JPS6366911B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6366911B2 JPS6366911B2 JP60289229A JP28922985A JPS6366911B2 JP S6366911 B2 JPS6366911 B2 JP S6366911B2 JP 60289229 A JP60289229 A JP 60289229A JP 28922985 A JP28922985 A JP 28922985A JP S6366911 B2 JPS6366911 B2 JP S6366911B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shelf
- stacked
- processed
- support
- vacuum container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はドライエツチング装置に係り、特に積
層棚に積層した被処理物を均一に加熱することを
可能としたドライエツチング装置に関する。
層棚に積層した被処理物を均一に加熱することを
可能としたドライエツチング装置に関する。
従来の一般なドライエツチング装置において
は、SiO2やレジストの塗布された被処理物をエ
ツチングする場合には、高温中でないとエツチン
グしにくいので、被処理物を加熱しながらエツチ
ングを行なうようにしている。
は、SiO2やレジストの塗布された被処理物をエ
ツチングする場合には、高温中でないとエツチン
グしにくいので、被処理物を加熱しながらエツチ
ングを行なうようにしている。
この被処理物の加熱手段としては、第５図に示
すように真空容器１の内部に被処理物２を積層し
た積層棚３を収容し、上記真空容器１の外周面に
ヒータ４を巻設して、上記ヒータ４により真空容
器１を加熱するようにしたものや、第６図に示す
ように、真空容器１の下面にヒータ５を埋設し、
平板状の被処理物２を内部に配置して、真空容器
１を上記ヒータ５で加熱するようにしたもの、更
に、第７図に示すように、真空容器１の内部にハ
ロゲンランプ６を配設し、このランプ６により被
処理物２を加熱するもの等が一般に知られてい
た。
すように真空容器１の内部に被処理物２を積層し
た積層棚３を収容し、上記真空容器１の外周面に
ヒータ４を巻設して、上記ヒータ４により真空容
器１を加熱するようにしたものや、第６図に示す
ように、真空容器１の下面にヒータ５を埋設し、
平板状の被処理物２を内部に配置して、真空容器
１を上記ヒータ５で加熱するようにしたもの、更
に、第７図に示すように、真空容器１の内部にハ
ロゲンランプ６を配設し、このランプ６により被
処理物２を加熱するもの等が一般に知られてい
た。
しかし、上記第５図および第７図に示すような
加熱手段では、真空容器１の内部の位置によつて
加熱温度に差があり、被処理物２を均一に加熱す
ることができないという問題点を有していた。こ
のため、被処理物２の不均一な加熱により、被処
理物２の均一なエツチングを行なうことが一般に
かなり困難であつた。
加熱手段では、真空容器１の内部の位置によつて
加熱温度に差があり、被処理物２を均一に加熱す
ることができないという問題点を有していた。こ
のため、被処理物２の不均一な加熱により、被処
理物２の均一なエツチングを行なうことが一般に
かなり困難であつた。
この点第６図に示す加熱手段は、比較的被処理
物２を均一に加熱することができるが、被処理物
２の処理枚数が限定されてしまい、処埋枚数を増
やすためには、真空容器１を大型化しなければな
らないという問題点を有していた。
物２を均一に加熱することができるが、被処理物
２の処理枚数が限定されてしまい、処埋枚数を増
やすためには、真空容器１を大型化しなければな
らないという問題点を有していた。
本発明は上記に鑑み、真空容器を大型にするこ
となく、被処理物を均一に加熱することにより均
一なエツチングを行なうことのできるドライエツ
チング装置を提供することを目的とする。
となく、被処理物を均一に加熱することにより均
一なエツチングを行なうことのできるドライエツ
チング装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に係るドライ
エツチング装置は、真空容器内部に被処理物を配
置し、エツチングガスを送りながらプラズマを発
生させてエツチングを行なうようにしたドライエ
ツチング装置において、真空容器の内部に夫々回
転自在で異なる電極を備えた支持台及び電源シヤ
フトを配置するとともに、この支持台の上面に被
処理物を多段に積層する積層棚を載置して、この
積層棚を構成する一の支持板と上記支持台とを、
他の一の支持板と電源シヤフトとを互いに絶縁状
