Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS6342355B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS6342355B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6342355B2
JPS6342355B2 JP59227978A JP22797884A JPS6342355B2 JP S6342355 B2 JPS6342355 B2 JP S6342355B2 JP 59227978 A JP59227978 A JP 59227978A JP 22797884 A JP22797884 A JP 22797884A JP S6342355 B2 JPS6342355 B2 JP S6342355B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
foot
head
margin
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP59227978A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS61107592A (en
Inventor
Takeyasu Yanase
Masashi Amatsu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP59227978A priority Critical patent/JPS61107592A/en
Publication of JPS61107592A publication Critical patent/JPS61107592A/en
Publication of JPS6342355B2 publication Critical patent/JPS6342355B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子計算装置等の記憶装置に用いられ
る磁気バブルメモリ装置に関し、特にそのメモリ
素子の磁気バブル転送制御器に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a magnetic bubble memory device used in a storage device such as an electronic computing device, and more particularly to a magnetic bubble transfer controller for a memory element thereof.

従来より磁気バブルメモリ素子において、その
磁気バブル転送制御器、例えばスワツプゲート、
トランスフアゲート等にはハフーデイスク型軟磁
性薄膜パターンとヘアピンコンダクタどを組合わ
せたものが用いられて来た。ところがメモリ素子
が高密度化し、各パターンが微細化して来ると軟
磁性パターンとコンダクタパターンとの交叉部で
の段差及びコンダクタのストレスによりバブルが
つぶれ易くなり転送マージンの劣化が生ずる。
Conventionally, in a magnetic bubble memory device, its magnetic bubble transfer controller, such as a swap gate,
For transfer gates, etc., a combination of a Hahoo disk-type soft magnetic thin film pattern and a hairpin conductor has been used. However, as the density of memory elements increases and each pattern becomes finer, bubbles tend to collapse due to the difference in level at the intersection of the soft magnetic pattern and the conductor pattern and stress on the conductor, resulting in deterioration of the transfer margin.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

このため、最近は転送マージンを上げることが
できるピカツクス型の軟磁性薄膜パターンが用い
られる。第5図は従来のスワツプゲートを示す図
であり、同図において1はピカツクス型軟磁性薄
膜パターン、2はヘアピンコンダクタ、3はメジ
ヤ転送路、4はマイナループ、矢印5はバブルの
進行方向をそれぞれ示しており、適時にヘアピン
コンダクタ2にパルス電流を印加することにより
メジヤ転送路3からマイナループ4へ又はその逆
にバブルを転送することができるようになつてい
る。
For this reason, recently, a pickax type soft magnetic thin film pattern is used which can increase the transfer margin. FIG. 5 is a diagram showing a conventional swap gate. In the figure, 1 indicates a pickax type soft magnetic thin film pattern, 2 indicates a hairpin conductor, 3 indicates a medium transfer path, 4 indicates a minor loop, and arrow 5 indicates the direction of bubble travel. By applying a pulse current to the hairpin conductor 2 at appropriate times, bubbles can be transferred from the major transfer path 3 to the minor loop 4 or vice versa.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

