JPS6325435B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6325435B2 JPS6325435B2 JP58053121A JP5312183A JPS6325435B2 JP S6325435 B2 JPS6325435 B2 JP S6325435B2 JP 58053121 A JP58053121 A JP 58053121A JP 5312183 A JP5312183 A JP 5312183A JP S6325435 B2 JPS6325435 B2 JP S6325435B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dimensional
- bits
- memory
- bit
- address
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、2次元メモリを複数個重ねて3次元
構成にしたメモリモジユールに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to a memory module in which a plurality of two-dimensional memories are stacked to form a three-dimensional structure.
従来技術と問題点
横方向アドレスXと縦方向アドレスYでメモリ
セルを選択される2次元メモリをZ枚重ねると第
1図に概念的に示す3次元メモリモジユールが得
られる。このメモリモジユールはX方向またはZ
方向のメモリセルに対して同時に書込み読取りを
行なうこことはできる。例えば深さ方向アドレス
Zはメモリプレーンの選択信号(チツプセレクト
信号と同種のもの)とし、常に選択状態にしてお
けばメモリプレーンのX、Y軸の1点(Xi、Yj)
を選択すると、それに対しZ方向に連なる全メモ
リセルが選択される、つまりZ方向同時選択がな
される。また同じXアドレスでX方向の8個のメ
モリセルが同時選択されるようにすることができ
る。第1図のX方向の角棒10はこのX方向に8
ビツト同時に書込まれるメモリセルブロツクを示
し、12はZ方向に同時に書込まれるメモリセル
群を示す。14はY方向に並ぶメモリセル群を示
し、同様な手法で同時選択することは可能である
が、X方向メモリセル群10を同時選択するよう
にしたらY方向メモリセル群14は個々に選択、
例えばこのセル群14が8個のセルからなるなら
8個のアクセスを行なわざるを得ない。なお、
こゝでX、Y、Zいずれかの方向の書込みを1次
元モード、XY、YZまたはZX面での書込み2次
元モード、XYZ立体での書込みを3次元モード
とする。Prior Art and Problems By stacking Z pieces of two-dimensional memories in which memory cells are selected by horizontal address X and vertical address Y, a three-dimensional memory module conceptually shown in FIG. 1 is obtained. This memory module can be
It is possible to write to and read from memory cells in both directions simultaneously. For example, the depth direction address Z is a memory plane selection signal (same type as a chip select signal), and if it is always in the selected state, it will be a point (Xi, Yj) on the X and Y axes of the memory plane.
When , all memory cells connected in the Z direction are selected, that is, simultaneous selection in the Z direction is performed. Furthermore, eight memory cells in the X direction can be simultaneously selected with the same X address. The square bar 10 in the X direction in FIG.
A block of memory cells in which bits are written simultaneously is shown, and 12 represents a group of memory cells in which bits are written simultaneously in the Z direction. Reference numeral 14 indicates a group of memory cells arranged in the Y direction. Although it is possible to select them simultaneously using a similar method, if the group of memory cells 10 in the X direction is simultaneously selected, the group of memory cells in the Y direction 14 can be selected individually.
For example, if this cell group 14 consists of eight cells, eight accesses must be made. In addition,
Here, writing in any one of the X, Y, or Z directions is defined as a one-dimensional mode, writing in the XY, YZ, or ZX plane is defined as a two-dimensional mode, and writing in an XYZ three-dimensional plane is defined as a three-dimensional mode.
発明の目的
本発明は1次元/2次元/3次元のどのモード
でも任意の場所をアクセスできるメモリ装置を提
供しようとするものである。OBJECTS OF THE INVENTION The present invention aims to provide a memory device that can access any location in any one-dimensional, two-dimensional, or three-dimensional mode.
