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JPS632363B2 - - Google Patents
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JPS632363B2 - - Google Patents

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JPS632363B2
JPS632363B2 JP56198109A JP19810981A JPS632363B2 JP S632363 B2 JPS632363 B2 JP S632363B2 JP 56198109 A JP56198109 A JP 56198109A JP 19810981 A JP19810981 A JP 19810981A JP S632363 B2 JPS632363 B2 JP S632363B2
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collector
current
base
whose
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Hiromitsu Nakano
Hiroshi Mizuguchi
Toshio Inaji
Masao Kayashima
Yoshiaki Igarashi
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はきわめて低い電源電圧のもとで安定に
動作するカレントミラー回路を提供するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a current mirror circuit that operates stably under extremely low power supply voltage.

第1図は従来からよく知られているカレントミ
ラー回路の結線図であり、入力端子Xを介してト
ランジスタ1のコレクタ側から基準電流が供給さ
れ、トランジスタ2,3,4のコレクタからそれ
ぞれ出力端子Y1,Y2,Y3を介して基準電流に比
例した出力電流を取り出す様に構成されている。
FIG. 1 is a wiring diagram of a conventionally well-known current mirror circuit, in which a reference current is supplied from the collector side of transistor 1 via input terminal It is configured to take out an output current proportional to the reference current via Y 1 , Y 2 , and Y 3 .

ところで、第1図においてトランジスタ5は入
力電流と出力電流のマツチングをできるかぎり向
上させる目的で用いられている。
By the way, in FIG. 1, the transistor 5 is used for the purpose of improving the matching of input current and output current as much as possible.

たとえば、前記トランジスタ5を用いない場合
にはトランジスタ1のベースとコレクタを接続す
ることによつて最も一般的なカレントミラー回路
が構成できるわけであるが、その場合には基準入
力電流の多くがトランジスタ1〜4のベース電流
となつてしまい、たとえば各トランジスタの直流
電流増幅率を10とすると基準電流100μAを与えて
各出力端子から100μAの出力電流を取り出そうと
しても、実際には70μAしか取り出すことができ
ず、しかも入力電流と出力電流の比率が各トラン
ジスタの直流電流増幅率に左右されるので精密さ
を要求される様なカレントミラー回路では前記ト
ランジスタ5は不可欠であつた。
For example, if the transistor 5 is not used, the most common current mirror circuit can be constructed by connecting the base and collector of the transistor 1, but in that case, most of the reference input current is generated by the transistor. For example, if the DC current amplification factor of each transistor is 10, even if you apply a reference current of 100 μA and try to extract 100 μA of output current from each output terminal, you will actually only extract 70 μA. The transistor 5 is indispensable in current mirror circuits that require precision because the ratio of input current to output current depends on the direct current amplification factor of each transistor.

ところが、前記トランジスタ5を用いることに
よつて、プラス側給電端子Aに印加される電源電
圧の下限値が上昇してしまうという問題があつ
た。
However, by using the transistor 5, there is a problem in that the lower limit value of the power supply voltage applied to the positive power supply terminal A increases.

たとえば、トランジスタ1のベースとコレクタ
を接続した形では電源電圧が1V以下になつても
充分に動作するが、トランジスタ5を用いた場合
には電源電圧が1.4Vよりも低くなるとトランジ
スタ1およびトランジスタ5のベース電流が流れ
なくなつてしまい動作しなくなると言う問題があ
つた。
For example, if the base and collector of transistor 1 are connected, it will operate satisfactorily even if the power supply voltage drops below 1V, but if transistor 5 is used, and the power supply voltage drops below 1.4V, transistor 1 and transistor 5 There was a problem that the base current stopped flowing and the device stopped working.

入力電流と出力電流のマツチングを向上させた
カレントミラー回路としては第1図の回路の他に
有名なウイルソン型カレントミラー回路がある
が、その回路も電源電圧としてトランジスタのベ
ース・エミツタ間電圧の2倍以上を必要とし、同
様の問題があつた。
In addition to the circuit shown in Figure 1, there is a famous Wilson type current mirror circuit as a current mirror circuit that improves the matching of input current and output current, but this circuit also uses 2 of the base-emitter voltage of the transistor as the power supply voltage. I needed more than double the amount and had the same problem.