上記の如きピカツクス型パターンとヘアピンコ
ンダクタとを組合わせたスワツプゲートにあるい
はトランスフアゲート等の磁気バブル制御器にお
いては、ピカツクス型パターンとコンダクタパタ
ーンとの交叉部での転送マージンの劣化は第6図
に示すように改善される。同図において曲線A,
A′はピカツクス型パターンを用いた場合、曲線
B,B′はハーフデイスク型を用いた場合である。
ところがピカツクス型パターンは頭部の駆動力が
強過ぎるため第7図の如くスワツプ電流の最小値
がハーフデイスク型より大きくなるという問題が
ある。なお同図において曲線C,C′はピカツクス
パターンを用いた場合、曲線D,D′はハーフデ
イスク型を用いた場合を示している。
In a magnetic bubble controller such as a swap gate or a transfer gate that combines a Pickax pattern and a hairpin conductor as described above, the deterioration of the transfer margin at the intersection of the Pickax pattern and the conductor pattern is shown in Figure 6. It will be improved as follows. In the same figure, curve A,
Curve A' is the case when a pickax type pattern is used, and curves B and B' are the case when a half disk type pattern is used.
However, since the driving force of the head of the Pickax type pattern is too strong, there is a problem in that the minimum value of the swap current is larger than that of the half disk type, as shown in FIG. In the same figure, curves C and C' show the case when a pickax pattern is used, and curves D and D' show the case when a half disk type is used.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明は、上記問題点を解消した磁気バブル転
送制御器を提供するもので、その手段は、パルス
電流を印加しバブルの転送制御を行うためのヘア
ピンコンダクタに絶縁層を介してピカツクス型の
軟磁性薄膜パターンが積層された磁気バブル転送
制御器において、該ピカツクス型パターンは、足
部の付根から足部先端までの長さが頭部のパター
ン幅と同じか、あるいはそれより短く、かつ該足
部の両側辺部が該ヘアピンコンダクタの平行する
パターンの幅の中心より内側に配置され、かつ足
部の付根から頭部の頂上までの高さが頭部のパタ
ーン幅の1/3以下であることを特徴とする磁気バ
ブル転送制御器によつてなされる。
The present invention provides a magnetic bubble transfer controller that solves the above-mentioned problems. In a magnetic bubble transfer controller in which magnetic thin film patterns are laminated, the length from the base of the foot to the tip of the foot is equal to or shorter than the pattern width of the head, and Both sides of the hairpin conductor are arranged inside the center of the width of the parallel pattern of the hairpin conductor, and the height from the base of the foot to the top of the head is 1/3 or less of the width of the pattern of the head. This is done by a magnetic bubble transfer controller characterized by the following.

〔作 用〕[Effect]

上記磁気バブル転送制御器は、そのピカツクス
型軟磁性薄膜パターンを上記形状とすることによ
り、コンダクタパターンとの交叉部でのマージン
劣化を起こさない範囲でゲート電流値を下げるこ
とができる。
The above magnetic bubble transfer controller can reduce the gate current value within a range that does not cause margin deterioration at the intersection with the conductor pattern by forming the Pikachus type soft magnetic thin film pattern into the above shape.

〔実施例〕〔Example〕

以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に
説明する。第1図に本発明の一実施例を示す。同
図はスワツプゲートの要部を示す図であり、10
は軟磁性薄膜のピカツクス型パターン、11はヘ
アピンコンダクタ、a,a′はピカツクス型パター
ンの足部の両側辺部、b,b′はヘアピンコンダク
タの平行するパターンの各中心線をそれぞれ示し
ている。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. This figure shows the main parts of the swap gate.
11 indicates a Pickax-type pattern of a soft magnetic thin film, 11 indicates a hairpin conductor, a and a' indicate both sides of the foot of the Pickax-type pattern, and b and b' indicate the center lines of the parallel patterns of the hairpin conductor, respectively. .

本実施例は、ピカツクス型パターン10の足部
の付根から頭部頂上までの高さ寸法をC、足部の
付根から足部先端までの長さ寸法l、頭部のパタ
ーン幅をWとしたとき、l≦W及びC<W/3であ り、且つ足部の両側辺部a,a′をヘアピンコンダ
クタの平行するパターンの各中心線b,b′の内側
に配置したものである。
In this example, the height from the base of the foot to the top of the head of the Pikachus type pattern 10 is C, the length l from the base of the foot to the tip of the foot, and the pattern width of the head is W. Then, l≦W and C<W/3, and both sides a, a' of the foot are arranged inside each center line b, b' of the parallel pattern of the hairpin conductor.

