JPS6314341B2 - - Google Patents
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- JPS6314341B2 JPS6314341B2 JP9590180A JP9590180A JPS6314341B2 JP S6314341 B2 JPS6314341 B2 JP S6314341B2 JP 9590180 A JP9590180 A JP 9590180A JP 9590180 A JP9590180 A JP 9590180A JP S6314341 B2 JPS6314341 B2 JP S6314341B2
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- Japan
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- butyl
- substituent containing
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- bond
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
Description
本発明は、ジエン系重合体環化物を主成分とす
るホトレジスト組成物の熱安定性の改良に関する
ものである。
集積回路の製造のような、微細加工用レジスト
材としては、ゴム系レジストと称されている天然
ゴムまたはポリイソプレンの環化物あるいはポリ
ブタジエンの環化物を主成分とするホトレジスト
組成物が使用されている。しかし、今後この加工
技術の進歩とともに、高感度、高耐蝕性、耐熱性
がますます要求されるようになり、現有ホトレジ
ストの改善が必要とされている。
とくにポリブタジエン環化物を主成分とするホ
トレジスト組成物は、基材に塗布後80℃の乾燥工
程を通すと“かぶり”と称する現象が起こり、高
解像力が出せず、かぶりを避けるためには60℃に
温度を下げる必要があつた。このため、乾燥が十
分に行なわれず、解像力も市販品と同等の2μｍ
程度しか得られなかつた。
本発明者らは、ポリブタジエン環化物からなる
ホトレジスト組成物の耐熱性を改良すべく検討を
試みたところ、イソシアヌル酸誘導体が、高感
度、高耐蝕性を損うことなく、熱処理に対してホ
トレジスト組成物を安定化させ得ることを見出
し、本発明に到達した。
すなわち、本発明の要旨は、ジエン系重合体環
化物と光架橋剤および／または光増感剤ならびに
イソシアヌル酸誘導体を含むことを特徴とするホ
トレジスト組成物にある。
本発明によれば、熱的に安定化したホトレジス
ト組成物を提供することができる。
本発明に用いられるイソシアヌル酸誘導体は、
一般式
で表わされ、R1、R2およびR3は、同一又は異な
つて、アルキル基、アルケニル基、アラルキル
基、アリール基、エーテル結合を含む置換基、チ
オエーテル結合を含む置換基、エステル結合を含
む置換基、アミノ結合を含む置換基、またはフエ
ノール性水酸基を含む置換基から選ばれ、さらに
R1、R2およびR3のうち少なくとも１つはフエノ
ール性水酸基を含む置換基から選ばれる。
上記フエノール性水酸基をもつ置換基は、
一般式
で表わされ、Q1、Q2、Q3、Q4およびQ5は同一又
は異なつて、水素原子、水酸基またはアルキル基
から選ばれ、Q1、Q2、Q3、Q4およびQ5の少なく
とも１つは水酸基である。またＲはアルキレン
鎖、またはエーテル結合、チオエーテル結合、エ
ステル結合もしくはアミノ結合を含むアルキレン
鎖を表わす。具体例としては、４−ヒドロキシフ
エニル、２，４−ジヒドロキシフエニル、４−メ
チル−２，５−ジヒドロキシフエニル、３−メチ
ル−５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフエニル、
２，３−ジエチル−５−ヒドロキシフエニル、
２，４，６−トリヒドロキシフエニル、４−ヒド
ロキシベンジル、４−エチル−３，５−ジヒドロ
キシフエニル、３−（3′，5′−ジ−ｔ−ブチル−
4′−ヒドロキシフエニル）プロピオニルオキシエ
チル、４−（3′，5′−ジ−ｔ−ブチル−4′−ヒドロ
キシフエニル）ブトキシエチル、３−（3′，5′−
ジ−ｔ−ブチル−4′−ヒドロキシフエニル）−１
−プロペニル、３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒ
