JPS6319956B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6319956B2 JPS6319956B2 JP1432081A JP1432081A JPS6319956B2 JP S6319956 B2 JPS6319956 B2 JP S6319956B2 JP 1432081 A JP1432081 A JP 1432081A JP 1432081 A JP1432081 A JP 1432081A JP S6319956 B2 JPS6319956 B2 JP S6319956B2
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- Japan
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- mager
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- magnetic
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- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリチツプ、特に磁気バ
ブルを転送する転送回路パターンの改良に関する
ものである。
ブルを転送する転送回路パターンの改良に関する
ものである。
第１図は通常用いられている磁気バブルメモリ
チツプの一例を示す要部拡大平面図である。同図
において、１は情報を貯えるマイナループ、２は
読み出し情報を転送するリードメイジヤライン、
３は書き込み情報を転送するライトメイジヤライ
ン、４は磁気バブルを電気信号に変換するバブル
検出器、５は情報をライトメイジヤライン３上に
書き込む磁気バブル発生器、６はマイナループ１
上の情報をリードメイジヤライン２上に複写する
レプリケートゲート、７はライトメイジヤライン
３上の情報をマイナループ１中の情報とを入れ替
えるスワツプゲート、８は外周部からの不要な磁
気バブルの侵入を阻止するガードレール、１０は
これらの転送回路を外部回路と接続するボンデイ
ングパツトである。
チツプの一例を示す要部拡大平面図である。同図
において、１は情報を貯えるマイナループ、２は
読み出し情報を転送するリードメイジヤライン、
３は書き込み情報を転送するライトメイジヤライ
ン、４は磁気バブルを電気信号に変換するバブル
検出器、５は情報をライトメイジヤライン３上に
書き込む磁気バブル発生器、６はマイナループ１
上の情報をリードメイジヤライン２上に複写する
レプリケートゲート、７はライトメイジヤライン
３上の情報をマイナループ１中の情報とを入れ替
えるスワツプゲート、８は外周部からの不要な磁
気バブルの侵入を阻止するガードレール、１０は
これらの転送回路を外部回路と接続するボンデイ
ングパツトである。
このように構成された磁気バブルメモリチツプ
は、通常データ転送レートを向上させるために第
２図ａに示す従来方式すなわち１倍長周期メイジ
ヤライン方式に対して同図ｂに示す２倍長周期メ
イジヤライン方式が用いられ、この２倍長周期メ
イジヤライン方式を用いることによつて、データ
転送レートを２倍に速くすることができる。これ
らの図において１１ａ，１１ｂはリードメイジヤ
ライン２、ライトメイジヤライン３の転送回路を
形成するシエブロンパターンであり、同図ａに示
す従来方式の場合、リードメイジヤライン２、ラ
イトメイジヤライン３を形成する転送回路パター
ン１１ａの周期λはマイナループ１を形成する転
送回路パターン要素の周期λ1とほぼ同程度の大き
さ（λλ1）である。一方、同図ｂに示す２倍長
周期方式の場合、リードメイジヤライン２、ライ
トメイジヤライン３を形成するシエブロンパター
ン１１ｂの周期Λはマイナループ１を形成する転
送回路パターン要素の周期λ1の約２倍（Λ〜2λ1）
となる。本発明は上述した２倍長周期方式の磁気
バブルメモリチツプに関するものである。
は、通常データ転送レートを向上させるために第
２図ａに示す従来方式すなわち１倍長周期メイジ
ヤライン方式に対して同図ｂに示す２倍長周期メ
イジヤライン方式が用いられ、この２倍長周期メ
イジヤライン方式を用いることによつて、データ
転送レートを２倍に速くすることができる。これ
らの図において１１ａ，１１ｂはリードメイジヤ
ライン２、ライトメイジヤライン３の転送回路を
形成するシエブロンパターンであり、同図ａに示
