JPS6349219B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6349219B2 JPS6349219B2 JP25925886A JP25925886A JPS6349219B2 JP S6349219 B2 JPS6349219 B2 JP S6349219B2 JP 25925886 A JP25925886 A JP 25925886A JP 25925886 A JP25925886 A JP 25925886A JP S6349219 B2 JPS6349219 B2 JP S6349219B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- auxiliary
- reticle
- blocks
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ステツプ・アンド・レピート露光のマスクとし
て使用されるレチクルにおいて、
製品領域を占めるパターンのブロツクを複数に
し、製品製造の際の補助的に使用される補助パタ
ーンを上記ブロツクの相互間に配置することによ
り、
ステツプ・アンド・レピート露光の際に補助パ
ターンの露光が無効になるのを防止するため設け
るカバーパターンを省略させたものである。[Detailed Description of the Invention] [Summary] In a reticle used as a mask for step-and-repeat exposure, a plurality of pattern blocks occupying the product area are used, and an auxiliary pattern used auxiliary during product manufacturing is used. By arranging the auxiliary pattern between the blocks, a cover pattern provided to prevent the exposure of the auxiliary pattern from becoming invalid during step-and-repeat exposure can be omitted.
本発明は、ステツプ・アンド・レピート露光の
マスクとして使用されるレチクルに係り、特に、
パターンの配置構成に関す。
The present invention relates to a reticle used as a mask for step-and-repeat exposure, and in particular,
Regarding the arrangement and configuration of patterns.
回路を具えて半導体装置に用いられる半導体チ
ツプは、複数個分がウエーハにマトリツクス状に
配置されて回路が形成された後、切断して製造さ
れる。 Semiconductor chips equipped with circuits and used in semiconductor devices are manufactured by arranging a plurality of chips on a wafer in a matrix to form circuits, and then cutting the chips.
この回路形成は、ホトマスクの用いられるホト
リソグラフイ技術を含んだウエーハプロセスによ
つてなされるが、上記レチクルはそのホトマスク
の基になるものである。 This circuit formation is performed by a wafer process including photolithography technology using a photomask, and the reticle is the basis of the photomask.
そしてレチクルの製作は、なるべく単純である
のが望ましい。 It is desirable that the reticle be manufactured as simply as possible.
第2図はレチクルにおけるパターン配置の従来
例を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a conventional example of pattern arrangement on a reticle.
レチクルに配置されるパターンには、ウエーハ
の半導体チツプとなる部分に投影される領域(製
品領域)を占めて主として回路の形成に使用され
るパターンと、製品領域外を占めて製品製造の際
に補助的に使用される補助パターンとがある。補
助パターンには、露光の際の位置合わせ用マーク
などが該当する。 Patterns placed on the reticle include patterns that occupy the area that will be projected onto the semiconductor chip of the wafer (product area) and are used primarily for circuit formation, and patterns that occupy outside the product area that are used during product manufacturing. There are auxiliary patterns that are used auxiliary. The auxiliary pattern corresponds to a mark for alignment during exposure.
第2図において、1は製品領域を占めるパター
ンのブロツク、2は補助パターンである。ブロツ
ク1は1個であり、補助パターン2は、ステツ
プ・アンド・レピート露光により横並びして転写
されるブロツク1の間に転写される位置即ちブロ
ツク1の外側に沿つた位置に配置されている。 In FIG. 2, 1 is a block of patterns occupying the product area, and 2 is an auxiliary pattern. There is only one block 1, and the auxiliary pattern 2 is arranged at a position to be transferred between blocks 1 which are transferred side by side by step-and-repeat exposure, that is, at a position along the outside of block 1.
