JPS6332282B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6332282B2 JPS6332282B2 JP11986581A JP11986581A JPS6332282B2 JP S6332282 B2 JPS6332282 B2 JP S6332282B2 JP 11986581 A JP11986581 A JP 11986581A JP 11986581 A JP11986581 A JP 11986581A JP S6332282 B2 JPS6332282 B2 JP S6332282B2
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- Japan
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- dielectric
- center electrode
- stripline
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
- H01P3/08—Microstrips; Strip lines
- H01P3/085—Triplate lines
Landscapes
- Waveguides (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、特性がすぐれたストリツプライン
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
第１図は通常のストリツプライン１を示し、ア
ルミナやベリリアからなる誘電体基板２の一方主
表面に中心電極２が形成され、他方主表面に全面
電極３が形成されたものである。
ルミナやベリリアからなる誘電体基板２の一方主
表面に中心電極２が形成され、他方主表面に全面
電極３が形成されたものである。
このような構造では、中心電極２の上方に誘電
体基板２のそれと異なる誘電率をもつたとえば空
気が存在するため、実効εrが基板２のεrの1/2
〜1/3に小さくなる、放射損失が生じる、完
全なTEMモードにならず準TEMモードになる、
などの欠点がある。
体基板２のそれと異なる誘電率をもつたとえば空
気が存在するため、実効εrが基板２のεrの1/2
〜1/3に小さくなる、放射損失が生じる、完
全なTEMモードにならず準TEMモードになる、
などの欠点がある。
そこで、実効誘電率を大きくしてストリツプ
ラインを小形にする、放射損失をなくする、
完全なTEMモードにし、外界の影響を受けない
ようにして、設計が容易になるようにする、など
を目的として、片面に全面電極を設けた一対の誘
電体基板の他面間に中心電極を存在させてなる構
造のストリツプラインが提案されている。
ラインを小形にする、放射損失をなくする、
完全なTEMモードにし、外界の影響を受けない
ようにして、設計が容易になるようにする、など
を目的として、片面に全面電極を設けた一対の誘
電体基板の他面間に中心電極を存在させてなる構
造のストリツプラインが提案されている。
ところで、ストリツプラインの損失αは一般に
次のように表される。
次のように表される。
α＝αd＋αc＋αr
ここで、αdは誘電体基板の誘電損失、αcは電
極の電気抵抗による損失（銅損）、αrは放射損失
である。本発明の実施例で用いる材料のtanδは通
常10-4のオーダーなので、αに占めるαdの大き
さはαcやαrに比べて一般に小さい。また、αrは
上述したような誘電体基板間に中心電極が存在す
る構造だと０である。したがつて銅損をできるだ
け小さくすることがストリツプラインの損失を小
さくすることにつながる。
極の電気抵抗による損失（銅損）、αrは放射損失
である。本発明の実施例で用いる材料のtanδは通
常10-4のオーダーなので、αに占めるαdの大き
さはαcやαrに比べて一般に小さい。また、αrは
上述したような誘電体基板間に中心電極が存在す
る構造だと０である。したがつて銅損をできるだ
け小さくすることがストリツプラインの損失を小
さくすることにつながる。
それゆえにこの発明の目的は、損失を小さくし
たストリツプラインを提供することである。
たストリツプラインを提供することである。
この発明の要旨は、片面に銀のような低抵抗の
材料からなる全面電極を設けた一対の誘電体基板
の他面間に銀のような低抵抗の材料からなる中心
電極を存在させて他面同士をガラスグレーズで貼
りつけることである。
材料からなる全面電極を設けた一対の誘電体基板
の他面間に銀のような低抵抗の材料からなる中心
電極を存在させて他面同士をガラスグレーズで貼
りつけることである。
この発明のその他の目的と特徴は以下にのべる
実施例からもあきらかになる。
実施例からもあきらかになる。
第２図はこの発明の一実施例で得られたもので
あり、１１はストリツプラインを用いるような高
周波域で高いＱと高いεr（たとえばεr＝20〜100）
をもつ材料、たとえばMgTiO3−CaTiO3系、
ZrO2−SnO2−TiO2系、BaTi4O9系、Nd2Ti2O7
−（BaPb）TiO3−TiO2系誘電体材料からなる第
１の誘電体、１２は、第１の誘電体１１と同様の
第２の誘電体、１３は銀を主成分とする中心電極
で、第１、第２の誘電体間に存在する。１４，１
５は銀を主成分とする全面電極で、それぞれ第
１、第２の誘電体を介して中心電極１３と対とな
るよう第１、第２の誘電体の表面に存在する。
あり、１１はストリツプラインを用いるような高
周波域で高いＱと高いεr（たとえばεr＝20〜100）
をもつ材料、たとえばMgTiO3−CaTiO3系、
ZrO2−SnO2−TiO2系、BaTi4O9系、Nd2Ti2O7
−（BaPb）TiO3−TiO2系誘電体材料からなる第
１の誘電体、１２は、第１の誘電体１１と同様の
第２の誘電体、１３は銀を主成分とする中心電極
で、第１、第２の誘電体間に存在する。１４，１
５は銀を主成分とする全面電極で、それぞれ第