本発明のカレントミラー回路は以上の様な問題
を解消するようにしたものである。
The current mirror circuit of the present invention is designed to solve the above problems.

第2図は本発明の一実施例におけるカレントミ
ラー回路の回路結線図である。第2図において、
トランジスタ1のベースとコレクタが接続され、
同コレクタは基準電流入力端子Xに接続され、同
エミツタは抵抗6を介してプラス側給電線路aに
接続され、前記トランジスタ1のベースにはトラ
ンジスタ2のベースが接続され、前記トランジス
タ2のエミツタは抵抗7を介してプラス側給電線
路aに接続され、同コレクタは前記トランジスタ
1および前記トランジスタ2と相補型のNPNト
ランジスタ81のコレクタに接続されている。
FIG. 2 is a circuit connection diagram of a current mirror circuit in one embodiment of the present invention. In Figure 2,
The base and collector of transistor 1 are connected,
Its collector is connected to the reference current input terminal It is connected to the positive power supply line a via a resistor 7, and its collector is connected to the collector of an NPN transistor 81 complementary to the transistors 1 and 2.

また、前記トランジスタ81のコレクタは同ベ
ースに接続されているとともに前記トランジスタ
81と同型のNPNトランジスタ82のベースに
接続され、前記トランジスタ81および82のエ
ミツタはマイナス側給電線路bに接続されてい
る。
Further, the collector of the transistor 81 is connected to the same base as well as the base of an NPN transistor 82 of the same type as the transistor 81, and the emitters of the transistors 81 and 82 are connected to the negative power supply line b.

また、前記トランジスタ2のエミツタにはトラ
ンジスタ9のエミツタが接続され、前記トランジ
スタ9のベースは前記トランジスタ82のコレク
タに接続され、同コレクタは第1の電流出力端子
Y1に接続され、前記トランジスタ9のベースに
はトランジスタ10およびトランジスタ11のベ
ースが接続され、前記トランジスタ10,11の
エミツタはそれぞれ、抵抗12,13を介してプ
ラス側給電線路aに接続され、前記トランジスタ
10,11のコレクタはそれぞれ第2、第3の電
流出力端子Y2,Y3に接続されている。
Further, the emitter of the transistor 2 is connected to the emitter of the transistor 9, the base of the transistor 9 is connected to the collector of the transistor 82, and the collector is connected to the first current output terminal.
Y1 , the base of the transistor 9 is connected to the bases of a transistor 10 and a transistor 11, and the emitters of the transistors 10 and 11 are connected to the positive power supply line a via resistors 12 and 13, respectively, The collectors of the transistors 10 and 11 are connected to second and third current output terminals Y 2 and Y 3 , respectively.

さて、第2図の回路において、抵抗6,7,1
2,13の抵抗値がそれぞれR6、R7、R12、R13
であり、トランジスタ1,2,81,82,9,
10,11の直流電流増幅率がそれぞれβ1、β2
β81、β82、β9、β10、β11で、ベース・エミツタ間
電圧がそれぞれVBE1、VBE2、VBE81、VBE82
VBE9、VBE10、VBE11で、コレクタ電流がそれぞれ
I1、I2、I81、I82、I9、I10、I11であるとすると、基
準電流入力端子Xから吸い込まれる基準電流Ix
と、第1、第2、第3の電流出力端子Y1,Y2
Y3から流し出される出力電流Iy1、Iy2、Iy3(各出
力端子には負荷が接続されているものとする。)
の関係は次の様にして求めることができる。
Now, in the circuit shown in Figure 2, resistors 6, 7, 1
The resistance values of 2 and 13 are R 6 , R 7 , R 12 , R 13 respectively
and transistors 1, 2, 81, 82, 9,
The DC current amplification factors of 10 and 11 are β 1 , β 2 , respectively.
At β 81 , β 82 , β 9 , β 10 , and β 11 , the base-emitter voltages are V BE1 , V BE2 , V BE81 , V BE82 , respectively.
At V BE9 , V BE10 and V BE11 , the collector current is
Assuming that I 1 , I 2 , I 81 , I 82 , I 9 , I 10 , and I 11 , the reference current I x drawn from the reference current input terminal
and the first, second, and third current output terminals Y 1 , Y 2 ,
Output currents I y1 , I y2 , I y3 flowing out from Y 3 (assuming that a load is connected to each output terminal).
The relationship can be found as follows.