ドロキシベンジル、３−メチル−５−ｔ−ブチル
−４−ヒドロキシベンジル、３−エチル−５−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシベンジル、３−プロピ
ル−５−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル、
３，５−ジプロピル−４−ヒドロキシベンジル、
３−（3′−メチル−5′−ｔ−ブチル−4′−ヒドロキ
シフエニル）プロピオニルオキシエチル、３−
（3′−エチル−5′−ｔ−ブチル−4′−ヒドロキシフ
エニル）プロピオニルオキシエチル、３−（3′−
プロピル−5′−ｔ−ブチル−4′−ヒドロキシフエ
ニル）プロピオニルオキシエチル、２，３−ジヒ
ドロキシベンジル、４−エチル−３，５−ジヒド
ロキシベンジル、４−ｔ−ブチル−３，５−ジヒ
ドロキシベンジルなどをあげることができる。
また上記イソシアヌル酸誘導体の代表例として
は、１，３，５−トリス（3′，5′−ジ−ｔ−ブチ
ル−4′−ヒドロキシベンジル）イソシアヌル酸、
１，３，５−トリス〔β−（3′，5′−ジ−ｔ−ブ
チル−4′−ヒドロキシフエニル）プロピオニルオ
キシエチル〕イソシアヌル酸、１，３，５−トリ
ス（3′−エチル−5′−ｔ−ブチル−4′−ヒドロキ
シベンジル）イソシアヌル酸、１，３，５−トリ
ス（2′，3′−ジヒドロキシベンジル）イソシアヌ
ル酸、１，３，５−トリス（4′−エチル−3′，
5′−ジヒドロキシベンジル）イソシアヌル酸、
１，３，５−トリス〔β−（3′，5′−ジ−ｔ−ブ
チル−4′−ヒドロキシベンジル）エトキシプロピ
ル〕イソシアヌル酸、１，３−ビス（3′−メチル
−5′−ｔ−ブチル−4′−ヒドロキシベンジル）−
５−（3′，5′−ジ−ｔ−ブチル−4′−ヒドロキシベ
ンジル）イソシアヌル酸、１，３−ビス（3′，
5′−ジ−ｔ−ブチル−4′−ヒドロキシベンジル）
−５−（4′−エチル−3′，5′−ジヒドロキシベンジ
ル）イソシアヌル酸などをあげることができる。
これらのイソシアヌル酸誘導体は、ジエン系重
合体環化物100重量部に対して好ましくは0.1〜
10.0重量部、さらに好ましくは0.5〜5.0重量部添
加する。また、他のゴム用のフエノール系、アミ
ン系老化防止剤を添加し併用することができる。
本発明で使用するジエン系重合体環化物は、ジ
エン系重合体を環化して得られる環化物であつ
て、ジエン系重合体のミクロ構造については特に
制限はない。また環化率についても特に制限はな
いが、好ましくは５〜95％、さらに好ましくは10
〜90％程度環化されているものが適当である。感
度などの点からは、シス−ポリブタジエンの環化
物を使用することが好ましい。なお、上記環化率
は
（１−重合体の環化後の不飽和水素の全水素に
対する割合*／重合体の環化前の不飽和水素の全水素に
対する割合*）×100
で表わされる。（＊：NMRにより測定）
本発明に用いられる光架橋剤としては特に限定
されないが、アジド系感光性物質、たとえば、
４，4′−ジアジドスチルベン、ｐ−フエニレンビ
スアジド、４，4′−ジアジドベンゾフエノン、
４，4′−ジアジドジフエニルメタン、４，4′−ジ
アジドカルコン、２，６−ビス（4′−アジドベン
ザル）シクロヘキサノン、４，4′−ジアジドジフ
エニル、４，4′−ジアジド−３，3′−ジメチルジ
フエニル、２，７−ジアジドフルオレンなどを用
いることができる。しかし光架橋剤について、特
に制限があるものではなく、本発明で用いられる
ジエン系重合体環化物と組合せて効果のある光架
橋剤はすべて用いることができる。
本発明で用いられる光増感剤としては、たとえ
ばベンゾフエノン、アントラキノン、１，２−ナ
フトキノン、１，４−ナフトキノン、β−メチル
アントラキノン、ベンズアントロン、ビオラント
ロン、９−アントラアルデヒド、ベンジル、ｐ，
p′−テトラメチルジアミノベンゾフエノン、クロ
ラニルなどのカルボニル化合物、アントラセン、
クリセンなどの芳香族炭化水素、ニトロベンゼ
ン、ｐ−ジニトロベンゼン、α−ニトロナフタレ
ン、ｐ−ニトロジフエニル、２−ニトロフルオレ
ン、５−ニトロアセナフテンなどのニトロ化合
物、ニトロアニリン、２−クロロ−４−ニトロア
ニリン、２，６−ジクロル−４−ニトロアニリ
ン、５−ニトロ−２−アミノトルエン、テトラシ
アノエチレンなどの窒素化合物、ジフエニルジス
ルフイドなどのイオウ化合物などがあげられる。
しかし光増感剤について特に制限があるものでは
