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JPS6236608B2 - - Google Patents
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JPS6236608B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6236608B2
JPS6236608B2 JP55175544A JP17554480A JPS6236608B2 JP S6236608 B2 JPS6236608 B2 JP S6236608B2 JP 55175544 A JP55175544 A JP 55175544A JP 17554480 A JP17554480 A JP 17554480A JP S6236608 B2 JPS6236608 B2 JP S6236608B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrodes
electrode
voltage
metal oxide
substrate
Prior art date
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Expired
Application number
JP55175544A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5799705A (en
Inventor
Kazuo Eda
Michio Matsuoka
Isao Oota
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP55175544A priority Critical patent/JPS5799705A/en
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Publication of JPS6236608B2 publication Critical patent/JPS6236608B2/ja
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  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

本発明は液晶表示素子の表示スイツチング素子
に適した電圧非直線抵抗器に関するものである。 液晶表示素子はガラス基板上に設けられた対向
する2つの電極間に液体をはさんで、両電極間に
電圧を加えた時の液晶分子の特異な挙動を利用し
て、光の透間ないしは反射状況を変化させ、文字
ないし画像を表示する素子である。一対の対向電
極とそれにはさまれた液晶部分を絵素と呼ぶ。絵
素の数を増していけば表示できる文字数が増加す
る。しかし一般のマトリツクス駆動方式では絵素
の増大と共に絵素間のクローストークの影響が大
きくなり、コントラストが低下する。これを改善
する方法として、各絵素に直列にスイツチング素
子を接続する方法が知られている。文字の解像度
を上げるためには各絵素の大きさを小さくし、数
千〜数万個の絵素で1枚の表示パネルを形成する
ことが必要となる。したがつてこれらの絵素に接
続されるスイツチング素子は小さな素子(具体的
には200ミクロン×200ミクロンあるいはそれ以
下)でしかも集積回路のように一枚の基板の上に
一度に形成されているようなものが望ましい。こ
のようなスイツチングアレイとして、MOSFET
アレイまたは金属酸化物バリスタアレイが知られ
ている。MOSFETアレイは集積回路技術を用い
て、1枚のSi基板の上にMOSFETを集積化して
形成したものである。しかし現在の製造技術では
歩留りが悪く、1枚の基板の上に数万個もの
MOSFETを形成しようとするとその何%かは正
常に動作しないものが得られる。そのようなスイ
ツチングアレイを用いるならば、表示パネルの一
部に正常に動作しない部分が生じ、表示素子とし
てきれいな表示を行うことはできない。一方バリ
スタアレイは、酸化亜鉛を主成分とし、これに
Bi2O3、Co2O3、MnO2、Sb2O3などを加えて高温
で焼き固めた焼結体の一方を鏡面研磨し、その上
に真空蒸着などで電極を設けたものである。その
代表的構造を第1図に示す。第1図において1は
ZnOを主成分とする金属酸化バリスタ基板、2,
3は基板上1に設けられた電極、4は電極3に外
部から電圧を加えるためのリード電極、5はガラ
ス基板、6はガラス基板5の上に、電極2に対向
して設けられた透明電極、7は電極6に外部から
電圧を加えるためのリード電極、8は液晶であ
る。実際にはこのような構成部分がいくつも形成
される。次にこの装置の動作を説明する。第2図
に第1図の構成部分が2つある場合の回路構成を
示す。第2図において1は金属酸化物バリスタ、
2,3,6はそれぞれ第1図の電極2,3,6に
対応する部分であり、4は金属酸化物バリスタ側
のリード電極、7,7′はガラス基板側のリード
電極に対応するものであり、8は液晶である。さ
て画像の表示は第1図において、電極2−6間に
加わる電圧を液晶のオン電圧以上にすることによ
り、電極2−6間の液晶分子の配合状態を変化さ
せ、ガラス5を通過して電極2および基板1に達
し、そこで反射されて再びガラスを通過して行く
光の状態を変化させることにより行う。一方金属
酸化物バリスタは、ある電圧までは電流をほとん
ど流さず。ある電圧(立上り電圧)以上で急激に
電流が流れ出す性質を有している。したがつて第
2図において上の絵素をオン状態にする場合には
電極4−7間に、金属酸化物バリスタの立上り電
圧(VT)と液晶8のオン電圧(VON)の和(VT
+VON)以上の電圧を加えれば良い。更に具体的
にのべるならば、たとえば電極4に(V+VON)/
2、 電極7に−(V+VON)/2の電圧を加える。これ
によ り電極4−7間にTT+VONの電圧が加わり、上
の金属酸化物バリスタに電流が流れ、上の絵素は
オン状態となる。さらに金属酸化物バリスタの立
上り電圧が(V+VON)/2以上(いいかえればV
T> VON)になるように設定しておき、電極7′の電
位をOVとしておけば、この時下の金属酸化物バ
リスタに加わる電圧は(V+VON)/2であり、金
属酸 化物バリスタには電流が流れず、そのため下の絵
素をオン状態にせずに、上の絵素のみをオン状態
にすることができる。次に下の絵素をオン状態に
するには、電極4に(V+VON/2を、電極7′に
− (V+VON/2の電圧を加えれば良い。このような