Ix=I1(1+1/β1)+I2/β2 ………(1) R6I1(1+1/β1)+VBE1 =R7{I2(1+1/β2)+I9(1+1/β9)}+VB
E2
………(2) I2=I81(1+1/β81)+I82/β82 ………(3) I81=I82 ………(4) I82=I9/β9+I10/β10+I11/β11 ………(5) R7{I2(1+1/β2)+I9(1+1/β9)}+VBE9 =R12I10(1+1/β10)+VBE10 ………(6) R12I10(1+1/β10)+VBE10 =R13I11(1+1/β11)+VBE11 ………(7) I9=Iy1 ………(8) I10=Iy2 ………(9) I11=Iy3 ………(10) (3)、(4)式より I2=I82(1+1/β81+1/β82) ………(11) ここで、いま 1+1/β81+1/β82=1/γ ………(12) とおくと、 (11)、(12)式より I2=I82/γ ………(13) (5)、(13)式より I2=1/γ(I9/β9+I10/β10+I11/β11)………(
14) (1)、(2)、(6)、(7)、(8)、(9)、(10)、(14)式よりIy
1

Iy2、Iy3を求めると、 となる。ここで、β2、β81、β82、β9、β10、β11
いずれも10よりも大きく、トランジスタ9,1
0,11のエミツタ電流密度がほぼ等しくなる様
にそれぞれのエミツタ面積が設定されているもの
とすると、 (12)式より γ≒1 ………(18) であり、また、 となる。
I x = I 1 (1+1/β 1 )+I 22 ………(1) R 6 I 1 (1+1/β 1 )+V BE1 = R 7 {I 2 (1+1/β 2 )+I 9 (1+1) /β 9 )}+V B
E2
………(2) I 2 = I 81 (1+1/β 81 ) + I 82 / β 82 ………(3) I 81 = I 82 ………(4) I 82 = I 9 / β 9 + I 1010 +I 1111 ………(5) R 7 {I 2 (1+1/β 2 )+I 9 (1+1/β 9 )}+V BE9 =R 12 I 10 (1+1/β 10 )+V BE10 … …(6) R 12 I 10 (1+1/β 10 )+V BE10 = R 13 I 11 (1+1/β 11 )+V BE11 ………(7) I 9 =I y1 ………(8) I 10 = I y2 ………(9) I 11 = I y3 ………(10) From formulas (3) and (4), I 2 = I 82 (1+1/β 81 +1/β 82 ) ………(11) Here Now, if we set 1+1/β 81 +1/β 82 = 1/γ (12), then from equations (11) and (12), I 2 = I 82 /γ (13) (5) , from formula (13), I 2 = 1/γ (I 99 +I 1010 +I 1111 )......(
14) From formulas (1), (2), (6), (7), (8), (9), (10), and (14), I y
1
,
When I find I y2 and I y3 , becomes. Here, β 2 , β 81 , β 82 , β 9 , β 10 , and β 11 are all larger than 10, and transistors 9 and 1
Assuming that the respective emitter areas are set so that the emitter current densities of 0 and 11 are approximately equal, from equation (12), γ≒1 ......(18), and, becomes.

第2図において、トランジスタ2のエミツタ電
流密度をトランジスタ1のそれと同じにすること
によつて、(19)〜(21)式のVBE1とVBE2を等しくする
ことができる。
In FIG. 2, by making the emitter current density of transistor 2 the same as that of transistor 1, V BE1 and V BE2 in equations (19) to (21) can be made equal.

いま、説明を簡単にするためにVBE1=VBE2が成
立しているものとすると、R6=R7=R12=R13
設定して、β9、β10、β11がいずれも10であると仮
定した場合、Ixが100μAであれば出力電流Iy1
Iy2、Iy3はそれぞれ、およそ70μA、90μA、90μA
となり、第1図のトランジスタ1のベース・コレ
クタ間を短絡した場合に比べて(先に述べたよう
に、その場合は100μAの入力電流に対して出力電
流はいずれも70μAとなる。)、マツチングが良く
なつている。
Now, to simplify the explanation, let us assume that V BE1 = V BE2 holds, then set R 6 = R 7 = R 12 = R 13 , and β 9 , β 10 , and β 11 are all 10, if I x is 100 μA, the output current I y1 ,
I y2 and I y3 are approximately 70 μA, 90 μA, and 90 μA, respectively.
Compared to the case where the base and collector of transistor 1 in Fig. 1 are short-circuited (as mentioned earlier, in that case, the output current will be 70 μA for an input current of 100 μA). is getting better.

