JPS6348141B2

JPS6348141B2 -

Info

Publication number: JPS6348141B2
Application number: JP9075784A
Authority: JP
Inventors: Haruo Abe; Takefumi Kato
Original assignee: Iwasaki Tsushinki KK
Current assignee: Iwasaki Tsushinki KK
Priority date: 1984-05-07
Filing date: 1984-05-07
Publication date: 1988-09-27
Also published as: JPS59224037A

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は走査変換型蓄積管の動作方法に関し、
更に詳細には、絶縁物単結晶基板を用いた蓄積タ
ーゲツトを内蔵する走査変換型蓄積管において短
時間でむらの少ない状態に消去することが可能な
動作方法に関する。

従来技術従来の走査変換型蓄積管は、一般に第１図に概
略的に示す如く、真空外壁１、陰極２、制御グリ
ツド３、加速電極４、コリメーシヨン電極５、フ
イールドメツシユ電極６、蓄積ターゲツト７、偏
向コイル８、及び集束コイル９から成る。そし
て、蓄積ターゲツト７として、背面電極を有する
シリコン基板上にSiO₂蓄積層をストライプ状又
は島状に設けたもの又は第２図に示す如くガラス
基板１０の上に、ストライプ状、六角形、正方
形、長方形、円筒等の開孔を規則的に有するコレ
クタ電極１１を設けたものが使用されている。こ
の種の走査変換型蓄積管によれば、画像又はその
他の情報を電荷パターンで記録し非破壊読み取り
を行うことが可能である。ところがSiO₂蓄積層
又はガラス基板１０の２次電子放出を利用して情
報の書き込みを行うものであるために、SiO₂蓄
積層又はガラス基板１０の２次電子放出率δによ
つて書き込み速度が制限され、周波数換算で数Ｍ
Hzの書き込み速度しか得られず、高速過渡現象や
繰返しの少ない高周波信号を書き込むことは不可
能であり、主として書き込み速度の遅い画像蓄積
の分野で使用されている。尚従来の蓄積管の書き
込み速度は、電磁偏向によつても制限されるが、
仮に電磁偏向による制限がなくとも、蓄積ターゲ
ツト７における２次電子放出率によつて上述の数
ＭHzに制限される。

発明が解決しようとする問題点上述の如き欠点を解決するものとして本願発明
者等は絶縁物単結晶基板を用いた蓄積ターゲツト
を提案した。ところが、この新しい蓄積ターゲツ
トに対して従来の蓄積管における消去方法を適用
しても良好な消去が不可能であることが判明し
た。即ち、従来は、例えば陰極２を接地、制御グ
リツド３を０〜−75V、加速電極４を350V、コ
リメーシヨン電極５を300V、フイールドメツシ
ユ電極６を650Vとし、コレクタ電極１１には消
去、書き込み、読み取りで要求される電圧を印加
して動作させている。そして消去は、例えばプラ
イムモードとしてコレクタ電極１１に第１交差電
圧V₁（ガラス基板の場合約30V）以上の300Vの電
圧を印加して全面電子ビーム衝撃をなし、蓄積面
１２をコレクタ電極１１と同電位とし、しかる
後、コレクタ電極１１に例えば20Vを印加し、第
１交差電圧V₁以下の状態の蓄積面１２を電子ビ
ーム衝撃し、蓄積面１２を陰極電位とすることに
よつて行われていた。ところが、この方法を絶縁
物単結晶基板を用いた蓄積管に適用しても短時間
でむらの少ない消去を行うことが不可能である。

そこで、本発明の目的は絶縁単結晶基板を用い
た蓄積管に於いて、むらの少ない消去を行うこと
が可能な動作方法を提供することにある。

問題点を解決するための手段上記目的を達成するための本発明は、フイール
ドメツシユ電極を有する静電集束静電偏向型電子
銃と、絶縁物単結晶基板上に少なくともコレクタ
電極を設けた蓄積ターゲツトとを含む走査変換型
蓄積管に於いて、 V_K＋V₁＜V_C＜V_M （但し、V_Kは前記電子銃の陰極の電位、V₁は前
記蓄積ターゲツトの蓄積面の２次電子放出率δが
１となる第１交差電圧、V_Cは前記コレクタ電極
の電位、V_Mは前記フイールドメツシユ電極の電
位である）の条件が満足するように前記コレクタ
電極の電位V_Cを設定して前記蓄積ターゲツトを
電子ビームで衝撃し、次に、V_C＜V_Kを満足する
と共にV_S＜V_K＋V₁を満足するように前記コレク
タ電極の電位V_Cを設定して前記蓄積ターゲツト
を電子ビームで衝撃し、しかる後、V_S＜V_K＋V₁
の条件を満足させ且つ前記蓄積面を電子ビームで
衝撃しながら前記コレクタ電極の電位V_Cを前記
陰極の電位V_Kよりも高い値まで上昇させて消去
電位差を得ることを特徴とする走査変換型蓄積管
の動作方法に係わるものである。

