JPS6344300B2 - - Google Patents
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- JPS6344300B2 JPS6344300B2 JP56114042A JP11404281A JPS6344300B2 JP S6344300 B2 JPS6344300 B2 JP S6344300B2 JP 56114042 A JP56114042 A JP 56114042A JP 11404281 A JP11404281 A JP 11404281A JP S6344300 B2 JPS6344300 B2 JP S6344300B2
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- plating liquid
- plating
- mask
- mask plate
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/04—Manufacture or treatment of leadframes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/0198—Manufacture or treatment batch processes
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はICフレームに対する金、銀等の貴金
属メツキに用いる部分メツキ装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a partial plating device used for plating precious metals such as gold and silver onto IC frames.
従来のICフレームの部分メツキ装置としては
例えば第1図及び第2図で示すようなものがあ
る。即ち「スパージヤー」と称するメツキボツク
ス1があり、その上蓋兼用のマスク板2上にメツ
キ対象物であるICフレーム3を押圧板4の進退
動を利用して当接させるようにしてあり、上記マ
スク板2に予め開口したメツキ液噴射口5めがけ
ノズル6より図中矢印方向にメツキ液Aを噴射し
てメツキ液噴射口5に露呈しているICフレーム
3の部分、具体的にはアイランド部分7、リード
ピン部分8及びアイランド部分の支持ピン9など
にメツキ液Aを施すようにしている。尚ノズル6
にはアノード10が設けてありICフレーム3は
カソード化自在としてある。 2. Description of the Related Art Conventional IC frame partial plating devices include those shown in FIGS. 1 and 2, for example. That is, there is a plating box 1 called a "sparger," on which an IC frame 3, which is the object to be plated, is brought into contact with a mask plate 2, which also serves as an upper lid, by using the forward and backward movement of a press plate 4, and the above-mentioned mask plate The plating liquid A is injected in the direction of the arrow in the figure from the plating liquid injection port 5 aimed at the nozzle 6, which is opened in advance in the plating liquid injection port 5. Plating liquid A is applied to the lead pin portion 8 and the support pin 9 of the island portion. Furthermore, nozzle 6
is provided with an anode 10, and the IC frame 3 can be made into a cathode.
しかしながらこのような従来のICフレームの
部分メツキ装置にあつては、金や銀などの貴金属
を節約するためにメツキ厚さを薄くしてきたにも
かかわらずマスク板2のメツキ液噴射口5より施
されるメツキ液はアイランド部分7、リードピン
部分8及び支持ピン9をメツキすることになるの
で貴金属の節約にも限界があつた。 However, in such a conventional IC frame partial plating device, although the plating thickness has been reduced in order to save precious metals such as gold and silver, the plating liquid is not applied from the plating liquid injection port 5 of the mask plate 2. Since the plating solution used is used to plate the island portion 7, lead pin portion 8, and support pin 9, there is a limit to the saving of precious metals.
本発明はICフレームにあつて本当にメツキが
必要であるのはワイヤボンデイングする時に要求
されるリードピン部分であること及び従来アイラ
ンド部分に貴金属メツキを施し、例えば金―シリ
コン共晶を形成させDIEボンドさせていたがアイ
ランド部分にはメツキせずとも導電性を有する接
着材の使用が可能であることに着目してなされた
ものであり、マスク板のメツキ液を施す部分の形
状構造に工夫を加えることにより金や銀などの貴
金属の節約をより一層図ろうとするものである。 The present invention is based on the fact that in the IC frame, what really requires plating is the lead pin part required for wire bonding, and that conventionally the island part is plated with precious metal to form gold-silicon eutectic and DIE bonded. However, this was done by focusing on the fact that it is possible to use a conductive adhesive on the island part without plating it, and by adding some ingenuity to the shape and structure of the part of the mask plate where the plating liquid is applied. The aim is to further conserve precious metals such as gold and silver.
