JPS6322443B2 - - Google Patents
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- JPS6322443B2 JPS6322443B2 JP55175543A JP17554380A JPS6322443B2 JP S6322443 B2 JPS6322443 B2 JP S6322443B2 JP 55175543 A JP55175543 A JP 55175543A JP 17554380 A JP17554380 A JP 17554380A JP S6322443 B2 JPS6322443 B2 JP S6322443B2
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- Thermistors And Varistors (AREA)
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Description
本発明は液晶表示素子の表示スイツチング素子
に適した電圧非直線抵抗器に関するものである。
液晶表示素子はガラス基板上に設けられた対向
する2つの電極間に液晶をはさんで、両電極間に
電圧を加えた時の液晶分子の特異な挙動を利用し
て、光の透過ないし反射状況を変化させ、文字な
いし画像を表示する素子である。一対の対向電極
とそれにはさまれた液晶部分を絵素と呼ぶ。絵素
の数を増していけば表示できる文字数が増加す
る。しかし一般のマトリツクス駆動方式では絵素
の増大と共に絵素間のクローストークの影響が大
きくなり、コントラストが低下する。これを改善
する方法として、各絵素に直列にスイツチング素
子を接続する方法が知られている。文字の解像度
を上げるためには各絵素の大きさを小さくし、数
千〜数万個の絵素で1枚の表示パネルを形成する
ことが必要となる。したがつてこれらの絵素に接
続されるスイツチング素子は小さな素子(具体的
には200ミクロン×200ミクロンあるいはそれ以
下)でしかも集積回路のように一枚の基板の上に
一度に形成されているようなものが望ましい。こ
のようなスイツチングアレイとして、MOSFET
アレイまたは金属酸化物バリスタアレイが知られ
ている。MOSFETアレイは集積回路技術を用い
て、1枚のSi基板の上にNOSFETを集積化して
形成したものである。しかし現在の製造技術では
歩留りが悪く、1枚の基板の上に数万個もの
MOSFETを形成しようとするとその何%かは正
常に動作しないものが得られる。そのようなスイ
ツチングアレイを用いるならば、表示パネルの一
部に正常に動作しない部分が生じ、表示素子とし
てきれいな表示を行うことはできない。一方バリ
スタアレイは、酸化亜鉛を主成分とし、これに
Bi2O3,Co2C3,MnO2,Sb2O3などを加えて高温
で焼き固めた焼結体の一方の面を鏡面研磨し、そ
の上に真空蒸着などで電極を設けたものである。
その代表的構造を第1図に示す。第1図におい
て、1はZnOを主成分とする金属酸化物バリスタ
基板、2,3は基板上に設けられた電極、4は電
極3に外部から電圧を加えるためのリード電極、
5はガラス基板、6はガラス基板5の上に、電極
2に対向して設けられた透明電極、7は電極6に
外部から電圧を加えるためのリード電極である。
実際にはこのような構成部分がいくつも形成され
る。次にこの装置の動作を説明する。第2図に第
1図の構成部分が2つある場合の回路構成を示
す。第2図の1〜7は第1図の同符号のものと同
じものを示す。すなわち1は金属酸化物バリス
タ、2,3,6はそれぞれ電極に対応する部分で
あり、4は金属酸化物バリスタ側のリード電極、
7,7′はガラス基板側のリード電極に対応する
ものであり、8は液晶である。さて画像の表示は
第1図において、電極2―6間に加わる電圧を液
晶のオン電圧以上にすることにより、電極2―6
間の液晶分子の配向状態を変化させ、ガラス5を
通過して電極2および基板1に達し、そこで反射
されて再びガラスを通過して行く光の状態を変化
させることにより行う。一方金属酸化物バリスタ
は、ある電圧までは電流をほとんど流さず、ある
電圧(立上り電圧)以上で急激に電流が流れ出す
性質を有している。したがつて第2図において上
の絵素をオン状態にする場合には電極4―7間
に、金属酸化物バリスタの立上り電圧(VT)と
液晶8のオン電圧の和(VON)以上の電圧を加え
れば良い。更に具体的にのべるならば、たとえば
電極4に(VT+VON)/2、電極7に(VT+VON)/2の
電
圧を加え、さらに金属酸化物バリスタの立上り電
圧が(VT+VON)/2以上(いいかえればVT>VON)
になるように設定しておけば下の絵素をオン状態
にせずに、上の絵素のみをオン状態にすることが
できる。次に下の絵素をオン状態にするには4と
7′に(VT+VON)/2の電圧を加えれば良い。このよ
うな構成とすることにより、各絵素間のクロスト
ークをなくしコントラストよく画像を表示するこ
とができる。ところで第1図の構成にした時のバ
リスタ作用は、電極2―3間の基板のごく表面の
みの特性を利用したものである。その部分の具体
的構造を第3図に示す。第3図において1の部分
が金属酸化物バリスタの基板部分である。2,3
は基板に設けられた電極、14は金属酸化物バリ
スタの主要構成成分であるZnO粒子、15は非オ
ーム性を示す高抵抗の粒界部分である。16は表
面に付着した不純物である。ZnO粒子14の粒径
は通常数μm前後である。この図に示すように表
面は、研磨によつて生じた欠陥や、不純物が存在
しきわめて不規則な状態となつている。さて電極
