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JPS6362124B2 - - Google Patents
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JPS6362124B2 - - Google Patents

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JPS6362124B2
JPS6362124B2 JP18183981A JP18183981A JPS6362124B2 JP S6362124 B2 JPS6362124 B2 JP S6362124B2 JP 18183981 A JP18183981 A JP 18183981A JP 18183981 A JP18183981 A JP 18183981A JP S6362124 B2 JPS6362124 B2 JP S6362124B2
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transistor
emitter
npn
collector
transistors
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はプツシユプル増幅回路に係り、極めて
熱損失が少なく電力効率が良く、しかもクロスオ
ーバー歪やスイツチング歪の発生を防止し得て低
歪率なプツシユプル出力を、特に集積回路化
(IC化)容易な回路構成により出力し得るプツシ
ユプル増幅回路を提供することを目的とする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a push-pull amplifier circuit, which has extremely low heat loss, high power efficiency, prevents crossover distortion and switching distortion, and has a low distortion push-pull output. The object of the present invention is to provide a push-pull amplifier circuit that can output with a circuit configuration that is easy to integrate into an IC.

従来より、オーデイオ機器のパワーアンプ等の
終段は、スピーカのように直流電圧が印加される
と破壊してしまうような負荷に対しても直結でき
る等の利点があるため、シングル・エンデツド・
プツシユプル(SEPP)増幅回路が広く使用され
ている。かかるプツシユプル増幅回路には、その
動作点で区別すると、A級、AB級又はB級の増
幅回路が従来より使用されていた。そのうち、A
級プツシユプル増幅回路は、出力段トランジスタ
が常に直線性の良好な領域で動作するため、動作
時の出力信号波形は良好であり、クロスオーバー
歪やスイツチング歪の発生は殆ど無い反面、無信
号時にも最大定格出力電流の半分の値のアイドル
電流を流しておく必要があるので、熱損失が大き
く、効率が悪いという欠点があつた。
Traditionally, the final stages of audio equipment, such as power amplifiers, have the advantage of being directly connected to loads that would be destroyed if DC voltage is applied, such as speakers.
Push pull (SEPP) amplifier circuits are widely used. Class A, class AB, or class B amplifier circuits have conventionally been used as such push-pull amplifier circuits, depending on their operating points. Among them, A
In class push-pull amplifier circuits, the output stage transistor always operates in a region with good linearity, so the output signal waveform during operation is good, and there is almost no crossover distortion or switching distortion. Since it is necessary to flow an idle current of half the maximum rated output current, the disadvantage is that heat loss is large and efficiency is low.

他方、B級プツシユプル増幅回路は、アイドル
電流は原理的に零であり、またAB級プツシユプ
ル増幅回路はA級プツシユプル増幅回路に比しア
イドル電流の値が小なので、これらの増幅回路は
熱損失は小さく、効率が良いという利点を有する
反面、一対の出力段トランジスタを交互にオン、
オフさせて動作させるために、非直線性の強い領
域も使用することになり、クロスオーバー歪やス
イツチング歪が発生するという欠点があつた。
On the other hand, in principle, the idle current of a class B push-pull amplifier circuit is zero, and the idle current value of a class AB push-pull amplifier circuit is smaller than that of a class A push-pull amplifier circuit, so these amplifier circuits have low heat loss. Although it has the advantage of being small and highly efficient, it is also possible to turn on a pair of output stage transistors alternately.
In order to operate in the off state, a region with strong nonlinearity is also used, which has the drawback of generating crossover distortion and switching distortion.

そこで、従来、A級、AB級及びB級の各プツ
シユプル増幅回路における上記の欠点を除去し
て、熱損失が少なく、クロスオーバー歪やスイツ
チング歪の無いプツシユプル増幅回路として、ア
イドル電流値を極めて小にすると共に、入力交流
信号レベルに応じてバイアス電圧値を可変し、出
力段トランジスタのベース・エミツタ間に常に順
方向のバイアス電圧がかかるように構成したもの
が種々提案されている。第1図及び第2図は夫々
かかる可変バイアス回路(又は能動バイアス回
路)を有する従来のプツシユプル増幅回路の各例
の回路図を示す。
Therefore, by eliminating the above-mentioned drawbacks of conventional class A, class AB, and class B push-pull amplifier circuits, we have created a push-pull amplifier circuit with low heat loss, no crossover distortion, and no switching distortion, with an extremely low idle current value. In addition, various structures have been proposed in which the bias voltage value is varied according to the input AC signal level so that a forward bias voltage is always applied between the base and emitter of the output stage transistor. FIGS. 1 and 2 each show a circuit diagram of an example of a conventional push-pull amplifier circuit having such a variable bias circuit (or active bias circuit).

第1図に示す従来のプツシユプル増幅回路にお
いて、1,2は夫々入力端子、3,4は夫々定電
流回路、5は出力端子、Tr1及びTr3は夫々ダー
リントン接続されたNPNトランジスタ、Tr2
びTr4は夫々ダーリントン接続されたPNPトラン
ジスタである。無信号時にはNPNトランジスタ
Tr7、ダイオードD1、PNPトランジスタTr8及び
ダイオードD2には夫々電流は流れておらずカツ
トオフ状態とされており、トランジスタTr3及び
Tr4の各エミツタには、NPNトランジスタTr5
びPNPトランジスタTr6より取り出された、トラ
ンジスタTr5及びTr6のベース・エミツタ間電圧、
抵抗Ra,Rb,Rc,Rd及びReで定まるバイアス
電圧により、所定のアイドル電流が流されてい
る。
In the conventional push-pull amplifier circuit shown in FIG. 1, 1 and 2 are input terminals, 3 and 4 are constant current circuits, 5 is an output terminal, Tr 1 and Tr 3 are Darlington-connected NPN transistors, and Tr 2 and Tr 4 are Darlington-connected PNP transistors. NPN transistor when there is no signal
No current flows through Tr 7 , diode D 1 , PNP transistor Tr 8 , and diode D 2 and are in a cut-off state, and transistors Tr 3 and
Each emitter of Tr 4 has the base-emitter voltage of transistors Tr 5 and Tr 6 taken out from NPN transistor Tr 5 and PNP transistor Tr 6 ,
A predetermined idle current is caused to flow by a bias voltage determined by resistors Ra, Rb, Rc, Rd, and Re.