以下本発明の詳細を図面を参照して説明する。
第3図〜第4図は本発明〔第1発明〕の一実施例
を示すものである。尚以下の説明において従来と
同一乃至類似する部分は同一符号を以て示し重複
説明を省略するものとする。 The details of the present invention will be explained below with reference to the drawings.
FIGS. 3 and 4 show an embodiment of the present invention (first invention). In the following description, parts that are the same as or similar to those of the prior art are designated by the same reference numerals, and redundant explanation will be omitted.
マスク板2にはメツキ液通路20が凹設してあ
る。このメツキ液通路20はICフレーム3のア
イランド部分7に相応するマスク部21を残して
その周囲に凹設されるものである。22は区画壁
で、支持ピン9に相応する位置、サイズで形成さ
れている。第4図で示す実施例では、区画壁22
は左右一対で形成してありメツキ液通路20は従
つて前後で一対凹設された状態を呈することにな
る。メツキ液通路20はICフレーム3のリード
ピン部分8と相応する位置、サイズのものとされ
ており、一方にメツキ液Aの供給口23が他方に
排出口24がマスク板2の裏面にまで貫通形成し
てある。25はプレート状のアノードで、一対の
メツキ液通路20の各底部に敷設されている。 A plating liquid passage 20 is recessed in the mask plate 2. The plating liquid passage 20 is recessed around the island portion 7 of the IC frame 3, leaving a mask portion 21 corresponding to the island portion 7. Reference numeral 22 denotes a partition wall, which is formed at a position and size corresponding to the support pin 9. In the embodiment shown in FIG.
are formed as a pair of left and right plating liquid passages 20, so that the plating liquid passage 20 has a pair of recesses at the front and rear. The plating liquid passage 20 has a position and size corresponding to the lead pin portion 8 of the IC frame 3, and has a supply port 23 for plating liquid A on one side and a discharge port 24 on the other side that penetrates to the back surface of the mask plate 2. It has been done. Reference numeral 25 denotes a plate-shaped anode, which is placed at the bottom of each of the pair of plating liquid passages 20.
次に作用を説明する。 Next, the action will be explained.
ノズル6より噴射されたメツキ液Aは供給口2
3よりメツキ液通路20内に入りそこで充満する
とともに排出口24よりメツキボツクス1内へ排
出・回収される。ICフレーム3は押圧板4を介
してマスク板2上へ当接せしめられており、IC
フレーム3のリードピン部分8のみがこのメツキ
液通路20の開口部位に臨ませられて露出状態と
され、アイランド部分7及び支持ピン9の部分は
各々マスク部21と区画壁22とで遮蔽されメツ
キ液通路20に対しては非露出の状態とされてい
るので、従つてメツキ液Aはメツキ液通路20内
を流れる間にICフレーム3のリードピン部分8
のみに触れそこが貴金属メツキされるものであ
る。 The plating liquid A injected from the nozzle 6 is supplied to the supply port 2.
The plating liquid enters the plating liquid passage 20 from 3 and fills there, and is discharged and collected into the plating box 1 through the discharge port 24. The IC frame 3 is brought into contact with the mask plate 2 via the pressure plate 4, and the IC
Only the lead pin portion 8 of the frame 3 faces the opening of the plating liquid passage 20 and is exposed, and the island portion 7 and the support pin 9 are respectively shielded by the mask portion 21 and the partition wall 22 and the plating liquid is exposed. Since the passage 20 is not exposed, the plating liquid A is not exposed to the lead pin portion 8 of the IC frame 3 while flowing through the plating liquid passage 20.
The chisel is touched and that part is plated with precious metal.
第5図イ及びロは他の実施例を示す図である。 FIGS. 5A and 5B are diagrams showing other embodiments.