構 成とすることにより、各絵素間のクロストークを
なくしコントラストのよく画像を表示することが
できる。ところで第1図の構成とした時のバリス
タ作用は、電極2−3間の基板のごく表面のみの
特性を利用したものである。その部分の具体的構
造を第3図に示す。第3図において、1の部分が
金属酸化物バリスタの基板部分である。2,3は
基板に設けられた電極、14は金属酸化物バリス
タの主要構成成分であるZuO粒子、15は非リフ
オーム性を示す高抵抗の粒界部分である。16は
表面に付着した不純物である。ZnO粒子14の粒
径は通常数μm前後である。この図に示すように
表面は、研磨によつて生じた欠陥や、不純物が存
在し、きわめて不規則な状態となつている。さて
電極2−3間に電圧を加えると、電流は電極2−
3間の最短部分のみを流れる。また不純物16は
一般にアルカリ金属などを含むものが多いので低
抗が低く不純物を介して流れる場合もありうる。
したがつて電流径路は17で示したような道筋を
通る。これによりわかるように、このような構造
のバリスタは、表面の欠陥や不純物の状態によつ
て変化しやすく、初期特性においてバラツキを生
じると共に、使用中の特性変化を生じ易い。その
ため数万個もの絵素のスイツチングアレイとして
用いるには十分でない。 本発明は以上のような点に鑑み、初期特性のバ
ラツキが少く、また長期信頼性にも優れたバリス
タアレイを提供するものである。 第4図に本発明の素子構造を示す。1は金属酸
化物バリスタ基板部分、2,3は基板1に設けら
れた凹部の表面に形成された凹型電極、2′,
3′はリード電極、14はZnO粒子、15は粒
界、16は表面に付着した不純物である。このよ
うな構成で電極2−3間に電圧を加えると、電極
2−3間の最短距離部分の断面積が広いため電流
は分散して流れると共に、矢印17で示すよう
に、電流は主として焼結基板の内部を流れるよう
になる。このため第3図の構造に比べ、初期特性
のバラツキが少く、安定性に優れた素子を得るこ
とができる。第1表に電極2−3間の距離を200
μmとした時の立下り電圧(10μAを流した時の
電圧V10μAとする)のバラツキの違いを示す。
なお比較のために従来の電極構造を用いた場合の
特性も合せて示した。いずれも同一基板上に100
対の電極対を設けた場合の立上り電圧のバラツキ
を示したものである。また第2表は70℃で10μA
の電流を連続100時間通電した場合のV10μAの変
化率を示したものである。いずれの特性も本発明
の構造の方が優れている。
The present invention relates to a voltage nonlinear resistor suitable for a display switching element of a liquid crystal display element. Liquid crystal display elements sandwich a liquid between two opposing electrodes provided on a glass substrate, and utilize the unique behavior of liquid crystal molecules when a voltage is applied between the two electrodes to create a transparent space for light. This is an element that displays characters or images by changing the reflection situation. A pair of opposing electrodes and the liquid crystal part sandwiched between them are called picture elements. Increasing the number of picture elements increases the number of characters that can be displayed. However, in a general matrix driving system, as the number of picture elements increases, the influence of crosstalk between picture elements increases, resulting in a decrease in contrast. As a method to improve this, a method is known in which a switching element is connected in series to each picture element. In order to increase the resolution of characters, it is necessary to reduce the size of each picture element and form one display panel with thousands to tens of thousands of picture elements. Therefore, the switching elements connected to these picture elements are small elements (specifically 200 microns x 200 microns or smaller) and are formed all at once on a single substrate like an integrated circuit. Something like this is desirable. As such a switching array, MOSFET
Arrays or metal oxide varistor arrays are known. A MOSFET array is formed by integrating MOSFETs on a single Si substrate using integrated circuit technology. However, with current manufacturing technology, the yield is low, and tens of thousands of pieces are produced on a single board.
