Deprecated: The each() function is deprecated. This message will be suppressed on further calls in /home/zhenxiangba/zhenxiangba.com/public_html/phproxy-improved-master/index.php on line 456
JPS6367848B2 - - Google Patents
[go: Go Back, main page]

JPS6367848B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6367848B2
JPS6367848B2 JP56200928A JP20092881A JPS6367848B2 JP S6367848 B2 JPS6367848 B2 JP S6367848B2 JP 56200928 A JP56200928 A JP 56200928A JP 20092881 A JP20092881 A JP 20092881A JP S6367848 B2 JPS6367848 B2 JP S6367848B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
inspected
comparison
pattern data
patterns
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56200928A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS58102139A (en
Inventor
Keiichi Okamoto
Mitsuzo Nakahata
Nobuhiko Aoki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP56200928A priority Critical patent/JPS58102139A/en
Publication of JPS58102139A publication Critical patent/JPS58102139A/en
Publication of JPS6367848B2 publication Critical patent/JPS6367848B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一構成要素としての比較・欠陥判定
回路を自己診断し得るように構成されたパターン
検査装置に係り、特に自己診断機能を具備したマ
スク検査装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a pattern inspection device configured to self-diagnose a comparison/defect determination circuit as one component, and particularly relates to a mask inspection device equipped with a self-diagnosis function. be.

第1図は従来技術に係るマスク検査装置を示し
たものであるが、これによる場合被検査マスク1
におけるパターンを使用して装置自体の性能を確
認する、といつた具合に他に適当な確認方法がな
かつたことから、性能不良あるいは性能悪化の原
因の究明は困難を極めていたのが実状である。
FIG. 1 shows a mask inspection apparatus according to the prior art.
In reality, it was extremely difficult to investigate the cause of poor performance or performance deterioration because there was no other suitable method of checking the performance of the device itself, such as using the pattern of .

即ち、従来にあつては被検査マスク1における
対応するチツプパターン同志を対物光学系2,
2′、パターン検査器(2値化回路と一体構成)
3,3′を用い2系統時系列2値化パターンデー
タとして得、この時系列2値化パターンデータを
コンピユータ6を用い比較回路4、欠陥判定回路
5で処理することによりマスクパターンの欠陥有
無を判定していたものである。一般に被検査マス
ク1にはICチツプ等のマスクパターンがパター
ン形状同一として繰り返し縦、、横に配列されて
いるが、マスクパターンの欠陥は転写時のみなら
ず搬送途中でも生じるようになつている。第2図
は正常なマスクパターンと欠陥マスクパターンの
例をいくつか示すが、一般に同一形状の欠陥が他
のマスクパターンでの同一部分に発生する確率は
殆んどゼロであることから、同一パターンとされ
る、相異なるマスクパターン同志を比較すること
によつてその差異より欠陥を検出し得るものであ
る。
That is, in the past, corresponding chip patterns on the mask 1 to be inspected were detected by the objective optical system 2,
2', pattern inspection device (integrated with binarization circuit)
3 and 3' are used to obtain two systems of time-series binary pattern data, and this time-series binary pattern data is processed by a comparison circuit 4 and a defect determination circuit 5 using a computer 6 to determine the presence or absence of defects in the mask pattern. That was what was being judged. Generally, on the mask 1 to be inspected, mask patterns such as IC chips are repeatedly arranged vertically and horizontally with the same pattern shape, but defects in the mask patterns occur not only during transfer but also during transportation. Figure 2 shows some examples of normal mask patterns and defective mask patterns. Generally speaking, since the probability that a defect with the same shape will occur in the same part of another mask pattern is almost zero, By comparing different mask patterns, defects can be detected from the differences.

