Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS6342354B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS6342354B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6342354B2
JPS6342354B2 JP59223834A JP22383484A JPS6342354B2 JP S6342354 B2 JPS6342354 B2 JP S6342354B2 JP 59223834 A JP59223834 A JP 59223834A JP 22383484 A JP22383484 A JP 22383484A JP S6342354 B2 JPS6342354 B2 JP S6342354B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
transfer path
corner
patterns
piece
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP59223834A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS61104481A (en
Inventor
Takeyasu Yanase
Masashi Amatsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP59223834A priority Critical patent/JPS61104481A/en
Publication of JPS61104481A publication Critical patent/JPS61104481A/en
Publication of JPS6342354B2 publication Critical patent/JPS6342354B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電子計算装置等の記憶装置として用
いられる磁気バブルメモリ素子に関し、特にその
バブル転送路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a magnetic bubble memory element used as a storage device for electronic computing devices and the like, and particularly to a bubble transfer path thereof.

磁気バブルメモリにおいては最近の情報量の増
加や機器の小型化要求などにより記憶密度の高度
化が進められている。このような中で、従来のパ
ーマロイ等の軟磁性薄膜からなる8μm周期のハー
フデイスクあるいは非対称シエブロンパターンを
用いた1Mビツト素子ではマイナループのコーナ
部にバーパターンを併用しているが、高密度化さ
れた4Mビツト素子では基本パターンに4μm周期
のワイドギヤツプパターンを採用しているためそ
の動作特性からバーパターンを併用することが困
難である。これはマイナループのコーナ部に8μm
周期素子のパターンを縮小して用いると転送マー
ジンが大きく劣化するためである。そのため従来
は第3図に示す如きコーナパターンが用いられて
いる。
The storage density of magnetic bubble memories has been increasing due to the recent increase in the amount of information and the demand for smaller devices. Under these circumstances, conventional 1M bit devices using a half-disk with a period of 8 μm or an asymmetric chevron pattern made of a soft magnetic thin film such as permalloy use a bar pattern at the corner of the minor loop, but with higher density The 4M-bit device that has been developed uses a wide gap pattern with a period of 4 μm as the basic pattern, so it is difficult to use a bar pattern in combination with it due to its operating characteristics. This is 8μm at the corner of the minor loop.
This is because if the periodic element pattern is reduced and used, the transfer margin will be significantly degraded. Therefore, conventionally, a corner pattern as shown in FIG. 3 has been used.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第3図は従来のワイドギヤツプパターンを用い
たマイナループの180゜コーナ(反時計方向)を示
す図であり、1はワイドギヤツプパターン、2,
3はコーナパターン、矢印はバブルの進行方向を
それぞれ示している。この180゜コーナのコーナパ
ターン2,3にはパターンを折り曲げた形状のパ
ターンが用いられている。
Figure 3 is a diagram showing the 180° corner (counterclockwise) of a minor loop using a conventional wide gap pattern, where 1 is a wide gap pattern, 2,
3 indicates a corner pattern, and the arrows indicate the direction in which the bubble travels. For the corner patterns 2 and 3 of this 180° corner, a pattern in the shape of a bent pattern is used.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上記の構成のものにあつては、第3図に示すコ
ーナパターン3のP点の形状がプロセス変動に対
し敏感になりQ部分でのバブルの消滅が起こる。
そのため第4図の特性図を示すように転送マージ
ンの高駆動高バイアス側で劣化を生じ、斜線で示
すようなループ間のバラツキが大きくなるという
問題がある。
In the case of the above structure, the shape of the point P of the corner pattern 3 shown in FIG. 3 becomes sensitive to process fluctuations, and bubbles disappear at the Q portion.
Therefore, as shown in the characteristic diagram of FIG. 4, there is a problem in that the transfer margin deteriorates on the high drive, high bias side, and the variation between loops increases as shown by diagonal lines.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、上記問題点を解消した磁気バブル転
送路を提供するもので、その手段は、軟磁性薄膜
パターンを用いた第1の転送路と、これと平行な
第2の転送路とを結び、反時計方向に180゜バブル
の転送方向を変える2つのパターンからなるコー
ナパターンにおいて、該2つのコーナパターンの
バーパターン形状の素片の端部が互いに約90゜の
角度をなして接近すると共に、該第1の転送路の
パターンの端部が該2つのコーナパターンの1つ
のパターン形状の素片の端部に約90゜の角度をな
して接近し、該2つのコーナパターンの他の1つ
のパターン形状の素片の端部は該第2の転送路を
形成するパターン間の接続方法と同等の接続方法
で該第2の転送路に接続され、該2つのコーナパ
ターンはそれぞれ該バーパターン形状の素片と、
それよりもパターン幅の広い素片とからなること
を特徴とする磁気バブル転送路によつてなされ
る。
The present invention provides a magnetic bubble transfer path that solves the above problems, and its means connects a first transfer path using a soft magnetic thin film pattern and a second transfer path parallel to the first transfer path. , in a corner pattern consisting of two patterns in which the bubble transfer direction is changed by 180° counterclockwise, the ends of the bar pattern-shaped pieces of the two corner patterns approach each other at an angle of about 90°, and , the end of the pattern of the first transfer path approaches the end of the pattern-shaped piece of one of the two corner patterns at an angle of about 90°, and the end of the pattern of the first transfer path approaches the end of the pattern-shaped piece of one of the two corner patterns, The ends of the two pattern-shaped elemental pieces are connected to the second transfer path by the same connection method as the connection method between the patterns forming the second transfer path, and the two corner patterns are connected to the bar pattern, respectively. A piece of shape,
This is achieved by a magnetic bubble transfer path that is characterized by consisting of an element piece with a wider pattern width than that of the magnetic bubble transfer path.