2―3間に電圧を加えると、電流は電極2―3間
の最短部分のみを流れる。また不純物16は一般
にアルカリ金属などを含むものが多いので抵抗が
低く不純物を介して流れる場合もありうる。した
がつて電流経路は矢印17で示したような道筋を
通る。これよりわかるように、このような構造の
バリスタは、表面の欠陥や不純物の状態によつて
変化しやすく、初期特性においてバラツキを生じ
ると共に、使用中の特性変化を生じ易い。そのた
め数万個の絵素のスイツチングアレイとして用い
るには十分でない。
本発明は以上のような点に鑑み、初期特性のバ
ラツキが少く、また長期信頼性にも優れたバリス
タアレイを提供するものである。
第4図に本発明の素子構造を示す。1は金属酸
化物バリスタ基板部分、2,3は基板1に設けら
れた貫通部の表面に形成された貫通型電極、2′,
3′はリード電極、14はZnO粒子、15は粒界、
16は表面に付着した不純物である。電極2およ
び3を設ける貫通部の形状は円形でもよいが、多
くの電流を流す場合は角型の方が望ましい。この
ような構成で電極2―3間に電圧を加えると、電
極2―3間の最短距離部分の断面積が広いため電
流は分散して流れると共に、矢印17で示すよう
に、電流は主として焼結基板の内部を流れるよう
になる。このため第3図の構造に比べ、初期特性
のバラツキが少く、安定性に優れた素子を得るこ
とができる。第1表に電極2―3間の距離を
200μmとした時の立上り電圧(10μAを流した時
の電圧V10μAとする)のバラツキの違いを示す。
なお比較のために従来の電極構造を用いた場合の
特性を合せて示した。
The present invention relates to a voltage nonlinear resistor suitable for a display switching element of a liquid crystal display element. Liquid crystal display elements sandwich liquid crystal between two opposing electrodes on a glass substrate, and use the unique behavior of liquid crystal molecules when a voltage is applied between both electrodes to transmit or reflect light. It is an element that changes the situation and displays characters or images. A pair of opposing electrodes and the liquid crystal part sandwiched between them are called picture elements. Increasing the number of picture elements increases the number of characters that can be displayed. However, in a general matrix driving system, as the number of picture elements increases, the influence of crosstalk between picture elements increases, and the contrast deteriorates. As a method to improve this, a method is known in which a switching element is connected in series to each picture element. In order to increase the resolution of characters, it is necessary to reduce the size of each picture element and form one display panel with thousands to tens of thousands of picture elements. Therefore, the switching elements connected to these picture elements are small elements (specifically 200 microns x 200 microns or smaller) and are formed all at once on a single substrate like an integrated circuit. Something like this is desirable. As such a switching array, MOSFET
Arrays or metal oxide varistor arrays are known. A MOSFET array is formed by integrating NOSFETs on a single Si substrate using integrated circuit technology. However, with current manufacturing technology, the yield is low, and tens of thousands of pieces are produced on a single board.