ところで従来より行なわれているマスクパター
ンの欠陥検出は2値化パターンデータの対応する
ビツトデータ同志を単に排他的論理和ゲートなど
を用いて比較するといつたものではなく、被検査
マスクパターン同志の相対的な位置決め誤差、あ
るいは重ね合せ誤差をもある程度許容した状態で
行なうようになつている。相対的な位置決め誤
差、あるいは重ね合せ誤差を許容した欠陥検出方
法は既に公知であり、例えば特開昭50−131469号
公報に開示されているところである。第3図はそ
のような欠陥検出原理を示したものである。比較
されるパターン7,7′同志は重ね合せ誤差大を
もつて位置合せされているが、重ね合せ誤差大の
許容範囲を逸脱するパターン8が存する場合に
は、欠陥有として検出するようになつているもの
である。
By the way, conventional mask pattern defect detection is not just a matter of comparing corresponding bit data of binary pattern data using an exclusive OR gate, but a comparison of the mask patterns to be inspected. This is done while allowing a certain degree of positioning error or overlay error. A defect detection method that allows relative positioning errors or overlay errors is already known, and is disclosed, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 131469/1983. FIG. 3 shows the principle of such defect detection. Patterns 7 and 7' to be compared are aligned with a large overlay error, but if there is a pattern 8 that deviates from the tolerance range for a large overlay error, it is detected as defective. It is something that

このような欠陥検出方法を採用したマスク検査
装置における比較・欠陥判定回路は単純なもので
はなく極めて複雑な回路構成となるわけである
が、問題はこの種装置が一般に高速大規模電子回
路、精密機械系および光学系よりなり、検査性能
の不良または悪化の原因を究明することが一般に
困難であるということである。従来にあつては装
置自体の性能を確認するには被検査マスクにおけ
るマスクパターンを実際に使用する以外なく、そ
の性能の不良または悪化の原因が比較・欠陥判定
用の電子回路系に存するものか、光学系や機械系
に存するものかが容易に判断し得ずこれがために
装置のデバツグ性や保守性は良好でなかつたとい
うものである。
The comparison/defect judgment circuit in mask inspection equipment that employs this defect detection method is not simple but has an extremely complex circuit configuration. It consists of a mechanical system and an optical system, and it is generally difficult to investigate the cause of defective or deteriorating inspection performance. Conventionally, the only way to confirm the performance of the device itself is to actually use the mask pattern on the mask to be inspected, and to check whether the cause of the poor or deteriorating performance lies in the electronic circuit system for comparison and defect determination. It was not easy to determine whether the problem existed in the optical system or the mechanical system, and as a result, the debugging and maintainability of the device was poor.

よつて本発明の目的は、検査性能の不良や悪化
の原因が比較・欠陥判定回路系に存するか否かが
少なくとも究明可とされた、自己診断機能を具備
したパターン検査装置を供するにある。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, it is an object of the present invention to provide a pattern inspection device equipped with a self-diagnosis function that can at least ascertain whether or not the cause of defective or deteriorating inspection performance lies in the comparison/defect determination circuit system.

この目的のため本発明は、コンピユータより適
当に作成された診断用パターンデータにもとずき
比較・欠陥判定回路の機能がチエツクされるべく
構成したものである。
For this purpose, the present invention is constructed so that the function of the comparison/defect determination circuit is checked based on diagnostic pattern data appropriately created by a computer.

以下、本発明を第4図、第5図により説明す
る。
The present invention will be explained below with reference to FIGS. 4 and 5.