いま、入力端子1,2に入力交流信号の正の半
波が入来したものとすると、入力端子1と出力端
子5との間の電圧が上昇し、これにより抵抗Ra
及びRbを介してトランジスタTr7のベースに電流
が流れ、よつてトランジスタTr7のコレクタ、エ
ミツタに電流が流れる。従つて、抵抗Raの電圧
降下が大となり、トランジスタTr5のベース電圧
が下がり、トランジスタTr5はカツトオフ方向に
バイアスされるため、そのコレクタ・エミツタ間
電圧が大となり、入力端子1及び2の間のバイア
ス電圧が上昇することになる。これにより、出力
段トランジスタTr2及びTr4がカツトオフされる
ことが防止される。入力交流信号の負の半波入来
時も、上記と同様の動作によりトランジスタTr6
がカツトオフ方向にバイアスされ、入力端子1,
2間のバイアス電圧が上昇して出力段トランジス
タTr1及びTr3のカツトオフが防止される。
Now, suppose that a positive half-wave of the input AC signal enters input terminals 1 and 2, the voltage between input terminal 1 and output terminal 5 increases, and this causes resistance Ra to rise.
A current flows to the base of the transistor Tr7 through Rb and Rb, and thus a current flows to the collector and emitter of the transistor Tr7 . Therefore, the voltage drop across the resistor Ra increases, the base voltage of the transistor Tr 5 decreases, and the transistor Tr 5 is biased in the cut-off direction. The bias voltage will increase. This prevents output stage transistors Tr 2 and Tr 4 from being cut off. When a negative half wave of the input AC signal arrives, transistor Tr 6 operates in the same way as above.
is biased in the cut-off direction, and the input terminals 1,
The bias voltage between the output stage transistors Tr 1 and Tr 3 is increased to prevent output stage transistors Tr 1 and Tr 3 from being cut off.

次に、第2図に示す従来のプツシユプル増幅回
路の動作につき説明する。ただし、第1図と同一
構成部分には同一符号を付し、その説明を省略す
る。第2図において、定電流回路6,7はダイオ
ードD3,D4、抵抗Rg,Rhと共にトランジスタ
Tr11,Tr12の動作点を定める回路を構成してい
る。無信号時にはPNPトランジスタTr11、ダイ
オードD3,D4、NPNトランジスタTr12には殆ど
電流が流れていないが、NPNトランジスタTr9
ダイオードD5、可変抵抗器VR及びPNPトランジ
スタTr10には夫々電流が流されており、これに
より入力端子1,2間に発生するバイアス電圧に
より所定のアイドル電流が流されている。このア
イドル電流は抵抗Rf,Ri、可変抵抗器VR等によ
り定められる。
Next, the operation of the conventional push-pull amplifier circuit shown in FIG. 2 will be explained. However, the same components as in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted. In Fig. 2, constant current circuits 6 and 7 are transistors together with diodes D 3 and D 4 and resistors Rg and Rh.
It constitutes a circuit that determines the operating points of Tr 11 and Tr 12 . When there is no signal, almost no current flows through the PNP transistor Tr 11 , the diodes D 3 , D 4 , and the NPN transistor Tr 12 , but the NPN transistor Tr 9 ,
A current is caused to flow through the diode D 5 , the variable resistor VR, and the PNP transistor Tr 10 , respectively, so that a predetermined idle current is caused to flow by the bias voltage generated between the input terminals 1 and 2. This idle current is determined by resistors Rf, Ri, variable resistor VR, etc.

ここで、入力端子1,2に入力交流信号の正の
半波が入来したものとすると、入力端子1と出力
端子5との間の電圧が上昇するため、入力端子
1、抵抗Rf、トランジスタTr11、ダイオードD3
抵抗Rgを経て出力端子5方向へ電流が流れると
共に、トランジスタTr11のコレクタ電流がダイ
オードD5、可変抵抗器VR、トランジスタTr10
と流れる。これにより、抵抗Rfの電圧降下が大
となり、トランジスタTr9のベース電圧が低下す
るため、トランジスタTr9のコレクタ・エミツタ
間電圧が増大する。この結果、入力端子1,2間
のバイアス電圧が上昇し、出力段トランジスタ
Tr2及びTr4はカツトオフが防止される。負の半
波が入来したときも上記と同様にしてトランジス
タTr10のコレクタ・エミツタ間電圧が大きくな
るので、入力端子1,2間のバイアス電圧が大と
なり、出力段トランジスタTr1及びTr3がカツト
オフから防止される。
Here, if a positive half-wave of the input AC signal enters input terminals 1 and 2, the voltage between input terminal 1 and output terminal 5 increases, so input terminal 1, resistor Rf, transistor Tr 11 , diode D 3 ,
A current flows toward the output terminal 5 via the resistor Rg, and at the same time, the collector current of the transistor Tr11 flows to the diode D5 , the variable resistor VR, and the transistor Tr10 . As a result, the voltage drop across the resistor Rf becomes large, and the base voltage of the transistor Tr 9 decreases, so that the collector-emitter voltage of the transistor Tr 9 increases. As a result, the bias voltage between input terminals 1 and 2 increases, and the output stage transistor
Tr 2 and Tr 4 are prevented from being cut off. When a negative half wave enters, the collector-emitter voltage of transistor Tr 10 increases in the same way as above, so the bias voltage between input terminals 1 and 2 increases, and output stage transistors Tr 1 and Tr 3 is prevented from being cut off.