これらの実施例は、メツキ液通路26が1つの
区画壁27で区画され逆C字形状のものとされて
おり、このC字形状に合わせたプレート状のアノ
ード28がメツキ液通路26の底面に設けてあり
そして1つのメツキ液の供給口29及び排出口3
0が形成されていて〔第5図イ〕、また一対の区
画壁22で区画された1対のメツキ液通路20に
は各々ワイヤ状のアノード31が配置されている
〔第5図ロ〕ほかは、先の実施例と略同様のもの
にしてある。第5図イの実施例はメツキ液通路2
6の凹設、具体的にはマスク板2の彫刻、を容易
とするものでありまた第5図ロの実施例はアノー
ド31をワイヤ状としてその配設を容易とするも
のである。その他の構成・作用については先の実
施例と略同様につき説明を省略する。 In these embodiments, the plating liquid passage 26 is divided by one partition wall 27 and has an inverted C-shape, and a plate-shaped anode 28 matching the C-shape is attached to the bottom surface of the plating liquid passage 26. A plating fluid supply port 29 and a plating fluid discharge port 3 are provided.
0 [Fig. 5 A], and wire-shaped anodes 31 are arranged in each of the pair of plating liquid passages 20 partitioned by a pair of partition walls 22 [Fig. 5 B], etc. is substantially the same as the previous embodiment. The embodiment shown in Fig. 5A is the plating liquid passage 2.
In the embodiment shown in FIG. 5B, the anode 31 is shaped like a wire to facilitate its arrangement. The other configurations and operations are substantially the same as those in the previous embodiment, so explanations will be omitted.
第6図〜第7図は本発明〔第2発明〕の実施例
を示す図である。マスク板2にはメツキ液噴射口
32が設けられてある。この噴射口32はICフ
レーム3のアイランド部分7に相応するマスク部
33を残してその周囲に形成したものであり、
ICフレーム3のリードピン部分8と相応する位
置、サイズのものにしてある。メツキ液噴射口3
2はマスク板2の表面より裏面側へかけて貫通形
成してある。マスク部33は支持アーム34を介
してノズル35で支持するようにしてあり、マス
ク部33の胴部36にはテーパ面37が施されそ
の全体があたかも逆角錐形状を呈し、下部38に
は楔形状のテーパ面39が施されている。ノズル
35の先端にはアノード40が配置されている。 FIGS. 6 and 7 are diagrams showing an embodiment of the present invention (second invention). The mask plate 2 is provided with a plating liquid injection port 32. This injection port 32 is formed around the island portion 7 of the IC frame 3, leaving a mask portion 33 corresponding to the island portion 7.
The position and size correspond to the lead pin portion 8 of the IC frame 3. Metsuki liquid injection port 3
2 is formed to penetrate from the front surface of the mask plate 2 to the back surface side. The mask part 33 is supported by a nozzle 35 via a support arm 34, and the body part 36 of the mask part 33 is provided with a tapered surface 37 so that the entire shape appears to be an inverted pyramid, and the lower part 38 has a wedge shape. A shaped tapered surface 39 is provided. An anode 40 is arranged at the tip of the nozzle 35.
次に作用を説明する。 Next, the action will be explained.
ノズル35より噴射されたメツキ液Aは下部3
8のテーパ面39及び胴部36のテーパ面37に
沿つて液抵抗を殆ど受けずにメツキ液噴射口32
に到りそこで露呈されているICフレーム3のリ
ードピン部分8に触れそこに貴金属メツキを施す
ものである。リードピン部分8に衝突した後メツ
キ液Aはメツキボツクス1内へ回収される。 The plating liquid A is sprayed from the nozzle 35 to the lower part 3.
8 and the tapered surface 37 of the body 36, the plating liquid injection port 32 receives almost no liquid resistance.
Then, the exposed lead pin portion 8 of the IC frame 3 is touched and precious metal plating is applied thereto. After colliding with the lead pin portion 8, the plating liquid A is collected into the plating box 1.
尚その他の構成作用については第1発明(第3
図〜第4図)と略同様につき説明を省略する。 Regarding other constituent effects, see the first invention (third invention).
Since it is substantially the same as in FIGS. 4 to 4), the explanation will be omitted.