す従来方式の場合、リードメイジヤライン２、ラ
イトメイジヤライン３を形成する転送回路パター
ン１１ａの周期λはマイナループ１を形成する転
送回路パターン要素の周期λ1とほぼ同程度の大き
さ（λλ1）である。一方、同図ｂに示す２倍長
周期方式の場合、リードメイジヤライン２、ライ
トメイジヤライン３を形成するシエブロンパター
ン１１ｂの周期Λはマイナループ１を形成する転
送回路パターン要素の周期λ1の約２倍（Λ〜2λ1）
となる。本発明は上述した２倍長周期方式の磁気
バブルメモリチツプに関するものである。
第３図は周期Λを有するリードメイジヤライン
２、ライトメイジヤライン３および周期λ1を有す
るマイナループ１の転送回路パターンの一例を示
したものである。同図において、転送する磁気バ
ブル径をｄとしたとき、通常λ1は（３〜４）ｄ、
Λは2λ1程度に選定される。
２、ライトメイジヤライン３および周期λ1を有す
るマイナループ１の転送回路パターンの一例を示
したものである。同図において、転送する磁気バ
ブル径をｄとしたとき、通常λ1は（３〜４）ｄ、
Λは2λ1程度に選定される。
しかしながら上記構成による２倍長周期方式の
磁気バブルメモリチツプにおいて、第１図に示し
たようなリードメイジヤライン２もしくはライト
メイジヤライン３であるメイジヤラインの全ての
パターン要素を２倍長周期方式で形成した場合、
磁気バブルの転送特性が劣化し、バイアス磁界マ
ージンΔHBが半減するという問題が発生した。
磁気バブルメモリチツプにおいて、第１図に示し
たようなリードメイジヤライン２もしくはライト
メイジヤライン３であるメイジヤラインの全ての
パターン要素を２倍長周期方式で形成した場合、
磁気バブルの転送特性が劣化し、バイアス磁界マ
ージンΔHBが半減するという問題が発生した。
したがつて本発明は、メイジヤラインを、２倍
長周期パターンと１倍長周期パターンとを混在さ
せて形成することによつて、転送特性の劣化を防
止してデータ転送レートを向上させた磁気バブル
メモリチツプを提供することを目的としている。
長周期パターンと１倍長周期パターンとを混在さ
せて形成することによつて、転送特性の劣化を防
止してデータ転送レートを向上させた磁気バブル
メモリチツプを提供することを目的としている。
以下、本発明を詳細に説明する。
従来の２倍長周期方式メイジヤラインにおい
て、転送特性が劣化する原因を調べた結果、次の
ことが実験により明らかとなつた。すなわち、第
１図に例示したリードメイジヤライン２またはラ
イトメイジヤライン３において、転送特性が劣化
する部分は、丸印で囲んだ90゜コーナ部分１２で
あり、他の直線部分は特性劣化を生じていなかつ
た。第４図はこの90゜コーナ部分１２のシエブロ
ンパターン１１ｂの配列を示したものである。
て、転送特性が劣化する原因を調べた結果、次の
ことが実験により明らかとなつた。すなわち、第
１図に例示したリードメイジヤライン２またはラ
イトメイジヤライン３において、転送特性が劣化
する部分は、丸印で囲んだ90゜コーナ部分１２で
あり、他の直線部分は特性劣化を生じていなかつ
た。第４図はこの90゜コーナ部分１２のシエブロ
ンパターン１１ｂの配列を示したものである。
したがつて、本発明の考え方は、メイジヤライ
ンの直線転送部分は２倍長周期とし、コーナ部分
は１倍長周期としてメイジヤラインを、パターン
要素の２倍長周期と１倍長周期とを混在させて形
成したものである。
ンの直線転送部分は２倍長周期とし、コーナ部分
は１倍長周期としてメイジヤラインを、パターン
要素の２倍長周期と１倍長周期とを混在させて形
成したものである。
しかしながら、単に２倍長周期と１倍長周期と
を混在させた場合、第５図に示したように２倍長
周期Λ1パターン１１ｂから１倍長周期Λ2パター
ン１１ａに移る接続部分ｌもしくは１倍長周期
Λ2パターン１１ａから２倍長周期Λ1パターン１
１ｂに移る接続部分ｌが形成される。そして、こ
の接続部分ｌは、例えばΛ1＝16μmパターン１１
ｂから直ちにΛ2＝8μmパターン１１ａに移り変
ると、この接続部分ｌにおいて、転送特性のマー
ジンロスが発生する恐れがあつた。
を混在させた場合、第５図に示したように２倍長
周期Λ1パターン１１ｂから１倍長周期Λ2パター
ン１１ａに移る接続部分ｌもしくは１倍長周期
Λ2パターン１１ａから２倍長周期Λ1パターン１
１ｂに移る接続部分ｌが形成される。そして、こ
の接続部分ｌは、例えばΛ1＝16μmパターン１１
