JPS6321997B2 - - Google Patents
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- JPS6321997B2 JPS6321997B2 JP13050480A JP13050480A JPS6321997B2 JP S6321997 B2 JPS6321997 B2 JP S6321997B2 JP 13050480 A JP13050480 A JP 13050480A JP 13050480 A JP13050480 A JP 13050480A JP S6321997 B2 JPS6321997 B2 JP S6321997B2
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C15/00—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
- G11C15/04—Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores using semiconductor elements
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- Logic Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は連想記憶回路に関し、更に具体的には
3値信号を記憶し、記憶内容を2値信号により連
想的に読出すことができ、プログラム可能な論理
アレイを構成する記憶セルに好適ならしめる三状
態連想記憶回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an associative memory circuit, and more specifically to an associative memory circuit that can store ternary signals, read the stored contents associatively using binary signals, and constitute a programmable logic array. The present invention relates to a three-state associative memory circuit that is suitable for memory cells.
プログラム可能な論理アレイ(以下PLAを略
記する)は、基本的にはANDアレイおよびORア
レイと呼ばれる2つのダイオードマトリツクスで
構成されて、これらのダイオードの配置を選択す
ることによつて任意の論理機能を実現させること
のできる汎用論理集積回路である。論理式を積和
形表現にし、そのままの形で記憶することのでき
る半導体記憶装置であるともいえて論理式を効率
良く記憶するための記憶構造に特徴がある。 A programmable logic array (hereinafter abbreviated as PLA) basically consists of two diode matrices called an AND array and an OR array, and can create any logic by selecting the arrangement of these diodes. It is a general-purpose logic integrated circuit that can realize functions. It can be said that it is a semiconductor memory device that can express logical expressions in sum-of-products form and store them in that form, and is characterized by its memory structure for efficiently storing logical expressions.
積項を記憶するANDアレイは連想記憶装置に
なつている。しかも、その記憶の単位となるの
は、論理的に0か1あるいは0又は1のいずれで
もよいという3つの状態を表わす3値信号であつ
て、この3値信号の記憶は、2個のダイオードの
組合せによつて形成されている。 The AND array that stores product terms is an associative memory device. Moreover, the unit of storage is a ternary signal that logically represents three states, either 0 or 1 or 0 or 1, and this ternary signal is stored using two diodes. It is formed by a combination of
一般に記憶装置には、固定記憶と書込み可能な
記憶とがある。市販されているPLAは固定記憶
式である。特にフイールドPLAと呼ばれるもの
の一例では、ANDアレイ、ORアレイのダイオー
ドマトリツクスに、各ダイオードに直列接続され
たヒユーズが設けられていて、これらのヒユーズ
を任意に選んで溶断できるようにしてある。ヒユ
ーズを溶断するには特別の書込み装置を必要とす
るがこれにより、適当なダイオードの配列組合せ
を決めることができて、所望の論理式が固定的に
記憶される。 Generally, storage devices include fixed storage and writable storage. Commercially available PLA is of fixed memory type. In particular, in one example of what is called a field PLA, a diode matrix of an AND array or an OR array is provided with a fuse connected in series to each diode, and these fuses can be arbitrarily selected and blown. A special writing device is required to blow out the fuse, but with this, an appropriate arrangement and combination of diodes can be determined, and the desired logical formula can be permanently stored.
これらのヒユーズはそれと同じ役割をするフリ
ツプフロツプとゲート回路とに置替えることがで
きるので、このPLAを書込み可能な記憶式とす
ることはできる。この方法で3値信号を記憶する
には、前述のように2つのダイオードの組合せに
よるので従つてそれらを制御する2個のフリツプ
フロツプが必要である。通常、2個のフリツプフ
ロツプでは4つの状態が記憶できることを考えれ
ば、これはANDアレイにとつて冗長であり、効
率の悪い記憶方法である。回路構成に無駄がある
といえる。 These fuses can be replaced with flip-flops and gate circuits that serve the same purpose, allowing the PLA to have a writable memory. Storing a ternary signal in this manner requires a combination of two diodes, as mentioned above, and therefore two flip-flops to control them. Considering that two flip-flops can typically store four states, this is a redundant and inefficient storage method for AND arrays. It can be said that there is waste in the circuit configuration.