これは、トランジスタ9,10,11にとつて
必要なベース電流が基準入力電流から直接供給さ
れるのではなく、トランジスタ81,82を介し
て供給されるためである。
This is because the base current required for transistors 9, 10, 11 is not supplied directly from the reference input current, but via transistors 81, 82.

さて、第2図の回路において、たとえば抵抗7
の両端に100mVの電圧降下をもたせたとしても、
トランジスタ9のベース・エミツタ間電圧が
0.65V程度であり、トランジスタ82の飽和電圧
が0.2V以下であるから、電源電圧が1Vよりも低
くなつたとしても充分に動作する。
Now, in the circuit of Fig. 2, for example, the resistor 7
Even if there is a voltage drop of 100mV across the
The base-emitter voltage of transistor 9 is
Since the saturation voltage of the transistor 82 is about 0.65V and 0.2V or less, it can operate satisfactorily even if the power supply voltage becomes lower than 1V.

なお、第3図において3個の電流出力端子が設
けられているが、これらは必要に応じて増設する
ことも可能であるし、トランジスタ10,11、
抵抗12,13を省いて1個の電流出力端子とす
ることも可能である。
In addition, although three current output terminals are provided in FIG. 3, these can be added as necessary, and transistors 10, 11,
It is also possible to omit the resistors 12 and 13 and provide one current output terminal.

第3図は本発明の別の実施例を示したもので、
第3図ではトランジスタ1とトランジスタ10の
エミツタ電流密度がほぼ同じになる様に設定し、
さらにトランジスタ2とトランジスタ9のエミツ
タ電流密度がほぼ同じになる様に設定されてい
る。
FIG. 3 shows another embodiment of the present invention,
In Figure 3, the emitter current densities of transistor 1 and transistor 10 are set to be almost the same,
Furthermore, the emitter current densities of transistor 2 and transistor 9 are set to be approximately the same.

すなわち、(16)式において VBE1−VBE2=VBE10−VBE9 ………(22) が成立するので、VBE1とVBE2の差電圧によるミス
マツチングが解消される。
That is, in equation (16), V BE1 - V BE2 = V BE10 - V BE9 (22) holds true, so mismatching due to the voltage difference between V BE1 and V BE2 is eliminated.

また、第3図の回路ではトランジスタ9のコレ
クタ電源を出力電流として利用していないが、必
要に応じて、出力電流として取り出すこともでき
る。
Further, in the circuit shown in FIG. 3, the collector power supply of the transistor 9 is not used as an output current, but it can be taken out as an output current if necessary.

また、第2図および第3図の回路において、ト
ランジスタ81を用いず、トランジスタ2のコレ
クタをトランジスタ82のベースに接続した回路
に比べて、本発明の回路の場合にはトランジスタ
81,82における利得が小さいため発振しにく
いという利点も有している。
Furthermore, in the circuits of FIGS. 2 and 3, the gain in transistors 81 and 82 is greater in the circuit of the present invention than in the circuit in which transistor 81 is not used and the collector of transistor 2 is connected to the base of transistor 82. It also has the advantage of being difficult to oscillate because it is small.

なお、第2図および第3図に示した本発明の実
施例では、いずれも出力トランジスタとして
PNPトランジスタを用いているが、これらをす
べてNPNトランジスタに置き換え、トランジス
タ81,82をPNPトランジスタに置き換えて
も同様の効果が期待できることは言うまでもな
い。
Note that in the embodiments of the present invention shown in FIGS. 2 and 3, the output transistor is
Although PNP transistors are used, it goes without saying that the same effect can be expected even if all of these are replaced with NPN transistors and the transistors 81 and 82 are replaced with PNP transistors.

