JPS6360375B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6360375B2 JPS6360375B2 JP55020501A JP2050180A JPS6360375B2 JP S6360375 B2 JPS6360375 B2 JP S6360375B2 JP 55020501 A JP55020501 A JP 55020501A JP 2050180 A JP2050180 A JP 2050180A JP S6360375 B2 JPS6360375 B2 JP S6360375B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxygen
- sample
- exposure
- coating film
- pgma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、パターン形成方法に関する。より詳
しくはポリグリシジルメタクリレート（以下
PGMAと略す）を用いたパターン形成方法に関
する。
しくはポリグリシジルメタクリレート（以下
PGMAと略す）を用いたパターン形成方法に関
する。
PGMAは、例えばカラー撮像管用カラーフイ
ルターの製造プロセスにおいて染料によるフイル
ターの混色を防止する目的で設けられている保護
膜などに用いられている。PGMAは、塗布後加
熱することにより耐水性を示す様になるので保護
膜として良好な性質を示す。そして遠紫外光
（Deep UV、200〜300nｍ）照射によりポジレジ
ストとしての特性を示すので、これを利用してボ
ンデイングパツド部分などの保護膜の不要部分の
みを取り除くことができる。
ルターの製造プロセスにおいて染料によるフイル
ターの混色を防止する目的で設けられている保護
膜などに用いられている。PGMAは、塗布後加
熱することにより耐水性を示す様になるので保護
膜として良好な性質を示す。そして遠紫外光
（Deep UV、200〜300nｍ）照射によりポジレジ
ストとしての特性を示すので、これを利用してボ
ンデイングパツド部分などの保護膜の不要部分の
みを取り除くことができる。
従来、レジストの露光方法として、マスクとレ
ジストを密着する方法を採用していたが、露光部
のレジストが完全には取り切れないという問題点
を含んでいた。その原因を検討した結果、空気中
の酸素の影響であることが実験的に明らかになつ
た。第１図にその様子を示す。PGMAのメチル
セロソルブアセテート溶液を回転塗布法によりSi
ウエハ上に約0.7μｍの厚みで塗布し、200℃１時
間空気中でベークすることにより、PGMAを熱
架橋させ強固な膜とさせ試料とした。この膜に
3kWのXeランプを光源とし、水フイルタを介し、
熱線を除去した状態の遠紫外光を用いて露光し、
ついでメチルエチルケトン・エタノール（５：
２）の混合液で現像した。この場合の膜厚と露光
量との関係を示すものが第１図の曲線２である。
これは試料が純窒素にさらされる条件において露
光したものである。この様に、酸素が存在しない
条件下においては露光量が多くなるとネガ的性質
が生じ、現像によつて除去できない塗膜が残る。
これは、光により生じたネガ的性質を示す活性
種、おそらくラジカルと思われる活性種に起因す
るものと考えられる。
ジストを密着する方法を採用していたが、露光部
のレジストが完全には取り切れないという問題点
を含んでいた。その原因を検討した結果、空気中
の酸素の影響であることが実験的に明らかになつ
た。第１図にその様子を示す。PGMAのメチル
セロソルブアセテート溶液を回転塗布法によりSi
ウエハ上に約0.7μｍの厚みで塗布し、200℃１時
間空気中でベークすることにより、PGMAを熱
架橋させ強固な膜とさせ試料とした。この膜に
3kWのXeランプを光源とし、水フイルタを介し、
熱線を除去した状態の遠紫外光を用いて露光し、
ついでメチルエチルケトン・エタノール（５：
２）の混合液で現像した。この場合の膜厚と露光
量との関係を示すものが第１図の曲線２である。
これは試料が純窒素にさらされる条件において露
光したものである。この様に、酸素が存在しない
条件下においては露光量が多くなるとネガ的性質
が生じ、現像によつて除去できない塗膜が残る。
これは、光により生じたネガ的性質を示す活性
種、おそらくラジカルと思われる活性種に起因す
るものと考えられる。
酸素を含まないふん囲気下で露光しても、ある
極めて限られた露光量の範囲においては膜厚を０
とすることができる。しかしながら工業的にはあ
る大きさの試料が必要であり、このような試料を
照射するときは試料の中央部と周辺部で露光量が
異なつてくる。また塗膜の厚み、基板の状態、露
光部の面積などの差によつて実際にある部分がう
ける露光量は多少の差が生じる。また作業上の時
間的余裕も必要である。それ故上記の極めて限ら
た露光量の範囲で塗膜を照射しても、塗膜のすべ
ての面がこの露光量で照射されていないのでごく
わずかの部分は塗膜が残り、いわゆる抜け不良と
いわれる状態となる。
極めて限られた露光量の範囲においては膜厚を０
とすることができる。しかしながら工業的にはあ
る大きさの試料が必要であり、このような試料を
