一つとして、差動増幅器
構成の両トランジスタ8,9の負荷抵抗15,1
6の各値がRL1≠RL2なる場合を考えてみよう。
RL1>RL2では検波端子3の出力波形は第3図a
のように同逆相ごとの振幅に差ができる。この時
上記トランジスタ8,9の各直流電位Vo1、Vo2
は、Vo1≠Vo2であるが検波出力波形として複雑
になるのを避けるため簡単にVo1Vo2としてい
る。この波形を前記フイルター21を通過させて
も搬送波成分fcは殆んど除去されておらず、第3
図bのようにキヤリアリーク成分として残る。単
純にRL1−RL2/RL1×100=5%(通常使用している カーボン抵抗の相対比)として考えれば略々5%
のキヤリヤリークとなる。
次にRL1=RL2であつても、Vo1<Vo2になる場
合、例えばR1>R2を考えると、検波端子3の出
力波形は第3図cのようになる。この場合も、
RL1>RL2の場合と同様にフイルター21通過後
でみると、小入力信号においては、波形が再現し
得ない部分が出てくる。これは歪となつて両波整
流回路にしたメリツトを損うものである。例えば
RL1=RL2=RE=1KΩ、IE4IE3=1mA、トラン
ジスタhFE=100、信号入力Vinを1Vp-pと選んだ
時、R1−R2/R1×100=5%でると仮定すると IE4−IE3/IE4×100=5%であり、1mAに対して 50μAの誤差が発生しVo1−Vo2=50mV、出力
500mVp-p波形に対して50/2mV=25mVが誤差
として現われる。これも略々5%の歪成分に相当
すると考えてよい。
この様に、あまり注意深く抵抗値を選定しない
場合には、5%程度の歪、キヤリアリークが発生
すると考えてよい。本発明では、これらキヤリア
リーク、歪特性に関して著しく特性改善をなした
両波整流器を提供するものである。
第4図に本発明の一実施例を示し、第5図にそ
の各要部の信号波形を示す。第4図において、2
2,23は負極性の検波を行うPNP OR回路用
トランジスタ、24,25は正極性の検波を行う
NPN OR回路用トランジスタ、26,27はレ
ベルシフトトランジスタ、28,29は正負検波
波形の差動加算回路のトランジスタ、30は出力
エミツタホロワトランジスタ、31は上記差動加
算回路のエミツタ抵抗、32はコレクター負荷抵
抗、33,34,35,36,37,38,39
は定電流源であり、上記以外は第1図と同一構成
となつている。
第2図aと同様な変調された信号が入力端子1
に入力されると、22,23のPNP OR回路ト
ランジスタのエミツタ共通点では、負の半波のみ
が取り出され、レベルシフト・トランジスタ26
を通過後上記差動加算回路の一方のトランジスタ
28のベースに第5図cの波形として現われる。
一方、上記OR回路のNPNトランジスタ24,2
5によつて検波された波形は同様にもうひとつの
レベルシヤフトトランジスタ27を介して上記差
動加算回路の他方のトランジスタ29のベースに
第5図bのように正の半波のみが取り出されてい
る。この時差動加算回路の出力、すなわち、トラ
ンジスタ28のコレクターには、常にベース電位
の差の成分が合成され第5図dのようになる。こ
こで VC=VCC−〔I37+(VB13−VB14)1/RE〕RL
−VBE15 VB13=VREF−IB2RB2−VBE8+VBE11 VB14=VREF−IB1RB1+VBE9−VBE12 I37は電流源37の電流値 第1回の回路のときと同様にバラツキについて
の考察を加えてみよう。
先ずVB14>VB13を考えるときは第6図aの様に
考えられるから端子3の出力波形は第6図bのご
とくになる。VCOは無信号状態でVB13=VB14の時
のトランジスタ28のコレクター直流電位であ
る。同じ様に、VB14<VB13の状態では第6図cの
波形になると考えられるから、検波端子3の出力
は第6図dの波形が得られる。上述の第6図b,
dの各波形で明らかなようにキヤリア−リーク、
歪等の発生はない。又差動加算回路トランジスタ
28,29のベースまでの経路では、単にエミツ
タホロワと見なしてよいので信号振幅の減衰は少
なく、更にトランジスタ24,26をNPN、ト
ランジスタ22,27がPNPと、それぞれ両信
号を得る回路構成が相補接続にしてあることから
その減衰量のバラツキは殆んどなく、第3図aの
様な現象は起らない。出力端子3におけるVC1
VC2等のVCOからのズレは単に出力のダイナミツ
クレンジのバラツキとしてのみ問題となり、キヤ
リアリーク、歪には何の影響をも及ぼさない。更
に、トランジスタPNP、NPNを相補使用してい
ることからもVC1,VC2のズレの幅は少ない。
この様に極性に見合つたトランジスタを組み合
わせるだけで、実質的な両波整流が構成でき、検
波の両極性を差動増幅回路によつて合成する際に
直流成分のズレを消去できる本発明の方式であれ
ば、両波整流器としてのキヤリアリーク、歪の低
減に大なる効果をもたらす。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の両波整流器の電気的回路図、第
2図、第3図は従来の両波整流器による各特性
図、第4図は本発明の一実施例である両波整流器
の電気的回路図、第5図、第6図はそれぞれ本発
明による両波整流器による特性例を示す図であ
る。 1……入力端子、2……出力端子、3……検波
端子、4,5……基準電圧端子、6……電源端
子、7……接地電位端子、21……ローパスフイ
ルター、22,23,24,25,26,27,
28,29……トランジスタ、33,34,3
5,36,37,38,39……定電流源。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 入力信号に対して基準電圧より高い電圧波形
    のみを検出する第1の検波トランジスタ対と、上
    記第1の検波トランジスタと極性が反対で、前記
    基準電圧より低い電圧波形のみを検出する第2の
    検波トランジスタ対と、それぞれの上記検波トラ
    ンジスタ対より検出された電圧波形を電流変換し
    て互いが同極性になるように合成する第3のトラ
    ンジスタ対とから成ることを特徴とする両波整流
    器。 2 第1の検波トランジスタ対と第2の検波トラ
    ンジスタ対とは逆極性でなり、それぞれの上記検
    波トランジスタ対より検出された信号を各エミツ
    タホロワトランジスタを介してのち第3のトラン
    ジスタ対のおのおのの入力としたことを特徴とし
    た特許請求範囲第1項に記載の両波整流器。
JP56180870A 1981-11-10 1981-11-10 両波整流器 Granted JPS5881310A (ja)

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JPS5881310A JPS5881310A (ja) 1983-05-16
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JP2575912B2 (ja) * 1990-03-15 1997-01-29 富士通株式会社 信号復調回路

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JPS5881310A (ja) 1983-05-16

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