態で夫々接触させ、上記積層棚に積層する各被処
理物の間に位置して、上記各電通した支持板と
夫々電気的に接続する端子を周縁から２方向に突
設したプレートヒータを、該端子を支持板に夫々
電気的に接続させて該積層棚に配設したものであ
る。
エツチング装置は、真空容器内部に被処理物を配
置し、エツチングガスを送りながらプラズマを発
生させてエツチングを行なうようにしたドライエ
ツチング装置において、真空容器の内部に夫々回
転自在で異なる電極を備えた支持台及び電源シヤ
フトを配置するとともに、この支持台の上面に被
処理物を多段に積層する積層棚を載置して、この
積層棚を構成する一の支持板と上記支持台とを、
他の一の支持板と電源シヤフトとを互いに絶縁状
態で夫々接触させ、上記積層棚に積層する各被処
理物の間に位置して、上記各電通した支持板と
夫々電気的に接続する端子を周縁から２方向に突
設したプレートヒータを、該端子を支持板に夫々
電気的に接続させて該積層棚に配設したものであ
る。
以下、本発明の実施例を第１図乃至第４図を参
照し、第５図乃至第７図と同一部分には同一符号
を付して説明する。
照し、第５図乃至第７図と同一部分には同一符号
を付して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すもので、真空
容器１の内部には、被処理物２を水平に多段に積
層する積層棚７が配設され、上記真空容器１の側
面には、エツチングガスを真空容器１内に導入す
るためのガス導入管８および図示しない真空ポン
プに接続されたガス排出管９それぞれ対向して設
けられている。
容器１の内部には、被処理物２を水平に多段に積
層する積層棚７が配設され、上記真空容器１の側
面には、エツチングガスを真空容器１内に導入す
るためのガス導入管８および図示しない真空ポン
プに接続されたガス排出管９それぞれ対向して設
けられている。
この積層棚７は、下面にシヤフト１０が取付け
られた支持台１１上に載置されており、上記シヤ
フト１０の端部は真空容器１の下面を貫通してモ
ータ１２にベルト１３を介して接続され、これに
よりエツチング中に支持台１１を介して積層棚７
が回転するようなされている。
られた支持台１１上に載置されており、上記シヤ
フト１０の端部は真空容器１の下面を貫通してモ
ータ１２にベルト１３を介して接続され、これに
よりエツチング中に支持台１１を介して積層棚７
が回転するようなされている。
また、上記シヤフト１０の内側には、このシヤ
フト１０と電気的に絶縁された電気供給用の電源
シヤフト１４が嵌挿されており、この電源シヤフ
ト１４の下端部には、電源１５の一方の電極に接
続されたブラシ１６が接触している。この電源シ
ヤフト１４は、外側のシヤフト１０とともに回転
し、上記ブラシ１６により電源シヤフト１４の回
転時でも電源を供給できるようなされている。
フト１０と電気的に絶縁された電気供給用の電源
シヤフト１４が嵌挿されており、この電源シヤフ
ト１４の下端部には、電源１５の一方の電極に接
続されたブラシ１６が接触している。この電源シ
ヤフト１４は、外側のシヤフト１０とともに回転
し、上記ブラシ１６により電源シヤフト１４の回
転時でも電源を供給できるようなされている。
また、上記積層棚７は、１側面が開口され残り
の３側面に支持板１７を有し、この支持板１７の
内側面には、第２図に示すように、所定間隔をも
つて支持溝１８，１８…が形成されており、この
支持溝１８は、被処理物２を多段に積層するとと
もに、この各被処理物２の間にアルミ製のプレー
トヒータ１９，１９…を載置するためのもので、
これにより各被処理物２をプレートヒータ１９に
より仕切るようになされている。
の３側面に支持板１７を有し、この支持板１７の
内側面には、第２図に示すように、所定間隔をも
つて支持溝１８，１８…が形成されており、この
支持溝１８は、被処理物２を多段に積層するとと
もに、この各被処理物２の間にアルミ製のプレー
トヒータ１９，１９…を載置するためのもので、
これにより各被処理物２をプレートヒータ１９に
より仕切るようになされている。
上記プレートヒータ１９は、第３図および第４
図に示すように、アルミ基板２０の表面を研磨、
脱脂後、エツチングガスの影響を受けないフツ素
樹脂２１を癒着する。このフツ素樹脂２１上に平
板発熱体２２を加圧して押し込み、さらに、その
上からフツ素樹脂２１を癒着することにより形成
されている。
図に示すように、アルミ基板２０の表面を研磨、
脱脂後、エツチングガスの影響を受けないフツ素
樹脂２１を癒着する。このフツ素樹脂２１上に平
板発熱体２２を加圧して押し込み、さらに、その
上からフツ素樹脂２１を癒着することにより形成
されている。
上記プレートヒータ１９の平板発熱体２２は、
該プレートヒータ１９の外部に取り出された一対
の端子２３，２３を有しており、この端子２３，