１、第２の誘電体を介して中心電極１３と対とな
るよう第１、第２の誘電体の表面に存在する。
つぎに、第３図にしたがつて製造方法を説明す
る。
る。
上述したような材料を用いて第１の誘電体１１
の一方面に中心電極膜１３を印刷、蒸着などの方
法で形成する。第１の誘電体１１の他方面には全
面電極膜１４を印刷、蒸着などの方法で形成す
る。第２の誘電体１２の一方面に全面電極膜１５
を印刷、蒸着などの方法で形成する。第２の誘電
体１２の他方面と第１の誘電体１１の一方面、す
なわち中心電極膜１３が設けてある面とをガラス
グレーズを用い800℃程度の温度で貼りつける。
中心電極膜１３は第４図に示すように複数個設け
てもよいし、第２〜３図や第４図のものをたとえ
ば第５図に示すように複数層重ねて構成してもよ
い。
の一方面に中心電極膜１３を印刷、蒸着などの方
法で形成する。第１の誘電体１１の他方面には全
面電極膜１４を印刷、蒸着などの方法で形成す
る。第２の誘電体１２の一方面に全面電極膜１５
を印刷、蒸着などの方法で形成する。第２の誘電
体１２の他方面と第１の誘電体１１の一方面、す
なわち中心電極膜１３が設けてある面とをガラス
グレーズを用い800℃程度の温度で貼りつける。
中心電極膜１３は第４図に示すように複数個設け
てもよいし、第２〜３図や第４図のものをたとえ
ば第５図に示すように複数層重ねて構成してもよ
い。
以上の実施例からもあきらかなように、この発
明によると、片面に全面電極を設けた一対の誘電
体基板の他面間に中心電極を存在させて他面同士
をガラスグレーズで貼りつけたので、放射損失の
ない構造において、銅損の少ないたとえば銀のよ
うな電極を用いることができ、さらに特性を向上
させることができる。
明によると、片面に全面電極を設けた一対の誘電
体基板の他面間に中心電極を存在させて他面同士
をガラスグレーズで貼りつけたので、放射損失の
ない構造において、銅損の少ないたとえば銀のよ
うな電極を用いることができ、さらに特性を向上
させることができる。
このような効果があるので、本発明は、たとえ
ば分岐器やフイルタに応用できるなど有益な発明
である。
ば分岐器やフイルタに応用できるなど有益な発明
である。
第１図は、従来例の側面図、第２図は、本発明
一実施例の側面図、第３図は、同、分解斜視図、
第４図は、同、変形例の側面図、第５図は、同、
変形例の側面図である。 １１は第１の誘電体、１２は第２の誘電体、１
３は中心電極、１４，１５は全面電極。
一実施例の側面図、第３図は、同、分解斜視図、
第４図は、同、変形例の側面図、第５図は、同、
変形例の側面図である。 １１は第１の誘電体、１２は第２の誘電体、１
３は中心電極、１４，１５は全面電極。
Claims (1)
- １ 片面に全面電極を設けた一対の誘電体基板の
他面間に中心電極を存在させて他面同士をガラス
グレーズで貼りつけたことを特徴とする、ストリ
ツプラインの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11986581A JPS5820004A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | ストリツプラインの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11986581A JPS5820004A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | ストリツプラインの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5820004A JPS5820004A (ja) | 1983-02-05 |
| JPS6332282B2 true JPS6332282B2 (ja) | 1988-06-29 |
Family
ID=14772178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11986581A Granted JPS5820004A (ja) | 1981-07-29 | 1981-07-29 | ストリツプラインの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5820004A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS609302U (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-22 | 株式会社東芝 | マイクロ波集積回路 |
| JPS6053302A (ja) * | 1983-09-02 | 1985-03-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 共振器 |
| JPS60248005A (ja) * | 1984-05-24 | 1985-12-07 | Fujitsu Ltd | トリプレ−ト型回路の製造方法 |
| JPH0414302A (ja) * | 1990-05-08 | 1992-01-20 | Res Dev Corp Of Japan | 超電導マイクロストリップ線路の作製方法 |
| JPH05299916A (ja) * | 1992-04-21 | 1993-11-12 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | ストリップライン共振器 |
-
1981
- 1981-07-29 JP JP11986581A patent/JPS5820004A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5820004A (ja) | 1983-02-05 |
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