しかして、第1図に示す従来の増幅回路は、そ
のバイアス回路に、Tr6及びTr8で示す如くPNP
トランジスタが2個使用されており、他方、第2
図に示す従来の増幅回路はそのバイアス回路に、
Tr10,Tr11で示す如くPNPトランジスタが2個
使用されている。かかるPNPトランジスタはモ
ノリシツクIC化した場合、エミツタ接地電流増
幅率hfeが小であるとか、トランジシヨン周波数
Tが低いとか、電流リニアリテイが悪いなどの欠
点があるため、IC化に適していない。このため、
バイアス回路に2個のPNPトランジスタを使用
する第1図、第2図に示す従来のプツシユプル増
幅回路は、いずれもバイアス回路のIC化が困難
であるという欠点があつた。また第2図に示す従
来のプツシユプル増幅回路では、PNPトランジ
スタTr10には10mA〜20mA程度の大きな電流が
流れるが、かかるPNPトランジスタTr10をIC化
しようとするとチツプ面積が極めて大となり、ま
た専用の定電流回路6,7が必要なので、高価で
あるという欠点があつた。一方、第1図に示す従
来のプツシユプル増幅回路は、アイドル電流をあ
まり小さくすることができないという欠点があつ
た。
Therefore, the conventional amplifier circuit shown in FIG. 1 has PNPs in its bias circuit as shown by Tr 6 and Tr 8 .
Two transistors are used, while the second
The conventional amplifier circuit shown in the figure has a bias circuit of
Two PNP transistors are used as shown by Tr 10 and Tr 11 . When such a PNP transistor is made into a monolithic IC, the grounded emitter current amplification factor h fe is small and the transition frequency is low.
Due to drawbacks such as low T and poor current linearity, it is not suitable for IC implementation. For this reason,
The conventional push-pull amplifier circuits shown in FIGS. 1 and 2 that use two PNP transistors in the bias circuit have the disadvantage that it is difficult to integrate the bias circuit into an IC. In addition, in the conventional push-pull amplifier circuit shown in Fig. 2, a large current of about 10 mA to 20 mA flows through the PNP transistor Tr 10 , but if such a PNP transistor Tr 10 were to be integrated into an IC, the chip area would be extremely large, and a dedicated Since constant current circuits 6 and 7 are required, there is a disadvantage that it is expensive. On the other hand, the conventional push-pull amplifier circuit shown in FIG. 1 has a drawback in that the idle current cannot be made very small.

他方、本出願人は先に特願昭53―133568号(特
開昭55―60316号)にて入力交流信号の正負の両
半波のいずれの入力時にも出力段トランジスタが
カツトオフすることなくA級動作を保ち、しかも
上記の従来の各プツシユプル増幅回路に比し、合
成出力信号波形にクロスオーバー歪が無いように
上下の波形のつながりをより一層滑らかにできる
プツシユプル増幅器を提案した。しかし、この提
案になるプツシユプル増幅器は、そのバイアス回
路に2組のカレントミラー回路を有しており、そ
のうちの一組のカレントミラー回路は一対の
PNPトランジスタより構成されていたため、や
はりモノリシツクIC化に適さないという欠点が
あつた。
On the other hand, the present applicant previously proposed in Japanese Patent Application No. 53-133568 (Japanese Unexamined Patent Publication No. 55-60316) that the output stage transistor does not cut off when inputting both positive and negative half waves of the input AC signal. We have proposed a push-pull amplifier that maintains high-level operation and, compared to the conventional push-pull amplifier circuits mentioned above, can create a smoother connection between upper and lower waveforms so that there is no crossover distortion in the combined output signal waveform. However, this proposed push-pull amplifier has two sets of current mirror circuits in its bias circuit, and one set of current mirror circuits is connected to a pair of current mirror circuits.
Since it was composed of PNP transistors, it also had the disadvantage of not being suitable for monolithic IC implementation.

本発明は上記の欠点を除去したものであり、第
3図以下の図面と共にその一実施例につき説明す
る。
The present invention eliminates the above-mentioned drawbacks, and one embodiment thereof will be described with reference to the drawings from FIG. 3 onwards.

第3図は本発明になるプツシユプル増幅回路の
一実施例の回路図を示す。同図中、1,2は夫々
入力端子、3,4は定電流回路、5は出力端子で
あり、これらは第1図、第2図に示した回路の同
一番号の端子、定電流回路と同一である。また第
3図において、破線で囲んだ回路部分8はモノリ
シツクIC化されるバイアス回路部分である。入
力端子1は3段ダーリントン接続されたNPNト
ランジスタQ1,Q3,Q5及びQ5のエミツタ抵抗R3
を介して出力端子5に接続されている。また入力
端子2は3段ダーリントン接続されたPNPトラ
ンジスタQ2,Q4,Q6及びQ6のエミツタ抵抗R4
介して出力端子5に接続されている。トランジス
タQ1,Q2のエミツタ間には抵抗R1が接続されて
おり、トランジスタQ3,Q4のエミツタ間には抵
抗R2が接続されている。すなわち、NPN出力段
トランジスタQ1,Q3,Q5と、PNP出力段トラン
ジスタQ2,Q4,Q6とは夫々SEPP接続されてい
る。
FIG. 3 shows a circuit diagram of an embodiment of the push-pull amplifier circuit according to the present invention. In the figure, 1 and 2 are input terminals, 3 and 4 are constant current circuits, and 5 is an output terminal, and these are terminals with the same numbers in the circuits shown in FIGS. are the same. Further, in FIG. 3, a circuit portion 8 surrounded by a broken line is a bias circuit portion to be made into a monolithic IC. Input terminal 1 is the emitter resistance R 3 of three-stage Darlington-connected NPN transistors Q 1 , Q 3 , Q 5 and Q 5
It is connected to the output terminal 5 via. In addition, the input terminal 2 is connected to the output terminal 5 via the emitter resistor R 4 of three-stage Darlington-connected PNP transistors Q 2 , Q 4 , Q 6 , and Q 6 . A resistor R1 is connected between the emitters of transistors Q1 and Q2 , and a resistor R2 is connected between the emitters of transistors Q3 and Q4 . That is, the NPN output stage transistors Q 1 , Q 3 , Q 5 and the PNP output stage transistors Q 2 , Q 4 , Q 6 are connected in SEPP, respectively.

