JPS6316839B2 - - Google Patents
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- JPS6316839B2 JPS6316839B2 JP21957686A JP21957686A JPS6316839B2 JP S6316839 B2 JPS6316839 B2 JP S6316839B2 JP 21957686 A JP21957686 A JP 21957686A JP 21957686 A JP21957686 A JP 21957686A JP S6316839 B2 JPS6316839 B2 JP S6316839B2
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Landscapes
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はバブルメモリデバイス、特にマージン
測定のためにバイアス磁界を可変させるバイアス
コイルを備えたバブルメモリデバイスに関するも
のである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a bubble memory device, and particularly to a bubble memory device equipped with a bias coil that varies a bias magnetic field for margin measurement.
一般にバブルメモリデバイスは第1図に示すよ
うな構造よりなる。すなわち、ガーネツトなどの
非磁性基板上に液晶エピタキシヤル成長法などに
よつて形成された磁性薄膜とこの磁性薄膜上に形
成された軟磁性材および導電材のパタンとからな
るバブルメモリチツプ1は、第2図に示すように
絶縁基板2の中央凹部に固定され、チツプ1から
の配線は絶縁基板2のピン穴2aに接続されてい
る。またチツプ1が固定された絶縁基板2の外側
面には、チツプ1に水平な回転磁界を供給するた
めに、第3図に示すようにY軸方向にY方向駆動
コイル3を巻回し、更にこれに直交してX軸方向
にX方向駆動コイル4を巻回してなる。このよう
にコイルブロツク3,4が巻回された絶縁基板2
は、第4図に示すようなリードフレーム5に固定
されている。このリードフレーム5はチツプ1と
外部回路との間を電気的に接続する信号伝搬用
で、リードフレーム5のリード5aの立上り接続
部5bを絶縁基板2のピン穴2aに挿入して半田
などで固定される。このようにリードフレーム5
が取付けられた絶縁基板2は第1図に示すように
モールド6が施されてモールドデバイス7が形成
される。またモールドデバイス7の上下面には前
記チツプ1に均一なバイアス磁界を与える平板状
の永久磁石8a,8bが整磁板9a,9bを介し
て配置され、更に永久磁石8a,8bの外面側が
パーマロイなどの高透磁率性材料よりなるシール
ドケース10内に嵌入されてバブルメモリデバイ
スが構成されている。そして、前記整磁板9a,
9bの対向面間には、永久磁石8a,8bによつ
てバブルを安定に動作させるために必要なバイア
ス静磁界が発生する。
Generally, a bubble memory device has a structure as shown in FIG. That is, the bubble memory chip 1 consists of a magnetic thin film formed on a non-magnetic substrate such as garnet by a liquid crystal epitaxial growth method, and a pattern of a soft magnetic material and a conductive material formed on this magnetic thin film. As shown in FIG. 2, it is fixed in the central recess of the insulating substrate 2, and the wiring from the chip 1 is connected to the pin hole 2a of the insulating substrate 2. Furthermore, on the outer surface of the insulating substrate 2 to which the chip 1 is fixed, a Y-direction driving coil 3 is wound in the Y-axis direction as shown in FIG. 3 in order to supply a horizontal rotating magnetic field to the chip 1. An X-direction drive coil 4 is wound in the X-axis direction perpendicular to this. The insulating substrate 2 around which the coil blocks 3 and 4 are wound in this way
is fixed to a lead frame 5 as shown in FIG. This lead frame 5 is used for signal propagation to electrically connect between the chip 1 and an external circuit, and the rising connection portions 5b of the leads 5a of the lead frame 5 are inserted into the pin holes 2a of the insulating substrate 2, and soldered etc. Fixed. Lead frame 5 like this
As shown in FIG. 1, the insulating substrate 2 to which the insulating substrate 2 is attached is subjected to a mold 6 to form a mold device 7. Furthermore, flat permanent magnets 8a and 8b that provide a uniform bias magnetic field to the chip 1 are arranged on the upper and lower surfaces of the mold device 7, with magnetic field shunt plates 9a and 9b interposed therebetween. A bubble memory device is constructed by being fitted into a shield case 10 made of a high magnetic permeability material such as. And the magnetic shunt plate 9a,
A bias static magnetic field necessary for stable operation of the bubble is generated by permanent magnets 8a and 8b between the opposing surfaces of the bubble 9b.
かかるバブルメモリデバイスのマージンは、一
般に前記バイアス磁界を縦軸にとり、他のパラメ
ータを横軸にとつて表わされる。従つて、マージ
ン測定のためには前記バイアス磁界を可変にして
調査する必要がある。このバイアス磁界を可変に
するためにバイアスコイルが用いられる。 The margin of such a bubble memory device is generally expressed with the bias magnetic field on the vertical axis and other parameters on the horizontal axis. Therefore, in order to measure the margin, it is necessary to make the bias magnetic field variable. A bias coil is used to make this bias magnetic field variable.