本来、PLAは集積化に適した構造をした素子
である。しかし、従来技術により書込み可能な
PLAを構成すると、上述のような理由で回路規
模が増大するため、大規模な集積化が不可能とな
る。 Originally, PLA is an element with a structure suitable for integration. However, with conventional technology, it is possible to write
When PLA is configured, the circuit scale increases for the reasons mentioned above, making large-scale integration impossible.
本発明の目的は、上記事情に鑑みて、3値信号
が効率良く記憶されてかつ連想的に読出され、比
較的少ない回路量で構成されて、PLA等を構成
する記憶素子に好適な三状態連想記憶回路を提供
することである。 In view of the above-mentioned circumstances, an object of the present invention is to efficiently store and associatively read out ternary signals, to configure a relatively small amount of circuitry, and to provide a three-state signal suitable for storage elements constituting PLA and the like. The purpose is to provide an associative memory circuit.
本発明によれば、3個の安定状態を持ち、書込
み制御信号により制御されて入力される3値書込
み入力信号を前記安定状態に対応させて記憶する
記憶回路と、2値論理入力信号を入力し、前記記
憶回路の前記3個の安定状態それぞれに応じて、
第一の状態のとき前述論理入力信号の肯定信号
を、第二の状態のとき前記論理入力信号の否定信
号を、第三の状態のとき論理1なる信号を出力す
る連想回路とを備え、3値信号を記憶して2値信
号により連想的に読出すことのできる三状態連想
記憶回路が得られる。 According to the present invention, there is provided a memory circuit which has three stable states and stores a ternary write input signal inputted under the control of a write control signal in correspondence with the stable state, and receives a binary logic input signal. and, depending on each of the three stable states of the memory circuit,
an associative circuit that outputs an affirmative signal of the logic input signal in a first state, a negative signal of the logic input signal in a second state, and a logic 1 signal in a third state; A three-state associative memory circuit is obtained which can store value signals and read them out associatively with binary signals.
次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。 Next, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings.
第1図は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。1は記憶回路であり、NANDゲート11,
12…,16により構成される。3個の2値書込
み入力信号A,B,Cはその組合せにより3値信
号を表わし、入力信号線101,102,103
を通じてNANDゲート11,12,13へ供給
される。このとき制御信号線104上へ供給され
る書込み制御信号Wが、NANDゲート11,1
2,13を介して2値書込み入力信号A,B,C
の入力を制御する。NANDゲート14,15,
16は互いに他の出力信号Y1,Y2,Y3を入力し
て帰還ループを形成し、同時にそれぞれが対応す
るNANDゲート11,12,13の出力信号を
入力とする。このように構成された帰還ループ
は、出力信号Y1,Y2,Y3の組合せで識別される
3個の安定状態を作り出す。それはY1,Y2,Y3
が(1、1、0)、(1、0、1)又は(0、1、
1)となる状態である。 FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. 1 is a memory circuit, NAND gate 11,
12..., 16. The three binary write input signals A, B, and C represent a ternary signal by their combination, and the input signal lines 101, 102, 103
The signal is supplied to NAND gates 11, 12, and 13 through. At this time, the write control signal W supplied onto the control signal line 104 is transmitted to the NAND gates 11 and 1.
Binary write input signals A, B, C via 2, 13
control input. NAND gate 14, 15,
16 input other output signals Y 1 , Y 2 , Y 3 to each other to form a feedback loop, and at the same time each inputs the output signals of the corresponding NAND gates 11 , 12 , 13 . The feedback loop thus configured creates three stable states identified by the combination of output signals Y 1 , Y 2 , Y 3 . That is Y 1 , Y 2 , Y 3
is (1, 1, 0), (1, 0, 1) or (0, 1,
1).