When you try to form MOSFETs, you will end up with a percentage of them that do not work properly. If such a switching array is used, there will be a portion of the display panel that does not function properly, making it impossible to provide a clear display as a display element. On the other hand, varistor arrays have zinc oxide as the main component, and
A sintered body made by adding Bi 2 O 3 , Co 2 C 3 , MnO 2 , Sb 2 O 3 , etc. and sintering it at a high temperature. One side of the sintered body is polished to a mirror finish, and an electrode is provided on it by vacuum evaporation. It is.
A typical structure thereof is shown in FIG. In FIG. 1, 1 is a metal oxide varistor substrate mainly composed of ZnO, 2 and 3 are electrodes provided on the substrate, 4 is a lead electrode for applying voltage to the electrode 3 from the outside,
5 is a glass substrate, 6 is a transparent electrode provided on the glass substrate 5 to face the electrode 2, and 7 is a lead electrode for applying a voltage to the electrode 6 from the outside.
In reality, a number of such components are formed. Next, the operation of this device will be explained. FIG. 2 shows a circuit configuration in which there are two components shown in FIG. 1. 1 to 7 in FIG. 2 indicate the same components as those with the same symbols in FIG. In other words, 1 is a metal oxide varistor, 2, 3, and 6 are parts corresponding to the electrodes, and 4 is a lead electrode on the metal oxide varistor side.
7 and 7' correspond to lead electrodes on the glass substrate side, and 8 is a liquid crystal. Now, in order to display an image, in Fig. 1, by making the voltage applied between electrodes 2-6 higher than the on-voltage of the liquid crystal,
This is done by changing the alignment state of the liquid crystal molecules between them, and changing the state of light that passes through the glass 5, reaches the electrode 2 and the substrate 1, is reflected there, and passes through the glass again. On the other hand, metal oxide varistors have the property that almost no current flows until a certain voltage, and the current suddenly starts flowing above a certain voltage (rise voltage). Therefore, in order to turn on the upper picture element in FIG. All you have to do is apply a voltage of . To be more specific, for example, if a voltage of (V T +V ON )/2 is applied to electrode 4 and a voltage of (V T +V ON )/2 is applied to electrode 7, then the rising voltage of the metal oxide varistor becomes (V T +V ON )/2. ON )/2 or more (in other words, V T >V ON ), it is possible to turn on only the upper picture element without turning on the lower picture element. Next, to turn on the lower picture element, apply a voltage of (V T +V ON )/2 to 4 and 7'. With this configuration, crosstalk between each picture element can be eliminated and images can be displayed with good contrast. By the way, the varistor action in the configuration shown in FIG. 1 utilizes the characteristics of only the very surface of the substrate between the electrodes 2 and 3. The specific structure of that part is shown in FIG. In FIG. 3, the portion 1 is the substrate portion of the metal oxide varistor. 2,3
14 is an electrode provided on the substrate, 14 is a ZnO particle which is a main component of the metal oxide varistor, and 15 is a high-resistance grain boundary portion exhibiting non-ohmic properties. 16 is an impurity attached to the surface. The particle size of the ZnO particles 14 is usually around several μm. As shown in this figure, the surface is extremely irregular with defects and impurities caused by polishing. Now, when a voltage is applied between electrodes 2 and 3, current flows only through the shortest portion between electrodes 2 and 3. Furthermore, since the impurities 16 generally contain alkali metals, the resistance may be low and flow may occur through the impurities. Therefore, the current path follows a path as shown by arrow 17. As can be seen from this, a varistor having such a structure is susceptible to changes depending on the state of surface defects and impurities, causing variations in initial characteristics, and also tends to change characteristics during use. Therefore, it is not sufficient to be used as a switching array of tens of thousands of picture elements. In view of the above points, the present invention provides a varistor array with less variation in initial characteristics and excellent long-term reliability. FIG. 4 shows the element structure of the present invention. 1 is a metal oxide varistor substrate part, 2 and 3 are through-type electrodes formed on the surface of a through hole provided in the substrate 1, 2',
3' is a lead electrode, 14 is a ZnO particle, 15 is a grain boundary,
16 is an impurity attached to the surface. Although the shape of the through-hole in which the electrodes 2 and 3 are provided may be circular, a rectangular shape is preferable when a large amount of current is to flow. When a voltage is applied between electrodes 2 and 3 in this configuration, the current flows in a dispersed manner because the cross-sectional area of the shortest distance between electrodes 2 and 3 is wide, and as shown by arrow 17, the current mainly flows through burnout. It begins to flow inside the junction board. Therefore, compared to the structure shown in FIG. 3, it is possible to obtain an element with less variation in initial characteristics and excellent stability. Table 1 shows the distance between electrodes 2 and 3.