なお、リードフレームを用いた磁気バブルメモ
リのパツケージは特開昭53−78130号公報で知ら
れているが、その公報にバイアスコイルの取付け
については記載がない。 Incidentally, a package of a magnetic bubble memory using a lead frame is known from Japanese Patent Application Laid-open No. 78130/1983, but there is no description in that publication about the attachment of a bias coil.
従来、前記マージン測定は、第1図に示すよう
にシールドケース10の側面にコイル11を巻設
し、このコイル11に直流電流を流しバイアス磁
界を変化させて行つている(例えば特開昭54−
5334号公報)。しかしながら、この方法は一々コ
イル11を取付け、取外しなければならなく、ま
たその取扱いが困難であり、準備作業に多大な時
間を要する欠点があつた。
Conventionally, the margin measurement has been carried out by winding a coil 11 around the side surface of a shield case 10 as shown in FIG. −
Publication No. 5334). However, this method has the disadvantage that the coil 11 must be attached and detached one by one, is difficult to handle, and requires a lot of time for preparation work.
本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされたも
ので、バブルメモリデバイスのマージン測定上お
よび製作工程における取扱いが容易なバブルメモ
リデバイスを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above-mentioned drawbacks of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a bubble memory device that is easy to handle in margin measurement and manufacturing process.
本発明の実施例によれば、外部接続リードとバ
イアスコイル支持用の部材とを一体に形成したリ
ードフレームを用いて樹脂封止する方法が提供さ
れる。
According to an embodiment of the present invention, there is provided a method of resin-sealing an external connection lead and a member for supporting a bias coil using a lead frame integrally formed.
バイアスコイルの位置決めが精度良く行なうこ
とができる。
The bias coil can be positioned with high precision.
以下、本発明を図示の実施例により説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained with reference to illustrated embodiments.
第5図は本発明になるバブルメモリデバイスの
一実施例を示すモールド前の正面図および側面
図、第6図は第5図のリードフレームの斜視図、
第7図はモールドデバイスの斜視図、第8図はバ
ブルメモリデバイスの完成図、第9図は第8図に
示すバブルメモリデバイスの拡大断面図である。
なお、第1図乃至第4図と同じまたは相当部材に
は同一符号を付しその説明を省略する。 5 is a front view and a side view before molding showing an embodiment of the bubble memory device according to the present invention, FIG. 6 is a perspective view of the lead frame of FIG. 5,
7 is a perspective view of the molded device, FIG. 8 is a completed view of the bubble memory device, and FIG. 9 is an enlarged sectional view of the bubble memory device shown in FIG. 8.
Note that the same or equivalent members as in FIGS. 1 to 4 are designated by the same reference numerals, and their explanations will be omitted.
第6図に示すようにリードフレーム5には、リ
ード5aが形成されていない内側部に下方に折曲
げられたバイアスコイル取付け部5cが形成され
ている。このリードフレーム5のリード5aの立
上り接続部5bは、第3図に示すようなコイルブ
ロツク3,4が巻回された絶縁基板2のピン穴2
aに挿入され、第5図に示すように従来と同様に
半田などで固定されている。本発明は第5図に示
すようにリードフレーム5のバイアスコイル取付
部5cにバイアスコイル12を固定したことを一
つの特徴とする。そして、バイアスコイル11の
端子はリードフレーム5のリード5aに接続す
る。これにより、該リード5aに電流を流すこと
によりバイアス磁界を可変できるようになる。ま
た、バブルメモリの使用時にこのバイアスコイル
に大きい電流を流すことにより、一度にバブルメ
モリの記憶情報をクリア(消去)することもでき
る。次に第5図のように組立られた組立体のコイ
ルブロツク3,4およびバイアスコイル12を包
むようにモールド6を施して第7図、第9図に示
すようにモールドデバイス7を形成する。この
時、モールドデバイス7の上下面には整磁板9
a,9bおよび永久磁石8a,8bを配置するた
めの凹部を形成する。そして、モールドデバイス
7の上下面の凹部に整磁板9a,9bおよび永久
磁石8a,8bを配置し、シールドケース10内
に嵌入して第8図、第9図に示すようにバブルメ
モリデバイスを完成する。これにより、バイアス
コイル12は整磁板9bの周囲に配設される。な
お、樹脂モールド後、リードフレームの不要部分
は勿論除去される。 As shown in FIG. 6, the lead frame 5 has a downwardly bent bias coil mounting portion 5c formed on the inner side where the leads 5a are not formed. The rising connection portion 5b of the lead 5a of this lead frame 5 is connected to the pin hole 2 of the insulating substrate 2 around which the coil blocks 3 and 4 are wound as shown in FIG.
a, and as shown in FIG. 5, is fixed with solder or the like as in the conventional case. One feature of the present invention is that the bias coil 12 is fixed to the bias coil mounting portion 5c of the lead frame 5 as shown in FIG. Then, the terminal of the bias coil 11 is connected to the lead 5a of the lead frame 5. This makes it possible to vary the bias magnetic field by passing a current through the lead 5a. Furthermore, by passing a large current through this bias coil when using the bubble memory, the information stored in the bubble memory can be cleared (erased) at once. Next, a mold 6 is applied so as to enclose the coil blocks 3, 4 and bias coil 12 of the assembly assembled as shown in FIG. 5, to form a mold device 7 as shown in FIGS. 7 and 9. At this time, magnetic shunt plates 9 are provided on the upper and lower surfaces of the mold device 7.
