JPS6345466B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6345466B2 JPS6345466B2 JP24366185A JP24366185A JPS6345466B2 JP S6345466 B2 JPS6345466 B2 JP S6345466B2 JP 24366185 A JP24366185 A JP 24366185A JP 24366185 A JP24366185 A JP 24366185A JP S6345466 B2 JPS6345466 B2 JP S6345466B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum chamber
- lid
- dry etching
- main body
- ceramic particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、CVD装置およびドライ・エツチ
ング装置における真空チヤンバの製造方法に関す
る。
ング装置における真空チヤンバの製造方法に関す
る。
この明細書において、「アルミニウム」という
語には、純アルミニウムのほかにアルミニウム合
金も含むものとする。またこの明細書において、
「セラミツクス」という語には、在来のセラミツ
クスのほかに、酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化
物、ケイ化物などの合成材料からなるいわゆるニ
ユーセラミツクスも含むものとする。
語には、純アルミニウムのほかにアルミニウム合
金も含むものとする。またこの明細書において、
「セラミツクス」という語には、在来のセラミツ
クスのほかに、酸化物、窒化物、炭化物、ホウ化
物、ケイ化物などの合成材料からなるいわゆるニ
ユーセラミツクスも含むものとする。
従来技術とその問題点
CVD装置の真空チヤンバ内には、CVD法の実
施時に、反応ガスとしてSiCl4、SiH2Cl2、AlCl3、
PCl3、BCl3等の腐食性ガスが導入され、ドラ
イ・エツチング装置の真空チヤンバ内にも、ドラ
イ・エツチングの実施時に、エツチング・ガスと
して塩素を含む腐蝕性ガスが導入されるので、従
来真空チヤンバとしてはステンレス鋼製のものが
用いられていた。ところが、ステンレス鋼製の真
空チヤンバは重量が大きく、しかも熱伝導性が悪
いという問題があつた。熱伝導性が十分でないと
次のような問題がある。すなわち、CVD装置お
よびドライ・エツチング装置の作動時には、まず
真空チヤンバ内面を200〜250℃に加熱することに
よりベーキング処理を施して真空チヤンバの内面
に吸着している水分を除去しているが、熱伝導性
が悪いと、上記ベーキングの時に真空チヤンバ全
体が均一に加熱されるのに時間がかかるのであ
る。
施時に、反応ガスとしてSiCl4、SiH2Cl2、AlCl3、
PCl3、BCl3等の腐食性ガスが導入され、ドラ
イ・エツチング装置の真空チヤンバ内にも、ドラ
イ・エツチングの実施時に、エツチング・ガスと
して塩素を含む腐蝕性ガスが導入されるので、従
来真空チヤンバとしてはステンレス鋼製のものが
用いられていた。ところが、ステンレス鋼製の真
空チヤンバは重量が大きく、しかも熱伝導性が悪
いという問題があつた。熱伝導性が十分でないと
次のような問題がある。すなわち、CVD装置お
よびドライ・エツチング装置の作動時には、まず
真空チヤンバ内面を200〜250℃に加熱することに
よりベーキング処理を施して真空チヤンバの内面
に吸着している水分を除去しているが、熱伝導性
が悪いと、上記ベーキングの時に真空チヤンバ全
体が均一に加熱されるのに時間がかかるのであ
る。
そこで、ステンレス鋼に比較して重量が小さ
く、熱伝導性が優れ、しかも表面のガス放出係数
の小さなアルミニウム材で真空チヤンバをつくる
ことも考えられているが、アルミニウムはCVD
法やドライ・エツチングの実施時の反応ガスやエ
ツチング・ガスにより腐食させられるという問題
があるので、いまだアルミニウム製の真空チヤン
バは実現していないのが実情である。
く、熱伝導性が優れ、しかも表面のガス放出係数
の小さなアルミニウム材で真空チヤンバをつくる
ことも考えられているが、アルミニウムはCVD
法やドライ・エツチングの実施時の反応ガスやエ