This shows the difference in the variation in the rise voltage (voltage V when 10 μA flows is assumed to be 10 μA) when the diameter is 200 μm.
For comparison, the characteristics when using a conventional electrode structure are also shown.
【表】【table】
【表】
いずれも同一基板上に100対の電極対を設けた
場合の立上り電圧のバラツキを示したものであ
る。また第2表は70℃で10μAの電流を連続100時
間通電した場合のV10μAの変化率を示したもので
ある。いずれの特性も本発明の構造の素子の方が
優れている。[Table] Each table shows the variation in rising voltage when 100 pairs of electrodes are provided on the same substrate. Table 2 shows the rate of change in V 10 μA when a current of 10 μA was continuously applied for 100 hours at 70°C. The element having the structure of the present invention is superior in all characteristics.
【表】
本発明の構造の素子は次のようにして作成し
た。ZnO(97モル%)、Bi2O3(0.5モル%)、Co2O3
(0.5モル%)、MnO2(0.5モル%)、Sb2O3(1.0モル
%)、Cr2O3(0.5モル%)から成る粉体を混合、円
板状に焼成し、1200℃で2時間焼成した。次にこ
の焼結体の平面部を十分鏡面に研磨した後、溶剤
で洗い、レジストを塗布、レーザービームを用い
て所定の箇所に貫通部を設け、スパツタリングに
よつて貫通部表面に電極を形成し、レジストを一
度除去した。次に再度全面にレジストを塗布し、
表面に形成する電極の部分のみ、マスクを用いて
露光、その後、露光部分を現像して除去、真空蒸
着により表面の電極を形成し、第4図の構造の素
子を得た。
本実施例ではある特定の組成の金属酸化物バリ
スタを用いたが、本発明の効果は、その電極構造
に由来するものであり、組成が異なつたとしても
同様の効果を上げ得ることは明らかである。また
本実施例では特定の方法を用いて、所定の電極構
造を実現したが、他の方法を用いても良いことは
明らかである。また貫通部内部は空隙があつて
も、また貫通部全部が電極材料で満たされていて
もどちらでも良い。但し空隙がある場合は実際に
パネルを組む場合裏面に液晶漏れ防止用の板を必
要とする。
次に本構造の電圧非直線素子を用いた液晶表示
素子用バリスタアレイの構造と動作を説明する。
第5図は本発明の素子の構造の一例を示したも
のである。図において51は金属酸化物バリスタ
基板、52は液晶駆動用電極、53は貫通型電極
でリード電極54により面電極2に電気的に接続
されている。55は電極53と対をなす他の貫通
型電極で、リード電極56により走査用のリード
電極に接続されている。57はガラス基板、58
はガラス基板上に設けられた電極52と同じ形状
の対向透明面電極、59は電極58に外部から電
圧を加えるためのリード電極である。次に第6図
に、金属酸化物バリスタ基板上に設けられた各種
電極形状を上から見た図を示す。番号は第5図に
対応して付けてある。すなわち52が面電極、5
3と55が対をなす貫通型電極であり、54,5
6はそれぞれリード電極である。このような構造
とした場合、第5図において電極56―59間に
電圧を加えれば、電極53―55間に形成された
バリスタを介して電極52―58間に電圧を加え
ることができ、電極52―58間にはさまれた液
晶60をスイツチング的に動作させることができ
る。面電極を大きくとり、貫通型電極53,55
を小さくすれば、電極53,55周辺の表示でき
ない部分の空白は実質的に文字や画像に影響を与
えなくすることができる。
次に多数の絵素を構成する場合の1例を第7図
に示す。図において番号は第5図に対応してお
り、すなわち52,52′,52″,52は面電
極、53,53′,53″,53と55,55′,
55″,55はそれぞれ対をなす貫通型電極で、
55,55′は走査用リード線11に、55″,5
5は走査用リード線62に接続されている。そ
してこの場合各対をなす貫通型電極53,55間
の距離53′―55′53″―55″,53―55
間の距離が他の電極間との距離たとえば53―
53′,53―52′間,52―52′,52―5
3′間、52―55″間など電気的に導体で接続さ
れていない電極との距離よりも短かくなるように
配置してある。このような構成とすることによ
り、意図しない電極間に形成されるバリスタ作用
に基づくクロストークを起こすことなく、多数の
絵素をスイツチングすることができる。また本構
成の場合には走査電極61,62が基板の反対面
に形成できるため集積度を上げることが可能とな
る。
以上詳細に述べた如く本発明は電極構造に工夫
を施すことによつて、同一基板表面上に形成され
た電極を用いながら、焼結体内部の安定な電圧非
直線性を利用できるようにしたものであり、とく
に液晶表示素子用バリスタアレイとして有用なも
のである。[Table] The device having the structure of the present invention was prepared as follows. ZnO (97 mol%), Bi 2 O 3 (0.5 mol %), Co 2 O 3
(0.5 mol%), MnO 2 (0.5 mol%), Sb 2 O 3 (1.0 mol%), and Cr 2 O 3 (0.5 mol%) were mixed, fired into a disk shape, and heated at 1200°C. It was baked for 2 hours. Next, after thoroughly polishing the flat part of this sintered body to a mirror surface, it is washed with a solvent, a resist is applied, a penetration part is created at a predetermined location using a laser beam, and an electrode is formed on the surface of the penetration part by sputtering. Then, the resist was removed once. Next, apply resist to the entire surface again,