ｂから直ちにΛ2＝8μmパターン１１ａに移り変
ると、この接続部分ｌにおいて、転送特性のマー
ジンロスが発生する恐れがあつた。
したがつて本発明は、第６図ａ，ｂにパターン
配列簡略図で示したように同図ａに示す１倍長周
期Λ2＝8μmパターン１１ａと２倍長周期Λ1＝
16μmパターン１１ｂ間の接続部分ｌ＝０に対し
て同図ｂで示したように１倍長周期Λ2＝8μmパ
ターン１１ａと２倍長周期Λ1＝16μmパターン１
１ｂ間の接続部分ｌに、周期Λが徐々に異なる複
数個の中間周期パターン、すなわち周期Λ＝９，
10，11，12，13，14，15μmを有する７個の中間
周期パターン１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，
１１ｇ，１１ｈ，１１ｉをそれぞれ介在させてメ
イジヤラインを構成したものである。
配列簡略図で示したように同図ａに示す１倍長周
期Λ2＝8μmパターン１１ａと２倍長周期Λ1＝
16μmパターン１１ｂ間の接続部分ｌ＝０に対し
て同図ｂで示したように１倍長周期Λ2＝8μmパ
ターン１１ａと２倍長周期Λ1＝16μmパターン１
１ｂ間の接続部分ｌに、周期Λが徐々に異なる複
数個の中間周期パターン、すなわち周期Λ＝９，
10，11，12，13，14，15μmを有する７個の中間
周期パターン１１ｃ，１１ｄ，１１ｅ，１１ｆ，
１１ｇ，１１ｈ，１１ｉをそれぞれ介在させてメ
イジヤラインを構成したものである。
このような構成によれば、１倍長周期Λ2パタ
ーン１１ａと２倍長周期Λ1パターン１１ｂ間の
接続部分ｌにおいて、磁気バブルが円滑に転送さ
れることになり、したがつてこの接続部分ｌにお
けるマージンロスの問題を全面的に解決すること
ができた。
ーン１１ａと２倍長周期Λ1パターン１１ｂ間の
接続部分ｌにおいて、磁気バブルが円滑に転送さ
れることになり、したがつてこの接続部分ｌにお
けるマージンロスの問題を全面的に解決すること
ができた。
第７図、第８図は本発明による磁気バブルメモ
リチツプの他の実施例を説明するための図であ
り、第７図は前記接続部分ｌに介在させるパター
ン要素の形成手段を示し、第８図はこの手段によ
つて形成されたパターン要素の配列簡略図を示し
たものである。まず、第７図で示したように上記
接続部分ｌに介在させるパターン要素を、例えば
同図ａに示す周期Λa＝16μmパターン１３の実線
部で示す右半分のパターン１３ａと、同図ｂに示
す周期Λb＝15μmパターン１４の実線部で示す左
半分のパターン１４ａとを合わせて同図ｃに示し
たような周期Λc＝15.5μmのパターン１５を形成
する。同様にして互いに周期の異なる複数個の接
続用パターンを形成し、これらのパターン要素を
第８図に示したように１倍長周期Λ2パターン１
１ａと２倍長周期Λ1パターン１１ｂ間の接続部
分ｌに、周期Λ＝9.5，11.5，13.5，15.5μmの順に
４個の中間周期パターン１１ｊ，１１ｋ，１１
ｌ，１１ｍをそれぞれ介在させてメイジヤライン
を構成したものである。
リチツプの他の実施例を説明するための図であ
り、第７図は前記接続部分ｌに介在させるパター
ン要素の形成手段を示し、第８図はこの手段によ
つて形成されたパターン要素の配列簡略図を示し
たものである。まず、第７図で示したように上記
接続部分ｌに介在させるパターン要素を、例えば
同図ａに示す周期Λa＝16μmパターン１３の実線
部で示す右半分のパターン１３ａと、同図ｂに示
す周期Λb＝15μmパターン１４の実線部で示す左
半分のパターン１４ａとを合わせて同図ｃに示し
たような周期Λc＝15.5μmのパターン１５を形成
する。同様にして互いに周期の異なる複数個の接
続用パターンを形成し、これらのパターン要素を
第８図に示したように１倍長周期Λ2パターン１
１ａと２倍長周期Λ1パターン１１ｂ間の接続部
分ｌに、周期Λ＝9.5，11.5，13.5，15.5μmの順に
４個の中間周期パターン１１ｊ，１１ｋ，１１
ｌ，１１ｍをそれぞれ介在させてメイジヤライン
を構成したものである。
このような構成によれば、接続部分ｌの長さが
第６図に比較して約半分となり、所要スペースを
小さくして構成でき、前述と全く同様の効果が得
られる。
第６図に比較して約半分となり、所要スペースを
小さくして構成でき、前述と全く同様の効果が得
られる。
なお、実施例において、パターン要素としてシ
エブロンパターンを用いた場合について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ハ
