Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS6319956B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS6319956B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6319956B2
JPS6319956B2 JP1432081A JP1432081A JPS6319956B2 JP S6319956 B2 JPS6319956 B2 JP S6319956B2 JP 1432081 A JP1432081 A JP 1432081A JP 1432081 A JP1432081 A JP 1432081A JP S6319956 B2 JPS6319956 B2 JP S6319956B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
line
mager
period
magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1432081A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS57130280A (en
Inventor
Minoru Hiroshima
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP1432081A priority Critical patent/JPS57130280A/en
Publication of JPS57130280A publication Critical patent/JPS57130280A/en
Publication of JPS6319956B2 publication Critical patent/JPS6319956B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C19/00Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
    • G11C19/02Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
    • G11C19/08Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
    • G11C19/0808Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
    • G11C19/0816Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field

Landscapes

  • Thin Magnetic Films (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリチツプ、特に磁気バ
ブルを転送する転送回路パターンの改良に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble memory chip, and more particularly to an improvement in a transfer circuit pattern for transferring magnetic bubbles.

第1図は通常用いられている磁気バブルメモリ
チツプの一例を示す要部拡大平面図である。同図
において、1は情報を貯えるマイナループ、2は
読み出し情報を転送するリードメイジヤライン、
3は書き込み情報を転送するライトメイジヤライ
ン、4は磁気バブルを電気信号に変換するバブル
検出器、5は情報をライトメイジヤライン3上に
書き込む磁気バブル発生器、6はマイナループ1
上の情報をリードメイジヤライン2上に複写する
レプリケートゲート、7はライトメイジヤライン
3上の情報をマイナループ1中の情報とを入れ替
えるスワツプゲート、8は外周部からの不要な磁
気バブルの侵入を阻止するガードレール、10は
これらの転送回路を外部回路と接続するボンデイ
ングパツトである。
FIG. 1 is an enlarged plan view of essential parts of an example of a commonly used magnetic bubble memory chip. In the figure, 1 is a minor loop that stores information, 2 is a read mager line that transfers read information,
3 is a lightmager line that transfers write information; 4 is a bubble detector that converts magnetic bubbles into electrical signals; 5 is a magnetic bubble generator that writes information onto the lightmager line 3; 6 is a minor loop 1
A replicate gate 7 copies the above information onto the read mager line 2, a swap gate 7 swaps the information on the light mager line 3 with information in the minor loop 1, and 8 prevents unnecessary magnetic bubbles from entering from the outer periphery. The guardrail 10 is a bonding pad that connects these transfer circuits to an external circuit.

このように構成された磁気バブルメモリチツプ
は、通常データ転送レートを向上させるために第
2図aに示す従来方式すなわち1倍長周期メイジ
ヤライン方式に対して同図bに示す2倍長周期メ
イジヤライン方式が用いられ、この2倍長周期メ
イジヤライン方式を用いることによつて、データ
転送レートを2倍に速くすることができる。これ
らの図において11a,11bはリードメイジヤ
ライン2、ライトメイジヤライン3の転送回路を
形成するシエブロンパターンであり、同図aに示
す従来方式の場合、リードメイジヤライン2、ラ
イトメイジヤライン3を形成する転送回路パター
ン11aの周期λはマイナループ1を形成する転
送回路パターン要素の周期λ1とほぼ同程度の大き
さ(λλ1)である。一方、同図bに示す2倍長
周期方式の場合、リードメイジヤライン2、ライ
トメイジヤライン3を形成するシエブロンパター
ン11bの周期Λはマイナループ1を形成する転
送回路パターン要素の周期λ1の約2倍(Λ〜2λ1
となる。本発明は上述した2倍長周期方式の磁気
バブルメモリチツプに関するものである。
In order to improve the data transfer rate, the magnetic bubble memory chip constructed in this way usually uses a double length period mager line method as shown in FIG. 2b, in contrast to the conventional method shown in FIG. A line method is used, and by using this double-length period Meijer line method, the data transfer rate can be doubled. In these figures, 11a and 11b are chevron patterns that form the transfer circuit of the read mager line 2 and the write mager line 3, and in the case of the conventional method shown in FIG. The period λ of the transfer circuit pattern 11a is approximately the same size (λλ 1 ) as the period λ 1 of the transfer circuit pattern element forming the minor loop 1. On the other hand, in the case of the double length period method shown in FIG . 2 times (Λ〜2λ 1 )
becomes. The present invention relates to the above-mentioned double length cycle type magnetic bubble memory chip.