本願の別の発明は、フイールドメツシユ電極を
有する静電集束静電偏向型電子銃と、絶縁物単結
晶基板上に少なくともコレクタ電極を設けた蓄積
ターゲツトとを含む走査変換型蓄積管に於いて、 V_K＋V₁＜V_C＜V_M （但し、V_Kは前記電子銃の陰極の電位、V₁は前
記蓄積ターゲツトの蓄積面の２次電子放出率δが
１になる第１交差電圧、V_Cは前記コレクタ電極
の電位、V_Mは前記フイールドメツシユ電極の電
位である）の条件が満足するように前記コレクタ
電極の電位V_Cを設定して前記蓄積ターゲツトを
電子ビームで衝撃し、次に、V_K≦V_C＜V_K＋V₁の
条件を満足するまで前記コレクタ電極の電位V_C
を低下させ且つ前記フイールドメツシユ電極の電
位V_Mを下げるか又は前記蓄積ターゲツトの背面
電極の電位を下げることによつて容量結合的に前
記蓄積面の電位V_SをV_K≦V_S＜V_K＋V₁の条件を満
足する値として前記蓄積ターゲツトを電子ビーム
で衝撃することを含んで消去電位差を得ることを
特徴とする走査変換型蓄積管の動作方法に係わる
ものである。

作用上記それぞれの発明の最初のステツプ（プライ
ムモード）において、従来の方法と同様にコレク
タ電極の電位V_Cはフイールドメツシユ電極の電
位V_Mよりも低く設定されるが、本発明のターゲ
ツトは絶縁物単結晶基板からなるので、蓄積面の
電位V_Sが従来より高くなる。このため、仮に、
次のステツプで従来の方法に従つてコレクタ電極
の電位V_Cを陰極に対して第１交差電圧以下に設
定して電子ビームで蓄積面を衝撃しても、蓄積面
を陰極電位にすることが困難である。これに対し
て、本願の第１番目の発明では、コレクタ電極の
電位V_Cを陰極電位V_Kよりも低下させるステツプ
を設け、第２番目の発明では、フイールドメツシ
ユ電極又は背面電極の電位を低下させるステツプ
を設けて、蓄積面の電位を低下させるので、所定
の消去電位差をむらの少ない状態で短時間の内に
得ることが出来る。

実施例以下、図面を参照して本発明の実施例について
述べる。

本発明の実施例に係わる静電集束静電偏向走査
変換型蓄積管は第３図に説明的に示す如く、真空
外壁２０、陰極２１、制御グリツド２２、加速電
極２３、集束電極２４、アステイグ電極２５、垂
直偏向板２６、水平偏向板２７、コリメーシヨン
電極２８、フイールドメツシユ電極２９、及び蓄
積ターゲツト３０から成る。即ち、静電集束型電
子銃と、静電偏向板と、コリメーシヨン電極２８
と、フイールドメツシユ電極２９と、このフイー
ルドメツシユ電極２９に対向配置された蓄積ター
ゲツト３０とから成る。

蓄積ターゲツト３０は第４図に示すように絶縁
物単結晶基板３１と、該絶縁物単結晶基板３１の
一方の表面に密着し且つ規則的に配列された複数
の開孔３２ａを有する導電性コレクタ電極３２と
を有する。上記絶縁物単結晶基板３１は、電子ビ
ーム衝撃によつて２次電子を放出するのみなら
ず、固体内に電子−正孔対を発生し、電子及び正
孔が比較的長い寿命を有するものでなければなら
ず、この実施例の場合は99.9％以上の純度を有
し、且つ室温で10¹⁴Ωcm以上の抵抗値を有する菱
面体晶系に属するAl₂O₃単結晶（サフアイヤ）で
形成されている。絶縁物単結晶基板３１はAl₂O₃
単結晶に限ることなく、等軸晶系に属するMgO
＋Al₂O₃単結晶（スピネル）、MgO単結晶、CaF₂
単結晶等で形成してもよい。尚Al₂O₃単結晶の場
合は異方性を有するがいずれの面方位でも実施可
能であり、特にＲ面（１１02）、Ａ面（10１０）、
Ｃ面（0011）等が望ましい。