そして、ブロツク1および補助パターン2の上
記配置のみでは、ステツプ・アンド・レピート露
光を図の左右方向に移動させて行つた際に、補助
パターン2の転写位置が全面露光となつて補助パ
ターン2の露光が無効となるので、その防止のた
め、ブロツク1を挟んだ補助パターン2の反対側
には、補助パターン2をカバーする大きさのカバ
ーパターン3が配置されている。 With only the above arrangement of block 1 and auxiliary pattern 2, when step-and-repeat exposure is performed by moving in the horizontal direction of the figure, the transfer position of auxiliary pattern 2 becomes full-surface exposure, and the auxiliary pattern 2 is Since the exposure becomes invalid, to prevent this, a cover pattern 3 having a size that covers the auxiliary pattern 2 is arranged on the opposite side of the auxiliary pattern 2 with the block 1 in between.
一般に、レチクルのパターン形成には、例えば
電子ビーム露光の描画による方法が用いられ、そ
の描画は、パターン設計の内容をデータ化して収
納した磁気テープからの出力信号によつて行つて
いる。
Generally, a drawing method such as electron beam exposure is used to form a pattern on a reticle, and the drawing is performed using an output signal from a magnetic tape that stores the contents of the pattern design as data.
このため転写パターンに直接必要のないカバー
パターン3も上記データ化の対象になるので、上
記従来例のパターン配置は、パターン形成用デー
タを複雑にしてレチクルの製造を複雑化させてい
る問題がある。 For this reason, the cover pattern 3, which is not directly necessary for the transfer pattern, is also subject to the above-mentioned data conversion, so the pattern arrangement of the above-mentioned conventional example has the problem of complicating the pattern formation data and complicating the reticle manufacturing. .
上記問題点は、製品領域を占めるパターンのブ
ロツクが互いに隣接して複数個配置され、製品製
造の際に補助的に使用される補助パターンが上記
ブロツクの相互間に配置されてなる本発明のレチ
クルによつて解決される。
The above problem is solved by the reticle of the present invention, in which a plurality of blocks of patterns occupying a product area are arranged adjacent to each other, and auxiliary patterns used auxiliarily during product manufacturing are arranged between the blocks. solved by.
従来例において、先に述べた補助パターンの転
写位置の全面露光は、補助パターンがステツプ・
アンド・レピート露光の隣接部に配置されている
ことに起因する。
In the conventional example, the entire surface exposure of the transfer position of the auxiliary pattern mentioned above is performed when the auxiliary pattern is stepped.
This is due to the fact that it is placed adjacent to the AND repeat exposure.
本レチクルは、補助パターンの配置位置が上記
ブロツクの外側に沿う条件を満たしながらステツ
プ・アンド・レピート露光の内部にあるので、従
来例で必要としたカバーパターンが不要である。 In this reticle, the auxiliary pattern is placed inside the step-and-repeat exposure while satisfying the condition along the outside of the block, so the cover pattern required in the conventional example is unnecessary.
このことから、パターン形成用データが従来例
の場合より単純になる。なお上記ブロツクが複数
になるためデータ量が増大するも、その内容は一
つのブロツクの繰り返しとなるため、上記単純化
は阻害されない。 From this, the pattern forming data becomes simpler than in the conventional example. Although the amount of data increases because there are a plurality of blocks, the simplification described above is not hindered because the content is a repetition of one block.
以下、レチクルにおけるパターン配置の本発明
による実施例について第1図に平面図を用い説明
する。全図を通じ同一符号は同一対象物を示す。
Hereinafter, an embodiment of pattern arrangement on a reticle according to the present invention will be described using a plan view shown in FIG. The same reference numerals indicate the same objects throughout the figures.
製品領域を占めるパターンのブロツク1は、相
隣る4個(縦横各2個)が配置され、補助パター
ン2は、横方向に並ぶブロツク1の間に配置され
ている。そして、従来例の場合に配置されたカバ
ーパターン3は除去されている。 Four blocks 1 of the pattern occupying the product area are arranged adjacent to each other (two each in the vertical and horizontal directions), and the auxiliary pattern 2 is arranged between the blocks 1 arranged in the horizontal direction. The cover pattern 3 arranged in the conventional example has been removed.