ツチング・ガスにより腐食させられるという問題
があるので、いまだアルミニウム製の真空チヤン
バは実現していないのが実情である。
この発明の目的は、上記の問題を解決した
CVD装置およびドライ・エツチング装置におけ
る真空チヤンバの製造方法を提供することにあ
る。
CVD装置およびドライ・エツチング装置におけ
る真空チヤンバの製造方法を提供することにあ
る。
問題点を解決するための手段
この発明によるCVD装置およびドライ・エツ
チング装置における真空チヤンバの製造方法は、
アルミニウム製真空チヤンバ用箱状本体および蓋
体をつくつた後、これらの内外両面のうち少なく
とも内面に、分散質であるセラミツクス粒子が分
散媒中に均一に分散した分散液を塗布し、ついで
乾燥させることにより上記セラミツクス粒子を真
空チヤンバの内外両面のうち少なくとも内面に付
着させてセラミツクス皮膜を形成することを特徴
とするものである。
チング装置における真空チヤンバの製造方法は、
アルミニウム製真空チヤンバ用箱状本体および蓋
体をつくつた後、これらの内外両面のうち少なく
とも内面に、分散質であるセラミツクス粒子が分
散媒中に均一に分散した分散液を塗布し、ついで
乾燥させることにより上記セラミツクス粒子を真
空チヤンバの内外両面のうち少なくとも内面に付
着させてセラミツクス皮膜を形成することを特徴
とするものである。
上記において分散液中に含まれるセラミツクス
粒子としては、SiO2、Al2O3、Fe2O3、CoO、
Cr2O3、MnO2、MgO、TiO2等分散媒中に均一に
分散しうるものが用いられる。このようなセラミ
ツクス粒子は、分散液中に１種または２種以上含
有せしめられる。また、セラミツクス粒子の大き
さは0.5〜2μｍの範囲内にあることが好ましい。
上記大きさが0.5μｍ未満であるとゲル化し易く、
2μｍを越えると形成される皮膜にピンホールが
生じ易くなるからである。また、分散媒としては
水や、アルコール類を用いるのが好ましく、その
中でもイソプロピルアルコールを用いるのが特に
よい。その理由は、後工程の乾燥処理を施すさい
に容易に蒸発して形成されるセラミツクス皮膜へ
の吸着量が少なくなり、その結果この真空チヤン
バをCVD装置およびドライ・エツチング装置に
使用した場合にガスの放出量が少なくつて、真空
チヤンバ内の真空度を低下させるおそれが少ない
からである。また、分散液中の分散質の含有量は
10〜70wt％の範囲内にあることが好ましく、そ
の中でも特に30〜60wt％の範囲内にあることが
好ましい。上記含有量が10wt％未満であると、
形成される皮膜にピンホールが生じ易く、70wt
％を越えると分散液が高粘度となつて処理が困難
となるからである。さらに、真空チヤンバへの分
散液の塗布は、浸漬法および吹付法等で行なう。
粒子としては、SiO2、Al2O3、Fe2O3、CoO、
Cr2O3、MnO2、MgO、TiO2等分散媒中に均一に
分散しうるものが用いられる。このようなセラミ
ツクス粒子は、分散液中に１種または２種以上含
有せしめられる。また、セラミツクス粒子の大き
さは0.5〜2μｍの範囲内にあることが好ましい。
上記大きさが0.5μｍ未満であるとゲル化し易く、
2μｍを越えると形成される皮膜にピンホールが
生じ易くなるからである。また、分散媒としては
水や、アルコール類を用いるのが好ましく、その
中でもイソプロピルアルコールを用いるのが特に
よい。その理由は、後工程の乾燥処理を施すさい
に容易に蒸発して形成されるセラミツクス皮膜へ
の吸着量が少なくなり、その結果この真空チヤン
バをCVD装置およびドライ・エツチング装置に
使用した場合にガスの放出量が少なくつて、真空
チヤンバ内の真空度を低下させるおそれが少ない
からである。また、分散液中の分散質の含有量は
10〜70wt％の範囲内にあることが好ましく、そ
の中でも特に30〜60wt％の範囲内にあることが
好ましい。上記含有量が10wt％未満であると、
形成される皮膜にピンホールが生じ易く、70wt
％を越えると分散液が高粘度となつて処理が困難
となるからである。さらに、真空チヤンバへの分
散液の塗布は、浸漬法および吹付法等で行なう。
また、上記において、塗布された分散液の乾燥
は、150〜200℃で15〜60分間加熱することにより
行なうのがよい。そして、この加熱によるセラミ
ツクス粒子の脱水縮合により皮膜化される。