第3図は周期Λを有するリードメイジヤライン
2、ライトメイジヤライン3および周期λ1を有す
るマイナループ1の転送回路パターンの一例を示
したものである。同図において、転送する磁気バ
ブル径をdとしたとき、通常λ1は(3〜4)d、
Λは2λ1程度に選定される。
FIG. 3 shows an example of a transfer circuit pattern of a read mager line 2 having a period Λ, a light mager line 3 and a minor loop 1 having a period λ 1. In the same figure, when the diameter of the magnetic bubble to be transferred is d, normally λ 1 is (3 to 4) d,
Λ is selected to be approximately 2λ 1 .

しかしながら上記構成による2倍長周期方式の
磁気バブルメモリチツプにおいて、第1図に示し
たようなリードメイジヤライン2もしくはライト
メイジヤライン3であるメイジヤラインの全ての
パターン要素を2倍長周期方式で形成した場合、
磁気バブルの転送特性が劣化し、バイアス磁界マ
ージンΔHBが半減するという問題が発生した。
However, in the magnetic bubble memory chip of the double length period method with the above configuration, all pattern elements of the mager line, which is the read mager line 2 or the write mager line 3, as shown in FIG. 1, are formed by the double length period method. if you did this,
A problem occurred in that the transfer characteristics of the magnetic bubble deteriorated and the bias magnetic field margin ΔH B was halved.

したがつて本発明は、メイジヤラインを、2倍
長周期パターンと1倍長周期パターンとを混在さ
せて形成することによつて、転送特性の劣化を防
止してデータ転送レートを向上させた磁気バブル
メモリチツプを提供することを目的としている。
Therefore, the present invention provides a magnetic structure that prevents deterioration of transfer characteristics and improves data transfer rate by forming mager lines with a mixture of double-length periodic patterns and single-length periodic patterns. The purpose is to provide bubble memory chips.

以下、本発明を詳細に説明する。 The present invention will be explained in detail below.

従来の2倍長周期方式メイジヤラインにおい
て、転送特性が劣化する原因を調べた結果、次の
ことが実験により明らかとなつた。すなわち、第
1図に例示したリードメイジヤライン2またはラ
イトメイジヤライン3において、転送特性が劣化
する部分は、丸印で囲んだ90゜コーナ部分12で
あり、他の直線部分は特性劣化を生じていなかつ
た。第4図はこの90゜コーナ部分12のシエブロ
ンパターン11bの配列を示したものである。
As a result of investigating the cause of the deterioration of transfer characteristics in the conventional double-length cycle type mager line, the following was clarified through experiments. That is, in the read mager line 2 or the light mager line 3 illustrated in FIG. 1, the portion where the transfer characteristics deteriorate is the 90° corner portion 12 surrounded by a circle, and the other straight portions do not have characteristics deterioration. Nakatsuta. FIG. 4 shows the arrangement of the chevron pattern 11b in this 90° corner portion 12.

したがつて、本発明の考え方は、メイジヤライ
ンの直線転送部分は2倍長周期とし、コーナ部分
は1倍長周期としてメイジヤラインを、パターン
要素の2倍長周期と1倍長周期とを混在させて形
成したものである。
Therefore, the idea of the present invention is that the linear transfer portion of the Meijer line has a double length period, the corner portion has a Meijer line with a single length period, and the pattern elements have a mixture of double length periods and single length periods. It was formed by

しかしながら、単に2倍長周期と1倍長周期と
を混在させた場合、第5図に示したように2倍長
周期Λ1パターン11bから1倍長周期Λ2パター
ン11aに移る接続部分lもしくは1倍長周期
Λ2パターン11aから2倍長周期Λ1パターン1
1bに移る接続部分lが形成される。そして、こ
の接続部分lは、例えばΛ1=16μmパターン11
bから直ちにΛ2=8μmパターン11aに移り変
ると、この接続部分lにおいて、転送特性のマー
ジンロスが発生する恐れがあつた。
However, if the double length period and the single length period are simply mixed, as shown in FIG . From 1x long period Λ 2 pattern 11a to 2x long period Λ 1 pattern 1
A connecting part l is formed which passes to 1b. This connection portion l is, for example, Λ 1 =16 μm pattern 11
If the pattern 11a with Λ 2 =8 μm was immediately changed from pattern b to pattern 11a, there was a risk that a margin loss in the transfer characteristics would occur at this connection portion l.