第4図は本発明に係るマスク検査装置の一例で
の構成を被検査マスク1および照明系15ととも
に示したものである。図示の如く第1図に示すも
のと実質的に異なるところはコンピユータ6より
切替スイツチ11,11′、パターンメモリ10,
10′、切替スイツチ12,12′を介し比較・欠
陥判定回路9に直接2値化パターンデータが診断
用として与え得るようになつていることである。
通常切替スイツチ11,11′,12,12′は図
示の如くにあり、対物光学系2,2′、パターン
検出器13,13′、2値化回路14,14′から
の、即ち、被検査マスク1より得られる2値化パ
ターンデータを比較・欠陥判定回路9によつて比
較し、欠陥判定処理するようになつている。しか
し、装置のデバツグ時、または保守時には切替ス
イツチ11,11′,12,12′は点線表示の如
くに切替され、コンピユータ6からの診断用2値
化パターンデータを比較し、欠陥判定処理するよ
うになつているものである。診断用2値化パター
ンデータは必ずしもコンピユータ6より与える必
要はないが、コンピユータ6が既存のものである
場合にはそれを利用した方が都合がよいというも
のである。コンピユータ6より与えられる診断用
2値化パターンデータはまたオフラインで作成
し、一旦記憶装置に格納されたものを用いてもよ
いが、後述するように光学系や機械系の診断時に
得られるものを利用することも可能である。何れ
の場合であつても通常時と同様な転送態様、転送
速度でコンピユータ6よりパターンメモリ10,
10′を介し比較・欠陥判定回路9に診断用2値
化パターンデータをシリアル転送するようにする
ものである。
FIG. 4 shows the configuration of an example of a mask inspection apparatus according to the present invention, together with a mask to be inspected 1 and an illumination system 15. As shown in the figure, the points that are substantially different from those shown in FIG.
10', the binarized pattern data can be directly supplied to the comparison/defect determination circuit 9 for diagnosis via the changeover switches 12, 12'.
Normally, the changeover switches 11, 11', 12, 12' are provided as shown in the figure. Binarized pattern data obtained from the mask 1 is compared by a comparison/defect determination circuit 9 to perform defect determination processing. However, during debugging or maintenance of the device, the changeover switches 11, 11', 12, and 12' are switched as indicated by dotted lines, and the diagnostic binarized pattern data from the computer 6 is compared to perform defect determination processing. It is something that has become popular. The diagnostic binary pattern data does not necessarily need to be provided from the computer 6, but if the computer 6 already exists, it is more convenient to use it. The diagnostic binary pattern data given by the computer 6 may also be created off-line and stored in a storage device, but as will be described later, data obtained when diagnosing the optical system or mechanical system may be used. It is also possible to use In either case, the pattern memory 10,
Diagnostic binary pattern data is serially transferred to the comparison/defect determination circuit 9 via 10'.

本発明は以上のようなものであるが、第4図に
示す例では機械系や光学系をも診断し得るように
構成されている。即ち、被検査マスク1の代りに
診断に適したパターンをもつ標準マスクを用意
し、これを用いCCDやTVカメラなどよりなる撮
像器であるところのパターン検出器13,13′
で光学像を電気信号に変換した後、2値化回路1
4,14′、パターンメモリ10,10′を介しコ
ンピユータ6に取り込むものである。コンピユー
タ6で2系列の2値化パターンデータを比較し、
果して検出された原画像が所期のパターンになつ
ているか否かを確認することによつて2値化回路
14,14′までを診断し得るものである。なお、
切替スイツチ11,11′,12,12′は連動し
ており、手動で操作してもよいが、コンピユータ
6により切替制御するようにしてもよい。また、
パターンメモリ10,10′は一般に高速シフト
レジスタや高周波クロツク発振器を主体として構
成され、通常時にあつてはシリアルイン・パラレ
ルアウト形式のものとして機能し、比較・欠陥判
定回路9の診断時にはパラレルイン・シリアルア
ウト形式のものとして機能するものである。もつ
とも、パターンメモリ10,10′はコンピユー
タ6側に収容させることも可能である。
Although the present invention is as described above, the example shown in FIG. 4 is configured so that mechanical systems and optical systems can also be diagnosed. That is, instead of the mask 1 to be inspected, a standard mask with a pattern suitable for diagnosis is prepared, and this is used to detect the pattern detectors 13, 13', which are imagers such as CCDs and TV cameras.
After converting the optical image into an electrical signal, the binarization circuit 1
4, 14', and the computer 6 via the pattern memories 10, 10'. The computer 6 compares the two series of binarized pattern data,
By checking whether the detected original image has the desired pattern, it is possible to diagnose up to the binarization circuits 14 and 14'. In addition,
The changeover switches 11, 11', 12, and 12' are interlocked and may be operated manually, but they may also be controlled by the computer 6. Also,
The pattern memories 10 and 10' are generally composed mainly of high-speed shift registers and high-frequency clock oscillators, and normally function as serial-in/parallel-out type, but when diagnosing the comparison/defect judgment circuit 9, they function as parallel-in/parallel-out type. It functions as a serial output type. However, it is also possible to accommodate the pattern memories 10, 10' on the computer 6 side.

最後に第5図により比較・欠陥判定回路を診断
するための2値化パターンデータについて説明す
る。
Finally, the binarized pattern data for diagnosing the comparison/defect determination circuit will be explained with reference to FIG.