When you try to form MOSFETs, you will end up with a percentage of them that do not work properly. If such a switching array is used, there will be a portion of the display panel that does not function properly, making it impossible to provide a clear display as a display element. On the other hand, varistor arrays have zinc oxide as the main component, and
A sintered body made by adding Bi 2 O 3 , Co 2 O 3 , MnO 2 , Sb 2 O 3 , etc. and sintering it at a high temperature, mirror-polishing one side, and then providing electrodes on it by vacuum evaporation. . A typical structure thereof is shown in FIG. In Figure 1, 1 is
Metal oxide varistor substrate mainly composed of ZnO, 2.
3 is an electrode provided on the substrate 1, 4 is a lead electrode for applying voltage to the electrode 3 from the outside, 5 is a glass substrate, and 6 is a transparent electrode provided on the glass substrate 5 facing the electrode 2. The electrodes 7 are lead electrodes for externally applying voltage to the electrode 6, and 8 is a liquid crystal. In reality, a number of such components are formed. Next, the operation of this device will be explained. FIG. 2 shows a circuit configuration in which there are two components shown in FIG. 1. In Fig. 2, 1 is a metal oxide varistor;
2, 3, and 6 correspond to electrodes 2, 3, and 6 in Fig. 1, respectively, 4 corresponds to the lead electrode on the metal oxide varistor side, and 7 and 7' correspond to the lead electrodes on the glass substrate side. 8 is a liquid crystal. Now, to display an image, as shown in FIG. 1, by making the voltage applied between electrodes 2-6 higher than the on-voltage of the liquid crystal, the composition state of liquid crystal molecules between electrodes 2-6 is changed, and the liquid crystal molecules passing through glass 5 are changed. This is done by changing the state of the light that reaches the electrode 2 and substrate 1, is reflected there, and passes through the glass again. Metal oxide varistors, on the other hand, allow almost no current to flow up to a certain voltage. It has the property that current suddenly starts flowing above a certain voltage (rise voltage). Therefore, in order to turn on the upper picture element in FIG. 2, the sum ( V V T
It is sufficient to apply a voltage higher than +V ON ). To be more specific, for example, (V T +V ON )/
2. Apply a voltage of -(V T +V ON )/2 to the electrode 7. As a result, a voltage of T T +V ON is applied between electrodes 4-7, current flows through the upper metal oxide varistor, and the upper picture element turns on. Furthermore, the rising voltage of the metal oxide varistor is (V T +V ON )/2 or more (in other words, V
T > V ON ), and if the potential of electrode 7' is set to OV, the voltage applied to the lower metal oxide varistor at this time is (V T +V ON )/2, and the metal oxide No current flows through the physical varistor, so only the upper picture element can be turned on without turning on the lower picture element. Next, to turn on the lower picture element, apply a voltage of (V T +V ON /2 to the electrode 4 and a voltage of - (V T +V ON /2 to the electrode 7'). By doing so, it is possible to eliminate crosstalk between each picture element and display an image with good contrast.By the way, when the configuration shown in Fig. 1 is used, the varistor action occurs only on the very surface of the substrate between electrodes 2 and 3. The specific structure of that part is shown in Figure 3. In Figure 3, part 1 is the substrate part of the metal oxide varistor. 2 and 3 are the electrodes provided on the substrate. , 14 are ZuO particles which are the main constituents of metal oxide varistors, 15 are grain boundary parts with high resistance that exhibit non-reformability, and 16 are impurities attached to the surface.The particle size of ZnO particles 14 is usually The diameter is around several μm.As shown in this figure, the surface has defects caused by polishing and impurities, making it extremely irregular.Now, when a voltage is applied between electrodes 2 and 3, , the current is at electrode 2-
It flows only through the shortest part between 3. Further, since the impurities 16 generally contain alkali metals, etc., the resistance may be low and flow through the impurities.