絶縁物単結晶基板３１の上に密着しているコレ
クタ電極３２は、クロムを蒸着又はスパツタで約
1μｍ以下に被着させ、微細加工技術でストライ
プ状開孔３２ａを規則的に設け、蓄積面３３を規
則的に露出させたものである。勿論、コレクタ電
極３２の開孔３２ａを六角形、正方形、長方形、
円形等にしても差支えなく、またこのコレクタ電
極３２はクロム以外の金属又は導電性が得られる
半導体薄膜で形成しても差支えない。

次に本発明の第１の実施例に係わる蓄積管の動
作について述べる。この蓄積管を使用するに当つ
ては、例えば、陰極２１の電位V_Kを−900V、制
御グリツド２２を陰極電位V_K＝−900Vを基準に
して０〜−75V、加速電極２３とアステイグ電極
２５とコリメーシヨン電極２８とを接地、集束電
極２４を−800V、フイールドメツシユ電極２９
の電位V_Mを1400Vとし、コレクタ電極３２の電
位V_Cはプライム、消去、書き込み、読み取りの
各モードで要求される値とする。

まず、便宜上、陰極電位V_Kをアース電位（基
準電位）として示されている第５図を参照してプ
ライムモードについて述べる。プライムモードと
して第５図に示す如くスイツチＳによつてコレク
タ電極３２をプライム用電源Ｐに接続し、コレク
タ電極３２の電位V_Cを、蓄積面３３の２次電子
放出率δを１以上にすることが可能な電圧即ち
V_K＋V₁以上の電圧で且つフイールドメツシユ電
極２９の電位V_M（例えば陰極に対して2300V）以
下の例えば陰極２１に対して200〜1000Vに設定
して蓄積ターゲツト３０の全面即ちすべての蓄積
面３３に電子ビーム衝撃する。更に具体的にはタ
ーゲツト電流0.1〜0.2μAの状態で２フレームのテ
レビジヨン走査に相当する走査を行う。この実施
例の場合、加速エネルギー即ちターゲツト（コレ
クタ）電圧に対する２次電子放出率（２次電子
数／１次電子数）δの変化が第６図のようにな
り、第１交差電圧V₁が約15VのAl₂O₃単結晶（サ
フアイヤ）が基板３１として使用されているの
で、δ＞１の領域で電子ビーム衝撃していること
になる。この走査の時はフイールドメツシユ電極
２９の電位がコレクタ電極３２の電位よりも高い
ので蓄積面３３から放出された２次電子はフイー
ルドメツシユ電極２９に捕獲され、蓄積面３３の
電位V_Sはコレクタ電極３２の電位V_Cよりも数十
〜百ボルト高いプライム状態（プライム電位差を
V_Pとすれば、V_P＝V_S−V_Cの状態）となり、プラ
イム前に於ける書き込み部分と非書き込み部分と
の区別を確実に無くすことが出来る。

次に、スイツチＳによつてコレクタ電極３２を
消去用電源Ｅに接続し、コレクタ電極３２の電位
V_Cを陰極電位V_Kよりも低く且つ蓄積面３３の２
次電子放出率δを１よりも小さくする電位（V_K
＋V₁以下の電位）である例えば−950〜−1000ボ
ルト（陰極２１に対して−50〜−100ボルト）と
して蓄積面３３の全部を電子ビームで衝撃する。
即ち、V_S＜V_K＋V₁の状態となるようにコレクタ
電位V_CをV_C＜V_K＋V₁−V_Pに設定してビーム走
査する。この結果、プライムモードで高められた
蓄積面３３の電位V_Sが陰極電位V_K程度又はこれ
以下になる。

