JPS6311658B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6311658B2 JPS6311658B2 JP18646984A JP18646984A JPS6311658B2 JP S6311658 B2 JPS6311658 B2 JP S6311658B2 JP 18646984 A JP18646984 A JP 18646984A JP 18646984 A JP18646984 A JP 18646984A JP S6311658 B2 JPS6311658 B2 JP S6311658B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass mask
- wafer
- contact
- support member
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/7035—Proximity or contact printers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野］
本発明は、密着焼付に用いられるガラスマスク
に関し、特に半導体製造用のフオトマスクとして
好適な密着式ガラスマスクに関する。
に関し、特に半導体製造用のフオトマスクとして
好適な密着式ガラスマスクに関する。
［発明の背景］
トランジスタ、IC、LSIおよびVLSI等の半導
体装置の製造に際し、しばしば密着式のガラスマ
スクが使用されている。この場合、マスクとウエ
ハの密着方式として、第２図に示すようにガラス
マスク１、マスク支持台２、およびウエハチヤツ
ク４等で囲まれた領域５を真空化（減圧）してガ
ラスマスク１をウエハ３の側に引付ける方法（真
空密着方式）、或いはガラスマスク１を固定しウ
エハチヤツク３を押し上げてウエハ３をガラスマ
スク１に押し付ける方法（プレス方式）が知られ
ている。
体装置の製造に際し、しばしば密着式のガラスマ
スクが使用されている。この場合、マスクとウエ
ハの密着方式として、第２図に示すようにガラス
マスク１、マスク支持台２、およびウエハチヤツ
ク４等で囲まれた領域５を真空化（減圧）してガ
ラスマスク１をウエハ３の側に引付ける方法（真
空密着方式）、或いはガラスマスク１を固定しウ
エハチヤツク３を押し上げてウエハ３をガラスマ
スク１に押し付ける方法（プレス方式）が知られ
ている。
ところで、前者の真空密着方式の場合、ガラス
マスク１は領域５の真空化により変形してウエハ
３に密着するが、この変形は、微視的に第３図ま
たは第４図に示すようになる。すなわち、第２図
の状態でのガラスマスク１とウエハ３との間隔が
大きい場合は、第３図のようにウエハ周辺が密着
不良となり、一方、マスク１とウエハ２との間隔
が小さい場合には、第４図のようにウエハ中心付
近が密着不良となる。また、後者のプレス方式の
場合も、ウエハチヤツク４の押し上げ量やマスク
１とウエハ３との平行度誤差等により、同様に密
着不良が生じる。このような密着不良は、パター
ン線幅のばらつきの原因となつており、このよう
な傾向はウエハの大きさが５インチ以上になると
特に顕著になる。さらに、ガラスマスク１の変形
は、マスク１とウエハ３との寸法誤差いわゆるパ
ターンずれの原因ともなる。
マスク１は領域５の真空化により変形してウエハ
３に密着するが、この変形は、微視的に第３図ま
たは第４図に示すようになる。すなわち、第２図
の状態でのガラスマスク１とウエハ３との間隔が
大きい場合は、第３図のようにウエハ周辺が密着
不良となり、一方、マスク１とウエハ２との間隔
が小さい場合には、第４図のようにウエハ中心付
近が密着不良となる。また、後者のプレス方式の
場合も、ウエハチヤツク４の押し上げ量やマスク
１とウエハ３との平行度誤差等により、同様に密
着不良が生じる。このような密着不良は、パター
ン線幅のばらつきの原因となつており、このよう
な傾向はウエハの大きさが５インチ以上になると
特に顕著になる。さらに、ガラスマスク１の変形
は、マスク１とウエハ３との寸法誤差いわゆるパ
ターンずれの原因ともなる。
したがつて、従来のガラスマスクを使用すると
すれば、半導体素子を設計する際、上記のパター
ン線幅のばらつきやパターンずれを見込まなけれ
ばならず、これが半導体素子を小型化してIC等
の集積度を上げていくための大きな障害となつて
いた。
すれば、半導体素子を設計する際、上記のパター
ン線幅のばらつきやパターンずれを見込まなけれ
ばならず、これが半導体素子を小型化してIC等
の集積度を上げていくための大きな障害となつて
いた。
［発明の目的］
本発明は、上述の欠点を解消し、密着時の変形
が少なく、したがつて、より密着性が良く、かつ
より微細なパターニングが可能な密着式ガラスマ
スクを提供することを目的とする。
が少なく、したがつて、より密着性が良く、かつ
より微細なパターニングが可能な密着式ガラスマ
スクを提供することを目的とする。
［実施例の説明］
以下図面を用いて本発明の実施例を説明する。
なお、従来例と共通または対応する部分について
は同一の符号で表わす。
なお、従来例と共通または対応する部分について
は同一の符号で表わす。
第１図は、本発明の一実施例に係るガラスマス
クを真空密着方式の半導体製造装置に実装した状
態を示す。同図のガラスマスク１は第２〜４図の
ものに対し、ガラスマスク本体１１をマスク保持
台２の開口部より小さめに構成し、その周辺部を
変形容易な支持部材１２で囲んだことを特徴とし
ている。
クを真空密着方式の半導体製造装置に実装した状
態を示す。同図のガラスマスク１は第２〜４図の
ものに対し、ガラスマスク本体１１をマスク保持
台２の開口部より小さめに構成し、その周辺部を
変形容易な支持部材１２で囲んだことを特徴とし
ている。
支持部材１２としては、例えばゴム、ポリウレ
タン等のゴムまたは樹脂製のものが好適である。
タン等のゴムまたは樹脂製のものが好適である。
第１図において、密着焼付けを行なう場合、領
域５を真空化すると、大気圧によりガラスマスク
本体１１にはウエハ３側へ近付こうとする力が働
く。しかし、この場合は支持部材１２が弾性変形
するため、ガラスマスク本体１１は変形すること
なくウエハ３に密着させられる。
域５を真空化すると、大気圧によりガラスマスク
本体１１にはウエハ３側へ近付こうとする力が働
く。しかし、この場合は支持部材１２が弾性変形
するため、ガラスマスク本体１１は変形すること
なくウエハ３に密着させられる。
また、第１図のガラスマスク１をプレス方式の
半導体製造装置に用いて密着焼付けを行なう場
合、ウエハチヤツク４を下から突き上げるため、
ガラスマスク１は第２〜４図とは逆方向に変形す
るが、この場合にも支持部材１２の弾性変形によ
りガラスマスク本体１１の変形を防止してウエハ
３に密着させることができる。