Therefore, the current path follows the route shown at 17. As can be seen from this, a varistor having such a structure is susceptible to changes depending on the state of surface defects and impurities, causing variations in initial characteristics, and also tends to change characteristics during use. Therefore, it is not sufficient to be used as a switching array of tens of thousands of picture elements. In view of the above points, the present invention provides a varistor array with less variation in initial characteristics and excellent long-term reliability. FIG. 4 shows the element structure of the present invention. 1 is a metal oxide varistor substrate part, 2 and 3 are concave electrodes formed on the surface of a concave portion provided in the substrate 1, 2',
3' is a lead electrode, 14 is a ZnO particle, 15 is a grain boundary, and 16 is an impurity attached to the surface. When a voltage is applied between the electrodes 2 and 3 in this configuration, the current flows in a dispersed manner because the cross-sectional area of the shortest distance between the electrodes 2 and 3 is large, and as shown by the arrow 17, the current mainly flows through the burnout. It begins to flow inside the junction board. Therefore, compared to the structure shown in FIG. 3, it is possible to obtain an element with less variation in initial characteristics and excellent stability. In Table 1, the distance between electrodes 2-3 is 200
The difference in variation in falling voltage (voltage V when 10 μA flows is assumed to be 10 μA) in μm is shown.
For comparison, the characteristics when using a conventional electrode structure are also shown. All 100 on the same board
This figure shows the variation in rising voltage when a pair of electrodes is provided. Also, Table 2 shows 10μA at 70℃
The figure shows the rate of change in V 10 μA when a current of 10 μA is applied continuously for 100 hours. The structure of the present invention is superior in both characteristics.

【表】【table】

【表】 本発明の構造の素子は次のように作成した。ま
ずZnO(97モル%)、Bi2O3(0.5モル%)、Co2O3
(0.5モル%)、MnO2(0.5モル%)、Sb2O3(1.0モ
ル%)、Cr2O3(0.5モル%)からなる粉体を混
合、円板状に焼成し、1200℃で2時間焼成した。
次にこの焼結体の平面部を十分鏡面に研磨した
後、溶剤で洗い、レジストを塗布した。次に凹型
電極形成部にのみ露光し、現像してレジスト除去
後、レジスト除去部分の選択エツチングを行なつ
た。このエツチング操作によつてバリスタ基板の
表面の所定の部分に凹部を形成した。ついでスパ
ツタリングにより凹部表面にのみ電極を形成し
た。ついで一度レジストを除去し、再度レジスト
を塗布、表面の電極成形部分にのみ露光した後、
現像して露光部分のレジスト除去、その除去部分
に真空蒸着によつて表面電極を形成した。そして
再度レジスト除去することにより第4図の構造の
素子を得た。 本実施例ではある特定の組成の金属酸化物バリ
スタを用いたが、本発明の効果は、その電極構造
に由来するものであり、組成が異なつたとしても
同じような効果を上げ得ることは明らかである。 また金属酸化物バリスタ基板として、焼結後、
LiやCuなどの一価元素を表面に拡散し、原子価
制御の原理に基づいて表面のZnO層の抵抗を上げ
たものや、基板表面に高抵抗膜を形成したものを
用いることにより、本発明の効果を更に上げるこ
とができる。 次に本構造の電圧非直線素子を用いた液晶表示
素子用バリスタアレイの構造と動作を説明する。 第5図は本発明の素子の構造の一例を示したも
のである。図において51は金属酸化物バリスタ
基板、52は液晶駆動用面電極、53は凹型電極
でリード電極54により面電極52に電気的に接
続されている。55は53と対をなす他方の凹型
電極で、リード電極56により走査用のリード電
極に接続されている。57はガラス基板、58は
ガラス基板上に設けられた電極52と同じ形状の
対向透明面電極、59は電極58に外部から電圧
を加えるためのリード電極、60は液晶である。
次に第6図に、金属酸化物バリスタ基板上に設け
られた各種電極形状を上から見た図を示す。番号
は第5図に対応して付けてある。すなわち52が
面電極、53と55が対をなす凹型電極であり、
54,56はそれぞれリード電極である。このよ
うな構造とした場合、第5図において電極56−
59間に電圧を加えれば、電極53−55間に形
成されたバリスタを介して電極52−58間に電
圧を加えることができ、電極52−58間にはさ
まれた液晶をスイツチング的に動作させることが
できる。面電極を大きくとり、電極53,55の
凹型電極を小さくすれば電極53,55周辺の表