入力端子1とトランジスタQ1のベースとの接
続点は定電流回路3及びNPNトランジスタQ7
のコレクタに接続される一方、抵抗R5、ダイオ
ード接続されたNPNトランジスタQ9及びQ11
夫々直列に介してエミツタホロワを構成する
PNPトランジスタQ13のエミツタに接続されてい
る。トランジスタQ7のエミツタは定電圧源用イ
ンピーダンス素子の一例としての可変抵抗器VR1
を介してNPNトランジスタQ8のコレクタに接続
されている。トランジスタQ8のベース・コレク
タ間には抵抗R7が接続され、トランジスタQ8
ベースはトランジスタQ14のコレクタ、すなわち
後記のカレントミラー回路の出力端に接続されて
いる。
The connection point between input terminal 1 and the base of transistor Q 1 is constant current circuit 3 and NPN transistor Q 7
while forming an emitter follower via a resistor R 5 and diode-connected NPN transistors Q 9 and Q 11 in series.
Connected to the emitter of PNP transistor Q13 . The emitter of transistor Q 7 is a variable resistor VR 1 , which is an example of an impedance element for a constant voltage source.
is connected to the collector of NPN transistor Q8 through. A resistor R7 is connected between the base and collector of the transistor Q8 , and the base of the transistor Q8 is connected to the collector of the transistor Q14 , that is, the output terminal of a current mirror circuit described later.

またトランジスタQ8のエミツタと入力端子2
とトランジスタQ2のベースとの接続点は、カ
レントミラー回路を構成するNPNトランジスタ
Q14及びQ15の各エミツタに夫々接続される一方、
定電流回路4に接続されている。またトランジス
タQ14のベースとトランジスタQ15のベース及び
コレクタとは夫々抵抗R6(抵抗R7と同一抵抗値に
選定されている)、ダイオード接続されたNPNト
ランジスタQ10を直列に介してエミツタホロワを
構成するNPNトランジスタQ12のエミツタに接続
されている。更に、トランジスタQ12及びQ13
各ベースは、抵抗R3,R4及び出力端子5の接続
点に接続されている。また更にトランジスタ
Q12のコレクタは上記点に、またトランジスタ
Q13のコレクタは上記点に接続されている。
Also, the emitter of transistor Q8 and input terminal 2
The connection point between Q2 and the base of transistor Q2 is an NPN transistor that forms a current mirror circuit.
While connected to each emitter of Q 14 and Q 15 respectively,
It is connected to the constant current circuit 4. The base of the transistor Q14 and the base and collector of the transistor Q15 are connected to emitter followers via a resistor R6 (selected to have the same resistance value as the resistor R7 ) and a diode-connected NPN transistor Q10 in series. It is connected to the emitter of the constituent NPN transistor Q12 . Further, the bases of the transistors Q 12 and Q 13 are connected to the connection point between the resistors R 3 and R 4 and the output terminal 5. Furthermore, a transistor
The collector of Q 12 is connected to the above point and the transistor
The collector of Q 13 is connected to the above point.

次に上記構成の本実施例回路の動作につき説明
する。入力交流信号は、入力端子1又は2又はそ
の両方に加えられ、NPN出力段トランジスタ
Q1,Q3,Q5及び抵抗R3を経て、あるいはPNP出
力段トランジスタQ2,Q4,Q6及び抵抗R4を経て
出力端子5より出力される。
Next, the operation of the circuit of this embodiment having the above configuration will be explained. The input AC signal is applied to input terminal 1 or 2 or both, and the NPN output stage transistor
The signal is output from the output terminal 5 via Q 1 , Q 3 , Q 5 and resistor R 3 or via PNP output stage transistors Q 2 , Q 4 , Q 6 and resistor R 4 .

さて、いま入力端子1,2のいずれにも入力交
流信号が入来していない無信号時であるものとす
ると、このときにトランジスタQ9→Q11→Q13
流れる電流並びに、トランジスタQ12→Q10→抵
抗R6→トランジスタQ15と流れる電流及びトラン
ジスタQ14を流れる電流はいずれも略零となるよ
うに、可変抵抗器VR1によりその両端間の直流電
圧が設定されている。また定電流回路3,4の電
流はトランジスタQ7→可変抵抗器VR1→トラン
ジスタQ8の順序で流れている(これは交流信号
入来時も同様に流れている)。なお、トランジス
タQ7,Q8の各エミツタ接地直流電流増幅率hFE
十分大きく、そのベース電流による抵抗R5,R7
での電圧降下は零とみなせるものとする。以上よ
りこの無信号時には、点と点との間及び点
と点との間に夫々互いに絶対値の略等しい一定
の電圧が加えられており、トランジスタQ5,Q6
の各エミツタにアイドル電流が流されることにな
る。このアイドル電流は、このプツシユプル増幅
回路の最大出力定格に関係なく、通常、50mA〜
150mAで十分である。従つて、最大出力電流の
1/2をアイドル電流として必要とする一般的なA
級プツシユプル増幅回路では一例として100W出
力のもので3.5A程度のアイドル電流を必要とす
るが、これに比較して本実施例は熱損失は極めて
少なく、オーデイオアンプとして広く用いられて
いるB級(厳密には僅かなアイドル電流を流して
いるからAB級)のプツシユプル増幅回路に匹敵
するものである。
Now, if we assume that there is no input AC signal at either input terminal 1 or 2, then the current flowing from transistor Q 9 → Q 11 → Q 13 and the current flowing from transistor Q 12 →Q 10 →Resistor R 6 →Transistor Q The DC voltage across the variable resistor VR 1 is set so that the current flowing through the transistor Q 15 and the current flowing through the transistor Q 14 are both approximately zero. Further, the currents in the constant current circuits 3 and 4 flow in the order of transistor Q 7 → variable resistor VR 1 → transistor Q 8 (this also flows when an AC signal is input). Note that the common emitter DC current amplification factor h FE of each transistor Q 7 and Q 8 is sufficiently large, and the resistance R 5 and R 7 due to its base current is
It is assumed that the voltage drop at From the above, when there is no signal, constant voltages with substantially equal absolute values are applied between the points and between the points, and the transistors Q 5 and Q 6
An idle current will be passed through each emitter. This idle current typically ranges from 50mA to 50mA, regardless of the maximum output rating of this push-pull amplifier circuit.
150mA is sufficient. Therefore, a typical A that requires 1/2 of the maximum output current as idle current
For example, a class B push-pull amplifier circuit with an output of 100W requires an idle current of about 3.5A, but compared to this, the heat loss of this embodiment is extremely small, and it is a class B push-pull amplifier circuit that is widely used as an audio amplifier. Strictly speaking, it is comparable to a class AB (class AB) push-pull amplifier circuit, since a small amount of idle current is flowing through it.