以上の様に本発明のカレントミラー回路は、コ
レクタ側から入力端子Xを介して基準電流が供給
され、エミツタが一方の給電線路に接続された第
1のトランジスタ(前記実施例の1に相当)と、
ベースが前記第1のトランジスタのベースに接続
され、エミツタが抵抗(同7に相当)を介して前
記給電線路に接続された第2のトランジスタ(同
2に相当)と、前記第1および第2のトランジス
タと相補型であつて、コレクタ電流が前記第2の
トランジスタのコレクタから供給され、エミツタ
が他方の給電線路に接続された第3のトランジス
タ(同81に相当)と、ベースが前記第3のトラ
ンジスタのベースに接続され、エミツタが前記他
方の給電線路に接続された前記第3のトランジス
タと同型である第4のトランジスタ(同82に相
当)と、エミツタが前記第2のトランジスタのエ
ミツタに接続され、ベース電流が前記第4のトラ
ンジスタのコレクタから給電される第5のトラン
ジスタ(同9に相当)を備えたことを特徴とする
もので、実施例では、さらに、ベースが前記第5
のトランジスタのベースに接続され、エミツタが
前記給電線路に接続された第6のトランジスタ
(同10に相当)と、ベースが前記第5のトラン
ジスタのベースに接続され、エミツタが前記給電
線路に接続された第7のトランジスタ(同11に
相当)を備えている。
As described above, the current mirror circuit of the present invention includes a first transistor (corresponding to Embodiment 1) to which a reference current is supplied from the collector side via the input terminal X, and whose emitter is connected to one of the feed lines. and,
a second transistor (corresponding to 2) whose base is connected to the base of the first transistor and whose emitter is connected to the feed line via a resistor (corresponding to 7); A third transistor (corresponding to 81), which is complementary to the transistor, whose collector current is supplied from the collector of the second transistor and whose emitter is connected to the other power supply line; a fourth transistor (equivalent to 82) of the same type as the third transistor whose emitter is connected to the base of the transistor and whose emitter is connected to the other power supply line; and a fourth transistor whose emitter is connected to the emitter of the second transistor. The fifth transistor (corresponding to No. 9) is connected to the collector of the fourth transistor and whose base current is supplied from the collector of the fourth transistor.
a sixth transistor (corresponding to transistor 10) connected to the base of the fifth transistor and having its emitter connected to the power supply line; A seventh transistor (corresponding to the eleventh transistor) is provided.

また、第2図の実施例では前記第5、第6、第
7のトランジスタのコレクタから出力電流を取り
出す様に構成されているが、第3図の実施例では
前記第5のトランジスタのコレクタにはマイナス
側給電線路から給電する様に構成されている。
Further, in the embodiment shown in FIG. 2, the output current is taken out from the collectors of the fifth, sixth, and seventh transistors, but in the embodiment shown in FIG. is configured to feed power from the negative feed line.