第5図A,a〜L,lは診断用2値化パターン
データを12種類示し論理“1”領域は斜線領域と
して示されている。このうち第5図Aに示すもの
と第5図aに示すものとは対となつて比較・欠陥
判定回路9に与えられるようになつている。第5
図B,b以降に示すものも同様に対となつて比
較・欠陥判定回路9にシリアル転送されるが、診
断用2値化パターンデータはこれらパターンデー
タの例に限定されず、あくまでも想定したパター
ンに応じ適当に定められるものである。また、本
例での2値化パターンデータは16×16の画素マト
リツクスで示されているが、これに限定されず必
要に応じ適当に定められることは勿論である。各
2値化パターンデータ対は左側から右側に向つ
て、しかも上側から下側に向つて順次比較・欠陥
判定回路9に与えられ、所定の位置合せ誤差を許
容してもそれを越えた差異が存する場合には欠陥
有りと判定することによつて、比較・欠陥判定回
路9を診断し得るものである。なお前述の説明に
おいては、比較判定されるデータとして2値化パ
ターンデータを用いた例について説明したが、本
発明の技術思想を用いれば、一般に多値化パター
ンデータによつても同様に診断できることは明ら
かであろう。
FIGS. 5A, a-L, and 1 show 12 types of diagnostic binary pattern data, and logical "1" areas are shown as hatched areas. Of these, the one shown in FIG. 5A and the one shown in FIG. 5A are provided as a pair to the comparison/defect determination circuit 9. Fifth
The data shown in Figures B and b and onwards are similarly paired and serially transferred to the comparison/defect determination circuit 9, but the binary pattern data for diagnosis is not limited to these examples of pattern data, but is merely an assumed pattern. This shall be determined as appropriate. Furthermore, although the binarized pattern data in this example is shown as a 16×16 pixel matrix, it is of course not limited to this and can be appropriately determined as necessary. Each pair of binarized pattern data is sequentially applied to the comparison/defect determination circuit 9 from the left side to the right side and from the top side to the bottom side, and even if a predetermined alignment error is allowed, differences exceeding the If there is a defect, the comparison/defect determination circuit 9 can be diagnosed by determining that there is a defect. In the above explanation, an example was explained in which binary pattern data was used as the data to be compared and judged, but if the technical idea of the present invention is used, it is generally possible to make a similar diagnosis using multi-value pattern data. should be obvious.