示できない部分の空白は実質的に文字や画像に影
響を与えなくすることができる。 次に多数の絵素を構成する場合の構造の1例を
第7図に示す。図において第5図と同じ部分には
同符号を付す。すなわち52,52′,52″,5
2は面電極、53,53′,53″,53と5
5,55′,55″,55はそれぞれ対をなす凹
型電極で55,55′は走査用リード線11に電
極55″,55は走査用リード線12に接続さ
れている。そしてこの場合各対をなす凹型電極5
3,55間の距離53′−55′,53″−55″,
53−55間の距離が他の電極間との距離、
たとえば53−11,52−11間、52−5
2′,52−53′間、52−12間など電気的に
導体で接続されていない電極との距離よりも短か
くなるように配置してある。このような構成とす
ることにより、意図しない電極間に形成されるバ
リスタ作用に基づくクロストークを起こすことな
く、多数の絵素をスイツチングすることができ
る。 以上詳細に述べた如く本発明は電極構造に工夫
を施すことによつて、同一基板表面上に形成され
た電極を用いながら、焼結体内部の安定な電圧非
直線性を利用できるようにしたものであり、とく
に液晶表示素子用バリスタアレイとして有用なも
のである。
[Table] The device having the structure of the present invention was prepared as follows. First, ZnO (97 mol%), Bi 2 O 3 (0.5 mol %), Co 2 O 3
(0.5 mol%), MnO 2 (0.5 mol%), Sb 2 O 3 (1.0 mol%), and Cr 2 O 3 (0.5 mol%) were mixed, fired into a disk shape, and heated at 1200°C. It was baked for 2 hours.
Next, the flat surface of this sintered body was thoroughly polished to a mirror surface, washed with a solvent, and a resist was applied. Next, only the concave electrode formation portion was exposed, developed, and the resist was removed, followed by selective etching of the portion where the resist was removed. By this etching operation, recesses were formed in predetermined portions of the surface of the varistor substrate. Then, electrodes were formed only on the surfaces of the recesses by sputtering. Then, remove the resist once, apply the resist again, and expose only the electrode molded area on the surface.
After development, the exposed portions of the resist were removed, and surface electrodes were formed on the removed portions by vacuum deposition. By removing the resist again, an element having the structure shown in FIG. 4 was obtained. Although a metal oxide varistor with a specific composition was used in this example, the effect of the present invention is derived from its electrode structure, and it is clear that the same effect can be achieved even if the composition is different. It is. Also, as a metal oxide varistor substrate, after sintering,
By diffusing monovalent elements such as Li or Cu onto the surface and increasing the resistance of the ZnO layer on the surface based on the principle of valence control, or by forming a high-resistance film on the substrate surface, this The effect of the invention can be further improved. Next, the structure and operation of a varistor array for a liquid crystal display element using the voltage non-linear element of this structure will be explained. FIG. 5 shows an example of the structure of the element of the present invention. In the figure, 51 is a metal oxide varistor substrate, 52 is a surface electrode for driving a liquid crystal, and 53 is a concave electrode, which is electrically connected to the surface electrode 52 by a lead electrode 54. Reference numeral 55 designates the other concave electrode that pairs with 53, and is connected to a scanning lead electrode through a lead electrode 56. 57 is a glass substrate, 58 is an opposing transparent electrode having the same shape as the electrode 52 provided on the glass substrate, 59 is a lead electrode for applying a voltage to the electrode 58 from the outside, and 60 is a liquid crystal.