したがつて本発明は、第6図a,bにパターン
配列簡略図で示したように同図aに示す1倍長周
期Λ2=8μmパターン11aと2倍長周期Λ1
16μmパターン11b間の接続部分l=0に対し
て同図bで示したように1倍長周期Λ2=8μmパ
ターン11aと2倍長周期Λ1=16μmパターン1
1b間の接続部分lに、周期Λが徐々に異なる複
数個の中間周期パターン、すなわち周期Λ=9,
10,11,12,13,14,15μmを有する7個の中間
周期パターン11c,11d,11e,11f,
11g,11h,11iをそれぞれ介在させてメ
イジヤラインを構成したものである。
Therefore, in the present invention, as shown in the simplified pattern arrangement diagrams in FIGS. 6a and 6b, the pattern 11a with the single length period Λ 2 =8 μm shown in FIG. 6a and the double length period Λ 1 =
As shown in Figure b, for the connecting portion l=0 between the 16 μm patterns 11b, the pattern 11a has a single length period Λ 2 =8 μm and the pattern 1 has a double length period Λ 1 =16 μm.
A plurality of intermediate periodic patterns with gradually different periods Λ, that is, periods Λ=9,
7 intermediate periodic patterns 11c, 11d, 11e, 11f having sizes of 10, 11, 12, 13, 14, 15 μm,
11g, 11h, and 11i are interposed to form a mager line.

このような構成によれば、1倍長周期Λ2パタ
ーン11aと2倍長周期Λ1パターン11b間の
接続部分lにおいて、磁気バブルが円滑に転送さ
れることになり、したがつてこの接続部分lにお
けるマージンロスの問題を全面的に解決すること
ができた。
According to such a configuration, the magnetic bubbles are smoothly transferred at the connection portion l between the single length period Λ 2 pattern 11a and the double length period Λ 1 pattern 11b, and therefore, this connection portion We were able to completely solve the problem of margin loss in l.

第7図、第8図は本発明による磁気バブルメモ
リチツプの他の実施例を説明するための図であ
り、第7図は前記接続部分lに介在させるパター
ン要素の形成手段を示し、第8図はこの手段によ
つて形成されたパターン要素の配列簡略図を示し
たものである。まず、第7図で示したように上記
接続部分lに介在させるパターン要素を、例えば
同図aに示す周期Λa=16μmパターン13の実線
部で示す右半分のパターン13aと、同図bに示
す周期Λb=15μmパターン14の実線部で示す左
半分のパターン14aとを合わせて同図cに示し
たような周期Λc=15.5μmのパターン15を形成
する。同様にして互いに周期の異なる複数個の接
続用パターンを形成し、これらのパターン要素を
第8図に示したように1倍長周期Λ2パターン1
1aと2倍長周期Λ1パターン11b間の接続部
分lに、周期Λ=9.5,11.5,13.5,15.5μmの順に
4個の中間周期パターン11j,11k,11
l,11mをそれぞれ介在させてメイジヤライン
を構成したものである。
7 and 8 are diagrams for explaining other embodiments of the magnetic bubble memory chip according to the present invention, in which FIG. 7 shows means for forming pattern elements interposed in the connecting portion l; The figure shows a simplified arrangement of pattern elements formed by this means. First, as shown in FIG. 7, the pattern elements to be interposed in the connection portion l are, for example, the right half pattern 13a shown by the solid line part of the period Λa = 16 μm pattern 13 shown in FIG. A pattern 15 with a period Λc = 15.5 μm as shown in FIG. In the same way, a plurality of connection patterns with different periods are formed, and these pattern elements are formed into a pattern with a period of 1 times longer period Λ 2 pattern 1 as shown in FIG.
1a and the double length period Λ 1 pattern 11b, four intermediate period patterns 11j, 11k, 11 with periods Λ=9.5, 11.5, 13.5, 15.5 μm are placed in the order of 11b.
1 and 11m, respectively, to form a magia line.

このような構成によれば、接続部分lの長さが
第6図に比較して約半分となり、所要スペースを
小さくして構成でき、前述と全く同様の効果が得
られる。
According to such a configuration, the length of the connecting portion l is approximately half that of that shown in FIG. 6, and the required space can be reduced and the same effects as described above can be obtained.

なお、実施例において、パターン要素としてシ
エブロンパターンを用いた場合について説明した
が、本発明はこれに限定されるものではなく、ハ
ーフデイスクパターンなどのような他の形状を有
するパターンを用いても前述と同様の効果が得ら
れることは勿論である。
In addition, although the case where a chevron pattern was used as a pattern element was explained in the example, the present invention is not limited to this, and patterns having other shapes such as a half-disk pattern may also be used. Of course, the same effects as described above can be obtained.