半導体製造装置に用いて密着焼付けを行なう場
合、ウエハチヤツク４を下から突き上げるため、
ガラスマスク１は第２〜４図とは逆方向に変形す
るが、この場合にも支持部材１２の弾性変形によ
りガラスマスク本体１１の変形を防止してウエハ
３に密着させることができる。
［実施例の変形例］
なお、上述の実施例においては、ガラスマスク
本体１１をマスク保持台２の開口部より小さめに
構成しているが、従来通りの形状のままで支持部
材１２を取付け、支持部材１２の厚み方向の変形
によつてガラスマスク本体１１とウエハ３とを密
着させるようにしてもよい。また、上述において
は、真空密着方式の半導体製造装置用として気密
を確保するため、ガラスマスク本体１１の周辺部
全周を支持部材１２で囲むようにしたが、前記プ
レス方式の半導体製造装置用のガラスマスクの場
合、支持部材１２はウエハチヤツク押し上げ前後
のガラスマスクの姿勢を保持し得る程度の量およ
び位置に取付ければよく、例えば数〜10数mm長程
度の支持部材を周辺部にほぼ等間隔で複数個取付
けるようにしてもよい。
本体１１をマスク保持台２の開口部より小さめに
構成しているが、従来通りの形状のままで支持部
材１２を取付け、支持部材１２の厚み方向の変形
によつてガラスマスク本体１１とウエハ３とを密
着させるようにしてもよい。また、上述において
は、真空密着方式の半導体製造装置用として気密
を確保するため、ガラスマスク本体１１の周辺部
全周を支持部材１２で囲むようにしたが、前記プ
レス方式の半導体製造装置用のガラスマスクの場
合、支持部材１２はウエハチヤツク押し上げ前後
のガラスマスクの姿勢を保持し得る程度の量およ
び位置に取付ければよく、例えば数〜10数mm長程
度の支持部材を周辺部にほぼ等間隔で複数個取付
けるようにしてもよい。
［発明の効果］
以上のように、本発明によれば、ガラスマスク
本体の周辺部に変形容易な支持部材を取付けると
いう簡単な構造で、ガラスマスク本体の変形を防
ぎ、ウエハのパターン線幅ばらつきやパターンず
れを抑えることができる。また、このため、より
微細なパターニングが可能となる。
本体の周辺部に変形容易な支持部材を取付けると
いう簡単な構造で、ガラスマスク本体の変形を防
ぎ、ウエハのパターン線幅ばらつきやパターンず
れを抑えることができる。また、このため、より
微細なパターニングが可能となる。
第１図は、本発明の一実施例に係るガラスマス
クを真空密着方式の半導体製造装置に実装しウエ
ハに密着させた様子を示す断面図、第２図は、従
来のガラスマスクを実装した真空密着方式の半導
体製造装置の断面図、第３および４図は、それぞ
れ第２図の装置においてガラスマスクをウエハに
密着させた様子を示す断面図である。 １…ガラスマスク、２…マスク保持台、３…ウ
エハ、４…ウエハチヤツク、５…真空化領域、１
１…ガラスマスク本体、１２…支持部材。
クを真空密着方式の半導体製造装置に実装しウエ
ハに密着させた様子を示す断面図、第２図は、従
来のガラスマスクを実装した真空密着方式の半導
体製造装置の断面図、第３および４図は、それぞ
れ第２図の装置においてガラスマスクをウエハに
密着させた様子を示す断面図である。 １…ガラスマスク、２…マスク保持台、３…ウ
エハ、４…ウエハチヤツク、５…真空化領域、１
１…ガラスマスク本体、１２…支持部材。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 密着焼付に用いられるガラスマスクであつ
て、ガラスマスク本体の周辺部に変形容易な支持
部材を取付け、使用時はこの支持部材を介してガ
ラスマスク本体を支承するようにしたことを特徴
とする密着式ガラスマスク。 ２ 前記支持部材で前記ガラスマスク本体の周辺
部を取囲み、この支持部材をガラスマスク本体と
感光体との間を真空吸着する際の気密シールとし
て用いるようにしたことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の密着式ガラスマスク。 ３ 前記支持部材がゴムまたは弾性変形可能な樹
脂である特許請求の範囲第１項記載の密着式ガラ
スマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186469A JPS6165250A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 密着式ガラスマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186469A JPS6165250A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 密着式ガラスマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6165250A JPS6165250A (ja) | 1986-04-03 |
| JPS6311658B2 true JPS6311658B2 (ja) | 1988-03-15 |
Family
ID=16189014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186469A Granted JPS6165250A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 密着式ガラスマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6165250A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0854816A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Nec Corp | 印刷装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4266661B2 (ja) * | 2003-02-20 | 2009-05-20 | キヤノン株式会社 | 近接場露光用フォトマスク |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP59186469A patent/JPS6165250A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0854816A (ja) * | 1994-08-11 | 1996-02-27 | Nec Corp | 印刷装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6165250A (ja) | 1986-04-03 |
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