なく、本発明で用いられるジエン系重合体環化物
と組合せて効果のある光増感剤はすべて用いるこ
とができる。
本発明で用いられる光架橋剤および／または光
増感剤は、ジエン系重合体環化物100重量部に対
して好ましくは0.5〜10重量部、さらに好ましく
は１〜５重量部配合される。
本発明で用いるジエン系重合体環化物の合成例
を次に示す。
市販のシス−１，４−ポリブタジエン（シス−
１，４結合含量98％、〔η〕30℃トルエン＝2.70）27ｇ
を窒素下乾燥トルエン4.0に溶かし均一な溶液
とする。塩化ベンジルの１モル／−トルエン溶
液を7.5ml（7.5ミリモル）、次いでジエチルアル
ミニウムクロリドの１モル／−トルエン溶液
を、5.0ml（5.0ミリモル）加えて反応させ、30分
後にごく少量の２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−ク
レゾールを含むメタノール中に入れて反応生成物
を回収し減圧乾燥させた。
NMRによる不飽和率38％、〔η〕30℃トルエン＝
0.61の樹脂状のポリブタジエン環化物を得た。
実施例１〜８、比較例１〜10
ポリブタジエン環化物（合成例によるもの）
15.0ｇ
光架橋剤 ２，６−ビス（4′−アジドベンザル）
シクロヘキサノン 0.3ｇ
安定剤 0.3ｇまたは0.6ｇ
キシレン 128ml
上記ホトレジスト組成物は、ポリブタジエン環
化物の13.5％溶液であり、25℃での粘度は40セン
チポイズとなる。孔径0.45μｍのメンプランフイ
ルターで過して、以下の検討を行なつた。
1.0μｍの厚みの熱酸化膜（SiO2層）をつけたシ
リコンウエルー上へ回転塗布法によりホトレジス
ト組成物を塗布し、膜厚1.0μｍのレジスト層を作
製した。このシリコンウエハーを恒温槽に入れて
所定条件で熱処理した。
この結果、イソシアヌル酸誘導体を含むホトレ
ジスト組成物が非常に熱的に安定化させる性能を
有することがわかつた。
The present invention relates to improving the thermal stability of photoresist compositions containing a cyclized diene polymer as a main component. As a resist material for microfabrication, such as in the manufacture of integrated circuits, photoresist compositions containing natural rubber, a cyclized product of polyisoprene, or a cyclized product of polybutadiene, which is called a rubber resist, are used as main components. . However, as this processing technology progresses in the future, high sensitivity, high corrosion resistance, and heat resistance will be increasingly required, and there is a need to improve existing photoresists. In particular, with photoresist compositions whose main component is polybutadiene cyclized product, a phenomenon called "fogging" occurs when a photoresist composition is dried at 80°C after being applied to a substrate, making it impossible to achieve high resolution. It was necessary to lower the temperature. For this reason, drying is not done sufficiently, and the resolution is 2 μm, which is the same as that of commercially available products.
