JPS6341880B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6341880B2 JPS6341880B2 JP10423883A JP10423883A JPS6341880B2 JP S6341880 B2 JPS6341880 B2 JP S6341880B2 JP 10423883 A JP10423883 A JP 10423883A JP 10423883 A JP10423883 A JP 10423883A JP S6341880 B2 JPS6341880 B2 JP S6341880B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- compartment
- light source
- discharge
- high frequency
- Prior art date
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- Expired
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光CVD装置に関する。
従来、薄膜形成の方法として、反応ガスを熱分
解反応或はプラズマ分解反応させ、その反応物の
結晶を基板上に成長させて薄膜を得るCVD
（Chemical Vapor Deposition）法が知られてい
る。而してこれらの方法では基板表面を約500℃
から700℃に加熱しなければ反応物の結晶が成長
せず良質の薄膜が形成されないが、こうした温度
では基板内からその組成原子が脱離する現象すな
わち基板結晶の誘起欠陥現象を生じ、不良の超
LSIや化合物半導体が製造され勝ちである不都合
がある。
解反応或はプラズマ分解反応させ、その反応物の
結晶を基板上に成長させて薄膜を得るCVD
（Chemical Vapor Deposition）法が知られてい
る。而してこれらの方法では基板表面を約500℃
から700℃に加熱しなければ反応物の結晶が成長
せず良質の薄膜が形成されないが、こうした温度
では基板内からその組成原子が脱離する現象すな
わち基板結晶の誘起欠陥現象を生じ、不良の超
LSIや化合物半導体が製造され勝ちである不都合
がある。
かかる不都合の解消のために第１図示のような
紫外線、レーザー光線等の光を光源ａから基板ｂ
に当て、基板ｂの近傍の反応ガス分子を励起する
とともに基板ｂの表面をも励起して結晶成長を行
なう光CVD法が提案され、これによれば基板表
面の温度を基板結晶の誘起欠陥を生じない程度の
低い温度としても基板上に反応物の結晶を成長さ
せ得て有利である。
紫外線、レーザー光線等の光を光源ａから基板ｂ
に当て、基板ｂの近傍の反応ガス分子を励起する
とともに基板ｂの表面をも励起して結晶成長を行
なう光CVD法が提案され、これによれば基板表
面の温度を基板結晶の誘起欠陥を生じない程度の
低い温度としても基板上に反応物の結晶を成長さ
せ得て有利である。
しかし乍らこの光CVD法ではレーザー光線等
の光源のための電源を設備しなければならない不
便がある。
の光源のための電源を設備しなければならない不
便がある。
本発明はこうした不便のない光CVD装置を提
供することを目的としたもので、反応ガスが流れ
る区画室内に、基板と該区画室の外部の高周波コ
イルで加熱されるヒータとを設け、該反応ガスに
化学反応を生じさせるべく光源から光を照射し、
該基板上に反応物の薄膜を形成する式のものに於
て、該光源を、該区画室の外周に設けた前記高周
波コイルの高周波で発光するHeその他の放電ガ
スが流通する放電室で構成して成る。
供することを目的としたもので、反応ガスが流れ
る区画室内に、基板と該区画室の外部の高周波コ
イルで加熱されるヒータとを設け、該反応ガスに
化学反応を生じさせるべく光源から光を照射し、
該基板上に反応物の薄膜を形成する式のものに於
て、該光源を、該区画室の外周に設けた前記高周
波コイルの高周波で発光するHeその他の放電ガ
スが流通する放電室で構成して成る。
本発明の実施例を図面を参照して説明する。第
２図に於て１は左右に反応ガスの注入口２と排出
口３を設けた横長の透明ガラス製の区画室、４は
該区画室１内に設けた導電性材料からなる台状の
ヒータ、５は該ヒータ４上に載置されたシリコン
その他の基板を示し、該注入口２から例えばアル
シン、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニ
ウム等の組成を有する混合ガスが該区画室１内で
10Torr乃至760Torrの圧力になるように注入さ
れる。６は該区画室１の外周にこれを囲繞して形
成した光源７を構成する放電室でその内部には
H2、He、Ne或はAr等の放電ガスが0.01乃至
1Torrの圧力で流入口８から流出口９へと循環供
給される。該放電室６内のガスはその外周の高周
波コイル１０への通電によりグロー放電し、その
放電光が区画室１内の反応ガスおよび基板５を励
起する。該高周波コイル１０には基板５の結晶の
欠陥を生じない程度の例えば560℃にヒータ４が
加熱されるように電流、周波数等を制御した電力
が供給される。励起した反応ガスは基板５と反応
し、基板５の表面に付着成長し、例えばエピタキ
シヤル膜を形成する。
２図に於て１は左右に反応ガスの注入口２と排出
口３を設けた横長の透明ガラス製の区画室、４は
該区画室１内に設けた導電性材料からなる台状の
ヒータ、５は該ヒータ４上に載置されたシリコン
その他の基板を示し、該注入口２から例えばアル
シン、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニ
ウム等の組成を有する混合ガスが該区画室１内で
10Torr乃至760Torrの圧力になるように注入さ
れる。６は該区画室１の外周にこれを囲繞して形
成した光源７を構成する放電室でその内部には
H2、He、Ne或はAr等の放電ガスが0.01乃至
1Torrの圧力で流入口８から流出口９へと循環供
