JPS635837B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS635837B2 JPS635837B2 JP57097513A JP9751382A JPS635837B2 JP S635837 B2 JPS635837 B2 JP S635837B2 JP 57097513 A JP57097513 A JP 57097513A JP 9751382 A JP9751382 A JP 9751382A JP S635837 B2 JPS635837 B2 JP S635837B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bubble
- ion implantation
- ion
- implanted
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明はイオン注入法で作成される磁気バブル
メモリデバイスの転送パターンに関するものであ
る。
メモリデバイスの転送パターンに関するものであ
る。
(2) 技術の背景
磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等
を行なう磁気バブル利用装置は、不揮発性高記憶
密度及び低消費電力等種々の特徴をもち、さらに
は機械的要素を全く含まない固体素子であること
から非常に高い信頼性を有している。このような
磁気バブルメモリ装置にも最近の情報量の増加、
装置の小型化要求などにより記憶密度の増加が求
められている。このため最近、バブル転送路をイ
オン注入法により形成し記憶密度を高度化する方
法が開発されている。この方法は第１図の平面図
および第２図の断面図に示す如くガドリニウム・
ガリウム・ガーネツト基板１の上にバブル用結晶
となる磁性ガーネツトの薄膜２を液相エピタキシ
ヤル成長法により形成し、この磁性薄膜２に対し
パターン３以外の部分４に水素、ネオン、ヘリウ
ム等のイオンを注入するのである。このようにパ
ターン３を形成した素子はイオンを注入された部
分４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と
一致し、パターン部分３の磁化容易軸方向は矢印
ｂの如くもとのままの面内方向と垂直である。従
つてバブル５は回転磁界によつてパターン３の周
縁に沿つて矢印ｃの如く転送される。そしてこの
パターンは円形や４角形をその一部が重なるよう
にして列状に並べた形状であり、従来のパーマロ
イパターンの如くギヤツプを必要としないため寸
法精度が緩くとも良く、従つてパターンが小さく
でき高密度化が実現される。
を行なう磁気バブル利用装置は、不揮発性高記憶
密度及び低消費電力等種々の特徴をもち、さらに
は機械的要素を全く含まない固体素子であること
から非常に高い信頼性を有している。このような
磁気バブルメモリ装置にも最近の情報量の増加、
装置の小型化要求などにより記憶密度の増加が求
められている。このため最近、バブル転送路をイ
オン注入法により形成し記憶密度を高度化する方
法が開発されている。この方法は第１図の平面図
および第２図の断面図に示す如くガドリニウム・
ガリウム・ガーネツト基板１の上にバブル用結晶
となる磁性ガーネツトの薄膜２を液相エピタキシ
ヤル成長法により形成し、この磁性薄膜２に対し
パターン３以外の部分４に水素、ネオン、ヘリウ
ム等のイオンを注入するのである。このようにパ
ターン３を形成した素子はイオンを注入された部
分４の磁化容易軸方向が矢印ａの如く面内方向と
一致し、パターン部分３の磁化容易軸方向は矢印
ｂの如くもとのままの面内方向と垂直である。従
つてバブル５は回転磁界によつてパターン３の周
縁に沿つて矢印ｃの如く転送される。そしてこの
パターンは円形や４角形をその一部が重なるよう
にして列状に並べた形状であり、従来のパーマロ
イパターンの如くギヤツプを必要としないため寸
法精度が緩くとも良く、従つてパターンが小さく
でき高密度化が実現される。
このイオン注入法によりパターンを形成した磁
性薄膜には、第３図に示す如くストライプアウト
されやすい軸が３方向（）、（）、（）に120゜
の間隔をなして存在し、これら120゜の間隔をなす
磁化容易軸に対し連接デイスクパターン３がいず
れの方向に一列に並んでいるかによつてスーパー
トラツクｓとバツドトラツクｂとグツドトラツク
ｇの３通りのバブル移動通路ができる。