なお第2図はW=13μmの場合のC寸法と最小
スワツプ電流との関係を示した図であり、同図に
おいて横軸にはC寸法を、縦軸には最小スワツプ
電流をとり、曲線aによりl>Wの場合、曲線b
によりl=Wの場合、曲線Cによりl<Wの場合
をそれぞれ示している。図よりC寸法は、l=W
又はl<WのときW/3以下が良いことがわかる。
Figure 2 shows the relationship between the C dimension and the minimum swap current when W = 13 μm. In the figure, the horizontal axis represents the C dimension, the vertical axis represents the minimum swap current, and the curve a Therefore, if l>W, the curve b
The curve C shows the case l=W, and the curve C shows the case l<W. From the figure, the C dimension is l=W
Or, it can be seen that when l<W, W/3 or less is good.

以上のように構成された本実施例のスワツプゲ
ートの特性は第3図及び第4図の如くになる。第
3図はスワツプ電流マージンを従来例と比較して
示した図であり、同図において横軸にはスワツプ
電流を、縦軸にはバイアスマージンをそれぞれと
り、曲線A,A′により本実施例の特性を、曲線
B,B′により従来例の特性をそれぞれ示した。
また第4図はコンダクタ交叉部での転送マージン
従来例と比較して示した図であり、同図において
横軸には駆動磁界を、縦軸にはバイアスマージン
をとり、曲線C,C′により本実施例の特性を、曲
線D,D′により従来例の特性をそれぞれ示した。
The characteristics of the swap gate of this embodiment constructed as described above are as shown in FIGS. 3 and 4. FIG. 3 is a diagram showing the swap current margin in comparison with the conventional example. In the figure, the horizontal axis represents the swap current, and the vertical axis represents the bias margin. The characteristics of the conventional example are shown by curves B and B', respectively.
Fig. 4 is a diagram comparing the transfer margin at the conductor intersection with a conventional example. In the figure, the horizontal axis represents the driving magnetic field, the vertical axis represents the bias margin, and curves C and C' are shown. The characteristics of this embodiment and the characteristics of the conventional example are shown by curves D and D', respectively.