次に、V_S＜V_K＋V₁の条件を満足させ且つ電子
ビームで蓄積面３３を電子ビームで衝撃しなが
ら、コレクタ電極３２の電位V_Cを徐々に上げる
と、蓄積面３３の電位V_Sは、電子ビームの作用
（δ＜１）により、ほぼ陰極電位V_Kに維持され
る。この作用によつてコレクタ電極３２の電位
V_Cは蓄積面の電位V_Sを略陰極電位V_Kに維持した
まま、陰極２１の電位V_Kよりも高くすることが
出来る。即ち、コレクタ電極３２の電位V_Cを上
げることによつて蓄積面３３の電位もこれに追従
して上昇しようとするが、蓄積面３３はδ＜１の
状態即ちV_S＜V_K＋V₁の状態に保たれているの
で、電子ビーム衝撃でほぼ陰極電位V_Kに戻され
る。従つて、コレクタ電極３２と蓄積面３３との
間に消去電位差V_E＝V_C−V_S（例えば10V）が生じ
せしめることが出来る。これにより、書き込み可
能な状態になる。

今消去電位差V_Eを第１交差電圧V₁よりも低い
10Vに設定する場合について述べたが、もし、消
去電位差V_Eを第１交差電圧V₁よりも高くしたい
場合には、蓄積面３３に電子ビーム衝撃をしてこ
こを陰極電位に保つた状態でコレクタ電極３２の
電圧を例えば−880Vとし、消去電位差を20Vと
する。

ところで、絶縁基板３１を用いた蓄積ターゲツ
ト３０は非常に書き込み速度が速いために、書き
込み過ぎ等によつて部分的にプライムしたと同様
になり、プライム電位差V_Pが大きくなり、従来
の方法では消去が実行出来ない場合が発生した。
しかし、本発明の方法によれば、消去可能にな
る。又通常動作に於いても残像が長時間消えない
場合があるが、このような場合も、本発明の方法
により均一に消去することが可能である。

単結晶基板３１を使用した場合に従来方法で消
去が難しい理由について述べると、基板３１とし
て絶縁物単結晶を使用しているために、蓄積面３
３の絶縁性がよく、蓄積面３３がより高い電位に
維持されることによつてプライム後の電位V_Pが
大きくなり、消去時にコレクタ電極３２を陰極２
１に対して第１交差電圧V₁以下に設定しても、
蓄積面３３の電位V_Sがコレクタ電極３２の電位
V_Cとプライム電位V_Pとの和となり、これが第１
交差電圧V₁を越えるためと思われる。又、サフ
アイヤ単結晶基板３１の場合、第１交差電圧V₁
が約15Vであり、SiO₂系基板に較べて低いことも
影響していると思われる。

蓄積面３３に情報を書き込むときには、変調電
子ビームによつてターゲツト３０に選択的に衝撃
する。尚この際、コレクタ電極３２をスイツチＳ
によつて書き込み電源Ｗに接続し、コレクタ電極
３２にフイールドメツシユ電極２９の電圧
（1400V）よりも高い例えば＋9.1kV（陰極に対し
て＋10kV）を印加する。この書き込みは、蓄積
面３３の電位をカソードに対して第１交差電位
V₁以上で行うので、ビーム衝撃で書き込みがな
された蓄積面３３の電位は、電子ビーム衝撃量に
応じて9090V（カソードに対して9990V）からコ
レクタ電極３２の電位にほぼ等しい9100V（カソ
ードに対して10000V）の間になる。また電子ビ
ームが衝撃されない蓄積面３３の電位はコレクタ
電極電位V_Cから消去電位差V_E＝10Vを差し引い
た9090ボルト（カソードに対して9990V）とな
る。これにより、ターゲツト面にはコレクタ電極
３２に対して０〜−10Vの電位差のある電荷パタ
ーンが形成される。

この蓄積管で書き込み電子ビーム衝撃すれば、
蓄積面３３が絶縁物単結晶基板３１で形成されて
いるために、２次電子が放出されるのみならず、
基板３１内即ち固体内に電子−正孔対が発生す
る。絶縁物単結晶基板３１は、電子−正孔対の寿
命τが長く、易動度μが大きい低不純物濃度、低
結晶欠陥のサフアイヤであるから、電子ビーム衝
撃で蓄積面から深さ約1μｍ以内に発生した電子
−正孔対は、第７図の一次元バンドダイヤグラム
に示すように電界によつて分離され、正孔ｈは蓄
積面３３の負電荷を中和し表面電位を上げる。電
子ｅはドリフトしてコレクタ電極３２に捕獲され
る。捕獲効率は前述した基板３１の不純物濃度及
び結晶欠陥即ち電子、正孔の寿命τ、及び易動度
μに依存するのみならず、コレクタ電極３２の形
状、基板３１の厚さ、蓄積面３３とコレクタ電極
３２との電位差等にも依存する。