ーフデイスクパターンなどのような他の形状を有
するパターンを用いても前述と同様の効果が得ら
れることは勿論である。
エブロンパターンを用いた場合について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ハ
ーフデイスクパターンなどのような他の形状を有
するパターンを用いても前述と同様の効果が得ら
れることは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、磁気バブ
ルの転送特性を劣化させることなく、データ転送
レートを向上させることができるという極めて優
れた効果が得られた。
ルの転送特性を劣化させることなく、データ転送
レートを向上させることができるという極めて優
れた効果が得られた。
第１図は磁気バブルメモリチツプの一例を示す
要部拡大平面図、第２図ａ，ｂは１倍長、２倍長
周期メイジヤライン方式の一例を示す要部拡大平
面図、第３図は転送回路パターンの一例を示す要
部拡大平面図、第４図は90゜コーナ回路パターン
の一例を示す要部拡大平面図、第５図ないし第８
図は本発明による磁気バブルメモリチツプの実施
例を説明するための図である。 １……マイナループ、２……リードメイジヤラ
イン、３……ライトメイジヤライン、１１ａ……
１倍長周期パターン、１１ｂ……２倍長周期パタ
ーン、１１ｃ〜１１ｍ……中間周期パターン。
要部拡大平面図、第２図ａ，ｂは１倍長、２倍長
周期メイジヤライン方式の一例を示す要部拡大平
面図、第３図は転送回路パターンの一例を示す要
部拡大平面図、第４図は90゜コーナ回路パターン
の一例を示す要部拡大平面図、第５図ないし第８
図は本発明による磁気バブルメモリチツプの実施
例を説明するための図である。 １……マイナループ、２……リードメイジヤラ
イン、３……ライトメイジヤライン、１１ａ……
１倍長周期パターン、１１ｂ……２倍長周期パタ
ーン、１１ｃ〜１１ｍ……中間周期パターン。
Claims (1)
- １ 磁気バブルを記憶・転送する複数のマイナル
ープと該マイナループとの間で磁気バブルの読み
出しないし書き込みを行なうためのメイジヤライ
ンとを備えた磁気バブルメモリチツプにおいて、
前記メイジヤラインをその直線部においては２倍
長周期パターンとしそのコーナ部においては１倍
長周期パターンとし、前記２倍長周期パターンと
１倍長周期パターン間の接続部分に周期が徐々に
異なる中間周期パターンを介在させたことを特徴
とする磁気バブルメモリチツプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1432081A JPS57130280A (en) | 1981-02-04 | 1981-02-04 | Magnetic bubble memory chip |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1432081A JPS57130280A (en) | 1981-02-04 | 1981-02-04 | Magnetic bubble memory chip |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57130280A JPS57130280A (en) | 1982-08-12 |
| JPS6319956B2 true JPS6319956B2 (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=11857787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1432081A Granted JPS57130280A (en) | 1981-02-04 | 1981-02-04 | Magnetic bubble memory chip |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57130280A (ja) |
-
1981
- 1981-02-04 JP JP1432081A patent/JPS57130280A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57130280A (en) | 1982-08-12 |
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