以上説明したように本発明によれば、磁気バブ
ルの転送特性を劣化させることなく、データ転送
レートを向上させることができるという極めて優
れた効果が得られた。
As explained above, according to the present invention, the extremely excellent effect of being able to improve the data transfer rate without deteriorating the transfer characteristics of magnetic bubbles was obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は磁気バブルメモリチツプの一例を示す
要部拡大平面図、第2図a,bは1倍長、2倍長
周期メイジヤライン方式の一例を示す要部拡大平
面図、第3図は転送回路パターンの一例を示す要
部拡大平面図、第4図は90゜コーナ回路パターン
の一例を示す要部拡大平面図、第5図ないし第8
図は本発明による磁気バブルメモリチツプの実施
例を説明するための図である。 1……マイナループ、2……リードメイジヤラ
イン、3……ライトメイジヤライン、11a……
1倍長周期パターン、11b……2倍長周期パタ
ーン、11c〜11m……中間周期パターン。
Fig. 1 is an enlarged plan view of the main part showing an example of a magnetic bubble memory chip, Figs. FIG. 4 is an enlarged plan view of the main part showing an example of the transfer circuit pattern, FIG. 4 is an enlarged plan view of the main part showing an example of the 90° corner circuit pattern, and FIGS.
The figure is a diagram for explaining an embodiment of a magnetic bubble memory chip according to the present invention. 1...minor loop, 2...lead magger line, 3...light magia line, 11a...
1x long periodic pattern, 11b...2x long periodic pattern, 11c to 11m... intermediate periodic pattern.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 磁気バブルを記憶・転送する複数のマイナル
ープと該マイナループとの間で磁気バブルの読み
出しないし書き込みを行なうためのメイジヤライ
ンとを備えた磁気バブルメモリチツプにおいて、
前記メイジヤラインをその直線部においては2倍
長周期パターンとしそのコーナ部においては1倍
長周期パターンとし、前記2倍長周期パターンと
1倍長周期パターン間の接続部分に周期が徐々に
異なる中間周期パターンを介在させたことを特徴
とする磁気バブルメモリチツプ。
1. A magnetic bubble memory chip equipped with a plurality of minor loops for storing and transferring magnetic bubbles and a mager line for reading or writing magnetic bubbles between the minor loops,
The mager line has a double length periodic pattern in its straight portion and a single length periodic pattern in its corner portion, and an intermediate period whose period gradually changes is formed at the connecting portion between the double length periodic pattern and the single length periodic pattern. A magnetic bubble memory chip characterized by intervening periodic patterns.
JP1432081A 1981-02-04 1981-02-04 Magnetic bubble memory chip Granted JPS57130280A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1432081A JPS57130280A (en) 1981-02-04 1981-02-04 Magnetic bubble memory chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1432081A JPS57130280A (en) 1981-02-04 1981-02-04 Magnetic bubble memory chip

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57130280A JPS57130280A (en) 1982-08-12
JPS6319956B2 true JPS6319956B2 (en) 1988-04-25

Family

ID=11857787

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1432081A Granted JPS57130280A (en) 1981-02-04 1981-02-04 Magnetic bubble memory chip

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS57130280A (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57130280A (en) 1982-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB1360738A (en) Random access memory
JPS6476600A (en) Semiconductor memory device
JPS6319956B2 (en)
JPH0625015Y2 (en) Semiconductor device
JPS634488A (en) magnetic bubble memory device
JPS63308783A (en) Storage device
JPH023164A (en) Dual port memory
KR900010558Y1 (en) NRZ Code Generation Circuit for Magnetic Disk Drive Tester
JPS623508B2 (en)
KR200262677Y1 (en) Error logging device of this command and this command to prevent error logging
JPS59172190A (en) magnetic bubble memory chip
JPS5947379B2 (en) Cylindrical domain storage element
JPS5698709A (en) Magnetic disk device
JPS61222086A (en) Semiconductor memory element
JPS5897189A (en) Magnetic bubble memory element with auxiliary storage loop
JPS5888891A (en) Semiconductor memory device
JPH067434B2 (en) Magnetic bubble memory device
JPH0294094A (en) Data memory
JPS5833632B2 (en) semiconductor storage device
JPS6364837B2 (en)
JPH0616352B2 (en) Magnetic bubble transfer circuit
JPS61190784A (en) Magnetic bubble transmission channel
JPS59157890A (en) Magnetic bubble memory element
JPS6321277B2 (en)
JPS5891491A (en) Picture information input circuit for picture memory