〔作 用〕[Effect]

上記磁気バブル転送路は、バーパターン形状の
素片と、それよりも幅の広いパターン素片とより
なるパターンを2つ用い直線部と同じつなぎ方を
することによりプロセス変動に対するバラツキを
抑えることができる。
The above-mentioned magnetic bubble transfer path uses two patterns, each consisting of a bar pattern piece and a wider pattern piece, and is connected in the same way as the straight portion, thereby suppressing variations due to process fluctuations. can.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

第1図に本発明の一実施例を平面図として示
す。同図において、10は第1の転送路、11は
第2の転送路、12,13はコーナパターン、
A,Bはコーナパターン12,13のバーパター
ン状素片、14は第1の転送路の最後のパター
ン、Cは第1の転送路の最終パターンの素片、1
5は第2の転送路の最初のパターン、Dは第2の
転送路の最初のパターンの素片、矢印はバブルの
進行方向をそれぞれ示している。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention as a plan view. In the figure, 10 is a first transfer path, 11 is a second transfer path, 12 and 13 are corner patterns,
A and B are bar pattern pieces of corner patterns 12 and 13, 14 is the last pattern of the first transfer path, C is a piece of the final pattern of the first transfer path, 1
5 indicates the first pattern of the second transfer path, D indicates a segment of the first pattern of the second transfer path, and arrows indicate the direction of bubble travel.

本実施例は第1図に示す如く、第1の転送路1
0と第2の転送路11とを結び反時計方向に180゜
バブルの転送方向を変えるために2つのコーナパ
ターン12,13を用いており、このコーナパタ
ーン12,13はそれぞれバーパターン形状の素
片A,Bと、それよりもパターン幅の広い素片
E,Fとからなつており、それぞれの素片A,B
の端部は互いに約90゜の角度(図にθで示す)で
接近している。またコーナパターン12の素片A
の端部には第1の転送路の最後のパターン14の
素片Cの端部が約90゜の角度(図にθ′で示す)で
接近している。さらにコーナパターン13の素片
Bは第2の転送路を形成するパターン間の接続方
法(図に角βで示す)と同様にして第2の転送路
の最初のパターン15の素片Dに接近(図に角
β′で示す)して接続されている。
In this embodiment, as shown in FIG.
Two corner patterns 12 and 13 are used to connect the 0 and second transfer path 11 and change the transfer direction of the bubble by 180° counterclockwise. It consists of pieces A and B, and pieces E and F whose pattern width is wider than the pieces A and B.
the ends of which are close to each other at an angle of approximately 90° (indicated by θ in the figure). Also, piece A of corner pattern 12
The end of the elemental piece C of the last pattern 14 of the first transfer path approaches at an angle of about 90° (indicated by θ' in the figure). Furthermore, the elemental piece B of the corner pattern 13 approaches the elemental piece D of the first pattern 15 of the second transfer path in the same way as the connection method between the patterns forming the second transfer path (indicated by the angle β in the figure). (indicated by angle β' in the figure).