は、150〜200℃で15〜60分間加熱することにより
行なうのがよい。そして、この加熱によるセラミ
ツクス粒子の脱水縮合により皮膜化される。
さらに、上記において、形成されるセラミツク
ス皮膜の厚さは１〜20μｍの範囲内にあることが
好ましい。その理由は、膜厚が1μｍ未満である
と、CVD法やドライ・エツチングの実施時に使
用する反応ガスやエツチング・ガスに対する皮膜
の耐侵食性が十分ではなく、20μｍを越えると
CVD装置やドライ・エツチング装置に使用した
場合に皮膜からのガス放出量が多くなるととも
に、熱サイクル性が低下してベーキングを繰返し
たさいに割れやすくなるおそれがあるからであ
る。
ス皮膜の厚さは１〜20μｍの範囲内にあることが
好ましい。その理由は、膜厚が1μｍ未満である
と、CVD法やドライ・エツチングの実施時に使
用する反応ガスやエツチング・ガスに対する皮膜
の耐侵食性が十分ではなく、20μｍを越えると
CVD装置やドライ・エツチング装置に使用した
場合に皮膜からのガス放出量が多くなるととも
に、熱サイクル性が低下してベーキングを繰返し
たさいに割れやすくなるおそれがあるからであ
る。
実施例
以下、この発明の実施例を比較例とともに示
す。
す。
実施例 １
まず、アルミニウム材から真空チヤンバ用箱状
本体および蓋体をつくつた。ついで、この本体お
よび蓋体の内面に、イソプロピルアルコールから
なる分散媒中に、SiO2、TiO2からなる粒径1μｍ
のセラミツクス粒子が均一に分散させられた分散
液（分散質含有量60wt％）を吹付けた。その後、
これを150℃で30分間加熱して乾燥させ、厚さ
10μｍのセラミツクス皮膜を形成した。そして、
上記箱状本体を、温度150℃のSiCl4ガス雰囲気中
に1000時間放置して本体および蓋体の耐食性を調
べた。その結果、本体および蓋体の内面には腐食
は発生していなかつた。
本体および蓋体をつくつた。ついで、この本体お
よび蓋体の内面に、イソプロピルアルコールから
なる分散媒中に、SiO2、TiO2からなる粒径1μｍ
のセラミツクス粒子が均一に分散させられた分散
液（分散質含有量60wt％）を吹付けた。その後、
これを150℃で30分間加熱して乾燥させ、厚さ
10μｍのセラミツクス皮膜を形成した。そして、
上記箱状本体を、温度150℃のSiCl4ガス雰囲気中
に1000時間放置して本体および蓋体の耐食性を調
べた。その結果、本体および蓋体の内面には腐食
は発生していなかつた。
実施例 ２
まず、アルミニウム材から真空チヤンバ用箱状
本体および蓋体をつくつた。ついで、この本体お
よび蓋体の内面に、イソプロピルアルコールから
なる分散媒中に、SiO2、CoO、MnO2からなる粒
径1μｍのセラミツクス粒子が均一に分散させら
れた分散液（分散質含有量30wt％）を吹付けた。
その後、これを150℃で30分間加熱して乾燥させ、
厚さ15μｍのセミツクス皮膜を形成した。そし
て、上記実施例１と同様にその内面の耐食性を調
べた。その結果、本体および蓋体の内面には腐食
は認められなかつた。
本体および蓋体をつくつた。ついで、この本体お
よび蓋体の内面に、イソプロピルアルコールから
なる分散媒中に、SiO2、CoO、MnO2からなる粒
径1μｍのセラミツクス粒子が均一に分散させら
れた分散液（分散質含有量30wt％）を吹付けた。
その後、これを150℃で30分間加熱して乾燥させ、
厚さ15μｍのセミツクス皮膜を形成した。そし
て、上記実施例１と同様にその内面の耐食性を調
べた。その結果、本体および蓋体の内面には腐食
は認められなかつた。
比較例
まず、アルミニウム材から真空チヤンバ用箱状
本体および蓋体をつくつた。そして、上記箱状本
体および蓋体を、温度150℃のSiCl4ガス雰囲気中
に1000時間放置して本体および蓋体の耐食性を調
べた。その結果、本体および蓋体の表面は激しく
腐食していた。
本体および蓋体をつくつた。そして、上記箱状本
体および蓋体を、温度150℃のSiCl4ガス雰囲気中
に1000時間放置して本体および蓋体の耐食性を調
べた。その結果、本体および蓋体の表面は激しく
腐食していた。
発明の効果
この発明によるCVD装置およびドライ・エツ
チング装置における真空チヤンバの製造方法は、
アルミニウム製真空チヤンバ用箱状本体および蓋
体をつくつた後、これらの内外両面のうち少なく
とも内面に、分散質であるセラミツクス粒子が分