上述の如くこの蓄積管では２次電子放出効果
と、固体内電子−正孔発生による固体内増幅効果
との両方で書き込みがなされ、加速エネルギーが
大きい領域では第８図に示す如く固体内増幅効果
によつて支配的になされる。第８図は電子ビーム
の加速エネルギー（keV）と、書き込み速度と比
例関係を有する電子衝撃効果（相対値）との関係
を示し、ａは２次電子放出効果による寄与を示
し、ｂは固体内増幅効果による寄与を示す。この
第８図から明らかなように、約3KeVまでは２次
電子放出効果が電子衝撃効果（書き込み速度）に
寄与するが、これ以上では殆んど寄与しない。こ
れに対して、固体内増幅効果は加速エネルギーに
比例して大きくなる。尚第８図で点線で示すフイ
ールドメツシユ電位V_M（陰極に対して2300V）に
対応する加速エネルギーを越える領域では、２次
電子が蓄積面３３に再分布するために、ａで示す
２次電子放出効果は固有のものからずれている。
本実施例に係わる蓄積ターゲツト３０は上述の如
く固体内増幅効果を有するが、従来の非晶質又は
多結晶質の蓄積層のターゲツトでは固体内増幅効
果を殆んど有さない。

書き込みによつて生じた電荷パターンを読み取
る時には、コレクタ電極３２をスイツチＳを介し
て読み取り電源Ｒに接続し、陰極２１に対して例
えば＋5V程度に設定し、無変調電子ビームによ
つて例えばテレビジヨン受像機に於ける走査と同
様な走査をなし、電荷パターンを読み取る。この
場合書き込みがなされた部分の電位は原理的には
陰極２１に対して−5V〜＋5Vの間の電位になつ
ているが、普通は消去状態の蓄積面３３に対して
＋1Vも書き込みがなされていれば充分読み取り
を行うことが出来る。従つて書き込み状態の蓄積
面３３の電位を陰極２１に対して−５〜−4V程
度とする。書き込み部分は蓄積面３３の電位が上
昇しているため読み取りビームは書き込みレベル
に応じて変調されコレクタ電極３２に流入するが
非書き込み部分は平面グリツド効果が大きく読み
取りビームのコレクタへの流入を阻止する。これ
によつて書き込みに対応した電荷パターンの読み
取りが可能になる。蓄積面３３の電位は書き込ま
れた部分で陰極２１に対して例えば−4V、書き
込まれなかつた部分で陰極２１に対して例えば−
5Vとなり、陰極よりも負電位になつているため
読み取りビームは蓄積面３３には到達しない。こ
のため読み取りを行なつても、蓄積面３３の電荷
パターンは破壊されない。このような読み取り方
式を非破壊読み取りと呼んでいるが、この蓄積管
ではこれが可能である。

次に、第２の実施例に係わる動作方法について
述べる。この第２の実施例におけるプライムモー
ドは第１の実施例のプライムモードと同じであ
る。即ち、コレクタ電極３２の電位V_Cを蓄積面
３３をδ＞１にすることが可能な電圧（V_K＋V₁
以上の電圧例えば−900＋15＝−885V）で且つフ
イールドメツシユ電極２９の電位V_M以下の例え
ば陰極２１に対して200〜1000Vに設定して、蓄
積面３３を電子ビームで衝撃する。これにより、
実施例１と同じプライム状態が得られる。次に
V_K≦V_C＜V_K＋V₁を満足するまでコレクタ電位
V_Cを下げ、しかる後電源Ｍに接続されたフイー
ルドメツシユ電極２９の電位V_Mを数100V以上
（例えば1000V）低下させて蓄積面３３の電位V_S
を容量結合的に低下させ、蓄積面３３の電位V_S
をV_K≦V_S＜V_K＋V₁の状態とし、蓄積面３３を電
子ビームで衝撃する。これにより蓄積面３３の電
位V_Sはほぼ陰極電位V_Kになる。そして、δ＜１
の状態での電子ビーム衝撃を維持しつつコレクタ
電極３２の電位を上昇させて所定の消去電位差
（例えば10V）を得る。またこのδ＜１の状態で
の電子ビーム衝撃中にフイールドメツシユ電極２
９の電位を元に戻す。なお、容量結合的に電位
V_Sを下げる時にV_K＜V_Cに設定されていれば、電
子ビーム衝撃でV_S＝V_Kとなつた時にV_C−V_Kの消
去電位差が得られ、動作の簡略化が図れる。