カバーパターン3が不要なのは、補助パターン
2がステツプ・アンド・レピート露光の内部に位
置するからである。 The cover pattern 3 is unnecessary because the auxiliary pattern 2 is located inside the step-and-repeat exposure.
従つて、このレチクルのパターン形成用データ
は、カバーパターン3が除去されている分だけ従
来例の場合より単純になる。この場合、ブロツク
1が複数になるためデータ量が増大するが、その
内容は一つのブロツクの繰り返しとなるため、上
記単純化は阻害されない。そしてこのことは、パ
ターン設計からレチクル完成までの製造を単純化
させる。 Therefore, the data for pattern formation of this reticle is simpler than that of the conventional example because the cover pattern 3 is removed. In this case, the amount of data increases because there are a plurality of blocks 1, but the content is a repetition of one block, so the above simplification is not hindered. This, in turn, simplifies manufacturing from pattern design to reticle completion.
なお上記のパターン配置でステツプ・アンド・
レピート露光を行うと、補助パターン2の転写
は、ブロツク1に対して一つ置きになるが、補助
パターン2の使用目的からしてウエーハプロセス
に支障を来すことはない。 In addition, with the above pattern arrangement, step and
When repeat exposure is performed, the auxiliary patterns 2 are transferred every other block 1, but considering the purpose of the auxiliary patterns 2, this does not interfere with the wafer process.
またこの実施例の場合には、縦方向に並ぶブロ
ツク1の間に補助パターンを配置しても同様の結
果を得ることが出来る。 Furthermore, in the case of this embodiment, similar results can be obtained even if an auxiliary pattern is placed between the blocks 1 arranged in the vertical direction.
更に本実施例ではブロツク1を4個にしたが、
本発明はその数を4個に限定するものではない。 Furthermore, in this embodiment, there are four blocks 1, but
The present invention does not limit the number to four.
以上説明したように本発明の構成によれば、ス
テツプ・アンド・レピート露光のマスクとして使
用されるレチクルにおいて、ステツプ・アンド・
レピート露光の際に補助パターンの露光が無効に
なるのを防止するため設けるカバーパターンを省
略することが出来て、レチクルのパターン形成用
データが単純になり、レチクルの製造を単純化さ
せる効果がある。
As explained above, according to the configuration of the present invention, in a reticle used as a mask for step-and-repeat exposure, step-and-repeat exposure is possible.
It is possible to omit the cover pattern that is provided to prevent the exposure of the auxiliary pattern from becoming invalid during repeat exposure, which simplifies the data for forming the reticle pattern, which has the effect of simplifying the manufacturing of the reticle. .
第1図は本発明実施例を示す平面図、第2図は
従来例を示す平面図、である。
図において、1は製品領域を占めるパターンの
ブロツク、2は補助パターン、3はカバーパター
ン、である。
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view showing a conventional example. In the figure, 1 is a block of patterns occupying the product area, 2 is an auxiliary pattern, and 3 is a cover pattern.
Claims (1)
に隣接して複数個配置され、製品製造の際に補助
的に使用される補助パターンが上記ブロツクの相
互間に配置されてなり、ステツプ・アンド・レピ
ート露光のマスクとして使用されることを特徴と
するレチクル。1 A plurality of blocks of patterns occupying the product area are arranged adjacent to each other, and auxiliary patterns used auxiliary during product manufacturing are arranged between the blocks, and step-and-repeat exposure is performed. A reticle characterized by being used as a mask.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61259258A JPS63113458A (en) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | Reticle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61259258A JPS63113458A (en) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | Reticle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63113458A JPS63113458A (en) | 1988-05-18 |
| JPS6349219B2 true JPS6349219B2 (en) | 1988-10-04 |
Family
ID=17331605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61259258A Granted JPS63113458A (en) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | Reticle |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63113458A (en) |
-
1986
- 1986-10-30 JP JP61259258A patent/JPS63113458A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63113458A (en) | 1988-05-18 |
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