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JPS6347224B2 - - Google Patents
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JPS6347224B2 - - Google Patents

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Publication number
JPS6347224B2
JPS6347224B2 JP17596281A JP17596281A JPS6347224B2 JP S6347224 B2 JPS6347224 B2 JP S6347224B2 JP 17596281 A JP17596281 A JP 17596281A JP 17596281 A JP17596281 A JP 17596281A JP S6347224 B2 JPS6347224 B2 JP S6347224B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
image pickup
deflection electrode
treatment
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP17596281A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5878353A (ja
Inventor
Hiroaki Tezuka
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toppan Inc
Original Assignee
Toppan Printing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toppan Printing Co Ltd filed Critical Toppan Printing Co Ltd
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Publication of JPS5878353A publication Critical patent/JPS5878353A/ja
Publication of JPS6347224B2 publication Critical patent/JPS6347224B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/46Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
    • H01J29/70Arrangements for deflecting ray or beam
    • H01J29/72Arrangements for deflecting ray or beam along one straight line or along two perpendicular straight lines
    • H01J29/74Deflecting by electric fields only

Landscapes

  • Chemically Coating (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電界偏向型の撮像管用偏向電極の製造
方法に関するものである。
撮像管には家庭用の単管カラーカメラ用と放送
用の三管式カラーカメラ用の分野を中心として、
それぞれ小形化、高性能化が進んできている。
又最近層流形電子銃や高品位TV用などに見ら
れる、電子ビーム発生部やMS形などの新しい電
界偏向系の研究が進められている。
電界偏向型の撮像管はガラス管の内周面に導電
膜を付着させ、所定のパターンを形成して、偏向
電極を作成する。
従来、ガラス管内周面の導電膜、例えばクロ
ム、ニツケルは真空蒸着により形成されている
が、管内周面を真空蒸着するのは量産がしにくい
とか、膜厚を均一にしにくいとか、膜の密着強度
が充分でないという大きな問題が残されている。
本発明者は上記の問題を解決する為、無電解メ
ツキによる検討を進めた結果、良好な導電膜を得
る事が出来た。
すなわち、本発明はガラス管内周面に無電解メ
ツキ法により金属導電膜を付着させ、該金属導電
膜を所定の形状にパターン化する撮像管用偏向電
極の製造方法において、無電解メツキ法として、
脱脂処理、鋭敏化処理、活性化処理のあと次亜リ
ン酸ソーダや次亜リン酸カリウム等の次亜リン酸
のアルカリ金属塩水溶液の処理を行なうことを特
徴とする撮像管用偏向電極の製造方法である。
以下さらに詳細に本発明を説明すると、撮像管
用偏向電極は、第1図に示すように、撮像管用ガ
ラス管1の内周面に、ニツケルやクロムのような
導電膜が形成され、しかも該導電膜は所定の形状
にパターン化されて分割された偏向電極2となる
もので、その境界は導電膜が除去されてガラス面
が露出した絶縁領域3となつているものである。
このような偏向電極2を作成するには、まずガ
ラス管1の内周面に均一に導電膜を形成し、しか
る後パターン化するのが一般的である。
しかしながら、導電膜はガラス面に対して高い
密着強度をもつて形成されることが必要であり、
従来の無電解メツキ法として知られている活性化
処理すなわち、脱脂、鋭敏化、活性化の各処理だ
けでは、必要とされる高い密着強度が得られない
ものである。
本発明は、かかる点に鑑み、活性化処理のあ
と、次亜リン酸ソーダなどの水溶液による処理を
行なうことを特徴とする。この処理は、活性化処
理にて施した塩化パラジウムの還元を充分に行な
つて、析出核となる金属パラジウムを確実に生成
させるためのものであり、一種の還元処理という
ことができる。こうすることにより、後の無電解
メツキにおいて、ニツケルやクロムの付着が良好
となり、結果として密着強度の高いメツキ導電膜
が得られるものである。