ここで、本実施例の出力段トランジスタQ5
Q6のエミツタ電流と点と点との間の電圧、
及び点と点との間の電圧との関係を図示する
と第6図に実線IA,IBで示す如くになる。第6図
において、一点鎖線Aは出力段トランジスタ
Q1,Q3,Q5の各ベース・エミツタ間電圧VBEの和
とQ5のエミツタ電流との関係を示し、一点鎖線
Bは出力段トランジスタQ2,Q4,Q6の各ベー
ス・エミツタ間電圧VBEの和とQ6のエミツタ電流
との関係を示す。また破線ABは、夫々エミ
ツタ抵抗R3,R4による電圧降下とQ5,Q6のエミ
ツタ電流との関係を示す直線である。そして、実
Aが出力段トランジスタQ1,Q3,Q5の各ベー
ス・エミツタ間電圧とエミツタ抵抗R3の両端間
の電圧との総和である点と点との間の電圧と
Q5のエミツタ電流との関係を示しており、同様
に実線Bが点と点との間の電圧とQ6のエミ
ツタ電流との関係を示している。
Here, the output stage transistor Q 5 of this embodiment,
The emitter current of Q 6 and the voltage between points,
The relationship between the voltage and the voltage between the points is shown in FIG. 6 by solid lines I A and I B. In Figure 6, the dashed line A is the output stage transistor.
The relationship between the sum of the base-emitter voltage V BE of Q 1 , Q 3 , and Q 5 and the emitter current of Q 5 is shown by the dashed-dotted line.
B shows the relationship between the sum of the base-emitter voltages V BE of output stage transistors Q 2 , Q 4 , and Q 6 and the emitter current of Q 6 . Further, broken lines A and B are straight lines showing the relationship between the voltage drop caused by the emitter resistors R 3 and R 4 and the emitter currents of Q 5 and Q 6 , respectively. The voltage between the points where the solid line A is the sum of the base-emitter voltages of the output stage transistors Q 1 , Q 3 , and Q 5 and the voltage across the emitter resistor R 3 is
It shows the relationship between the emitter current of Q5 , and similarly, the solid line B shows the relationship between the voltage between points and the emitter current of Q6 .

上記の無信号時には、第6図にXで示す大きさ
のバイアス電圧が加えられ、0,−0で示すア
イドル電流が流れている。
When there is no signal as described above, a bias voltage of a magnitude shown by X in FIG. 6 is applied, and idle currents shown by 0 and -0 flow.

次に、交流信号の正の半波が入来した場合は、
第3図示の出力端子5に負荷が接続されている
と、出力電流が流れ無信号時に比し、トランジス
タQ1,Q3,Q5のエミツタ電流が増加し、抵抗R3
の両端電圧が上昇し、点と点との間の電圧が
入力信号レベルに応じて上昇する(これを△VAC
とする)。すると、抵抗R5→トランジスタQ9
Q11→Q13と電流が流れ、このときのトランジス
タQ9,Q11,Q13のベース・エミツタ間電圧の変
化分を夫々△VBEとすると、抵抗R5の両端には
点と点との間の電圧の正方向の変化分△VAC
ら、3△VBEを差し引いた電圧が生じるため、ト
ランジスタQ7のコレクタ・ベース間(更にはそ
のコレクタ・エミツタ間)にこの(△VAC―3△
VBE)なる電圧が生じる。一方、トランジスタ
Q10,Q12,Q14,Q15には夫々電流が流れないか
ら、トランジスタQ8のコレクタ・エミツタ間電
圧は無信号時のときの値と同一で変化しない。従
つて、点と点との間のバイアス電圧値は例え
ば第6図にYで示す如く全体として(△VAC―3
△VBE)なる電圧だけ正方向に増加し、点と
点との間の電圧は点を基準とした場合3△VBE
だけ小さくなる。すなわち、従来のAB級又はB
級プツシユプル増幅回路によれば、固定バイアス
であるから上記の場合は点と点との間の電圧
は△VACだけ小さくなり、トランジスタQ2,Q4
びQ6を逆方向にバイアスしていたが、本実施例
ではトランジスタQ2,Q4及びQ6は3△VBEだけカ
ツトオフ方向にバイアスされるだけで常に順方向
のバイアスが保たれ、かつ、トランジスタQ6
エミツタ電流値はアイドル電流0よりも絶対値
が小となる。
Next, if a positive half wave of the AC signal comes in,
When a load is connected to the output terminal 5 shown in Figure 3, an output current flows and the emitter currents of the transistors Q 1 , Q 3 , Q 5 increase compared to when there is no signal, and the resistor R 3
The voltage across the points increases, and the voltage between the points increases according to the input signal level (this can be expressed as △V AC
). Then, resistor R 5 → transistor Q 9
A current flows from Q 11 to Q 13 , and if the changes in the base-emitter voltages of transistors Q 9 , Q 11 , and Q 13 at this time are respectively △V BE , then there are points at both ends of resistor R 5 . Since a voltage is generated by subtracting 3△V BE from the positive change in voltage between V AC , this (△V AC -3△
A voltage of V BE ) is generated. On the other hand, transistor
Since no current flows through each of Q 10 , Q 12 , Q 14 , and Q 15 , the collector-emitter voltage of transistor Q 8 remains the same as when there is no signal and does not change. Therefore, the bias voltage value between points is, for example, as shown by Y in FIG. 6 as a whole (△V AC -3
△V BE ) increases in the positive direction, and the voltage between the points is 3△V BE
becomes smaller. In other words, conventional AB class or B class
According to the class push-pull amplifier circuit, since it is a fixed bias, in the above case the voltage between the points was reduced by △V AC , biasing transistors Q 2 , Q 4 and Q 6 in the opposite direction. However, in this embodiment, transistors Q 2 , Q 4 and Q 6 are always biased in the cut-off direction by 3△V BE , and the forward bias is always maintained, and the emitter current value of transistor Q 6 is equal to the idle current. The absolute value is smaller than 0 .