２３は、それぞれ電気的に絶縁された上記積層棚
７を構成する２つの支持板１７，１７に接続され
ている。そして、上記各支持板１７，１７の一方
は、上記電源１５の一方の電極に電気的に接続さ
れた電源シヤフト１４の上端面に接触されるとと
もに、他方は電源１５の他方の電極に電気的に接
続された上記支持台１１に接触されており、これ
により、この電源１５から供給される電気が、電
源シヤフト１４および支持台１１を介してプレー
トヒータ１９内を流れるようになされている。
該プレートヒータ１９の外部に取り出された一対
の端子２３，２３を有しており、この端子２３，
２３は、それぞれ電気的に絶縁された上記積層棚
７を構成する２つの支持板１７，１７に接続され
ている。そして、上記各支持板１７，１７の一方
は、上記電源１５の一方の電極に電気的に接続さ
れた電源シヤフト１４の上端面に接触されるとと
もに、他方は電源１５の他方の電極に電気的に接
続された上記支持台１１に接触されており、これ
により、この電源１５から供給される電気が、電
源シヤフト１４および支持台１１を介してプレー
トヒータ１９内を流れるようになされている。
なお、上記プレートヒータ１９は、アルミ基板
２０の上面に直接平板発熱体２２を固着するよう
にしてもよい。
２０の上面に直接平板発熱体２２を固着するよう
にしてもよい。
本実施例においては、積層棚７の上面に被処理
物２を積層し、ガス排出管９を介して真空容器１
の真空排気を行なう。その後、ガス導入管８によ
りCF4等のエツチングガスを送り、真空容器１内
を所定圧力のガス雰囲気とし、図示しない放電管
に高周波出力を印加することによりガスプラズマ
を発生させる。そして、このガスプラズマの発生
によりエツチングガスとしてのフツ素ラジカルが
生成され、真空容器１内の被処理物２のエツチン
グを行なうのである。
物２を積層し、ガス排出管９を介して真空容器１
の真空排気を行なう。その後、ガス導入管８によ
りCF4等のエツチングガスを送り、真空容器１内
を所定圧力のガス雰囲気とし、図示しない放電管
に高周波出力を印加することによりガスプラズマ
を発生させる。そして、このガスプラズマの発生
によりエツチングガスとしてのフツ素ラジカルが
生成され、真空容器１内の被処理物２のエツチン
グを行なうのである。
このとき、モータ１２の駆動により、シヤフト
１０を介して支持台１１とともに積層棚７が回転
し、かつ供給電源１５により平板発熱体２２へ通
電してプレートヒータ１９を発熱させる。
１０を介して支持台１１とともに積層棚７が回転
し、かつ供給電源１５により平板発熱体２２へ通
電してプレートヒータ１９を発熱させる。
したがつて、上記プレートヒータ１９により各
被処理物２が均一に加熱され、しかも、上記プレ
ートヒータ１９が、エツチング時に生じる輻射熱
を遮断する機能を有するので、被処理物２の不均
一な加熱によるエツチングの不均一性を確実に除
去することができる。また、プレートヒータ１９
への電源供給を、電源に接続された支持台１１お
よび電源シヤフト１４に、それぞれプレートヒー
タ１９の端子２３，２３が接続された積層棚７の
支持板１７，１７を接触させることにより行なう
ので、積層棚７を支持台１１上に載置するだけで
よく、余計な配線作業が不要となる。
被処理物２が均一に加熱され、しかも、上記プレ
ートヒータ１９が、エツチング時に生じる輻射熱
を遮断する機能を有するので、被処理物２の不均
一な加熱によるエツチングの不均一性を確実に除
去することができる。また、プレートヒータ１９
への電源供給を、電源に接続された支持台１１お
よび電源シヤフト１４に、それぞれプレートヒー
タ１９の端子２３，２３が接続された積層棚７の
支持板１７，１７を接触させることにより行なう
ので、積層棚７を支持台１１上に載置するだけで
よく、余計な配線作業が不要となる。
なお、上記被処理物２は、プレートヒータ１９
上に直接載置するようにしてもよいし、プレート
ヒータ１９の形状、個数あるいは向きは、被処理
物２を均一に加熱することができるのであれば、
いずれも上記実施例のものに限定されるものでは
ない。
上に直接載置するようにしてもよいし、プレート
ヒータ１９の形状、個数あるいは向きは、被処理
物２を均一に加熱することができるのであれば、
いずれも上記実施例のものに限定されるものでは
ない。
本発明は上記のような構成であるので、非処理
物を積層棚に積層することにより、真空容器を大
型化する必要をなくして、しかも被処理物を均一
に加熱することができる。
物を積層棚に積層することにより、真空容器を大
型化する必要をなくして、しかも被処理物を均一
に加熱することができる。
また、多段に積層された被処理物のエツチング
の均一性を損なう要因である輻射熱を、プレート
ヒータにより遮断することができるので、エツチ
ングの均一性が極めて良好となる。
の均一性を損なう要因である輻射熱を、プレート