A, 9b and a recessed portion for arranging the permanent magnets 8a, 8b are formed. Then, the magnetic field shunt plates 9a, 9b and permanent magnets 8a, 8b are placed in the recessed portions of the upper and lower surfaces of the mold device 7, and the bubble memory device is constructed as shown in FIGS. 8 and 9 by fitting into the shield case 10. Complete. Thereby, the bias coil 12 is arranged around the magnetic shunt plate 9b. Note that after resin molding, unnecessary portions of the lead frame are of course removed.
以上の説明から明らかな如く、本発明になるバ
ブルメモリデバイスによれば、バイアスコイルは
リードフレームに取付けてなるので、寸法精度は
±0.1mmと非常に向上し、取付け位置は安定する。
As is clear from the above description, according to the bubble memory device according to the present invention, since the bias coil is attached to the lead frame, the dimensional accuracy is greatly improved to ±0.1 mm, and the attachment position is stable.
第1図は従来のバブルメモリデバイスの断面
図、第2図はバブルメモリチツプが固定された絶
縁基板の正面図、第3図はコイルブロツクを巻回
した絶縁基板の正面図、第4図は従来のリードフ
レームの斜視図、第5図は本発明になるバブルメ
モリデバイスの一実施例を示すモールド前の正面
図および側面図、第6図は第5図のリードフレー
ムの斜視図、第7図はモールドデバイスの斜視
図、第8図はバブルメモリデバイスの完成図、第
9図は第8図に示すバブルメモリデバイスの拡大
断面図である。
1……バブルメモリデバイス、2……絶縁基
板、3……X方向駆動コイル、4……Y方向駆動
コイル、5……リードフレーム、5a……リー
ド、5b……立上り接続部、5c……バイアスコ
イル取付け部、6……モールド、7……モールド
デバイス、8a,8b……永久磁石、9a,9b
……整磁板、10……シールドケース、12……
バイアスコイル。
Figure 1 is a sectional view of a conventional bubble memory device, Figure 2 is a front view of an insulating substrate on which a bubble memory chip is fixed, Figure 3 is a front view of an insulating substrate around which a coil block is wound, and Figure 4 is a front view of an insulating substrate on which a coil block is wound. 5 is a front view and side view of a bubble memory device according to an embodiment of the present invention before molding; FIG. 6 is a perspective view of the lead frame of FIG. 5; FIG. 7 is a perspective view of a conventional lead frame; 8 is a perspective view of the molded device, FIG. 8 is a completed view of the bubble memory device, and FIG. 9 is an enlarged sectional view of the bubble memory device shown in FIG. 8. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Bubble memory device, 2...Insulating substrate, 3...X direction drive coil, 4...Y direction drive coil, 5...Lead frame, 5a...Lead, 5b...Rising connection part, 5c... Bias coil attachment part, 6...Mold, 7...Mold device, 8a, 8b...Permanent magnet, 9a, 9b
...Magnetic adjustment plate, 10...Shield case, 12...
bias coil.
Claims (1)
続を行なうための複数のリードと、上記チツプに
バイアス磁界を供給することのできるバイアスコ
イルを取付けるための支持部とを一体に形成した
リードフレームを準備し、上記チツプ、上記バイ
アスコイルおよび上記リードフレームの一部を一
緒に樹脂カプセルで封止することを特徴とする磁
気バブルメモリの製造方法。1. Prepare a lead frame in which a plurality of leads for electrically connecting the magnetic bubble memory chip with the outside and a supporting part for attaching a bias coil capable of supplying a bias magnetic field to the chip are integrally formed. A method of manufacturing a magnetic bubble memory, characterized in that the chip, the bias coil, and a part of the lead frame are sealed together with a resin capsule.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21957686A JPS62143282A (en) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | Manufacture of magnetic bubble memory |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21957686A JPS62143282A (en) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | Manufacture of magnetic bubble memory |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15207879A Division JPS5677971A (en) | 1979-11-26 | 1979-11-26 | Bubble memory device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62143282A JPS62143282A (en) | 1987-06-26 |
| JPS6316839B2 true JPS6316839B2 (en) | 1988-04-11 |
Family
ID=16737686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21957686A Granted JPS62143282A (en) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | Manufacture of magnetic bubble memory |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62143282A (en) |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP21957686A patent/JPS62143282A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62143282A (en) | 1987-06-26 |
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