次に交流信号の負の半波が入来すると、無信号
時に比し点と点との間の電圧が大となり(こ
の電圧変化分を△VBCとする)、トランジスタQ12
→Q10→抵抗R6→Q15と電流が流れ、よつてトラ
ンジスタQ15と共にカレントミラー回路を構成し
ているトランジスタQ14にもトランジスタQ15
同じ値の電流が流れる。この結果、抵抗R6と同
一抵抗値の抵抗R7の両端にも抵抗R6の両端間の
電圧変化に等しい電圧変化、すなわちこのときの
トランジスタQ10,Q12,Q15の各ベース・エミツ
タ間電圧の変化分を△VBE′とすると、点と
点との間の電圧変化分△VBCから、3△VBE′を差
し引いた電圧変化が生ずることになる。一方、こ
のときは抵抗R5、トランジスタQ9,Q11,Q13
は電流が殆ど流れないから、トランジスタQ7
コレクタ・エミツタ間電圧値は無信号時と同じで
ある。従つて、例えば第6図にZで示す如く、
点と点との間のバイアス電圧値は負方向に(△
VBC―3△VBE′)だけ増加し、点と点との間
のバイアス電圧は3△VBE′だけカツトオフ方向
に小さくなる。
Next, when the negative half wave of the AC signal comes in, the voltage between the points becomes larger than when there is no signal (this voltage change is △V BC ), and the transistor Q 12
A current flows through →Q 10 →resistor R 6 →Q 15 , and therefore, a current of the same value as transistor Q 15 also flows through transistor Q 14 , which forms a current mirror circuit together with transistor Q 15 . As a result, there is a voltage change across the resistor R7 , which has the same resistance value as the resistor R6 , equal to the voltage change across the resistor R6 , that is, the base-emitter voltage of each of the transistors Q10 , Q12 , Q15 at this time. If the amount of change in voltage between points is △V BE ', then a voltage change will occur that is obtained by subtracting 3△V BE ' from the amount of voltage change △V BC between points. On the other hand, at this time, since almost no current flows through the resistor R 5 and the transistors Q 9 , Q 11 and Q 13 , the collector-emitter voltage value of the transistor Q 7 is the same as when there is no signal. Therefore, for example, as shown by Z in FIG.
The bias voltage value between points is negative (△
V BC -3△V BE '), and the bias voltage between the points decreases by 3△V BE ' in the cutoff direction.

以上より、中程度のレベルの正弦波が入力され
たときは、点と点との間の電圧は第4図に実
線VACで示す如くになり、かつ、点と点との
間の電圧は同図に実線VBCで示す如くになり、ト
ランジスタQ5,Q6の各エミツタ電流波形は第5
図に実線iA,iBで示す如くになり、これらを合成
して得られるプツシユプル出力信号波形はスイツ
チング歪やクロスオーバー歪の極めて少ない良好
な正弦波となる。
From the above, when a medium level sine wave is input, the voltage between the points will be as shown by the solid line V AC in Figure 4, and the voltage between the points will be as shown by the solid line V AC in Figure 4. In the figure, the emitter current waveforms of transistors Q 5 and Q 6 are as shown by the solid line V BC , and the waveforms of the emitter currents of transistors Q 5 and Q 6 are
As shown by solid lines i A and i B in the figure, the push-pull output signal waveform obtained by combining these becomes a good sine wave with very little switching distortion and crossover distortion.

なお、小レベルの正弦波入力時の点と点と
の間の電圧と点と点との間の電圧は第4図に
一点鎖線VAC′,VBC′で示す如くになり、トラン
ジスタQ5,Q6のエミツタ電流は第5図に一点鎖
線iA′,iB′に示す如くになる。また大レベルの正
弦波入力時の点と点との間の電圧、点と
点との間の電圧は第4図に二点鎖線VAC″,VBC
で示す如くになり、このときのトランジスタQ5
Q6のエミツタ電流は第5図に二点鎖線iA″,iB″で
示す如くになる。
Note that when a small level sine wave is input, the voltage between the points and the voltage between the points are as shown by the dashed-dotted lines V AC ′ and V BC ′ in FIG . , Q 6 are as shown by the dashed-dotted lines i A ′ and i B ′ in FIG. In addition, the voltage between points and the voltage between points when a large-level sine wave is input are shown by the two-dot chain lines V AC ″, V BC ″ in Figure 4.
At this time, the transistor Q 5 ,
The emitter current of Q 6 is as shown by two-dot chain lines i A ″ and i B ″ in FIG.

次に本実施例の回路部分8のモノリシツクIC
化につき説明する。
Next, the monolithic IC of circuit section 8 of this embodiment
I will explain about this.

本実施例ではバイアス回路にはPNPトランジ
スタQ13で示す如く1個しか使用しない構成とさ
れている。しかも、このPNPトランジスタQ13
は正方向の入力信号が入来したときにのみ電流が
流れ、その電流は最大で1.5mA程度であり、極め
て小なる値である。前記した如くPNPトランジ
スタはモノリシツクIC化が一般には困難であり、
そのチツプ面積は同一性能のNPNトランジスタ
をモノリシツクIC化したときのチツプ面積に比
し数倍程度大きくなつてしまうが、かかる極めて
小なる値の電流が流れるPNPトランジスタQ13
モノリシツクIC化はさほど困難ではない。従つ
て、本実施例のバイアス回路は従来回路に比し、
IC化が容易な回路構成であるといえる。
In this embodiment, only one PNP transistor Q13 is used in the bias circuit. Moreover, current flows through this PNP transistor Q13 only when a positive direction input signal is received, and the current is approximately 1.5 mA at maximum, which is an extremely small value. As mentioned above, it is generally difficult to make a PNP transistor into a monolithic IC;
The chip area is several times larger than the chip area when an NPN transistor with the same performance is made into a monolithic IC, but it is very difficult to make a PNP transistor Q13 into a monolithic IC through which such an extremely small value of current flows. isn't it. Therefore, compared to the conventional circuit, the bias circuit of this embodiment has
It can be said that the circuit configuration is easy to integrate into an IC.