照射するときは試料の中央部と周辺部で露光量が
異なつてくる。また塗膜の厚み、基板の状態、露
光部の面積などの差によつて実際にある部分がう
ける露光量は多少の差が生じる。また作業上の時
間的余裕も必要である。それ故上記の極めて限ら
た露光量の範囲で塗膜を照射しても、塗膜のすべ
ての面がこの露光量で照射されていないのでごく
わずかの部分は塗膜が残り、いわゆる抜け不良と
いわれる状態となる。
本発明は、上記問題を解決すること、すなわち
所望のパターン通りにパターンを形成することを
目的とする。
所望のパターン通りにパターンを形成することを
目的とする。
本発明の特徴は、基板上にポリグリシジルメタ
クリレートの塗膜を形成する工程と、上記塗膜に
酸素を含む雰囲気中で所定のパターンを有する遠
紫外光照射する工程と、現像によつて塗膜の遠紫
外光照射部分を除去する工程とよりなるパターン
形成方法にある。
クリレートの塗膜を形成する工程と、上記塗膜に
酸素を含む雰囲気中で所定のパターンを有する遠
紫外光照射する工程と、現像によつて塗膜の遠紫
外光照射部分を除去する工程とよりなるパターン
形成方法にある。
本発明のパターン形成方法は、酸素を含むふん
囲気中、例えば空気中で露光することを特徴とす
る。第１図の曲線１は、試料が純酸素にさらされ
る条件で露光したものである。このように酸素の
存在下では、光によつて生じたネガ的性質を示す
活性種が酸素により失活するためと考えられる。
それ故マスクと試料を密着させずマスクと試料の
間に空気が充分存在する条件により露光するこ
と、例えば50μｍのスペースを取り露光すること
によつて、従来のPGMAの抜け不良は改善され
た。この時のPGMAレジストの解像度は約20μｍ
である。マスクと試料との間隔は20μｍ以上が望
ましい。一方、スペースが大きくなるとレジスト
の解像度が悪くなるため実用的には50μｍ程度が
限度と思われる。
囲気中、例えば空気中で露光することを特徴とす
る。第１図の曲線１は、試料が純酸素にさらされ
る条件で露光したものである。このように酸素の
存在下では、光によつて生じたネガ的性質を示す
活性種が酸素により失活するためと考えられる。
それ故マスクと試料を密着させずマスクと試料の
間に空気が充分存在する条件により露光するこ
と、例えば50μｍのスペースを取り露光すること
によつて、従来のPGMAの抜け不良は改善され
た。この時のPGMAレジストの解像度は約20μｍ
である。マスクと試料との間隔は20μｍ以上が望
ましい。一方、スペースが大きくなるとレジスト
の解像度が悪くなるため実用的には50μｍ程度が
限度と思われる。
第１図は、本発明と従来例との差を説明するた
めの説明図である。
めの説明図である。
Claims (1)
- １ 基板上にポリグリシジルメタクリレートの塗
膜を形成する工程と、上記塗膜に酸素を含む雰囲
気中で所定のパターンを有する遠紫外光照射する
工程と、現像によつて塗膜の遠紫外光照射部分を
除去する工程とよりなるパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2050180A JPS56117235A (en) | 1980-02-22 | 1980-02-22 | Pattern forming method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2050180A JPS56117235A (en) | 1980-02-22 | 1980-02-22 | Pattern forming method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56117235A JPS56117235A (en) | 1981-09-14 |
| JPS6360375B2 true JPS6360375B2 (ja) | 1988-11-24 |
Family
ID=12028902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2050180A Granted JPS56117235A (en) | 1980-02-22 | 1980-02-22 | Pattern forming method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56117235A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0447574U (ja) * | 1990-08-24 | 1992-04-22 |
-
1980
- 1980-02-22 JP JP2050180A patent/JPS56117235A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0447574U (ja) * | 1990-08-24 | 1992-04-22 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56117235A (en) | 1981-09-14 |
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