以上説明してきた如く、本発明によれば、その
構成を、メツキ対象物であるICフレームを当接
させるマスク板に、ICフレームのアイランド部
分に相応するマスク部を残してその周囲にICフ
レームのリードピン部分と相応するメツキ液通路
を凹設し、このメツキ液通路にメツキ液の供給及
び排出口を設け且つアノードを配し、ノズルより
メツキ液を噴射して施すものとし〔第1発明〕、
またメツキ対象物であるICフレームを当接させ
るマスク板に、ICフレームのアイランド部分に
相応するマスク部を残してその周囲にICフレー
ムのリードピン部分と相応するメツキ液噴射口を
設け、アノードを配したノズルよりメツキ液を噴
射して施すICフレームの部分メツキ液装置にお
いて、上記マスク部が支持アームを介してノズル
に支持されているものとし〔第2発明〕たので、
ICフレームに施される金、銀などの貴金属メツ
キはICフレームのリードピン部分にのみに主に
施されることとなり上記マスク部の存在により
ICフレームのアイランド部分にはメツキ液が触
れず従つて従来アイランド部分をもメツキしてい
たのに比べその分貴金属の節約を図ることができ
る。そしてリードピン部分のみを貴金属メツキす
るに際し、メツキ液は、供給口より入りメツキ液
通路内に充満し次いで排出口から迅速に回収され
〔第1発明〕、またマスク板に貫通形成してあるメ
ツキ液噴射口めがけて噴射され且つ迅速に回収さ
れ〔第2発明〕るので高品質で効率のよい部分メ
ツキを、ICフレームのメツキを必要とする部分
即ち「ワイヤボンデイング時にメツキの施されて
いることが要求される部分」としてのリードピン
部分に、施すことができるという効果がある。 As explained above, according to the present invention, the configuration is such that a mask portion corresponding to the island portion of the IC frame is left on the mask plate against which the IC frame, which is the object to be plated, is left, and the IC frame is placed around the mask plate. A plating liquid passage corresponding to the lead pin portion is recessed, a plating liquid supply and discharge port is provided in the plating liquid passage, an anode is arranged, and the plating liquid is sprayed from a nozzle [first invention],
In addition, a plating liquid injection port corresponding to the lead pin portion of the IC frame is provided around the mask plate, which corresponds to the island portion of the IC frame, on the mask plate that contacts the IC frame, which is the object to be plated, and an anode is arranged. In the partial plating liquid device for an IC frame, which sprays plating liquid from a nozzle that is attached to the plate, the mask portion is supported by the nozzle via a support arm [second invention].
Precious metal plating such as gold and silver applied to IC frames is mainly applied only to the lead pins of the IC frame, and due to the presence of the mask part mentioned above,
The plating liquid does not come into contact with the island portion of the IC frame, so compared to the conventional method where the island portion was also plated, precious metals can be saved accordingly. When plating only the lead pin portion with precious metal, the plating liquid enters from the supply port, fills the plating liquid passage, and is then quickly recovered from the discharge port [first invention]. Since it is injected toward the injection port and quickly recovered [second invention], high-quality and efficient partial plating can be performed on the parts of the IC frame that require plating, that is, the areas that require plating during wire bonding. This has the advantage that it can be applied to the lead pin portion, which is a required portion.
第1図はICフレームの部分メツキ装置の従来
例を示す概略断面図、第2図は第1図のマスク板
とICフレームの相対位置関係を示す部分拡大斜
視図、第3図は本発明〔第1発明〕の一実施例を
示す拡大概略断面図、第4図はマスク板とICフ
レームの相対位置関係を示す部分拡大斜視図、第
5図イ,ロは第1発明の他の実施例を各々示すメ
ツキ液通路の拡大斜視図、第6図は本発明〔第2
発明〕の一実施例を示す概略断面図、第7図はマ
スク部の部分拡大斜視図である。
1……メツキボツクス、2……マスク板、3…
…ICフレーム、4……押圧板、5,32……メ
ツキ液噴射口、6,35……ノズル、7……アイ
ランド部分、8……リドピン部分、9……支持ピ
ン、10,25,28,31,40……アノー
ド、20,26……メツキ液通路、21,33…
…マスク部、22,27……区画壁、23,29
……供給口、24,30……排出口、34……支
持アーム、36……胴部、37,39……テーパ
面、38……下部、A……メツキ液。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a conventional example of a partial plating device for an IC frame, FIG. 2 is a partially enlarged perspective view showing the relative positional relationship between the mask plate and the IC frame in FIG. 1, and FIG. 3 is a partial plating device according to the present invention. FIG. 4 is a partially enlarged perspective view showing the relative positional relationship between the mask plate and the IC frame, and FIGS. 5A and 5B are other embodiments of the first invention. FIG. 6 is an enlarged perspective view of the plating liquid passage showing the present invention [Second
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a partially enlarged perspective view of the mask portion. 1... Metsukibox, 2... Mask board, 3...