この実施例に於いて、ターゲツト３０に背面電
極を設けなくとも所定の消去電位差V_Eを得るこ
とは可能であるが、説明の都合上、第１０図に示
す如く背面電極３４があるとすれば、蓄積面３３
とコレクタ電極３２、フイールドメツシユ電極２
９、及び背面電極３４との間に容量C_C、C_M、及
びC_Bが生じ、フイールドメツシユ電極電位V_Mを
低下させると、蓄積面３３の電位V_Sも容量結合
的に低下し、V_K≦V_S≦V_K＋V₁を満足させること
が可能になる。

次に本発明の第３の実施例について述べる。こ
の実施例は第２の実施例の変形であつて、第９図
及び第１０図に示す如く背面電極３４を設け、第
２の実施例でフイールドメツシユ電極２９の電位
を下げて蓄積面３３の電位を容量結合的に低下さ
せる代りに、背面電極３４の電位を下げて蓄積面
３３の電位V_Sを下げる方法に係わる。従つて、
背面電極３４には第９図に示す如く背面電極用電
源Ｂが接続されている。この実施例では、例えば
背面電極３４をコレクタ電極３２と同電位にし
て、第１及び第２の実施例と同様なプライム動作
をなし、プライム状態を得る。しかる後、コレク
タ電極３２の電位V_Cを下げてV_K≦V_C≦V_K＋V₁
を満足させる。しかる後、背面電極３４の電位
V_Bを例えば100V程度下げ、容量C_Bによる結合を
利用して蓄積面３３の電位V_SをV_K＋V₁以下に
し、V_K≦V_S＜V_K＋V₁の状態を作り、電子ビーム
衝撃をなす。そして蓄積面３３の電位V_Sをほぼ
陰極電位V_Kに保ちつつコレクタ電極３２の電位
を上昇させ所定の消去電位差V_Eを得る。なお、
第１交差電圧よりも高い消去電位差を得る場合に
は、第１の実施例において説明した方法を採用す
るか、又は背面電極３４にコレクタ電極３２の電
圧よりも高い電圧を印加した状態で電子ビーム衝
撃をなし、しかる後背面電極３４の電圧を低下さ
せて蓄積面３３の電位を下げることによつて蓄積
面３３とコレクタ電極３２との間に第１交差電圧
以上の電位差を生じさせる。

第１０図に示すターゲツト３０ａの容量結合を
更に詳しく説明する。今、コレクタ電極３２はス
トライプ状に形成され紙面に垂直に延びているも
のとし、この方向をＹ軸と定める。コレクタ電極
３２の幅は2lで、ピツチは2Lとする。又厚みは
0.1μｍ程度であるが、ここでは無視するものとす
る。コレクタ電極３２と直交する蓄積面３３の方
向をＸ軸、蓄積面３３に直交する方向にＺ軸を選
ぶ。フイールドメツシユ電極２９は蓄積面３３か
らZ_D、基板３１の厚さはZ₁でその位置に背面電極
３４があるものとする。このように幾何学系を決
めると、蓄積面３３のＸ方向の容量分布C_(X)が次
式で与えられる。

C_(X)＝−１／2L（１＋ε_S）ε₀｛tanπ／２〔１−１／
Ｌ（ｘ＋ｌ）〕−tanπ／２〔１−１／Ｌ（ｘ−ｌ）〕｝＋ε₀（１−ｌ／Ｌ）ε_S／Z₁＋ε₀（１−ｌ／Ｌ）１／Z_D……(1) ここでε₀は真空の誘電率、ε_Sは基板３１の実効
的な誘電率である。(1)式の第１項は蓄積面３３と
コレクタ電極３２の容量結合の関係を示し、第２
項は背面電極３４との結合C_Bの関係を示し、第
３項はフイールドメツシユ電極２９との結合C_M
の関係を示す項である。重要なことは蓄積面３３
に於いて容量結合の大きさがＸに依存することで
ある。このため各電極の単位を変化させると蓄積
面３３の電位V_Sは容量結合の強さによつてＸの
関数になる。従つて本発明に於いては蓄積面３３
の電位はあたかも一定のように扱つたが実効的な
平均電位と解釈されるべきである。コレクター電
極３２が他の形状をとる場合も当然であるが蓄積
面３３の電位V_Sは形状の関数になる。従つて蓄
積面３３の電位V_Sは実効的な平均電位と解釈す
る。第１０図の例により(1)式が導かれるが、容量
結合の大きさは幾何学形状依存性が非常に大き
い。従つて本発明ではこれらに応じて適切な動作
電位を設定しなければならない。