散媒中に均一に分散した分散液を塗布し、ついで
乾燥させることにより上記セラミツクス粒子を真
空チヤンバの内外両面のうち少なくとも内面に付
着させてセラミツクス皮膜を形成することを特徴
とするものであるから、従来のステンレス鋼製の
ものと比較して軽量で、熱伝導性が良く、しかも
CVD法やドライ・エツチングに使用するガスに
対する耐食性がステンレス鋼製のものと同等かそ
れ以上の真空チヤンバを簡単かつ安価に製造する
ことができる。特に熱伝導性に優れているので、
従来のものに比べてCVD装置およびドライ・エ
ツチング装置の作動時のベーキング処理時間を短
縮することができる。
チング装置における真空チヤンバの製造方法は、
アルミニウム製真空チヤンバ用箱状本体および蓋
体をつくつた後、これらの内外両面のうち少なく
とも内面に、分散質であるセラミツクス粒子が分
散媒中に均一に分散した分散液を塗布し、ついで
乾燥させることにより上記セラミツクス粒子を真
空チヤンバの内外両面のうち少なくとも内面に付
着させてセラミツクス皮膜を形成することを特徴
とするものであるから、従来のステンレス鋼製の
ものと比較して軽量で、熱伝導性が良く、しかも
CVD法やドライ・エツチングに使用するガスに
対する耐食性がステンレス鋼製のものと同等かそ
れ以上の真空チヤンバを簡単かつ安価に製造する
ことができる。特に熱伝導性に優れているので、
従来のものに比べてCVD装置およびドライ・エ
ツチング装置の作動時のベーキング処理時間を短
縮することができる。
また、本体および蓋体をアルミニウム材からつ
くるのであるから、ステンレス鋼材からつくる場
合に比較して加工が容易である。
くるのであるから、ステンレス鋼材からつくる場
合に比較して加工が容易である。
さらに、アルミニウムはステンレス鋼に比べて
表面の放出ガス係数が小さいので、CVD装置お
よびドライ・エツチング装置の作動時にチヤンバ
内の真空度を低下させるおそれが少ない。
表面の放出ガス係数が小さいので、CVD装置お
よびドライ・エツチング装置の作動時にチヤンバ
内の真空度を低下させるおそれが少ない。
Claims (1)
- １ アルミニウム製真空チヤンバ用箱状本体およ
び蓋体をつくつた後、これらの内外両面のうち少
なくとも内面に、分散質であるセラミツクス粒子
が分散媒中に均一に分散した分散液を塗布し、つ
いで乾燥させることにより上記セラミツクス粒子
を真空チヤンバの内外両面のうち少なくとも内面
に付着させてセラミツクス皮膜を形成することを
特徴とするCVD装置およびドライ・エツチング
装置における真空チヤンバの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24366185A JPS62103378A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24366185A JPS62103378A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62103378A JPS62103378A (ja) | 1987-05-13 |
| JPS6345466B2 true JPS6345466B2 (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=17107122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24366185A Granted JPS62103378A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | Ｃｖｄ装置およびドライ・エツチング装置における真空チヤンバの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62103378A (ja) |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP24366185A patent/JPS62103378A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62103378A (ja) | 1987-05-13 |
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