JPS6362315B2

JPS6362315B2 -

Info

Publication number: JPS6362315B2
Application number: JP58157087A
Authority: JP
Priority date: 1983-08-30
Filing date: 1983-08-30
Publication date: 1988-12-01
Also published as: JPS6049859A

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、特定のフツ素化合物を含む半田用フ
ラツクスの這上り防止剤に関する。プリント基板に各種部品を半田付けしたり、
ICをICソケツトに半田付けする場合等において
は、予めフラツクス処理をして半田の接着性を向
上させることが行なわれている。フラツクス中に
は酸性成分が含まれているため、フラツクスが半
田付け部分以外の不必要な部分に接触すると、腐
食の原因となり好ましくない。このため、フラツ
クス処理は必要とする部分だけに行なわれるよう
に、極めて慎重な配慮が必要であり、半田処理自
動化を妨げる大きな要因となつている。又、電子
部品においては、スルホール部での半田付けが多
いが、フラツクスはこのスルホール部から電子部
品内部に浸透しやすく、いわゆるフラツクスの這
上りを防止する方法が必要とされている。本発明は、このような半田用フラツクスの這上
りを防止する目的で見い出されたものであり、炭
素数４〜21個のポリフルオロアルキル基又はポリ
フルオロエーテル基を含有する化合物を含むこと
を特徴とする半田用フラツクスの這上り防止剤に
関するものである。炭素数４〜21個のポリフルオロアルキル基又
は、ポリフルオロエーテル基（以下、単にR_f基
と略記する。）を含有する化合物としては、下記
一般式（）で表わされる化合物（以下化合物
という）、又はR_f基を含有する不飽和エステルの
単独重合体あるいは異なるR_f基を含有する不飽
和エステル同志の共重合体（以下化合物とい
う）、又はR_f基を含有する不飽和エステルと他の
共重合し得る化合物との共重合体（以下化合物
という）等が好適である。〔R_fＡ（Ｘ）_o〕_nＺ ……（）上記、一般式（）において、R_fは炭素数４
〜21個の直鎖状又は分岐状のポリフルオロアルキ
ル基、又は炭素数４〜21個のポリフルオロエーテ
ル基である。末端部に水素原子や塩素原子を含ん
でいてもよいが、R_fとして好ましいものは、直
鎖状のパーフルオロアルキル基、又はパーフルオ
ロポリエーテル基である。Ａは、CO、SO₂、
COO又はｐが０〜10の（―CH₂）―_p、（―CH₂）―_pＯで
ある。Ｘは、NR¹C₂H₄O、Ｎ（C₂H₄O）₂、

【式】COO、NR¹（CH₂）_qNR²C₂H₄O、

【式】

【式】（―C₂H₄O）―_q 又は（―C₃H₆O）―_qであり、ｑは１〜10、R¹、R²
はＨ、アルキル基、又はアリール基である。ｎは
０又は１であり、ｎ＝０によりＸが存在しなくと
もよい。ｍは１〜４であり、ｍによりＺは１〜４
価の有機基となり得る。そのＺとしては、NR¹
（C₂H₄N）_qR¹、NR¹（C₃H₆N）_qR¹、Ｈ、SH、Ｐ
（Ｏ）（OH）_o、CONH（CH₂）_qNHCO、