性薄膜には、第３図に示す如くストライプアウト
されやすい軸が３方向（）、（）、（）に120゜
の間隔をなして存在し、これら120゜の間隔をなす
磁化容易軸に対し連接デイスクパターン３がいず
れの方向に一列に並んでいるかによつてスーパー
トラツクｓとバツドトラツクｂとグツドトラツク
ｇの３通りのバブル移動通路ができる。
(3) 従来技術と問題点
第４図は従来のイオン注入バブルデバイスのバ
ブル転送パターンの１例を示す図である。同図に
おいて、６はＵ字状に折り返した形状にイオンが
注入されない部分で形成された転送パタン、７は
イオン注入領域をそれぞれ示す。
ブル転送パターンの１例を示す図である。同図に
おいて、６はＵ字状に折り返した形状にイオンが
注入されない部分で形成された転送パタン、７は
イオン注入領域をそれぞれ示す。
第４図に示すように、従来マイナーループのス
ーパー側もしくはバツド側において１組の正逆コ
ーナーを設計する際、幾可学的なパターン形状の
制限から、どうしても非イオン注入領域の面積が
大きくなる部分Ａ，Ｂが生ずる。このような場
合、矢印Ｐ方向から転送されて来るバブル８がＱ
点から隣りのパターンのＲ点へ移るような誤動作
をすることがある。
ーパー側もしくはバツド側において１組の正逆コ
ーナーを設計する際、幾可学的なパターン形状の
制限から、どうしても非イオン注入領域の面積が
大きくなる部分Ａ，Ｂが生ずる。このような場
合、矢印Ｐ方向から転送されて来るバブル８がＱ
点から隣りのパターンのＲ点へ移るような誤動作
をすることがある。
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の問題点に鑑み、イオン注入
バブルデバイスにおける誤動作の生じ難い転送パ
ターンを提供することを目的とするものである。
バブルデバイスにおける誤動作の生じ難い転送パ
ターンを提供することを目的とするものである。
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、磁気バブル
結晶にイオン注入法によつてバブルの転送路を形
成したイオン注入バブルデバイスのバブル転送路
において、非イオン注入領域の面積の広い部分に
転送路とは別にイオン注入領域の穴を設けたこと
を特徴とするイオン注入バブルデバイス用転送パ
ターンを提供することによつて達成される。
結晶にイオン注入法によつてバブルの転送路を形
成したイオン注入バブルデバイスのバブル転送路
において、非イオン注入領域の面積の広い部分に
転送路とは別にイオン注入領域の穴を設けたこと
を特徴とするイオン注入バブルデバイス用転送パ
ターンを提供することによつて達成される。
(6) 発明の実施例
以下本発明実施例を図面によつて詳述する。
第５図は本発明によるイオン注入バブルデバイ
ス用転送パターンを示す図である。同図は結晶の
１２１（２11または11２は等価の方向）側の１組
のスーパー側正コーナー、バツト側逆コーナーに
ついて適用した場合を示すものであり、10は非イ
オン注入領域（ハツチングを入れて示す）で形成
された転送パターン、１１は（ハツチングのない
部分）イオン注入領域をそれぞれ示す。
ス用転送パターンを示す図である。同図は結晶の
１２１（２11または11２は等価の方向）側の１組
のスーパー側正コーナー、バツト側逆コーナーに
ついて適用した場合を示すものであり、10は非イ
オン注入領域（ハツチングを入れて示す）で形成
された転送パターン、１１は（ハツチングのない
部分）イオン注入領域をそれぞれ示す。
本発明による転送パターン１０は、その非イオ
ン注入領域の面積の広い部分にイオン注入領域の
穴１２，１３を設けたものである。
ン注入領域の面積の広い部分にイオン注入領域の
穴１２，１３を設けたものである。
第６図は本発明による転送パターンの正コーナ
ーのバイアスマージンを従来例と比較して示した
図である。同図は縦軸にバイアス磁界を、横軸に
駆動磁界をとり、曲線Ａ，A′により本発明によ
る場合を、曲線Ｂ，B′により従来の特性をそれ
ぞれ示した。
ーのバイアスマージンを従来例と比較して示した
図である。同図は縦軸にバイアス磁界を、横軸に
駆動磁界をとり、曲線Ａ，A′により本発明によ
る場合を、曲線Ｂ，B′により従来の特性をそれ
ぞれ示した。
図より本発明の場合の下限（曲線A′で示す）
は従来（曲線B′で示す）に比し約60e改善されて
いることがわかる。これは下限の誤動作のモード
が第４図で示したように矢印Ｐ方向から来たバブ
ル８が隣りのループへ移つてしまう誤動作である