発明の構成
本発明はX方向に複数(N)ビツト同時アクセ
スが可能でありかつZアドレスにより選択可能な
XY2次元メモリの複数個からなる3次元メモリ
モジユール20を備える記憶装置において、複数
(N)ビツトの書込みデータを入力され、シフト
クロツクが加えられるときそれらを1ビツトずつ
順にシフトするシフトレジスタ22と、該シフト
レジスタの複数ビツト書込みデータを同時にまた
は逐次複数個の2次元メモリへ共通に出力する第
1のマルチプレクサ26と、Xアドレスカウンタ
28、Yアドレスカウンタ30、およびこれらの
アドレスカウンタの制御回路32と、メモリモジ
ユール20の読出しデータを2次元メモリ単位で
逐次取出す第2のマルチプレクサ34と、メモリ
モジユール20の読出しデータを、各2次元メモ
リから1ビツトずつ、全体で複数個、逐次取出す
第3のマルチプレクサ36とを備えることを特徴
とするが、次に実施例を参照しながらこれを説明
する。Structure of the Invention The present invention enables simultaneous access to multiple (N) bits in the X direction and selectable by Z address.
In a storage device including a three-dimensional memory module 20 consisting of a plurality of XY two-dimensional memories, a shift register 22 receives write data of multiple (N) bits and sequentially shifts them one bit at a time when a shift clock is applied; A first multiplexer 26 that commonly outputs multiple bit write data of the shift register to a plurality of two-dimensional memories simultaneously or sequentially, an X address counter 28, a Y address counter 30, and a control circuit 32 for these address counters. , a second multiplexer 34 that sequentially extracts the read data of the memory module 20 in two-dimensional memory units, and a third multiplexer that sequentially extracts the read data of the memory module 20 one bit at a time from each two-dimensional memory, a plurality of pieces in total. This will be described next with reference to embodiments.
発明の実施例
第2図は本発明の実施例を示し、20は第1図
に示したメモリモジユールで、本例ではX,Y方
向共に1024個のメモリセルを持つメモリプレーン
8枚からなる。22は書込みデータWDを入力さ
れるシフトレジスタ、24はバツフア、26はマ
ルチプレクサである。書込みデータWDは本例で
は8ビツトであり、同時書込みされる単位をな
す。これをメモリ20のX方向へ書込む場合マル
チプレクサ26は第3図aに示すように、書込み
データWDの第0〜第7ビツトをメモリモジユー
ル20の8枚の各メモリプレーンMP0〜MP7
へ共通に出力する。つまりマルチプレクサ26は
8→8×8=64なるエキスパンダとして機能す
る。Zアドレス信号により8枚のメモリプレーン
MPはすべて選択されているとすると、該メモリ
プレーンは第3図bに示す如く書込まれる。Zア
ドレス信号によつて選択されるメモリプレーンは
MP0〜MP2の3枚のみとすれば、書込まれる
のは第3図bに示すようにMP0〜MP2の3枚
で、残りの4枚MP3〜MP7は書込まれない。
画面をR、G、Bの3色で表わす、場合はかゝる
選択が行なわれる。Embodiment of the Invention FIG. 2 shows an embodiment of the present invention, and 20 is the memory module shown in FIG. 1, which in this example consists of eight memory planes each having 1024 memory cells in both the X and Y directions. . 22 is a shift register into which write data WD is input, 24 is a buffer, and 26 is a multiplexer. In this example, the write data WD is 8 bits, and forms a unit of simultaneous writing. When writing this in the X direction of the memory 20, the multiplexer 26 transfers the 0th to 7th bits of the write data WD to each of the eight memory planes MP0 to MP7 of the memory module 20, as shown in FIG.
Commonly output to. In other words, the multiplexer 26 functions as an expander of 8→8×8=64. 8 memory planes by Z address signal
Assuming all MPs are selected, the memory plane is written as shown in FIG. 3b. The memory plane selected by the Z address signal is
If there are only three sheets MP0 to MP2, the three sheets MP0 to MP2 are written as shown in FIG. 3b, and the remaining four sheets MP3 to MP7 are not written.
If the screen is to be displayed in three colors, R, G, and B, such a selection is made.
