JPS6326922B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6326922B2 JPS6326922B2 JP57090803A JP9080382A JPS6326922B2 JP S6326922 B2 JPS6326922 B2 JP S6326922B2 JP 57090803 A JP57090803 A JP 57090803A JP 9080382 A JP9080382 A JP 9080382A JP S6326922 B2 JPS6326922 B2 JP S6326922B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- manufacturing
- dielectric resonator
- substrate
- view
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は誘電体共振器の製造方法に係り、とく
に高周波帯の小形誘電体共振器の製造方法に関す
る。
に高周波帯の小形誘電体共振器の製造方法に関す
る。
(b) 従来技術と問題点
従来周知の誘電体共振器は、小形でＱが高く、
周波数安定度が良好なことからマイクロ波通信装
置に広く用いられている。
周波数安定度が良好なことからマイクロ波通信装
置に広く用いられている。
上記従来の誘電体共振器は、第１図に示すよう
に通常は円板状で例えば直径５〜15mmであり、回
路基板であるセラミツク基板３上のストリツプラ
イン４との間に、スプリアスモードを少なくする
ために誘電率の小さな石英板２等を介在させて誘
電体共振器１を配設している。
に通常は円板状で例えば直径５〜15mmであり、回
路基板であるセラミツク基板３上のストリツプラ
イン４との間に、スプリアスモードを少なくする
ために誘電率の小さな石英板２等を介在させて誘
電体共振器１を配設している。
マイクロ波帯よりも高周波の準ミリ波、ミリ波
帯で使用される誘電体共振器はその形状がますま
す小さくなり、15GHz程度ともなると直径が４mm
乃至はそれ以下となる。このように周波数が高く
なるとＱの低下もさることながら、誘電体共振器
の形状が小さくなり、円板状では製造が非常に困
難となり、作業能率が悪く、そのため高価になる
といつた問題点があつた。
帯で使用される誘電体共振器はその形状がますま
す小さくなり、15GHz程度ともなると直径が４mm
乃至はそれ以下となる。このように周波数が高く
なるとＱの低下もさることながら、誘電体共振器
の形状が小さくなり、円板状では製造が非常に困
難となり、作業能率が悪く、そのため高価になる
といつた問題点があつた。
(c) 発明の目的
本発明の目的は、上記従来の問題点に鑑み、周
波数の高い領域、たとえばミリ波帯に対応する容
積の、角形誘電体共振器の安価な製造方法を提供
することにある。
波数の高い領域、たとえばミリ波帯に対応する容
積の、角形誘電体共振器の安価な製造方法を提供
することにある。
(d) 発明の構成
前述の目的を達成するために、本発明は高誘電
率材でなる大形の誘電体基板の一面に低誘電率材
でなる誘電体を一体化形成し、上記誘電体基板を
所望の共振周波数帯に対応する容積となる方形に
切断するようにしたことによつて達成される。
率材でなる大形の誘電体基板の一面に低誘電率材
でなる誘電体を一体化形成し、上記誘電体基板を
所望の共振周波数帯に対応する容積となる方形に
切断するようにしたことによつて達成される。
(e) 発明の実施例
以下、図面を参照しながら本発明に係る誘電体
共振器の製造方法を実施例で詳細に説明する。
共振器の製造方法を実施例で詳細に説明する。
第２図は本発明方法の原理を説明するための斜
視図である。図において、高誘電率材料、たとえ
ば酸化ジルコニウム（ZnO2）、酸化チタン
（TiO2）等からなる大形の誘電体基板５を、所望
の周波数帯に対応する容積、たとえば15GHz帯で
は約４mm角となるように、図示しないダイヤモン
ドソウで切離し線６に沿つて碁盤目状に切離し、
方形の誘電体共振器５１を多数個同時に得ること
が可能となり、作業性とともに能率が向上する。
視図である。図において、高誘電率材料、たとえ
ば酸化ジルコニウム（ZnO2）、酸化チタン
（TiO2）等からなる大形の誘電体基板５を、所望
の周波数帯に対応する容積、たとえば15GHz帯で
は約４mm角となるように、図示しないダイヤモン
ドソウで切離し線６に沿つて碁盤目状に切離し、
方形の誘電体共振器５１を多数個同時に得ること
が可能となり、作業性とともに能率が向上する。
第３図は、本発明に係る誘電体共振器の製造方
法の第１の実施例を説明するための斜視図であ
る。第２図と同様な誘電体基板７、たとえば
ZrO2、TiO2等の一方の面に、スプリアスモード
を少なくするために低誘電率でかつ高周波損失の
少ない誘電体であるガラス８を融着し一体化形成
する。このように形成した大形の基板を、第２図
と同様な手段で所望の共振周波数帯に対応する容
積の形状に、切離し線６に沿つてガラス８を含ん
で切断して切離し、多数の誘電体共振器７１を得
る。本実施例によれば一面にスプリアスモードを
減少させる低誘電体が一体に形成された誘電体共
振器が得られるので、極めて好都合である。
法の第１の実施例を説明するための斜視図であ
る。第２図と同様な誘電体基板７、たとえば
ZrO2、TiO2等の一方の面に、スプリアスモード
を少なくするために低誘電率でかつ高周波損失の
少ない誘電体であるガラス８を融着し一体化形成
する。このように形成した大形の基板を、第２図
と同様な手段で所望の共振周波数帯に対応する容
積の形状に、切離し線６に沿つてガラス８を含ん
で切断して切離し、多数の誘電体共振器７１を得
る。本実施例によれば一面にスプリアスモードを
減少させる低誘電体が一体に形成された誘電体共
振器が得られるので、極めて好都合である。
第４図は、本発明に係る誘電体共振器の製造方
法の第２の実施例を説明するための斜視図であ
る。
法の第２の実施例を説明するための斜視図であ
る。
第２図同様な誘電体基板９、例えばZrO2、
TiO2等の一方の面に、スプリアスモードを少な
くするために低誘電率でかつ高周波損失の少ない
誘電体板１０、たとえばフオルステライト等をガ
ラス融着、または接着剤１１等でもつて接合し一
体化形成する。このように形成した大形の基板
を、第２図と同様な手段で所望の共振周波数帯に
対応する容積の形状に、切離し線６に沿つて誘電
体板１０とともに切離し、多数の誘電体共振器９
１を得る。
TiO2等の一方の面に、スプリアスモードを少な
くするために低誘電率でかつ高周波損失の少ない