...IC frame, 4...Press plate, 5, 32...Metting liquid injection port, 6,35...Nozzle, 7...Island part, 8...Lido pin part, 9...Support pin, 10,25,28 , 31, 40... Anode, 20, 26... Metering liquid passage, 21, 33...
...Mask part, 22, 27...Division wall, 23, 29
... Supply port, 24, 30 ... Discharge port, 34 ... Support arm, 36 ... Body, 37, 39 ... Tapered surface, 38 ... Lower part, A ... Plating liquid.
Claims (1)
るマスク板に、ICフレームのアイランド部分に
相応するマスク部を残してその周囲にICフレー
ムのリードピン部分と相応するメツキ液通路を凹
設し、このメツキ液通路にメツキ液の供給及び排
出口を設け且つアノードを配し、ノズルよりメツ
キ液を噴射して施すアノードの部分メツキ装置。 2 メツキ対象物であるICフレームを当接させ
るマスク板に、ICフレームのアイランド部分に
相応するマスク部を残してその周囲にICフレー
ムのリードピン部分と相応するメツキ液噴射開口
を設け、アノードを配したノズルよりメツキ液を
噴射して施すICフレームの部分メツキ装置にお
いて、 上記マスク部が支持アームを介してノズルに支
持されていることを特徴とするICフレームの部
分メツキ装置。[Claims] 1. A mask plate corresponding to the island portion of the IC frame is left on a mask plate which is brought into contact with the IC frame which is the object to be plated, and a plating liquid passage corresponding to the lead pin portion of the IC frame is formed around the mask plate. An anode partial plating device that is recessed, has plating liquid supply and discharge ports in the plating liquid passage, and has an anode arranged thereon, and performs plating by spraying the plating liquid from a nozzle. 2. On the mask plate that contacts the IC frame, which is the object to be plated, leave a mask part corresponding to the island part of the IC frame, and provide a plating liquid spray opening corresponding to the lead pin part of the IC frame around it, and arrange the anode. A partial plating device for an IC frame, wherein the mask part is supported by the nozzle via a support arm.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56114042A JPS5815244A (en) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | Partial plating device for ic frame |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56114042A JPS5815244A (en) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | Partial plating device for ic frame |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5815244A JPS5815244A (en) | 1983-01-28 |
| JPS6344300B2 true JPS6344300B2 (en) | 1988-09-05 |
Family
ID=14627568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56114042A Granted JPS5815244A (en) | 1981-07-21 | 1981-07-21 | Partial plating device for ic frame |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5815244A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6433799A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Sony Corp | Sample holding circuit |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6353957A (en) * | 1986-08-22 | 1988-03-08 | Hitachi Cable Ltd | How to spot-fit a lead frame |
| JPH02133949A (en) * | 1988-11-14 | 1990-05-23 | Hitachi Cable Ltd | Lead frame spot plating method |
| KR930006493B1 (en) * | 1991-09-27 | 1993-07-16 | 장관순 | Tapping machine |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57210987A (en) * | 1981-06-18 | 1982-12-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Partial plating device |
-
1981
- 1981-07-21 JP JP56114042A patent/JPS5815244A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6433799A (en) * | 1987-07-30 | 1989-02-03 | Sony Corp | Sample holding circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5815244A (en) | 1983-01-28 |
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