この様に本発明のカレントミラー回路では第2
のトランジスタのコレクタ電流を相補型の第3お
よび第4のトランジスタを介して、前記第4のト
ランジスタのコレクタ電流として供給し、該コレ
クタ電流を少くとも第5のトランジスタのベース
電流として供給する様に構成しているので、きわ
めて低い電源電圧のもとで動作し、発振しにく
く、かつ、高精度のマツチングを維持しつつ、少
ない基準電流をもとに多くの出力電流を得ること
ができるなど大なる効果を有ずる。
In this way, in the current mirror circuit of the present invention, the second
The collector current of the transistor is supplied as the collector current of the fourth transistor through complementary third and fourth transistors, and the collector current is supplied as the base current of at least the fifth transistor. Because of this structure, it operates with extremely low power supply voltage, is difficult to oscillate, and can obtain a large output current based on a small reference current while maintaining high precision matching. It has the following effect.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来例を示す回路結線図、第2図およ
び第3図はそれぞれ本発明の実施例にかかるカレ
ントミラー回路の回路結線図である。 1……第1のトランジスタ、2……第2のトラ
ンジスタ、3,4,5……トランジスタ、6,
7,12,13……抵抗、81……第3のトラン
ジスタ、82……第4のトランジスタ、9……第
5のトランジスタ、10……第6のトランジス
タ、11……第7のトランジスタ、A……プラス
側給電端子、a……プラス側給電線路、b……マ
イナス側給電線路、X……入力端子、Y1,Y2
Y3……出力端子。
FIG. 1 is a circuit connection diagram showing a conventional example, and FIGS. 2 and 3 are circuit connection diagrams of a current mirror circuit according to an embodiment of the present invention. 1...First transistor, 2...Second transistor, 3, 4, 5...Transistor, 6,
7, 12, 13...Resistor, 81...Third transistor, 82...Fourth transistor, 9...Fifth transistor, 10...Sixth transistor, 11...Seventh transistor, A ...Positive power supply terminal, a...Positive power supply line, b...Minus power supply line, X...Input terminal, Y 1 , Y 2 ,
Y3 ...Output terminal.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 コレクタ側から基準電流が供給され、ベース
とコレクタが接続されて、エミツタが一方の給電
線路に接続された第1のトランジスタと、ベース
が前記第1のトランジスタのベースに接続され、
エミツタが抵抗を介して前記給電線路に接続され
た第2のトランジスタと、前記第1および第2の
トランジスタの相補型であつて、コレクタ電流が
前記第2のトランジスタのコレクタから供給さ
れ、ベースとコレクタが接続されて、エミツタが
他方の給電線路に接続された第3のトランジスタ
と、該第3のトランジスタと同型であつて、ベー
スが前記第3のトランジスタのベースに接続さ
れ、エミツタが前記他方の給電線路に接続された
第4のトランジスタと、エミツタが前記第2のト
ランジスタのエミツタに接続され、ベース電流が
前記第4のトランジスタのコレクタから給電され
る第5のトランジスタを備え、前記第5のトラン
ジスタのコレクタから出力電流を取り出すように
構成したことを特徴とするカレントミラー回路。 2 コレクタ側から基準電流が供給され、ベース
とコレクタが接続されて、エミツタが一方の給電
線路に接続された第1のトランジスタと、ベース
が前記第1のトランジスタのベースに接続され、
エミツタが抵抗を介して前記給電線路に接続され
た第2のトランジスタと、前記第1および第2の
トランジスタと相補型であつて、コレクタ電流が
前記第2のトランジスタのコレクタから供給さ
れ、ベースとコレクタが接続されて、エミツタが
他方の給電線路に接続された第3のトランジスタ
と、該第3のトランジスタと同型であつて、ベー
スが前記第3のトランジスタのベースに接続さ
れ、エミツタが前記他方の給電線路に接続された
第4のトランジスタと、エミツタが前記第2のト
ランジスタのエミツタに接続され、ベース電流が
前記第4のトランジスタのコレクタから給電され
る第5のトランジスタと、ベースが前記第5のト
ランジスタのベースに接続され、エミツタが前記
給電線路に接続された第6のトランジスタを備
え、前記第5のトランジスタのコレクタには前記
他方の給電線路から給電するとともに、前記第6
のトランジスタのコレクタから出力電流を取り出
すように構成したことを特徴とするカレントミラ
ー回路。
[Claims] 1. A first transistor to which a reference current is supplied from the collector side, whose base and collector are connected, and whose emitter is connected to one of the feed lines, and whose base is connected to the base of the first transistor. connected,
a second transistor whose emitter is connected to the power supply line via a resistor; and a complementary transistor of the first and second transistors, wherein a collector current is supplied from the collector of the second transistor and a base and a third transistor whose collector is connected and whose emitter is connected to the other power supply line; the third transistor is of the same type as the third transistor, whose base is connected to the base of the third transistor, and whose emitter is connected to the other power supply line; a fourth transistor connected to a power supply line of the second transistor; and a fifth transistor whose emitter is connected to the emitter of the second transistor and whose base current is supplied from the collector of the fourth transistor; A current mirror circuit configured to take out an output current from the collector of a transistor. 2. A first transistor to which a reference current is supplied from the collector side, the base and collector are connected, and the emitter is connected to one power supply line, and the base is connected to the base of the first transistor,
a second transistor whose emitter is connected to the power supply line via a resistor, and which is complementary to the first and second transistors, the collector current being supplied from the collector of the second transistor and the base of the transistor being complementary to the first and second transistors; a third transistor whose collector is connected and whose emitter is connected to the other power supply line; the third transistor is of the same type as the third transistor, whose base is connected to the base of the third transistor, and whose emitter is connected to the other power supply line; a fourth transistor whose emitter is connected to the emitter of the second transistor and whose base current is supplied from the collector of the fourth transistor; a fifth transistor whose base is connected to the collector of the fourth transistor; a sixth transistor connected to the base of the fifth transistor and having an emitter connected to the power supply line; the collector of the fifth transistor is supplied with power from the other power supply line;
A current mirror circuit configured to take out an output current from the collector of a transistor.
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