ので、この誤動作がイオン注入領域の穴１２，１
３を設けることにより改善されるためである。
は従来（曲線B′で示す）に比し約60e改善されて
いることがわかる。これは下限の誤動作のモード
が第４図で示したように矢印Ｐ方向から来たバブ
ル８が隣りのループへ移つてしまう誤動作である
ので、この誤動作がイオン注入領域の穴１２，１
３を設けることにより改善されるためである。
(7) 発明の効果
以上詳細に説明したように本発明のイオン注入
バブルデバイス用転送パターンは、その非イオン
注入領域の広い部分にイオン注入領域の穴を設け
ることにより誤動作を防止したものであつて、イ
オン注入バブルデバイスの信頼性向上に寄与する
といつた効果大なるものである。
バブルデバイス用転送パターンは、その非イオン
注入領域の広い部分にイオン注入領域の穴を設け
ることにより誤動作を防止したものであつて、イ
オン注入バブルデバイスの信頼性向上に寄与する
といつた効果大なるものである。
第１図はイオン注入法により形成される磁気バ
ブルメモ素子の平面図、第２図は第１図の−
線における断面図、第３図は磁性薄膜バブル結晶
の結晶方向と転送路との関係を説明するための
図、第４図は従来のイオン注入バブルデバイスの
バブル転送パターンの１例を示す図、第５図は本
発明によるイオン注入バブルデバイス用転送パタ
ーンを示す図、第６図は本発明による転送パター
ンの特性を従来の転送パターンと比較して示した
図である。 図面において、１０は転送パターン、１１はイ
オン注入領域、１２，１３はイオン注入領域の穴
をそれぞれ示す。
ブルメモ素子の平面図、第２図は第１図の−
線における断面図、第３図は磁性薄膜バブル結晶
の結晶方向と転送路との関係を説明するための
図、第４図は従来のイオン注入バブルデバイスの
バブル転送パターンの１例を示す図、第５図は本
発明によるイオン注入バブルデバイス用転送パタ
ーンを示す図、第６図は本発明による転送パター
ンの特性を従来の転送パターンと比較して示した
図である。 図面において、１０は転送パターン、１１はイ
オン注入領域、１２，１３はイオン注入領域の穴
をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ 磁気バルブ結晶にイオン注入法によつてバブ
ルの転送路を形成したイオン注入バブルデバイス
のバブル転送路において、非イオン注入領域の面
積の広い部分に転送路とは別にイオン注入領域の
穴を設けたことを特徴とするイオン注入バブルデ
バイス用転送パターン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097513A JPS58215783A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | イオン注入バブルデバイス用転送パタ−ン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097513A JPS58215783A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | イオン注入バブルデバイス用転送パタ−ン |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58215783A JPS58215783A (ja) | 1983-12-15 |
| JPS635837B2 true JPS635837B2 (ja) | 1988-02-05 |
Family
ID=14194332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57097513A Granted JPS58215783A (ja) | 1982-06-09 | 1982-06-09 | イオン注入バブルデバイス用転送パタ−ン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58215783A (ja) |
-
1982
- 1982-06-09 JP JP57097513A patent/JPS58215783A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58215783A (ja) | 1983-12-15 |
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