なお第3図bでは各メモリプレーンに同じデー
タが書込まれるような感じを与えるが、メモリプ
レーンの逐次選択を行なえばそのようなことはな
く、同じ0、1、2、……つまり第0、第1、第
2、……ビツトでもその内容(データ)は異な
る。メモリプレーンの選択を行なう場合は図示し
なかつたがZアドレス信号をメモリ20へ導入す
る。メモリプレーンが8枚ならアドレス信号のビ
ツト数は3でよく、これをデコードして任意の1
枚を選択できる。同時に複数枚を選択する場合は
ビツト数がもう少し必要になるが、使用メモリプ
レーンの組合せの種類はそれ程多くはなく、それ
に合せてビツト数を選択し、デコード回路を決定
するとよい。 In addition, in Fig. 3b, it seems that the same data is written to each memory plane, but if you select the memory planes sequentially, this will not happen, and the same data will be written to the same 0, 1, 2, etc. , the first, second, . . . bits also have different contents (data). When selecting a memory plane, a Z address signal (not shown) is introduced into the memory 20. If there are 8 memory planes, the number of bits of the address signal can be 3, and this can be decoded to generate any 1 bit.
You can select one. If you select multiple planes at the same time, you will need more bits, but there are not so many combinations of memory planes to use, so it is better to select the number of bits accordingly and decide on the decoding circuit.
書込みデータWDをZ方向へ書込む場合マルチ
プレクサ26は第4図に示すように切換を行な
う。すなわち書込みデータの第0ビツトを8個の
0にしてこれらを全て第0メモリプレーンMP0
へ送り、書込みデータの第1ビツトを8個の1に
してこれらを全て第1メモリプレーンMP1へ送
り、以下同様にする。そのようにすれば各メモリ
プレーンに対する書込みは第4図bに示す如くな
り、書込みはZ方向となる。X方向8ビツト同時
選択を止めてこれは1ビツトずつ歩進するように
すれば、書込みデータがZ方向へは8ビツト並
び、X方向へは1ビツトしか並ばないようにでき
る。 When writing the write data WD in the Z direction, the multiplexer 26 performs switching as shown in FIG. In other words, the 0th bit of the write data is made into 8 0's and all of these are stored in the 0th memory plane MP0.
The first bit of the write data is set to eight 1's, and all of these are sent to the first memory plane MP1, and the same process is repeated. If this is done, writing to each memory plane will be as shown in FIG. 4b, and the writing will be in the Z direction. If the simultaneous selection of 8 bits in the X direction is stopped and the bits are incremented one by one, the write data can be arranged in 8 bits in the Z direction and only 1 bit in the X direction.
第2図の28はXアドレスカウンタ、30はY
アドレスカウンタ、32はこれらのアドレスカウ
ンタの制御回路である。これらによりXアドレス
を8ビツトステツプで変えていくと第3図、第4
図各bに示す書込みがX方向に進行してゆき、Y
アドレスを+1して行くとそれがY方向へ進行し
てゆく。 28 in Figure 2 is the X address counter, 30 is the Y
Address counters 32 are control circuits for these address counters. By changing the X address in 8-bit steps, Figures 3 and 4
The writing shown in each b of the figure progresses in the X direction, and
When the address is increased by +1, it advances in the Y direction.
次に34,36,38は読取り側のマルチプレ
クサで、MPX34はプレーンセレクト用、MPX
36はビツトセレクト用、MPX38は2次元/
3次元切換用である。メモリ20からは64ビツト
同時に読出され、データバスは8ビツトであるの
でMPX34でプレーン選択して64ビツトを8ビ
ツトずつ8回に分けて出力する。MPX36も同
様であるが、こゝではビツト選択して即ち各メモ
リプレーンの第0ビツト、第1ビツト、第2ビツ
ト、……の順で選択して8ビツトずつにする。す
なわちMPX34はX方向書込みに対処するもの、
MPX36はZ方向書込みに対処するものであり、
これらの選択、切換はMPX38が行なう。 Next, 34, 36, and 38 are multiplexers on the reading side, MPX34 is for plane selection, MPX
36 is for bit selection, MPX38 is for 2D/
This is for three-dimensional switching. 64 bits are read out from the memory 20 at the same time, and since the data bus is 8 bits, the MPX 34 selects a plane and outputs the 64 bits in 8 batches of 8 bits each. The same applies to the MPX36, but here the bits are selected, that is, the 0th bit, 1st bit, 2nd bit, . . . of each memory plane are selected in the order of 8 bits each. In other words, MPX34 handles writing in the X direction,
MPX36 deals with Z direction writing,
These selections and changes are made by the MPX38.