このように構成された本実施例の特性を第2図
に示す。同図において、縦軸にはバイアス磁界
を、横軸には駆動磁界をとり、曲線A,Bにより
転送マージンの上限のバラツキを示し曲線Cによ
り転送マージンの下限を示した。図より転送マー
ジンのバラツキ(斜線を入れて示す)は従来に比
して小さくなつていることがわかる。
The characteristics of this embodiment configured in this way are shown in FIG. In the figure, the vertical axis represents the bias magnetic field, and the horizontal axis represents the drive magnetic field. Curves A and B represent variations in the upper limit of the transfer margin, and curve C represents the lower limit of the transfer margin. It can be seen from the figure that the variation in transfer margin (indicated by diagonal lines) is smaller than in the past.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、コーナパ
ターン及びその転送路との接続を第1図で説明し
た如くにすることにより、コーナパターン13の
素片Bと第2の転送路のパターン15の素片Dと
の間でバブルが消滅することを抑え、ループ間の
バラツキのない良好な転送マージンを得ることが
できる。
As explained above, according to the present invention, by connecting the corner pattern and its transfer path as explained in FIG. It is possible to suppress bubbles from disappearing with the elemental piece D, and to obtain a good transfer margin with no variation between loops.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の磁気バブル転送路の一実施例
を示す平面図、第2図は本発明の磁気バブル転送
路の特性を示す図、第3図は従来の磁気バブル転
送路を示す平面図、第4図は従来の磁気バブル転
送路の特性を示す図である。 図中、10は第1の転送路、11は第2の転送
路、12,13はコーナパターン、14は第1の
転送路の最後のパターン、15は第2の転送路の
最初のパターンをそれぞれ示す。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the magnetic bubble transfer path of the present invention, FIG. 2 is a view showing the characteristics of the magnetic bubble transfer path of the present invention, and FIG. 3 is a plan view showing a conventional magnetic bubble transfer path. 4 are diagrams showing the characteristics of a conventional magnetic bubble transfer path. In the figure, 10 is the first transfer path, 11 is the second transfer path, 12 and 13 are corner patterns, 14 is the last pattern of the first transfer path, and 15 is the first pattern of the second transfer path. Each is shown below.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 軟磁性薄膜パターンを用いた第1の転送路
と、これと平行な第2の転送路とを結び、反時計
方向に180゜バブルの転送方向を変える2つのパタ
ーンからなるコーナパターンにおいて、該2つの
コーナパターンのバーパターン形状の素片の端部
が互いに約90゜の角度をなして接近すると共に、
該第1の転送路のパターンの端部が該2つのコー
ナパターンの1つのパターン形状の素片の端部に
約90゜の角度をなして接近し、該2つのコーナパ
ターンの他の1つのパターン形状の素片の端部は
該第2の転送路を形成するパターン間の接続方法
と同等の接続方法で該第2の転送路に接続され、
該2つのコーナパターンはそれぞれ該バーパター
ン形状の素片と、それよりもパターン幅の広い素
片とからなることを特徴とする磁気バブル転送
路。
1 In a corner pattern consisting of two patterns that connect a first transfer path using a soft magnetic thin film pattern and a second transfer path parallel to this, and change the bubble transfer direction by 180° counterclockwise, The ends of the bar pattern-shaped pieces of the two corner patterns approach each other at an angle of about 90°, and
The end of the pattern of the first transfer path approaches the end of the pattern-shaped piece of one of the two corner patterns at an angle of about 90°, and The ends of the pattern-shaped pieces are connected to the second transfer path by a connection method equivalent to the connection method between the patterns forming the second transfer path,
A magnetic bubble transfer path characterized in that each of the two corner patterns is composed of a piece having the bar pattern shape and a piece having a pattern width wider than the bar pattern.
JP59223834A 1984-10-26 1984-10-26 Magnetic bubble transfer path Granted JPS61104481A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59223834A JPS61104481A (en) 1984-10-26 1984-10-26 Magnetic bubble transfer path

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59223834A JPS61104481A (en) 1984-10-26 1984-10-26 Magnetic bubble transfer path

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61104481A JPS61104481A (en) 1986-05-22
JPS6342354B2 true JPS6342354B2 (en) 1988-08-23

Family

ID=16804445

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59223834A Granted JPS61104481A (en) 1984-10-26 1984-10-26 Magnetic bubble transfer path

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61104481A (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61104481A (en) 1986-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4086661A (en) Cylindrical magnetic domain element
JPS6342354B2 (en)
JPS623508B2 (en)
JPS6050693A (en) Magnetic bubble memory device
JPS6173293A (en) Magnetic bubble memory device
JPS5990288A (en) Magnetic bubble transfer circuit
JPS5843833B2 (en) magnetic bubble storage device
JPS60129996A (en) Magnetic bubble memory element
JPS62262293A (en) Magnetic bubble device
JPS60125989A (en) magnetic bubble detector
JPS6342355B2 (en)
JPS60111387A (en) Magnetic bubble memory element
JPS60179989A (en) Magnetic bubble transfer line
JPS5913107B2 (en) Replicate gate for double-layer conductor film magnetic bubble transfer path
JPS61204887A (en) Magnetic bubble transfer path
JPS6212593B2 (en)
JPS60261098A (en) Magnetic bubble memory element
JPS59152523A (en) Recording medium for magnetic head azimuth measurement
JPH0478091A (en) Bloch line memory element
GB2041680A (en) Magnetic Bubble Device
JPS5927997B2 (en) Transfer gate for magnetic bubbles
JPS61165879A (en) Matnetic bubble memory element
JPH04105291A (en) Magnetic storage element
JPS6250918B2 (en)
JPH0616352B2 (en) Magnetic bubble transfer circuit