Only the portion of the electrode to be formed on the surface was exposed to light using a mask, then the exposed portion was developed and removed, and the electrode on the surface was formed by vacuum evaporation to obtain an element having the structure shown in FIG. Although a metal oxide varistor with a specific composition was used in this example, the effect of the present invention is derived from its electrode structure, and it is clear that the same effect can be achieved even if the composition is different. be. Further, in this embodiment, a specific method was used to realize a predetermined electrode structure, but it is clear that other methods may be used. Further, there may be a void inside the through-hole, or the entire through-hole may be filled with the electrode material. However, if there is a gap, a plate to prevent liquid crystal leakage will be required on the back side when actually assembling the panel. Next, the structure and operation of a varistor array for a liquid crystal display element using the voltage non-linear element of this structure will be explained. FIG. 5 shows an example of the structure of the element of the present invention. In the figure, 51 is a metal oxide varistor substrate, 52 is a liquid crystal driving electrode, and 53 is a through-type electrode, which is electrically connected to the surface electrode 2 by a lead electrode 54. Reference numeral 55 designates another penetrating electrode that pairs with the electrode 53, and is connected to a scanning lead electrode through a lead electrode 56. 57 is a glass substrate, 58
Reference numeral 59 indicates an opposite transparent surface electrode having the same shape as the electrode 52 provided on the glass substrate, and 59 indicates a lead electrode for applying a voltage to the electrode 58 from the outside. Next, FIG. 6 shows a top view of various electrode shapes provided on the metal oxide varistor substrate. Numbers are assigned corresponding to FIG. That is, 52 is a surface electrode, 5
3 and 55 are a pair of through electrodes, and 54, 5
6 are lead electrodes, respectively. With such a structure, if voltage is applied between electrodes 56-59 in FIG. 5, voltage can be applied between electrodes 52-58 via the varistor formed between electrodes 53-55, and the electrodes The liquid crystal 60 sandwiched between 52 and 58 can be operated in a switching manner. Large surface electrodes are used, and through-type electrodes 53, 55 are used.
By making small, blank spaces around the electrodes 53 and 55 that cannot be displayed can be made to have virtually no effect on characters or images. Next, FIG. 7 shows an example of configuring a large number of picture elements. In the figure, the numbers correspond to those in FIG.