Y方向への書込みを行なう場合はシフトレジス
タ22を使用する。8ビツト書込みデータWDを
Y方向へ書込むにはYアドレスを逐次+1しなが
ら8回の書込みを行なうが、その度毎にシフトレ
ジスタ22で1ビツトシフトすると該レジスタの
内容は第5図の如くなり、この書込みのXアドレ
スは8回ともX0とすれば、Y方向に0、1、2、
……と書込まれ、第1図のブロツク14の如き書
込みができる。メモリプレーンの選択も行なえば
X=X0におけるYZ面での書込みができる。この
シフトレジスタ22は前記のX方向書込みなどで
は単なるバツフアとなり、シフトクロツクが加え
られる上記のシフト動作を行なう。 When writing in the Y direction, the shift register 22 is used. To write 8-bit write data WD in the Y direction, write is performed 8 times while sequentially adding 1 to the Y address, but each time the shift register 22 shifts 1 bit, the contents of the register become as shown in Figure 5. , if the X address of this write is X0 for all 8 times, then in the Y direction 0, 1, 2,
. . . is written, and writing as shown in block 14 in FIG. 1 can be performed. If you also select the memory plane, you can write on the YZ plane at X=X0. This shift register 22 serves as a mere buffer in the above-mentioned X-direction writing, and performs the above-mentioned shift operation in which a shift clock is applied.
1ビツトずつ選択しながらX方向へ書込む作業
はY、Z固定でXをインクリメントしながら書込
み、Xが終端へ達すれば始端へ戻すと共にYを+
1し、X、Y面の終端へ達すればその始端へ戻す
と共にZを+1し、といつた操作でよく、アドレ
スX,Y,Zの選択を適切にしてXY、YZ、ZX
面での書込み、更にはXYZ立体での書込みも可
能である。 The work of writing in the X direction while selecting one bit at a time is to fix Y and Z and write while incrementing X. When X reaches the end, return it to the start end and increase Y.
1, and when you reach the end of the X, Y plane, return to the starting end and add +1 to Z. Then, select the addresses X, Y, and Z appropriately and set XY, YZ, ZX.
It is also possible to write on a plane or even in an XYZ three-dimensional space.
データをX方向へ書く代りにY方向へ書くとい
う操作は文字又は図形の90゜回転などに利用され
る。Z方向は前述のように画像の色相、濃淡情報
であることが多い。 The operation of writing data in the Y direction instead of in the X direction is used to rotate characters or figures by 90 degrees. As mentioned above, the Z direction is often information about the hue and shading of an image.
発明の効果
以上説明したように本発明によれば3次元メモ
リモジユールに、X、Y、Z方向に自由に、必要
に応じてそれらのあるものは同時に書込むことが
でき、画像メモリなどに適用して甚だ有効であ
る。Effects of the Invention As explained above, according to the present invention, it is possible to freely write data in the X, Y, and Z directions to a three-dimensional memory module simultaneously as necessary, and to write data to an image memory, etc. It is extremely effective when applied.
第1図は本発明に対するメモリモジユールの説
明図、第2図は本発明の実施例を示すブロツク
図、第3図および第4図はそのマルチプレクサの
動作を説明する図、第5図はシフトレジスタの動
作を説明する図である。
図面で、MPは2次元メモリ、20は3次元メ
モリモジユール、WDは書込みデータ、22はシ
フトレジスタ、26はマルチプレクサである。
FIG. 1 is an explanatory diagram of a memory module according to the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing an embodiment of the present invention, FIGS. 3 and 4 are diagrams explaining the operation of the multiplexer, and FIG. 5 is a shift diagram. FIG. 3 is a diagram illustrating the operation of a register. In the drawing, MP is a two-dimensional memory, 20 is a three-dimensional memory module, WD is write data, 22 is a shift register, and 26 is a multiplexer.