以上説明したように本発明は、比較・欠陥判定
回路に直接的に診断用多値化パターンデータを供
給化として、検査性能の不良や悪化の原因が比
較・欠陥判定回路系に存するか否かが容易に究明
され得、最終製造段階ではデバツグが、また、実
際の使用段階にあつては保守が容易に行なえると
いう効果がある。
As explained above, the present invention supplies diagnostic multilevel pattern data directly to the comparison/defect determination circuit, thereby determining whether or not the cause of defective or deteriorating inspection performance exists in the comparison/defect determination circuit system. This has the advantage that debugging can be easily performed at the final manufacturing stage, and maintenance can be easily performed at the actual use stage.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、従来技術に係るマスク検査装置の一
例での概略構成を検査対象とともに示す図、第2
図は、正常なマスクパターンと欠陥マスクパター
ンの例を示す図、第3図は、位置合せ誤差を考慮
した欠陥パターン検出原理を説明するための図、
第4図は、本発明に係るマスク検査装置の一例で
の構成を検査対象とともに示す図、第5図A,
a,B,b,C,c,D,d,E,e,F,f,
G,g,H,h,I,i,J,j,K,k,L,
lは、それぞれ診断用2値化パターンデータ対の
例を示す図である。 2,2′…対物光学系、6…コンピユータ、9
…比較・欠陥判定回路、11,11′,12,1
2′…切替スイツチ、13,13′…パターン検出
器、14,14′…2値化回路。
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of an example of a conventional mask inspection device together with an object to be inspected;
The figure shows an example of a normal mask pattern and a defective mask pattern.
FIG. 4 is a diagram showing the configuration of an example of a mask inspection device according to the present invention together with an object to be inspected; FIG.
a, B, b, C, c, D, d, E, e, F, f,
G, g, H, h, I, i, J, j, K, k, L,
1 is a diagram showing an example of a pair of diagnostic binarized pattern data. 2, 2'...Objective optical system, 6...Computer, 9
... Comparison/defect determination circuit, 11, 11', 12, 1
2'...Selector switch, 13,13'...Pattern detector, 14,14'...Binarization circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 被検査対象より対物光学系、パターン検出
器、多値化回路を介して得られる、2系統の被検
査パターン対応の時系列多値化パターンデータ
が、比較・欠陥判定回路にて一定範囲内の位置合
せ誤差を許容した状態でコンピユータによる補助
の下に比較され、一定以上の差異が存する場合に
は何れか一方の被検査パターンに欠陥が存すると
判定すべくなしたパターン検査装置であつて、通
常パターン検査時にあつては2系統の被検査パタ
ーン対応の時系列多値化パターンデータが、装置
自体のデバツク時あるいは保守時にあつてはコン
ピユータからの、パターンメモリを介する2系統
時系列の診断用多値化パターンデータが切替スイ
ツチ手段によつて選択されたうえ比較・欠陥判定
回路に与えられるべくなした構成を特徴とする、
自己診断機能を具備したパターン検査装置。
1 Time-series multi-value pattern data corresponding to the two systems of inspected patterns, obtained from the object to be inspected via the objective optical system, pattern detector, and multi-value code circuit, are checked within a certain range by the comparison/defect determination circuit. A pattern inspection device is a pattern inspection device which compares patterns with the assistance of a computer while allowing alignment errors, and determines that one of the patterns to be inspected has a defect if there is a difference of more than a certain level. During normal pattern inspection, time-series multivalued pattern data corresponding to two systems of inspected patterns are transmitted, and during debugging or maintenance of the equipment itself, two-system time-series diagnosis is performed via pattern memory from a computer. The method is characterized by a configuration in which the multivalued pattern data for use is selected by a changeover switch means and then applied to a comparison/defect determination circuit.
A pattern inspection device equipped with a self-diagnosis function.
JP56200928A 1981-12-15 1981-12-15 Mask inspection apparatus Granted JPS58102139A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56200928A JPS58102139A (en) 1981-12-15 1981-12-15 Mask inspection apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56200928A JPS58102139A (en) 1981-12-15 1981-12-15 Mask inspection apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58102139A JPS58102139A (en) 1983-06-17
JPS6367848B2 true JPS6367848B2 (en) 1988-12-27

Family

ID=16432608

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56200928A Granted JPS58102139A (en) 1981-12-15 1981-12-15 Mask inspection apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58102139A (en)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5022688A (en) * 1973-06-28 1975-03-11

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58102139A (en) 1983-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0186874B1 (en) Method of and apparatus for checking geometry of multi-layer patterns for IC structures
JP2602201B2 (en) Defect inspection method for inspected pattern
JPS6239815B2 (en)
JPS59192945A (en) Detecting method of pattern defect
JPS6367848B2 (en)
JP3233205B2 (en) Circuit inspection method and device
US6603875B1 (en) Pattern inspection method, pattern inspection apparatus, and recording medium which records pattern inspection program
JPS6186638A (en) Wiring pattern defect inspection method
JPH02208949A (en) Semiconductor manufacturing device
JP2825281B2 (en) Inspection equipment for printed wiring boards
JP2885694B2 (en) Automatic visual inspection system for semiconductor substrate surface
JPH0210204A (en) Object detection method
JPH058762B2 (en)
KR0119723B1 (en) Lead inspection method of integrated circuit and its device
JPH037982B2 (en)
JP2001050906A (en) Apparatus and method for pattern inspection
JPH05108798A (en) Image processing method and image processing apparatus
JPH03279880A (en) Integrated circuit device with inspection function
JPH0561578B2 (en)
JPS6298632A (en) Pattern inspection method and device
JPS636471A (en) Logic integrated circuit
JPS60154104A (en) Pattern defect inspection method and device
JPH1140638A (en) Semiconductor pattern defect inspection apparatus and method
JPS6160635B2 (en)
JPH0580028B2 (en)