本実施例のスワツプ電流マージンは第3図に示
すように低電流側に拡大されると共に、ピカツク
ス足部の配置を考慮した結果電流低バイアス側の
マージンも改善されている。また第4図に示すよ
うにコンダクタ交叉部のマージンも従来型と同等
の良好なマージンが得られている。
The swap current margin of this embodiment is expanded toward the low current side as shown in FIG. 3, and the margin on the low current bias side is also improved as a result of consideration of the arrangement of the pickup feet. Further, as shown in FIG. 4, the margin at the conductor crossing portion is as good as that of the conventional type.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によればピカツクス
型パターンの形状及び足部の配置を前述の如くす
ることにより、コンダクタ交叉部での転送マージ
ンの劣化を生ずることなく電流マージンを拡大す
ることができる。
As described above, according to the present invention, by arranging the shape of the pickaxe pattern and the foot portions as described above, the current margin can be expanded without deteriorating the transfer margin at the conductor intersection.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の磁気バブル転送制御器の一実
施例を示す要部平面図、第2図はスワツプゲート
におけるピカツクス型パターンの頭部高さ寸法対
頭部パターン幅の比と最小スワツプ電流との関係
を示した図、第3図は本発明実施例のスワツプゲ
ートの電流マージンを従来例と比較して示した
図、第4図は本発明実施例のスワツプゲートの転
送マージンを従来例と比較して示した図、第5図
は従来のピカツクス型パターンを用いたゲートの
平面図、第6図は従来のピカツクス型パターンを
用いたゲートの転送マージンとハーフデイスク型
パターンを用いたゲートの転送マージンを示した
図、第7図は従来のピカツクス型パターンを用い
たスワツプゲートとハーフデイスク型パターンを
用いたスワツプゲートの電流マージンを示した図
である。 図中、10はピカツクス型パターン、11はヘ
アピンコンダクタをそれぞれ示す。
FIG. 1 is a plan view of a main part showing an embodiment of the magnetic bubble transfer controller of the present invention, and FIG. 2 shows the ratio of the head height dimension to the head pattern width of the Pickax type pattern in the swap gate and the minimum swap current. 3 is a diagram showing the current margin of the swap gate according to the embodiment of the present invention in comparison with the conventional example, and FIG. 4 is a diagram showing the transfer margin of the swap gate according to the embodiment of the present invention in comparison with the conventional example. Figure 5 is a plan view of a gate using a conventional Pickax-type pattern, and Figure 6 is a transfer margin of a gate using a conventional Pickax-type pattern and a gate using a half-disk pattern. FIG. 7 is a diagram showing the current margin of a swap gate using a conventional pickax type pattern and a swap gate using a half disk type pattern. In the figure, numeral 10 indicates a pickaxe type pattern, and numeral 11 indicates a hairpin conductor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 パルス電流を印加しバブルの転送制御を行う
ためのヘアピンコンダクタに絶縁層を介してピカ
ツクス型の軟磁性薄膜パターンが積層された磁気
バブル転送制御器において、該ピカツクス型パタ
ーンは、足部の付根から足部先端までの長さが頭
部のパターン幅と同じか、あるいはそれより短
く、かつ該足部の両側辺部が該ヘアピンコンダク
タの平行するパターンの幅の中心より内側に配置
され、かつ足部の付根から頭部の頂上までの高さ
が頭部のパターン幅の1/3以下であることを特徴
とする磁気バブル転送制御器。
1. In a magnetic bubble transfer controller in which a Pikachus-shaped soft magnetic thin film pattern is laminated via an insulating layer on a hairpin conductor for controlling bubble transfer by applying a pulse current, the Pikachus-shaped pattern is formed at the base of the foot. The length from to the tip of the foot is the same as or shorter than the pattern width of the head, and both sides of the foot are located inside the center of the width of the parallel pattern of the hairpin conductor, and A magnetic bubble transfer controller characterized in that the height from the base of the foot to the top of the head is 1/3 or less of the pattern width of the head.
JP59227978A 1984-10-31 1984-10-31 Magnetic bubble transfer control device Granted JPS61107592A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59227978A JPS61107592A (en) 1984-10-31 1984-10-31 Magnetic bubble transfer control device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59227978A JPS61107592A (en) 1984-10-31 1984-10-31 Magnetic bubble transfer control device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61107592A JPS61107592A (en) 1986-05-26
JPS6342355B2 true JPS6342355B2 (en) 1988-08-23

Family

ID=16869240

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59227978A Granted JPS61107592A (en) 1984-10-31 1984-10-31 Magnetic bubble transfer control device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS61107592A (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS61107592A (en) 1986-05-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6342355B2 (en)
JPS6152554B2 (en)
SU1065876A1 (en) Process for magnetic recording and reproducing with non-mechanical scanning of medium and universal scanning magnetic head
JPS58108086A (en) magnetic bubble transfer circuit
JP2001243601A (en) Method for magnetic recording
JPS61120313A (en) Thin film magnetic head
JPS5913103B2 (en) magnetic bubble memory element
JPS6128313Y2 (en)
JPS6342354B2 (en)
JPH06314414A (en) Thin-film magnetic head and its production
JPS6336074B2 (en)
JPS62162296A (en) New creation type bubble generator
JPS6240687A (en) Magnetic bubble memory element
JPS6136316B2 (en)
JPS62214579A (en) Hybrid type magnetic bubble memory element
JPS5990286A (en) magnetic bubble memory element
JPS62239492A (en) magnetic bubble swap gate
JPS5996593A (en) Write transfer gate
JPH0546930A (en) Thin film magnetic head
JPS647438B2 (en)
JPS5914190A (en) Magnetic bubble memory device
JPS6173293A (en) Magnetic bubble memory device
JPS623513B2 (en)
JPS60117473A (en) Bloch line memory
JPS59207011A (en) Driving device of bloch line pair