I was only able to obtain a certain amount. The present inventors have attempted to improve the heat resistance of photoresist compositions made of polybutadiene cyclized products, and have found that isocyanuric acid derivatives can be used in photoresist compositions that are resistant to heat treatment without impairing high sensitivity and high corrosion resistance. We have discovered that it is possible to stabilize objects, and have arrived at the present invention. That is, the gist of the present invention is a photoresist composition characterized by containing a cyclized diene polymer, a photocrosslinking agent and/or a photosensitizer, and an isocyanuric acid derivative. According to the present invention, a thermally stabilized photoresist composition can be provided. The isocyanuric acid derivative used in the present invention is
general formula R 1 , R 2 and R 3 are the same or different and include an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group, an aryl group, a substituent containing an ether bond, a substituent containing a thioether bond, and an ester bond. selected from a substituent, a substituent containing an amino bond, or a substituent containing a phenolic hydroxyl group, and further
At least one of R 1 , R 2 and R 3 is selected from substituents containing a phenolic hydroxyl group. The above substituent having a phenolic hydroxyl group has the general formula Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 and Q 5 are the same or different and are selected from a hydrogen atom, a hydroxyl group or an alkyl group, Q 1 , Q 2 , Q 3 , Q 4 and Q 5 At least one of them is a hydroxyl group. Further, R represents an alkylene chain or an alkylene chain containing an ether bond, thioether bond, ester bond or amino bond. Specific examples include 4-hydroxyphenyl, 2,4-dihydroxyphenyl, 4-methyl-2,5-dihydroxyphenyl, 3-methyl-5-t-butyl-4-hydroxyphenyl,
2,3-diethyl-5-hydroxyphenyl,
2,4,6-trihydroxyphenyl, 4-hydroxybenzyl, 4-ethyl-3,5-dihydroxyphenyl, 3-(3',5'-di-t-butyl-
4'-hydroxyphenyl)propionyloxyethyl, 4-(3',5'-di-t-butyl-4'-hydroxyphenyl)butoxyethyl, 3-(3',5'-
di-t-butyl-4'-hydroxyphenyl)-1
-propenyl, 3,5-di-t-butyl-4-hydroxybenzyl, 3-methyl-5-t-butyl-4-hydroxybenzyl, 3-ethyl-5-t
-butyl-4-hydroxybenzyl, 3-propyl-5-t-butyl-4-hydroxybenzyl,
3,5-dipropyl-4-hydroxybenzyl,
3-(3'-methyl-5'-t-butyl-4'-hydroxyphenyl)propionyloxyethyl, 3-
(3'-ethyl-5'-t-butyl-4'-hydroxyphenyl)propionyloxyethyl, 3-(3'-
Propyl-5'-t-butyl-4'-hydroxyphenyl)propionyloxyethyl, 2,3-dihydroxybenzyl, 4-ethyl-3,5-dihydroxybenzyl, 4-t-butyl-3,5-dihydroxybenzyl etc. can be given. Further, representative examples of the above-mentioned isocyanuric acid derivatives include 1,3,5-tris(3',5'-di-t-butyl-4'-hydroxybenzyl)isocyanuric acid,
1,3,5-Tris[β-(3',5'-di-t-butyl-4'-hydroxyphenyl)propionyloxyethyl]isocyanuric acid, 1,3,5-tris(3'-ethyl- 5'-t-butyl-4'-hydroxybenzyl)isocyanuric acid, 1,3,5-tris(2',3'-dihydroxybenzyl)isocyanuric acid, 1,3,5-tris(4'-ethyl-3 ′、
5′-dihydroxybenzyl)isocyanuric acid,
1,3,5-Tris[β-(3',5'-di-t-butyl-4'-hydroxybenzyl)ethoxypropyl]isocyanuric acid, 1,3-bis(3'-methyl-5'-t -butyl-4'-hydroxybenzyl)-
5-(3',5'-di-t-butyl-4'-hydroxybenzyl)isocyanuric acid, 1,3-bis(3',
5'-di-t-butyl-4'-hydroxybenzyl)
Examples include -5-(4'-ethyl-3',5'-dihydroxybenzyl)isocyanuric acid. These isocyanuric acid derivatives are preferably used in an amount of 0.1 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the diene polymer cyclized product.
Add 10.0 parts by weight, more preferably 0.5 to 5.0 parts by weight. In addition, other phenolic and amine antiaging agents for rubber can be added and used in combination. The cyclized diene polymer used in the present invention is a cyclized product obtained by cyclizing a diene polymer, and there are no particular limitations on the microstructure of the diene polymer. The cyclization rate is also not particularly limited, but is preferably 5 to 95%, more preferably 10%.