なお、IC化した場合、トランジスタQ9〜Q15
スレシホールドレベルを高くできるので、無信号
時にトランジスタQ9〜Q15に流れる電流を確実に
略零にすることができる。また、本実施例では出
力段トランジスタが3段ダーリントン接続されて
いるので、これに対応して信号入力時に電流が流
されるトランジスタを3個(すなわちQ9,Q11
びQ13,又はQ12,Q15)としたが、2段ダーリン
トン接続されている回路に対しては、IC基板に
出されているトランジスタQ9のコレクタとエミ
ツタの各端子並びにトランジスタQ10のコレクタ
とエミツタの各端子を夫々シヨートして、バイア
ス電圧の変化特性をパワー出力段の要求する特性
に合致させることができるものである。
Note that when implemented as an IC, the threshold level of the transistors Q 9 to Q 15 can be made high, so that the current flowing through the transistors Q 9 to Q 15 when there is no signal can be reliably reduced to approximately zero. In addition, in this embodiment, three stages of output stage transistors are connected in Darlington, so three transistors (i.e., Q 9 , Q 11 and Q 13 , or Q 12 , Q 15 ), but for a circuit with two-stage Darlington connection, the collector and emitter terminals of transistor Q 9 and the collector and emitter terminals of transistor Q 10 exposed on the IC board should be connected respectively. This allows the bias voltage change characteristics to match the characteristics required by the power output stage.