55″ and 55 are pairs of through electrodes,
55, 55' are connected to the scanning lead wire 11, 55'', 5
5 is connected to a scanning lead wire 62. In this case, the distance between each pair of through electrodes 53 and 55 is 53'-55'53''-55'', 53-55
The distance between them is the distance between other electrodes, for example 53-
53', between 53-52', 52-52', 52-5
It is arranged so that the distance is shorter than the distance between electrodes that are not electrically connected with a conductor, such as between 3' and 52 and 55''. With this configuration, it is possible to prevent unintentional formation between electrodes. A large number of picture elements can be switched without causing crosstalk due to the varistor action.In addition, in the case of this configuration, the scanning electrodes 61 and 62 can be formed on opposite sides of the substrate, so that the degree of integration can be increased. As described in detail above, the present invention makes it possible to maintain stable voltage nonlinearity inside the sintered body while using electrodes formed on the same substrate surface by devising the electrode structure. It has been made available for use, and is particularly useful as a varistor array for liquid crystal display elements.
第1図はバリスタを用いた液晶表示素子の基本
構造を示す断面図、第2図はバリスタを用いた液
晶表示素子の回路構成を示す結線図、第3図は従
来の電極構成を示す説明図、第4図は本発明の電
圧非直線抵抗器の電極構成を示す説明図、第5図
は同電圧非直線抵抗器の構造を示す断面図、第6
図、第7図は同素子の電極構成を示す平面図であ
る。
51……酸化亜鉛バリスタ基体、52……液晶
駆動用面電極、53,55……貫通型電極、5
4,56……リード電極、57……ガラス基板、
58……透明面電極、59……リード電極、60
……液晶。
Figure 1 is a cross-sectional view showing the basic structure of a liquid crystal display element using a varistor, Figure 2 is a wiring diagram showing the circuit configuration of a liquid crystal display element using a varistor, and Figure 3 is an explanatory diagram showing a conventional electrode configuration. , FIG. 4 is an explanatory diagram showing the electrode configuration of the voltage non-linear resistor of the present invention, FIG. 5 is a sectional view showing the structure of the voltage non-linear resistor, and FIG.
7 are plan views showing the electrode structure of the same element. 51... Zinc oxide varistor substrate, 52... Surface electrode for driving liquid crystal, 53, 55... Penetration electrode, 5
4, 56...Lead electrode, 57...Glass substrate,
58... Transparent surface electrode, 59... Lead electrode, 60
……liquid crystal.
Claims (1)
有する金属酸化物バリスタ基板に複数対の貫通部
を有し、その貫通部内面に電極を有し、各対の貫
通型電極の一方は、上記金属酸化物バリスタ基板
の一方の面上に設けられた液晶駆動用の面電極に
接続されており、他方の貫通型電極は、上記金属
酸化物バリスタの基板面上に設けられた走査用の
電極に接続されており、1対の上記貫通型電極間
の金属酸化物バリスタの電圧非直線性を利用し
て、上記面電極と対向するガラス基板上に設けら
れた透明対向電極間にはさまれた部分の液晶をス
イツチング的に駆動するようにしたことを特徴と
する電圧非直線抵抗器。1. A metal oxide varistor substrate having a property that the resistance value decreases as the voltage increases, has a plurality of pairs of through parts, and has an electrode on the inner surface of the through part, one of the through electrodes of each pair, The metal oxide varistor substrate is connected to a surface electrode for driving the liquid crystal provided on one surface, and the other through-type electrode is connected to the surface electrode for scanning provided on the substrate surface of the metal oxide varistor. The voltage non-linearity of the metal oxide varistor between the pair of through-type electrodes is utilized to create a gap between the transparent opposing electrodes provided on the glass substrate facing the surface electrode. A voltage non-linear resistor characterized in that a liquid crystal in a portion of the resistor is driven in a switching manner.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55175543A JPS5797603A (en) | 1980-12-11 | 1980-12-11 | Voltage non-linear resistor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55175543A JPS5797603A (en) | 1980-12-11 | 1980-12-11 | Voltage non-linear resistor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5797603A JPS5797603A (en) | 1982-06-17 |
| JPS6322443B2 true JPS6322443B2 (en) | 1988-05-12 |
Family
ID=15997908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55175543A Granted JPS5797603A (en) | 1980-12-11 | 1980-12-11 | Voltage non-linear resistor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5797603A (en) |
-
1980
- 1980-12-11 JP JP55175543A patent/JPS5797603A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5797603A (en) | 1982-06-17 |
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