電界偏向型撮像管の場合、導電膜をパターン化
する必要がある。その方法としては、フオトエツ
チング法がある。すなわちフオトレジストを全面
塗布し、所定の遮光パターンを有するマスクを管
内周面に密着し、露光・現像後、レジストに覆わ
れていない露呈した導電膜を腐食液にてエツチン
グ除去する方法である。また、リフト・オフ法と
称して、メツキ前にガラス管内面にフオトレジス
トを塗布した後、露光によりレジストパターンを
形成し、レジストが残つている部分の上に施され
た導電膜をレジストとともに除去することにより
電極パターンを形成する事も出来る。さらに言え
ば無電解メツキ後レーザー光を照射することによ
り、不必要部分を除去するレーザー加工法によ
り、電極パターンを形成させる事も可能である。
無電解メツキにより膜を形成させる場合、Cr
及びNiが考えられるが、形成された膜の接着性
等の特性上Niの方が良好であつた。
又撮像管の場合、膜はガラス管の内面だけ必要
であるので、外面については、マスクをするか又
メツキ後Niの場合であれば希硝酸で外面だけ溶
解剥離する事により、膜を内面だけに形成させる
事が出来る。
本発明によれば、真空蒸着に比較して、容易に
大量生産が可能であり、又低価で生産する事が可
能になつた。
さらに本発明の方法で形成された膜は均一性、
密着性とも良好であり、本撮像管の膜としては非
常に優れている。
以下に本発明の実施例を述べる。
〔実施例 1〕 1/2インチ撮像管用のガラス管L−29F(日本電
気硝子(株)製)に次の工程により無電解のニツ
ケルメツキを行なつた。
脱脂・水洗したガラス管を、塩化第二スズ1g
と酢酸3mlを水1に対して溶かした水溶液(25
℃)に3分間漬けて鋭敏化処理を行ない、流水で
30秒間の水洗の後、塩化パラジウム(PdCl2)0.1
gと塩酸0.2mlを水1に溶かした水溶液(45℃)
に1分間浸漬する活性化処理を行ない、次亜リン
酸ソーダ2%水溶液に常温で30秒間浸けた。水洗
の後、無電解ニツケルメツキ液として化成品工業
(株)製の商品名ニツカクロムの20%水溶液を用い、
温度55℃で7分間浸漬して無電解メツキを施し
た。水洗後、室温で1時間の自然乾燥を行ない、
温度200℃・2時間加熱乾燥を行なつた。なお、
この加熱乾燥を行なうと、メツキ導電膜とガラス
面との密着性が若干向上する。
以上のようにして0.3μ厚の均質なニツケルの導
電膜をガラス管内周面に形成した後、レーザー加
工機により、所定位置の導電膜を除去して絶縁領
域となし、偏向電極とした。
〔実施例 2〕 1/2インチ型撮像管用ガラス管L−29Fに対し
て実施例1と同様に脱脂処理と鋭敏化処理を行な
い、水洗後、フオトレジストAZ−1350(米国シツ
プレー社製)を浸漬法によりガラス管内に塗布し
た。その際、ガラス管の外周部は粘着テープによ
り被覆した。フオトレジスト塗布後、90℃30分間
のプレベークを行なつた。焼付けは、付与すべき
パターンの画線幅が200ミクロンと粗いので、ガ
ラス外周部にフイルム原版を密着させ超高圧水銀
燈(1KW)で照射を行なつた。
焼付け後AZ−1350用の現像液で現像した後、
前記実施例1の無電解メツキの後工程を同様に行
ない、ニツケルの無電解メツキを施こした。
最後にAZレジストをAZ専用剥離液で剥膜する
リフトオフ法にて、所定の良好な電極パターンを
形成させた。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の製造方法により作成しようと
する撮像管用の偏向電極の一例を示す説明図であ
る。 1…ガラス管、2…偏向電極、3…絶縁領域。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ガラス管内周面に無電解メツキ法により金属
    導電膜を付着させ、該金属導電膜を所定の形状に
    パターン化する撮像管用偏向電極の製造方法にお
    いて、無電解メツキ法として、脱脂処理、鋭敏化
    処理、活性化処理のあと次亜リン酸のアルカリ金
    属塩水溶液の処理を行なうことを特徴とする撮像
    管用偏向電極の製造方法。 2 金属導電膜が、ニツケルまたはクロムからな
    る特許請求の範囲第1項記載の撮像管用偏向電極
    の製造方法。 3 金属導電膜のパターン化が、フオトエツチン
    グ法、リフトオフ法またはレーザー加工法により
    行なわれる特許請求の範囲第1項記載の撮像管用
    偏向電極の製造方法。
JP17596281A 1981-11-02 1981-11-02 撮像管用偏向電極の製造方法 Granted JPS5878353A (ja)

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JPS5878353A JPS5878353A (ja) 1983-05-11
JPS6347224B2 true JPS6347224B2 (ja) 1988-09-21

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ID=16005296

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JP17596281A Granted JPS5878353A (ja) 1981-11-02 1981-11-02 撮像管用偏向電極の製造方法

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US5907896A (en) * 1997-09-10 1999-06-01 Tseng; Shao-Chien Method for bending forging artistic metallic pipes

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JPS5878353A (ja) 1983-05-11

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