給される。該放電室６内のガスはその外周の高周
波コイル１０への通電によりグロー放電し、その
放電光が区画室１内の反応ガスおよび基板５を励
起する。該高周波コイル１０には基板５の結晶の
欠陥を生じない程度の例えば560℃にヒータ４が
加熱されるように電流、周波数等を制御した電力
が供給される。励起した反応ガスは基板５と反応
し、基板５の表面に付着成長し、例えばエピタキ
シヤル膜を形成する。
該区画室１は第３図示のようにベル形の縦形に
形成することも可能であり、また基板５を載置す
るヒータ４を該区画室１に導入した駆動軸１１で
旋回するようにしてもよい。尚、高周波コイル１
０は第４図、第５図示のようにグロー放電用のコ
イル１０ａとヒータ４の加熱用のコイル１０ｂと
に区分し、コイル１０ｂの高周波電力を制御して
ヒータ４の温度を制御することも出来る。その作
動を説明するに、放電室６にAr等の放電ガスを
流通させると共に高周波コイル１０にヒータ４の
温度が基板５の結晶の欠陥を生じさせない程度の
温度となるように電力を供給すると、該基板５の
結晶は欠陥を誘起しない温度に加熱されると共に
該放電室６の放電ガスは該コイル１０の磁界の作
用でグロー放電する。次で区画室１内に反応ガス
を注入すると該ガスは放電室６のグロー放電によ
る光で励起され、同時に励起された基板５の表面
で反応を起してそこに例えばエピタキシヤル膜を
形成する。
形成することも可能であり、また基板５を載置す
るヒータ４を該区画室１に導入した駆動軸１１で
旋回するようにしてもよい。尚、高周波コイル１
０は第４図、第５図示のようにグロー放電用のコ
イル１０ａとヒータ４の加熱用のコイル１０ｂと
に区分し、コイル１０ｂの高周波電力を制御して
ヒータ４の温度を制御することも出来る。その作
動を説明するに、放電室６にAr等の放電ガスを
流通させると共に高周波コイル１０にヒータ４の
温度が基板５の結晶の欠陥を生じさせない程度の
温度となるように電力を供給すると、該基板５の
結晶は欠陥を誘起しない温度に加熱されると共に
該放電室６の放電ガスは該コイル１０の磁界の作
用でグロー放電する。次で区画室１内に反応ガス
を注入すると該ガスは放電室６のグロー放電によ
る光で励起され、同時に励起された基板５の表面
で反応を起してそこに例えばエピタキシヤル膜を
形成する。
このように本発明によるときは反応ガスに照射
する光の光源を区画室の外周に設けた放電ガスが
流通する放電室で構成し、ヒータ加熱用の高周波
で該放電ガスを放電発光させるようにしたので、
光源を区画室と一体に形成出来別途に光源を設備
する必要がなく光源用の電源を特に設ける必要も
ないので光CVD装置の構成を簡略化し得組立も
容易になる等の効果がある。
する光の光源を区画室の外周に設けた放電ガスが
流通する放電室で構成し、ヒータ加熱用の高周波
で該放電ガスを放電発光させるようにしたので、
光源を区画室と一体に形成出来別途に光源を設備
する必要がなく光源用の電源を特に設ける必要も
ないので光CVD装置の構成を簡略化し得組立も
容易になる等の効果がある。
第１図は従来の光CVD装置の断面線図、第２
図は本発明装置の実施例の断面図、第３図乃至第
５図は夫々本発明の他の実施例の断面図を示す。 １…区画室、４…ヒータ、５…基板、６…放電
室、７…光源、１０…高周波コイル。
図は本発明装置の実施例の断面図、第３図乃至第
５図は夫々本発明の他の実施例の断面図を示す。 １…区画室、４…ヒータ、５…基板、６…放電
室、７…光源、１０…高周波コイル。
Claims (1)
- １ 反応ガスが流れる区画室内に、基板と該区画
室の外部の高周波コイルで加熱されるヒータとを
設け、該反応ガスに化学反応を生じさせるべく光
源から光を照射し、該基板上に反応物の薄膜を形
成する式のものに於て、該光源を、該区画室の外
周に設けた前記高周波コイルの高周波で発光する
Heその他の放電ガスが流通する放電室で構成し
て成る光CVD装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10423883A JPS59232992A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 光ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10423883A JPS59232992A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 光ｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59232992A JPS59232992A (ja) | 1984-12-27 |
| JPS6341880B2 true JPS6341880B2 (ja) | 1988-08-19 |
Family
ID=14375374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10423883A Granted JPS59232992A (ja) | 1983-06-13 | 1983-06-13 | 光ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59232992A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6193830A (ja) * | 1984-10-15 | 1986-05-12 | Nec Corp | 光気相成長法 |
-
1983
- 1983-06-13 JP JP10423883A patent/JPS59232992A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59232992A (ja) | 1984-12-27 |
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