以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、更に変形可
能なものである。例えば、第１及び第２の実施例
と同一方法で、背面電極３４を有するターゲツト
に於ける消去をすることが出来る。

発明の効果上述から明らかな如く、本発明によれば、絶縁
物単結晶基板を使用したターゲツトであつても、
むらのない消去を行うことが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の蓄積管の概略的断面図、第２図
は第１図の蓄積管のターゲツトを示す一部拡大断
面図、第３図は本発明の第１の実施例に係わる静
電集束静電偏向走査変換型蓄積管の概略的断面
図、第４図は第３図の蓄積管のターゲツトを示す
一部拡大断面図、第５図は第３図の蓄積管の動作
を説明するための説明的回路図、第６図は第３図
の蓄積管における単結晶基板の加速エネルギーと
２次電子放出率との関係を示すグラフ、第７図は
第３図の蓄積管におけるターゲツトの説明的な一
次元バンドダイヤグラム、第８図は第３図の蓄積
管におけるターゲツトの２次電子放出効果と固体
内増幅効果とを示すグラフ、第９図は本発明の第
２の実施例に係わる静電集束静電偏向走査変換型
蓄積管のターゲツト部分を説明的に示す回路図、
第１０図は第９図のターゲツトの拡大断面図であ
る。尚図面に用いられている符号において、２９は
フイールドメツシユ電極、３０はターゲツト、３
１は絶縁物単結晶基板、３２はコレクタ電極、３
３は蓄積面である。

Claims

【特許請求の範囲】１フイールドメツシユ電極を有する静電集束静
電偏向型電子銃と、絶縁物単結晶基板上に少なく
ともコレクタ電極を設けた蓄積ターゲツトとを含
む走査変換型蓄積管に於いて、 V_K＋V₁＜V_C＜V_M （但し、V_Kは前記電子銃の陰極の電位、V₁は前
記蓄積ターゲツトの蓄積面の２次電子放出率δが
１となる第１交差電圧、V_Cは前記コレクタ電極
の電位、V_Mは前記フイールドメツシユ電極の電
位である）の条件が満足するように前記コレクタ
電極の電位V_Cを設定して前記蓄積ターゲツトを
電子ビームで衝撃し、次に、V_C＜V_Kを満足する
と共にV_S＜V_K＋V₁を満足するように前記コレク
タ電極の電位V_Cを設定して前記蓄積ターゲツト
を電子ビームで衝撃し、しかる後、V_S＜V_K＋V₁
の条件を満足させ且つ前記蓄積面を電子ビームで
衝撃しながら前記コレクタ電極の電位V_Cを前記
陰極の電位V_Kよりも高い値まで上昇させて消去
電位差を得ることを特徴とする走査変換型蓄積管
の動作方法。２フイールドメツシユ電極を有する静電集束静
電偏向型電子銃と、絶縁物単結晶基板上に少なく
ともコレクタ電極を設けた蓄積ターゲツトとを含
む走査変換型蓄積管に於いて、 V_K＋V₁＜V_C＜V_M （但し、V_Kは前記電子銃の陰極の電位、V₁は前
記蓄積ターゲツトの蓄積面の２次電子放出率δが
１になる第１交差電圧、V_Cは前記コレクタ電極
の電位、V_Mは前記フイールドメツシユ電極の電
位である）の条件が満足するように前記コレクタ
電極の電位V_Cを設定して前記蓄積ターゲツトを
電子ビームで衝撃し、次に、V_K≦V_C＜V_K＋V₁の
条件を満足するまで前記コレクタ電極の電位V_C
を低下させ且つ前記フイールドメツシユ電極の電
位V_Mを下げるか又は前記蓄積ターゲツトの背面
電極の電位を下げることによつて容量結合的に前
記蓄積面の電位V_SをV_K≦V_S＜V_K＋V₁の条件を満
足する値として前記蓄積ターゲツトを電子ビーム
で衝撃することを含んで消去電位差を得ることを
特徴とする走査変換型蓄積管の動作方法。