上述の如く、本発明になるプツシユプル増幅回
路は、複数個のNPN出力段トランジスタのうち
初段の出力段トランジスタのベースを少なくとも
第1の抵抗を介してエミツタホロワを構成する
PNPトランジスタのエミツタに接続すると共に、
第1の抵抗がそのコレクタ・ベース間に接続され
ている第1のNPNトランジスタのコレクタ及び
エミツタホロワを構成するNPNトランジスタの
コレクタに夫々接続し、複数個のPNP出力段ト
ランジスタのうち初段トランジスタのベースをカ
レントミラー回路を構成する複数個のNPNトラ
ンジスタの夫々のエミツタと第2のNPNトラン
ジスタのエミツタと上記エミツタホロワを構成す
るPNPトランジスタのコレクタとに夫々接続し、
カレントミラー回路を構成する複数個のNPNト
ランジスタのベースを少なくとも第2の抵抗を介
してエミツタホロワを構成するNPNトランジス
タのエミツタに接続し、エミツタホロワを構成す
るNPNトランジスタ及びPNPトランジスタの各
ベースを夫々NPN出力段トランジスタ及びPNP
出力段トランジスタのエミツタ出力端子に接続
し、カレントミラー回路を構成するNPNトラン
ジスタのコレクタ出力端を第2のNPNトランジ
スタのベースに接続し、第2の抵抗と抵抗値が略
等しい第3の抵抗がコレクタ・ベース間に接続さ
れている第2のNPNトランジスタのコレクタを
定電圧源用インピーダンス素子を介して第1の
NPNトランジスタのエミツタに接続するように
したため、極めてIC化し易い回路構成とするこ
とができ、しかも入力信号の全サイクルに亘つて
出力段トランジスタを常に順方向にバイアスする
ことができるので、スイツチング歪は皆無で、か
つ、クロスオーバー歪も極めて少ない良好な波形
のプツシユプル出力電圧波形を得ることができ、
またアイドル電流は従来のA級あるいはAB級の
プツシユプル増幅回路のアイドル電流に比し最大
出力定格に関係なく小なる値でよいので、熱損失
が極めて少なく、B級プツシユプル増幅回路に匹
敵する高効率とすることができ、更にバイアス回
路に専用の定電流回路が不要であり、IC化と相
俟つて極めて小型、かつ安価に構成することがで
きる等の数々の特長を有するものである。
As described above, in the push-pull amplifier circuit according to the present invention, the base of the first output stage transistor among the plurality of NPN output stage transistors forms an emitter follower via at least the first resistor.
Connect to the emitter of the PNP transistor and
A first resistor is connected to the collector of the first NPN transistor connected between its collector and base, and to the collector of the NPN transistor constituting the emitter follower, and the base of the first stage transistor of the plurality of PNP output stage transistors is connected to the collector of the first NPN transistor connected between the collector and base of the first resistor. connected to the emitters of each of the plurality of NPN transistors constituting the current mirror circuit, the emitter of the second NPN transistor, and the collector of the PNP transistor constituting the emitter follower, respectively;
The bases of the plurality of NPN transistors forming the current mirror circuit are connected via at least a second resistor to the emitters of the NPN transistors forming the emitter follower, and the bases of the NPN transistors and PNP transistors forming the emitter follower are respectively output as NPN outputs. Stage transistor and PNP
A third resistor is connected to the emitter output terminal of the output stage transistor, the collector output terminal of the NPN transistor constituting the current mirror circuit is connected to the base of the second NPN transistor, and the third resistor has approximately the same resistance value as the second resistor. The collector of the second NPN transistor connected between the collector and base is connected to the first transistor through an impedance element for a constant voltage source.
Since it is connected to the emitter of the NPN transistor, it is possible to create a circuit configuration that is extremely easy to integrate into an IC.Furthermore, the output stage transistor can always be biased in the forward direction throughout the entire cycle of the input signal, so switching distortion can be reduced. It is possible to obtain a good push-pull output voltage waveform with no crossover distortion and very little crossover distortion.
In addition, since the idle current can be smaller than that of conventional class A or class AB push-pull amplifier circuits, regardless of the maximum output rating, heat loss is extremely small and the efficiency is comparable to that of class B push-pull amplifier circuits. Furthermore, the bias circuit does not require a dedicated constant current circuit, and together with the use of an IC, it has many advantages such as being extremely compact and inexpensive.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図及び第2図は夫々従来回路の各例を示す
回路図、第3図は本発明回路の一実施例を示す回
路図、第4図は本発明回路の入力端子と出力端子
との間の電圧波形の一例を示す図、第5図は本発
明回路の出力電流波形の一例を示す図、第6図は
第3図の入力端子と出力端子との間の電圧とエミ
ツタ出力電流との関係などを示す図である。 1,2……入力端子、3,4,6,7……定電
流回路、5……出力端子、8……IC化回路部分、
Q1,Q3,Q5……NPN出力段トランジスタ、Q2
Q4,Q6……PNP出力段トランジスタ、Q7,Q8
…バイアス電圧発生用NPNトランジスタ、Q12
…エミツタホロワを構成するNPNトランジスタ、
Q13……エミツタホロワを構成するPNPトランジ
スタ、Q14,Q15……カレントミラー回路用NPN
トランジスタ。
1 and 2 are circuit diagrams showing respective examples of conventional circuits, FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the circuit of the present invention, and FIG. 4 is a circuit diagram showing an example of the circuit of the present invention. 5 is a diagram showing an example of the output current waveform of the circuit of the present invention, and FIG. 6 is a diagram showing an example of the voltage between the input terminal and the output terminal and the emitter output current of FIG. FIG. 1, 2... Input terminal, 3, 4, 6, 7... Constant current circuit, 5... Output terminal, 8... IC circuit part,
Q 1 , Q 3 , Q 5 ...NPN output stage transistor, Q 2 ,
Q 4 , Q 6 ... PNP output stage transistor, Q 7 , Q 8 ...
…NPN transistor for bias voltage generation, Q 12
...NPN transistor that constitutes the Emitsuta follower,
Q 13 ... PNP transistor forming emitter follower, Q 14 , Q 15 ... NPN for current mirror circuit
transistor.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 複数個のNPN出力段トランジスタと複数個
のPNP出力段トランジスタとよりプツシユプル
増幅出力信号を得るプツシユプル増幅回路におい
て、上記複数個のNPN出力段トランジスタのう
ち初段の出力段トランジスタのベースを少なくと
も第1の抵抗を介してエミツタホロワを構成する
PNPトランジスタのエミツタに接続すると共に、
該第1の抵抗がそのコレクタ・ベース間に接続さ
れている第1のNPNトランジスタのコレクタ及
びエミツタホロワを構成するNPNトランジスタ
のコレクタに夫々接続し、上記複数個のPNP出
力段トランジスタのうち初段の出力段トランジス
タのベースをカレントミラー回路を構成する複数
個のNPNトランジスタの夫々のエミツタと第2
のNPNトランジスタのエミツタと該エミツタホ
ロワを構成するPNPトランジスタのコレクタと
に夫々接続し、該カレントミラー回路を構成する
複数個のNPNトランジスタのベースを少なくと
も第2の抵抗を介して該エミツタホロワを構成す
るNPNトランジスタのエミツタに接続し、該エ
ミツタホロワを構成するNPNトランジスタ及び
PNPトランジスタの各ベースを夫々上記NPN出
力段トランジスタ及びPNP出力段トランジスタ
のエミツタ出力端子に接続し、該カレントミラー
回路を構成するNPNトランジスタのコレクタ出
力端を該第2のNPNトランジスタのベースに接
続し、該第2の抵抗と抵抗値が略等しい第3の抵
抗がコレクタ・ベース間に接続されている該第2
のNPNトランジスタのコレクタを定電圧源用イ
ンピーダンス素子を介して該第1のNPNトラン
ジスタのエミツタに接続してなり、無信号時は該
第1及び第2の抵抗、該エミツタホロワを構成す
るNPNトランジスタ及びPNPトランジスタ並び
に該カレントミラー回路を構成する複数個の
NPNトランジスタに流れる電流を略零として該
第1のNPNトランジスタのコレクタと該第2の
NPNトランジスタのエミツタとの間に発生させ
たバイアス電圧によりアイドル電流を流し、該第
1のNPNトランジスタのコレクタ及び該第2の
NPNトランジスタのエミツタのいずれか一方又
は両方に印加される入力信号を増幅するよう構成
したことを特徴とするプツシユプル増幅回路。
1. In a push-pull amplifier circuit that obtains a push-pull amplified output signal from a plurality of NPN output stage transistors and a plurality of PNP output stage transistors, the base of the first output stage transistor of the plurality of NPN output stage transistors is connected to at least the first output stage transistor. Configure an emitsuta follower through the resistance of
Connect to the emitter of the PNP transistor and
The first resistor is connected to the collector of the first NPN transistor connected between its collector and base, and to the collector of the NPN transistor constituting the emitter follower, and the output of the first stage of the plurality of PNP output stage transistors is connected to the collector of the first NPN transistor connected between the collector and the base thereof. The base of the stage transistor is connected to the emitter of each of the plurality of NPN transistors constituting the current mirror circuit.
The emitter of the NPN transistor forming the emitter follower is connected to the collector of the PNP transistor forming the emitter follower, and the bases of the plurality of NPN transistors forming the current mirror circuit are connected via at least a second resistor to the NPN forming the emitter follower. an NPN transistor connected to the emitter of the transistor and forming the emitter follower;
Each base of the PNP transistor is connected to the emitter output terminal of the NPN output stage transistor and the PNP output stage transistor, respectively, and the collector output terminal of the NPN transistor constituting the current mirror circuit is connected to the base of the second NPN transistor. , a third resistor having substantially the same resistance value as the second resistor is connected between the collector and the base.
The collector of the NPN transistor is connected to the emitter of the first NPN transistor through an impedance element for a constant voltage source, and when there is no signal, the first and second resistors, the NPN transistor constituting the emitter follower, and PNP transistors and multiple components constituting the current mirror circuit
The collector of the first NPN transistor and the second
An idle current is caused to flow between the collector of the first NPN transistor and the collector of the second NPN transistor by a bias voltage generated between the emitter of the NPN transistor and the emitter of the NPN transistor.
A push-pull amplifier circuit characterized in that it is configured to amplify an input signal applied to one or both emitters of an NPN transistor.
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