第2図aを参照すれば、3値信号“1”、“X”、
“0”と対応する入力信号の組合せおよび内部状
態との関係が示されている。Xは1又は0のいず
れでも良い状態を示す。記憶回路1の入力信号
A,B,Cは、同図の組合せだけに限られる。 Referring to FIG. 2a, the ternary signals "1", "X",
The relationship between “0”, the corresponding combination of input signals, and the internal state is shown. X indicates a good state, either 1 or 0. The input signals A, B, and C of the memory circuit 1 are limited to the combinations shown in the figure.
記憶回路1の動作は、入力信号A,B,Cを上
記組合せの1つに決め、書込み制御信号Wを1と
すれば、出力信号Y1,Y2,Y3へはそのまま入力
信号が伝えられる。それが丁度安定状態に対応し
ていて、このときWを0にすれば、そのときの
Y1,Y2,Y3の値はそのまま保持される。という
ようにして、書込が行なわれる。 The operation of the memory circuit 1 is such that if the input signals A, B, and C are set to one of the above combinations and the write control signal W is set to 1, the input signals are transmitted as they are to the output signals Y 1 , Y 2 , and Y 3 . It will be done. This corresponds to a stable state, and if W is set to 0 at this time, then
The values of Y 1 , Y 2 , and Y 3 are retained as they are. Writing is performed in this manner.
2は連想回路であり、NANDゲート17,1
8,19により構成される。2値論理入力信号
は、入力信号線201の肯定信号X1と入力信号
線202の否定信号1とによつて与えられる。
第2図bにその入出力信号の関係を示す。同図は
例えば(Y1、Y2、Y3)=(1、1、0)であると
き、X1=1とすれば出力信号Z=1であり、X1
=0とするとZ=0となり、これが3値信号の
“1”を読出すときの規則となつている。 2 is an associative circuit, with NAND gates 17, 1
Consisting of 8 and 19. A binary logic input signal is provided by an affirmative signal X 1 on input signal line 201 and a negative signal X 1 on input signal line 202 .
FIG. 2b shows the relationship between the input and output signals. The figure shows, for example, when (Y 1 , Y 2 , Y 3 )=(1, 1, 0), if X 1 =1, the output signal Z=1, and X 1
When Z=0, Z=0, and this is the rule when reading "1" from a ternary signal.
この規則によれば、連想回路2は論理入力信号
X1が記憶回路1の内容と1と“1”あるいは0
と“0”のように一致するとき出力信号Zを1
に、不一致のときにはZを0にする。即ち連想的
な読出しを行つている。 According to this rule, the associative circuit 2 receives the logic input signal
X 1 is the content of memory circuit 1 and 1 and “1” or 0
When there is a match such as “0”, the output signal Z is set to 1.
When there is a mismatch, Z is set to 0. In other words, associative reading is performed.
またこの規則は、記憶回路1の内容が“1”で
あればZ=X1、“0”であればZ=1、“X”で
あればZ=1となることも表わしている。論理入
力信号の肯定、否定あるいは常に論理1となる出
力信号を任意に制御して得られることは、複数の
論理入力信号に対する任意の積項を表現できるこ
とを意味する。 This rule also indicates that if the content of the storage circuit 1 is "1", Z=X 1 , if it is "0", Z= 1 , and if it is "X", Z=1. The ability to arbitrarily control the affirmation or negation of a logic input signal or the output signal that always becomes logic 1 means that any product term for a plurality of logic input signals can be expressed.