Claims (1)
能でありかつZアドレスにより選択可能なXY2
次元メモリの複数個からなる3次元メモリモジユ
ール20を備える記憶装置において、 複数(N)ビツトの書込みデータを入力され、
シフトクロツクが加えられるときそれらを1ビツ
トずつ順にシフトするシフトレジスタ22と、 該シフトレジスタの複数ビツト書込みデータを
同時にまたは逐次複数個の2次元メモリへ共通に
出力する第1のマルチプレクサ26と、 Xアドレスカウンタ28、Yアドレスカウンタ
30、およびこれらのアドレスカウンタの制御回
路32と、 メモリモジユール20の読出しデータを2次元
メモリ単位で逐次取出す第2のマルチプレクサ3
4と、 メモリモジユール20の読出しデータを、各2
次元メモリから1ビツトずつ、全体で複数個、逐
次取出す第3のマルチプレクサ36とを備えるこ
とを特徴とする3次元メモリモジユールを備える
記憶装置。[Claims] 1. XY2 that allows simultaneous access to multiple (N) bits in the X direction and selectable by Z address
In a storage device including a three-dimensional memory module 20 consisting of a plurality of dimensional memories, write data of multiple (N) bits is input,
A shift register 22 that sequentially shifts the data one bit at a time when a shift clock is applied; a first multiplexer 26 that commonly outputs the multiple bit write data of the shift register to a plurality of two-dimensional memories simultaneously or sequentially; A counter 28, a Y address counter 30, a control circuit 32 for these address counters, and a second multiplexer 3 that sequentially retrieves read data from the memory module 20 in two-dimensional memory units.
4 and the read data of the memory module 20, 2 each.
A storage device comprising a three-dimensional memory module, comprising a third multiplexer 36 for sequentially extracting a plurality of bits from the dimensional memory, one bit at a time.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5312183A JPS59178669A (en) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | Storage device provided with three-dimensional memory module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5312183A JPS59178669A (en) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | Storage device provided with three-dimensional memory module |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59178669A JPS59178669A (en) | 1984-10-09 |
| JPS6325435B2 true JPS6325435B2 (en) | 1988-05-25 |
Family
ID=12933965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5312183A Granted JPS59178669A (en) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | Storage device provided with three-dimensional memory module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59178669A (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294560A (en) * | 1989-01-13 | 1994-03-15 | Seiko Epson Corporation | Bidirectional nonlinear resistor, active matrix liquid crystal panel using bidirectional nonlinear resistor, and method for production thereof |
| EP0381927A3 (en) * | 1989-01-13 | 1991-08-14 | Seiko Epson Corporation | Bidirectional non-linear resistor, active matrix liquid-crystal panel using the same, and method for its production |
| KR100465158B1 (en) * | 2002-10-16 | 2005-01-13 | (주)씨앤에스 테크놀로지 | Memory Map Construct Method and Image Scaling Down Circuit |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53114617A (en) * | 1977-03-17 | 1978-10-06 | Toshiba Corp | Memory unit for picture processing |
-
1983
- 1983-03-29 JP JP5312183A patent/JPS59178669A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59178669A (en) | 1984-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0827114B1 (en) | Method and apparatus for texture data | |
| CA2058585C (en) | Signal processing system including two-dimensional array transposing | |
| JPS6325435B2 (en) | ||
| EP0295186B1 (en) | Boundary-free semiconductor memory device having a plurality of slide access memories | |
| EP0372185A2 (en) | Method and apparatus for the storage and manipulation of three-dimensional data arrays | |
| JPH061449B2 (en) | Image memory for image editing | |
| JPS6398694A (en) | Vertical-horizontal converter for pattern data | |
| JPS62151987A (en) | Multi-port memory for image processing | |
| JP3126430B2 (en) | Pattern generation circuit | |
| JP2502857B2 (en) | Signal processor | |
| JPS58207170A (en) | Picture processing system | |
| JPH059831B2 (en) | ||
| JPS61279888A (en) | Character generator | |
| JPS61170843A (en) | Memory control circuit | |
| JPH07271966A (en) | Data storage method, scroll method and data output method using the same | |
| JPS63256991A (en) | Editing memory | |
| JPS62133575A (en) | Memory device | |
| JPS59177665A (en) | Memory system provided with mask memory | |
| JPH07296176A (en) | Polygon paint-out information output system | |
| JPH0234396B2 (en) | ||
| JPS6054055A (en) | Storage device | |
| JPH0587913B2 (en) | ||
| JPS61196496A (en) | Memory device | |
| JPS63229574A (en) | Image storage device for rotation | |
| JPS62119679A (en) | Image storage device for rotation and reduction |