誘電体板１０、たとえばフオルステライト等をガ
ラス融着、または接着剤１１等でもつて接合し一
体化形成する。このように形成した大形の基板
を、第２図と同様な手段で所望の共振周波数帯に
対応する容積の形状に、切離し線６に沿つて誘電
体板１０とともに切離し、多数の誘電体共振器９
１を得る。
以上のようにして得られた、予じめスプリアス
モードを少なくするためのガラス８、またはフオ
ルステライト１０等の誘電体を有する誘電体共振
器７１、または９１を第５図に示す如くセラミツ
ク基板３の上に低誘電体面を介し直接に取付ける
ことができる。
モードを少なくするためのガラス８、またはフオ
ルステライト１０等の誘電体を有する誘電体共振
器７１、または９１を第５図に示す如くセラミツ
ク基板３の上に低誘電体面を介し直接に取付ける
ことができる。
上記の、誘電体基板の切離し手段としては、ダ
イヤモンドソウに限らず、工業用レーザ等であつ
てもよく、切離し線についてもとくに要するもの
でなく、数値制御手段を備えた切断機械によつて
所望寸法に切断することが可能である。
イヤモンドソウに限らず、工業用レーザ等であつ
てもよく、切離し線についてもとくに要するもの
でなく、数値制御手段を備えた切断機械によつて
所望寸法に切断することが可能である。
(f) 発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明に係る
誘電体共振器の製造方法によれば、従来の個々に
製造する方法にくらべて、低誘電率の誘電体を一
体に有する誘電体共振器が一度に多数製造するこ
とが可能であり、作業能率が向上するとともに安
価となる。とくにミリ帯等の高周波帯での誘電体
共振器に適応して極めて有利である。
誘電体共振器の製造方法によれば、従来の個々に
製造する方法にくらべて、低誘電率の誘電体を一
体に有する誘電体共振器が一度に多数製造するこ
とが可能であり、作業能率が向上するとともに安
価となる。とくにミリ帯等の高周波帯での誘電体
共振器に適応して極めて有利である。
また、誘電体が一体化されて切断されることか
ら両者の平面視の寸法、形状が一致することにな
り、回路基板上への取付け時の位置決めが極めて
正確にして容易に行うことができる。
ら両者の平面視の寸法、形状が一致することにな
り、回路基板上への取付け時の位置決めが極めて
正確にして容易に行うことができる。
第１図は従来の誘電体共振器の実装例を説明す
るための斜視図、第２図は本発明に係る誘電体共
振器の製造方法の原理を説明するための斜視図、
第３図は本発明方法の第１の実施例を、第４図は
同じく第２の実施例をそれぞれ説明するための斜
視図、第５図は本発明によつて得られた誘電体共
振器の実装例斜視図である。 図において、１，５１，７１、および９１は誘
電体共振器、２は石英板、３はセラミツク基板、
４はストリツプライン、５，７および９は誘電体
基板、６は切離し線、８はガラス、１０は誘電体
板、１１は接着剤、をそれぞれ示す。
るための斜視図、第２図は本発明に係る誘電体共
振器の製造方法の原理を説明するための斜視図、
第３図は本発明方法の第１の実施例を、第４図は
同じく第２の実施例をそれぞれ説明するための斜
視図、第５図は本発明によつて得られた誘電体共
振器の実装例斜視図である。 図において、１，５１，７１、および９１は誘
電体共振器、２は石英板、３はセラミツク基板、
４はストリツプライン、５，７および９は誘電体
基板、６は切離し線、８はガラス、１０は誘電体
板、１１は接着剤、をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ 高誘電率材でなる大形の誘電体基板の一面に
低誘電率材でなる誘電体を一体化形成し、上記誘
電体基板を所望の共振周波数帯に対応する容積と
なる方形に切断するようにしたことを特徴とする
誘電体共振器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9080382A JPS58206203A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 誘電体共振器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9080382A JPS58206203A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 誘電体共振器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58206203A JPS58206203A (ja) | 1983-12-01 |
| JPS6326922B2 true JPS6326922B2 (ja) | 1988-06-01 |
Family
ID=14008743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9080382A Granted JPS58206203A (ja) | 1982-05-27 | 1982-05-27 | 誘電体共振器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58206203A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6170801A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Fujitsu Ltd | 誘電体フイルタの構成方法 |
| JPS61212101A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-20 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体共振器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1155870A (en) * | 1979-09-07 | 1983-10-25 | Ignatius Schumacher | Nitration of holobenzenes |
-
1982
- 1982-05-27 JP JP9080382A patent/JPS58206203A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58206203A (ja) | 1983-12-01 |
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