第3図は連想回路2の別の実施例を示す回路図
である。20,21はORゲートである。入力さ
れる信号は第1図と同じであるが、出力される信
号は出力信号線203―1,203―2の出力信
号Z1,Z2の2つとなる。出力信号Z1は記憶回路1
に“1”の状態が記憶されているときX1が伝え
られ、それ以外では常に1となるようになつてい
る。出力信号Z2は記憶内容が“0”のとき1で、
それ以外は常に1であるとZ1とZ2をAND演算す
ればZが得られるが、ANDアレイの記憶セルと
して利用する場合には、各記憶セルの出力信号が
再びAND演算されることになるので、ここでの
AND演算は省略されZ1とZ2が直接出力となつて
いる。これによつてゲート数を減らすことができ
る。 FIG. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of the associative circuit 2. In FIG. 20 and 21 are OR gates. The input signals are the same as in FIG. 1, but the output signals are two output signals Z 1 and Z 2 of the output signal lines 203-1 and 203-2. Output signal Z 1 is memory circuit 1
When the state of "1" is stored in the "1" state, X1 is transmitted, and otherwise it is always set to "1". Output signal Z2 is 1 when the memory content is “0”,
If Z 1 and Z 2 are always 1, Z can be obtained by ANDing them, but when used as a memory cell in an AND array, the output signals of each memory cell will be ANDed again. Therefore, here
The AND operation is omitted and Z 1 and Z 2 are directly output. This allows the number of gates to be reduced.
以上説明した通り、本発明による三状態連想記
憶回路は、3値信号を極めて効率良く記憶するよ
うに構成され、論理回路の基本素子として、特に
PLAのANDアレイの記憶セルに好適ならしめる
ものである。 As explained above, the three-state associative memory circuit according to the present invention is configured to store three-value signals extremely efficiently, and is particularly suitable as a basic element of a logic circuit.
This makes it suitable for storage cells in PLA AND arrays.
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2
図aは記憶回路1における3値信号と2値信号の
組合せとの対応を示す図、第2図bは連想回路2
の読出し規則を示す図、第3図は連想回路2の別
の実施例を示す図である。同図において、
1…記憶回路、2…連想回路、11,…,19
…NANDゲート、20,21…ORゲートであ
る。
Figure 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention, Figure 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
Figure a shows the correspondence between the combinations of ternary signals and binary signals in the memory circuit 1, and Figure 2 b shows the associative circuit 2.
FIG. 3 is a diagram showing another embodiment of the associative circuit 2. In the same figure, 1...memory circuit, 2...associative circuit, 11,...,19
...NAND gate, 20, 21...OR gate.
Claims (1)
回路で構成される帰還ループにより保持する3個
の安定状態を持ち、書込み制御信号により制御さ
れて入力され、3個の2値信号の組によつて表わ
される3値書込み入力信号を前記安定状態に対応
させて記憶する記憶回路と、2値論理入力信号を
入力し、前記記憶回路の前記3個の安定状態それ
ぞれに応じて、第一の状態のとき前記論理入力信
号の肯定信号を、第二の状態のとき前記論理入力
信号の否定信号を、第三の状態のとき論理1なる
信号を出力する連想回路とを備え、3値信号を記
憶して2値信号により連想的に読出すことのでき
る三状態連想記憶回路。1 It has three stable states maintained by a feedback loop consisting of three gate circuits that input other output signals to each other, and is controlled by a write control signal and is input to a set of three binary signals. a memory circuit that stores a ternary write input signal represented by an associative circuit that outputs an affirmative signal of the logic input signal when it is in a state, a negative signal of the logic input signal when it is in a second state, and a logic 1 signal when it is in a third state, and outputs a ternary signal. A three-state associative memory circuit that can store and associatively read out data using binary signals.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13050480A JPS5755594A (en) | 1980-09-19 | 1980-09-19 | Tristate associative storage circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13050480A JPS5755594A (en) | 1980-09-19 | 1980-09-19 | Tristate associative storage circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5755594A JPS5755594A (en) | 1982-04-02 |
| JPS6321997B2 true JPS6321997B2 (en) | 1988-05-10 |
Family
ID=15035851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13050480A Granted JPS5755594A (en) | 1980-09-19 | 1980-09-19 | Tristate associative storage circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5755594A (en) |
-
1980
- 1980-09-19 JP JP13050480A patent/JPS5755594A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5755594A (en) | 1982-04-02 |
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