It is suitable that about 90% is cyclized. From the viewpoint of sensitivity and the like, it is preferable to use a cyclized product of cis-polybutadiene. The above cyclization rate is expressed as (1-ratio of unsaturated hydrogen to total hydrogen after cyclization of polymer * /ratio of unsaturated hydrogen to total hydrogen of polymer before cyclization * )×100. (*: Measured by NMR) The photocrosslinking agent used in the present invention is not particularly limited, but includes azide-based photosensitive substances, such as
4,4'-Diazidostilbene, p-phenylenebisazide, 4,4'-diazidobenzophenone,
4,4'-Diazidiphenylmethane, 4,4'-Diazidochalcone, 2,6-bis(4'-azidobenzal)cyclohexanone, 4,4'-Diazidiphenyl, 4,4'-Diazido- 3,3'-dimethyldiphenyl, 2,7-diazidefluorene, etc. can be used. However, there are no particular limitations on the photocrosslinking agent, and any photocrosslinking agent that is effective in combination with the diene polymer cyclization product used in the present invention can be used. Examples of the photosensitizer used in the present invention include benzophenone, anthraquinone, 1,2-naphthoquinone, 1,4-naphthoquinone, β-methylanthraquinone, benzanthrone, violanthrone, 9-anthraaldehyde, benzyl, p,
carbonyl compounds such as p′-tetramethyldiaminobenzophenone, chloranil, anthracene,
Aromatic hydrocarbons such as chrysene, nitro compounds such as nitrobenzene, p-dinitrobenzene, α-nitronaphthalene, p-nitrodiphenyl, 2-nitrofluorene, 5-nitroacenaphthene, nitroaniline, 2-chloro-4-nitroaniline , 2,6-dichloro-4-nitroaniline, 5-nitro-2-aminotoluene, nitrogen compounds such as tetracyanoethylene, and sulfur compounds such as diphenyl disulfide.
However, there are no particular restrictions on the photosensitizer, and any photosensitizer that is effective in combination with the diene polymer cyclization product used in the present invention can be used. The photocrosslinking agent and/or photosensitizer used in the present invention is preferably blended in an amount of 0.5 to 10 parts by weight, more preferably 1 to 5 parts by weight, per 100 parts by weight of the cyclized diene polymer. A synthesis example of the diene polymer cyclized product used in the present invention is shown below. Commercially available cis-1,4-polybutadiene (cis-
1,4 bond content 98%, [η] 30 °C toluene = 2.70) 27g
Dissolve in dry toluene 4.0 under nitrogen to make a homogeneous solution. 7.5 ml (7.5 mmol) of a 1 mol/- toluene solution of benzyl chloride, then 5.0 ml (5.0 mmol) of a 1 mol/- toluene solution of diethylaluminium chloride were added, and after 30 minutes, a very small amount of 2,6 The reaction product was collected in methanol containing -di-t-butyl-p-cresol and dried under reduced pressure. Unsaturation rate 38% by NMR, [η] 30 °C toluene =
A resin-like polybutadiene cyclized product of 0.61 was obtained. Examples 1 to 8, Comparative Examples 1 to 10 Polybutadiene cyclized products (based on synthesis examples)
15.0g Photocrosslinker 2,6-bis(4'-azidobenzal)
Cyclohexanone 0.3g Stabilizer 0.3g or 0.6g Xylene 128ml The above photoresist composition is a 13.5% solution of polybutadiene cyclized product, and has a viscosity of 40 centipoise at 25°C. It was passed through a membrane filter with a pore size of 0.45 μm, and the following studies were conducted. A photoresist composition was applied by spin coating onto a silicon well on which a 1.0 μm thick thermal oxide film (SiO 2 layer) was attached to form a 1.0 μm thick resist layer. This silicon wafer was placed in a constant temperature bath and heat treated under predetermined conditions. As a result, it was found that a photoresist composition containing an isocyanuric acid derivative has excellent thermal stabilizing performance.