【式】NR¹R²、OC（CH₂）_q CO、

【式】又はである。ここで、ｑ＝１〜10、ｎ＝０又は１、
R¹、R²はＨ、アルキル基又はアリール基である。化合物又は化合物を生成する炭素数４〜21
個のポリフルオロアルキル基又はポリフルオロエ
ーテル基を含有する不飽和エステルとしては、特
に限定されるものではないが、例えば下記のアク
リレート又はメタクリレートが好ましい。 CF₃（CF₂）₄CH₂OCOC（CH₃）＝CH₂ CF₃（CF₂）₆（CH₂）₂OCOC（CH₃）＝CH₂ CF₃（CF₂）₆COOCH＝CH₂ CF₃（CF₂）₇CH₂CH₂OCOCH＝CH₂ CF₃（CF₂）₇SO₂N（C₃H₇）（CH₂）₂OCOCH＝CH₂ CF₃（CF₂）₇（CH₂）₄OCOCH＝CH₂ CF₃（CF₂）₇SO₂N（CH₃）（CH₂）₂OCOC（CH₃）＝
CH₂ CF₃（CF₂）₇SO₂N（C₂H₅）（CH₂）₂OCOCH＝CH₂ CF₃（CF₂）₇CONH（CH₂）₂OCOCH＝CH₂ CF₃（CF₂）₈（CH₂）₂OCOCH＝CH₂ CF₃（CF₂）₈（CH₂）₂OCOC（CH₃）＝CH₂ CF₃（CF₂）₈CONH（CH₂）₂OCOC（CH₃）＝CH₂ Ｈ（CF₂）₁₀CH₂OCOCH＝CH₂ CF₂Cl（CF₂）₁₀CH₂OCOC（CH₃）＝CH₂ C₃F₇OCFCF₃COOC₂H₄NHCOCH＝CH₂ C₃F₇O（C₃F₆O）₂CFCF₃COOC₂H₄NHCOCH＝
CH₂ 前記不飽和エステルと共重合し得る化合物とし
ては、本発明の作用効果を阻害しない限り、広範
囲に選択可能である。例えば、エチレン、酢酸ビ
ニル、塩化ビニル、弗化ビニル、ハロゲン化ビニ
リデン、スチレン、α―メチルスチレン、ｐ―メ
チルスチレン、アクリル酸とそのアルキルエステ
ル、メタクリル酸そのアルキルエステル、ポリ
（オキシアルキレン）アクリレート、ポリ（オキ
シアルキレン）メタクリレート、アクリルアミ
ド、メタクリルアミド、ジアセトンアクリルアミ
ド、メチロール化ジアセトンアクリルアミド、Ｎ
―メチロールアクリルアミド、ビニルアルキルエ
ーテル、ハロゲン化アルキルビニルエーテル、ビ
ニルアルキルケトン、ブタジエン、イソプレン、
クロロプレン、グリシジルアクリレート、ベンジ
ルメタクリレート、ベンジルアクリレート、シク
ロヘキシルアクリレート、無水マレイン酸、アジ
リジニルアクリレート又はメタクリレート、Ｎ―
ビニルカルバゾールのごときパーフルオロアルキ
ル基を含まない重合し得る化合物の一種又は二種
以上を、共重合体の構成単位として共重合させる
ことが可能である。これらの共重合成分のポリフ
ルオロアルキル基又はポリフルオロポリエーテル
基を含有する不飽和エステルに対する共重合割合
は、通常１〜70重量％、特に10〜50重量％が適当
である。又、本発明の化合物、化合物を得るために
は、原料の重合し得る化合物を、適当な有機溶媒
に溶かし、重合開始源（使用する有機溶剤に溶け
る過酸化物、アゾ化合物あるいは電離性放射線な
ど）の作用により、溶液重合させる方法が通常採
用される。溶液重合に好適な溶剤は、トルエン、
酢酸エチル、イソプロピルアルコール、１，１，
２―トリクロロ―１，２，２―トリフルオロエタ
ン、テトラクロルジフルオロエタン、メチルクロ
ロホルム等である。本発明における、前記化合物、、はそれ
ぞれ単独で用いても良く、又は二種以上の混合物
としても使用し得る。化合物、、三種の混
合物の場合には、這上り防止性能及び原料の入手
容易性等の理由から化合物を主体とすることが
好ましい。本発明の半田用フラツクスの這上り防
止剤におけるフツ素含有率は、少なくとも20重量
％以上、好ましくは50重量％以上のフツ素を含有
していることが適当である。本発明の這上り防止
剤は、水に分散させたもの、あるいは有機溶剤中
に分散又は溶解させたものを、非半田面特に、フ
ラツクスが這上りやすい部分にスプレーしたり、
刷毛塗りしたり、かかる分散液や溶液中に非半田
面を浸漬することにより、処理できる。有機溶剤
としては、アセトン、メチルエチルケトンなどの
ケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソア
ミル等のエステル類、ジエチルエーテル、ジオキ
サン等のエーテル類、メチルクロロホルム、トリ
クロロエチレン、テトラクロロエチレン、テトラ
クロロジフルオロエタン、１，１，２―トリクロ
ロ―１，２，２―トリフルオロエタン、メタキシ
レンヘキサフルオライド等のハロゲン化炭化水素
類の１種又は２種以上の混合物が採用され得る。
かかる溶液中にジクロロジフルオロメタン、モノ
フルオロトリクロロエタン、ジクロロテトラフル
オロエタン等の噴射剤を添加して適当な容器に充
填すれば、スプレー処理ができ、処理後、直ちに
乾燥し、這上り防止性を発揮し得る。溶剤中又は
水中の本願這上り防止剤の配合量は、通常0.01〜
10重量％、好ましくは0.1〜２重量％である。以下、本発明の実施例について、さらに説明す
る。実施例下記フツ素化合物を１，１，２―トリフルオロ
―１，２，２―トリクロロエタンにそれぞれ溶解
し、１重量％溶液を作成した。この溶液をプリン
ト基板の非半田面に塗布し、常温で乾燥させた。
容器に約２mmの深さまでフラツクスを入れ、その
上にこのプリント基板を乗せ１分間放置した。１
分後にプリント基板のスルホールを通してフラツ
クスが這上つたかどうかを目視で判定する。結果
を第１表に示す。

【表】良；全くフラツクスが這上らない
不良；フラツクスが這上る。

Claims

【特許請求の範囲】

１炭素数４〜21個のポリフルオロアルキル基又
はポリフルオロエーテル基を含有する化合物を含
むことを特徴とする半田用フラツクスの這上り防
止剤。