ヒータにより遮断することができるので、エツチ
ングの均一性が極めて良好となる。
更に、積層棚を回転させつつ確実にこの内部に
載置したプレートヒータに電源を供給して、これ
を加熱させることができるとともに、積層棚を支
持台に載置するだけでこの電源の供給が行われる
ので、この取扱いが極めて容易であるといつた効
果がある。
載置したプレートヒータに電源を供給して、これ
を加熱させることができるとともに、積層棚を支
持台に載置するだけでこの電源の供給が行われる
ので、この取扱いが極めて容易であるといつた効
果がある。
第１図乃至第４図は本発明の一実施例を示すも
ので、第１図は概略構成図、第２図は積層棚部分
の縦断面図、第３図はプレートヒータの平面図、
第４図はプレートヒータの縦断面図、第５図、第
６図および第７図は従来の夫々異なる被処理物の
加熱手段を示す概略構成図である。 １……真空容器、２……被処理物、３，７……
積層棚、１０……シヤフト、１１……支持台、１
２……モータ、１４……電源シヤフト、１６……
ブラシ、１７……支持板、１９……プレートヒー
タ、２０……アルミ基板、２１……フツ素樹脂、
２２……平板発熱体、２３……端子。
ので、第１図は概略構成図、第２図は積層棚部分
の縦断面図、第３図はプレートヒータの平面図、
第４図はプレートヒータの縦断面図、第５図、第
６図および第７図は従来の夫々異なる被処理物の
加熱手段を示す概略構成図である。 １……真空容器、２……被処理物、３，７……
積層棚、１０……シヤフト、１１……支持台、１
２……モータ、１４……電源シヤフト、１６……
ブラシ、１７……支持板、１９……プレートヒー
タ、２０……アルミ基板、２１……フツ素樹脂、
２２……平板発熱体、２３……端子。
Claims (1)
- １ 真空容器内部に被処理物を配置し、エツチン
グガスを送りながらプラズマを発生させてエツチ
ングを行なうようにしたドライエツチング装置に
おいて、真空容器の内部に夫々回転自在で異なる
電極を備えた支持台及び電源シヤフトを配置する
とともに、この支持台の上面に被処理物を多段に
積層する積層棚を載置して、この積層棚を構成す
る一の支持板と上記支持台とを、他の一の支持板
と電源シヤフトとを互いに絶縁状態で夫々接触さ
せ、上記積層棚に積層する各被処理物の間に位置
して、上記各電通した支持板と夫々電気的に接続
する端子を周縁から２方向に突設したプレートヒ
ータを、該端子を支持板に夫々電気的に接続させ
て該積層棚に配設したことを特徴とするドライエ
ツチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28922985A JPS62149891A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | ドライエツチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28922985A JPS62149891A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | ドライエツチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62149891A JPS62149891A (ja) | 1987-07-03 |
| JPS6366911B2 true JPS6366911B2 (ja) | 1988-12-22 |
Family
ID=17740456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28922985A Granted JPS62149891A (ja) | 1985-12-24 | 1985-12-24 | ドライエツチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62149891A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5741374A (en) * | 1980-08-25 | 1982-03-08 | Hitachi Ltd | Sample mounting and dismounting device in plasma etching device or resembling device |
-
1985
- 1985-12-24 JP JP28922985A patent/JPS62149891A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62149891A (ja) | 1987-07-03 |
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