Next, FIG. 6 shows a top view of various electrode shapes provided on the metal oxide varistor substrate. Numbers are assigned corresponding to FIG. That is, 52 is a surface electrode, 53 and 55 are a pair of concave electrodes,
54 and 56 are lead electrodes, respectively. In the case of such a structure, the electrode 56-
If a voltage is applied between electrodes 59 and 59, a voltage can be applied between electrodes 52 and 58 via the varistor formed between electrodes 53 and 55, causing the liquid crystal sandwiched between electrodes 52 and 58 to operate in a switching manner. can be done. If the surface electrodes are made large and the concave electrodes of the electrodes 53 and 55 are made small, the blank space around the electrodes 53 and 55 that cannot be displayed can be made to have virtually no effect on characters or images. Next, FIG. 7 shows an example of a structure in which a large number of picture elements are constructed. In the figure, the same parts as in FIG. 5 are given the same reference numerals. i.e. 52, 52', 52'', 5
2 is a surface electrode, 53, 53', 53'', 53 and 5
Reference numerals 5, 55', 55'' and 55 are pairs of concave electrodes, respectively, and electrodes 55'' and 55 are connected to the scanning lead wire 11 and the electrodes 55'' and 55 are connected to the scanning lead wire 12, respectively. In this case, each pair of concave electrodes 5
3,55 distance 53'-55', 53''-55'',
The distance between 53 and 55 is the distance between other electrodes,
For example, between 53-11, 52-11, 52-5
2', 52-53', 52-12, etc., and are arranged so that the distance is shorter than the distance to electrodes that are not electrically connected with a conductor. With this configuration, it is possible to switch a large number of picture elements without causing crosstalk due to varistor action formed between unintended electrodes. As described in detail above, by devising the electrode structure, the present invention makes it possible to utilize stable voltage nonlinearity inside the sintered body while using electrodes formed on the same substrate surface. It is particularly useful as a varistor array for liquid crystal display devices.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はバリスタを用いた液晶表示素子の基本
構造を示す断面図、第2図はバリスタを用いた液
晶表示素子の回路構成を示す結線図、第3図は従
来の電極構成を説明する模式図、第4図は本発明
の電圧非直線抵抗素子の電極構造を示す模式図、
第5図は同素子の構造を示す断面図、第6図、第
7図はその電極の配置を示す平面図である。 51……金属酸化物バリスタ基板、52……液
晶駆動用電極、53,55……凹型電極、54,
56,59……リード電極、57……ガラス基
板、58……透明面電極、60……液晶。
Figure 1 is a cross-sectional view showing the basic structure of a liquid crystal display element using a varistor, Figure 2 is a wiring diagram showing the circuit configuration of a liquid crystal display element using a varistor, and Figure 3 is a schematic diagram explaining the conventional electrode configuration. 4 is a schematic diagram showing the electrode structure of the voltage nonlinear resistance element of the present invention,
FIG. 5 is a sectional view showing the structure of the element, and FIGS. 6 and 7 are plan views showing the arrangement of electrodes. 51...Metal oxide varistor substrate, 52...Liquid crystal driving electrode, 53, 55...Concave electrode, 54,
56, 59...Lead electrode, 57...Glass substrate, 58...Transparent surface electrode, 60...Liquid crystal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 電圧の増大に伴つて抵抗値の減少する特性を
有する金属酸化物バリスタ基板の一方の面に複数
個の凹部を設け、この凹部の内面に凹型電極を設
け、上記凹型電極間の電圧非直線性を利用するこ
とを特徴とする電圧非直線抵抗器。 2 電圧の増大に伴つて抵抗値の減少する特性を
有する金属酸化物バリスタ基板の一方の面に複数
対の凹部を設け、上記凹部内面に凹型電極を設
け、各対の凹型電極の一方を、上記金属酸化物バ
リスタの上記面上に設けられた液晶駆動用の面電
極に接続し、他方の凹型電極をやはり上記金属酸
化物バリスタの上記面上に設けられた走査用の電
極に接続し、前記1対の凹型電極間の金属酸化物
バリスタの電圧非直線性を利用して、上記面電極
と対向するガラス基板上に設けられた透明対向電
極間にはさまれた部分の液晶をスイツチング的に
駆動するようにしたことを特徴とする電圧非直線
抵抗器。
[Claims] 1. A metal oxide varistor substrate having a characteristic that the resistance value decreases as the voltage increases, a plurality of recesses are provided on one surface of the substrate, a recessed electrode is provided on the inner surface of the recess, and the recessed A voltage nonlinear resistor characterized by utilizing voltage nonlinearity between electrodes. 2. A plurality of pairs of recesses are provided on one surface of a metal oxide varistor substrate having a characteristic that the resistance value decreases as the voltage increases, and recessed electrodes are provided on the inner surface of the recesses, and one of the recessed electrodes of each pair is connected to a surface electrode for driving a liquid crystal provided on the surface of the metal oxide varistor, and connecting the other concave electrode to a scanning electrode also provided on the surface of the metal oxide varistor; By utilizing the voltage non-linearity of the metal oxide varistor between the pair of concave electrodes, the liquid crystal in the portion sandwiched between the transparent counter electrodes provided on the glass substrate facing the plane electrode can be switched. A voltage nonlinear resistor characterized in that it is driven by.
JP55175544A 1980-12-11 1980-12-11 Voltage non-linear resistor Granted JPS5799705A (en)

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