【表】
実施例 ９
安定剤として２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−ク
レゾール0.3ｇと、１，３，５−トリス（3′，5′−
ジ−ｔ−ブチル−4′−ヒドロキシベンジル）イソ
シアヌル酸0.3ｇを用いた以外は実施例１〜８と
全く同様に行なつた。熱処理雰囲気によらず80℃
60分、90℃30分の処理によく耐え、解像力も1.4μ
ｍとなつた。
比較例 11
安定剤としてフエニル−β−ナフチルアミン
0.3ｇと２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾー
ル0.3ｇ（モル比約１）を用いた以外は実施例１
〜８と全く同様に行なつた。
60℃15分窒素中ではかぶりが発生せず、解像力
は2.0μｍであつたが、雰囲気によらず80℃の熱処
理ではかぶりが発生し、解像力が出ないことがわ
かつた。
実施例 10
２，６−ビス（4′−アジドベンザル）シクロヘ
キサノンの代わりに、光増感剤としてベンゾフエ
ノン0.3ｇを用いた以外は実施例１〜８と全く同
様に行つた。熱処理雰囲気によらず80℃60分、90
℃30分の処理によく耐え、解像力も1.4μｍとなつ
た。[Table] Example 9 0.3 g of 2,6-di-t-butyl-p-cresol and 1,3,5-tris(3',5'-
The same procedure as in Examples 1 to 8 was repeated except that 0.3 g of di-t-butyl-4'-hydroxybenzyl)isocyanuric acid was used. 80℃ regardless of heat treatment atmosphere
It withstands processing for 60 minutes and 30 minutes at 90℃, and has a resolution of 1.4μ.
It became m. Comparative Example 11 Phenyl-β-naphthylamine as stabilizer
Example 1 except that 0.3 g and 0.3 g of 2,6-di-t-butyl-p-cresol (molar ratio of about 1) were used.
It was carried out in exactly the same manner as in steps 8 to 8. It was found that no fogging occurred when heated in nitrogen at 60°C for 15 minutes, and the resolution was 2.0 μm, but fogging occurred when heat treated at 80°C, regardless of the atmosphere, resulting in no resolution. Example 10 The same procedure as Examples 1 to 8 was carried out except that 0.3 g of benzophenone was used as a photosensitizer instead of 2,6-bis(4'-azidobenzal)cyclohexanone. Regardless of the heat treatment atmosphere, 80℃ 60 minutes, 90
It withstood processing for 30 minutes at ℃ and had a resolution of 1.4 μm.
Claims (1)
たは光増感剤ならびにイソシアヌル酸誘導体を含
むことを特徴とするホトレジスト組成物。 ２ 上記イソシアヌル酸誘導体は、 一般式 （ここで、R1、R2およびR3は、同一又は異なつ
て、アルキル基、アルケニル基、アラルキル基、
アリール基、エーテル結合を含む置換基、チオエ
ーテル結合を含む置換基、エステル結合を含む置
換基、アミノ結合を含む置換基またはフエノール
性水酸基を含む置換基を表わし、R1、R2および
R3のうち少なくとも１つはフエノール性水酸基
を含む置換基である。） で表わされる特許請求の範囲第１項に記載のホト
レジスト組成物。[Scope of Claims] 1. A photoresist composition comprising a cyclized diene polymer, a photocrosslinking agent and/or a photosensitizer, and an isocyanuric acid derivative. 2 The above isocyanuric acid derivative has the general formula (Here, R 1 , R 2 and R 3 are the same or different, and are an alkyl group, an alkenyl group, an aralkyl group,
Represents an aryl group, a substituent containing an ether bond, a substituent containing a thioether bond, a substituent containing an ester bond, a substituent containing an amino bond, or a substituent containing a phenolic hydroxyl group, and R 1 , R 2 and
At least one of R 3 is a substituent containing a phenolic hydroxyl group. ) The photoresist composition according to claim 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9590180A JPS5720733A (en) | 1980-07-14 | 1980-07-14 | Photoresist composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9590180A JPS5720733A (en) | 1980-07-14 | 1980-07-14 | Photoresist composition |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5720733A JPS5720733A (en) | 1982-02-03 |
| JPS6314341B2 true JPS6314341B2 (en) | 1988-03-30 |
Family
ID=14150193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9590180A Granted JPS5720733A (en) | 1980-07-14 | 1980-07-14 | Photoresist composition |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5720733A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3843995B2 (en) * | 2002-05-27 | 2006-11-08 | 日本ゼオン株式会社 | Radiation sensitive resin composition, method for producing substrate having patterned resin film, and use of the resin composition |
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-
1980
- 1980-07-14 JP JP9590180A patent/JPS5720733A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5720733A (en) | 1982-02-03 |
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