JPS637036B2 - - Google Patents
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- JPS637036B2 JPS637036B2 JP54085050A JP8505079A JPS637036B2 JP S637036 B2 JPS637036 B2 JP S637036B2 JP 54085050 A JP54085050 A JP 54085050A JP 8505079 A JP8505079 A JP 8505079A JP S637036 B2 JPS637036 B2 JP S637036B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- tube
- laser
- discharge tube
- oscillation device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/04—Arrangements for thermal management
- H01S3/041—Arrangements for thermal management for gas lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Lasers (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はガスレーザ発振装置に関し、特にレー
ザ媒質ガスの冷却手段を有するガスレーザ発振装
置に関するものである。
ザ媒質ガスの冷却手段を有するガスレーザ発振装
置に関するものである。
一般にレーザはレーザ媒質を何らかの方法(例
えば放電、光ポンピング、その他)により活性化
させ、その量子力学的状態間の誘導放出を伴つた
遷移を利用して光を発生増幅する装置であり、ガ
スレーザはレーザ媒質としてガスを使用するもの
である。
えば放電、光ポンピング、その他)により活性化
させ、その量子力学的状態間の誘導放出を伴つた
遷移を利用して光を発生増幅する装置であり、ガ
スレーザはレーザ媒質としてガスを使用するもの
である。
以下では特にCO2ガスレーザの場合について、
そのレーザ発振機構を簡単に説明する。
そのレーザ発振機構を簡単に説明する。
CO2ガスレーザの場合、周知のように、レーザ
発振に関与する量子状態はCO2分子の振動レベル
のうち、基本的には基底状態に対応する000レベ
ルと、これよりも高いエネルギー状態にある010、
100、200、001レベルである。このうち、001レベ
ルは励起状態に対応するものである。CO2レーザ
は10.4μmバンドと9.4μmバンドの発振線を有し
ているが、10.4μmバンドは前記001レベルから
100レベルの遷移によるものであり、9.4μmバン
ドは001レベルから200レベルへの遷移によるもの
である。
発振に関与する量子状態はCO2分子の振動レベル
のうち、基本的には基底状態に対応する000レベ
ルと、これよりも高いエネルギー状態にある010、
100、200、001レベルである。このうち、001レベ
ルは励起状態に対応するものである。CO2レーザ
は10.4μmバンドと9.4μmバンドの発振線を有し
ているが、10.4μmバンドは前記001レベルから
100レベルの遷移によるものであり、9.4μmバン
ドは001レベルから200レベルへの遷移によるもの
である。
一方、前記遷移によつて100レベル、200レベル
の分子は010レベルへ光の放出を伴わない遷移を
行い、この遷移速度は他のレベル間の遷移速度よ
りも1桁以上は速いとされている。従つて001レ
ベルと100、200レベル間に反転分布が生じるもの
である。
の分子は010レベルへ光の放出を伴わない遷移を
行い、この遷移速度は他のレベル間の遷移速度よ
りも1桁以上は速いとされている。従つて001レ
ベルと100、200レベル間に反転分布が生じるもの
である。
ところが、CO2分子の010レベルから000レベル
への遷移はレーザ出力の高いところでは緩慢であ
るため、前記010レベルの分子数が増加してしま
い、その結果100、020レベルの分子数の増加をも
たらし、最終的には001と100、020レベルの分子
数の差、すなわち反転分布数が減少し、レーザ出
力が減少してしまう。一方、公知のように、010
レーザの分子数は010レベルの分子の冷却によつ
て、エネルギーを取り除くことで減少させること
ができるものである。
への遷移はレーザ出力の高いところでは緩慢であ
るため、前記010レベルの分子数が増加してしま
い、その結果100、020レベルの分子数の増加をも
たらし、最終的には001と100、020レベルの分子
数の差、すなわち反転分布数が減少し、レーザ出
力が減少してしまう。一方、公知のように、010
レーザの分子数は010レベルの分子の冷却によつ
て、エネルギーを取り除くことで減少させること
ができるものである。
なお、前述の説明において、9.4μmバンドと
10.4μmバンドのレーザ発振を並列的に取扱つて
きたが、実際上はCO2レーザの場合10.4μmバン
ドの発振が優先し、9.4μmバンド発振は共振器内
に分散素子を挿入することで得られる。
10.4μmバンドのレーザ発振を並列的に取扱つて
きたが、実際上はCO2レーザの場合10.4μmバン
ドの発振が優先し、9.4μmバンド発振は共振器内
に分散素子を挿入することで得られる。
従つて、以下の記述においては10.4μmバンド
発振を生じしめる001と100レベルの遷移過程にし
ぼつて説明するが、本質的には内容に何ら制限を
加えるものではない。
発振を生じしめる001と100レベルの遷移過程にし
ぼつて説明するが、本質的には内容に何ら制限を
加えるものではない。
レーザ発振の出力は、前述のように001と100レ
ベル間のCO2分子数の差が大きいほど大きくなる
ことも周知である。放電等により、001レベルあ
るいはそれ以外の、より高いエネルギーレベルに
多くのCO2分子が基底状態から励起されるが、レ
ーザ媒質ガス温度の上昇に伴ない、100レベルに
もCO2分子の分布数が増えてくる。そこで、レー
ザ媒質ガスを冷却してやると前述のように、010
レベルの分子数が減少し、その結果として100レ
ベルの分子数が減少し、001および100レベル間の
分子の分布数の差が大きくなるので、001レベル
から100レベルへの遷移がさかんになる。すなわ
ちレーザ光出力が増大される。
ベル間のCO2分子数の差が大きいほど大きくなる
ことも周知である。放電等により、001レベルあ
るいはそれ以外の、より高いエネルギーレベルに
多くのCO2分子が基底状態から励起されるが、レ
ーザ媒質ガス温度の上昇に伴ない、100レベルに
もCO2分子の分布数が増えてくる。そこで、レー
ザ媒質ガスを冷却してやると前述のように、010
レベルの分子数が減少し、その結果として100レ
ベルの分子数が減少し、001および100レベル間の
分子の分布数の差が大きくなるので、001レベル
から100レベルへの遷移がさかんになる。すなわ
ちレーザ光出力が増大される。
一方、CO2レーザの場合には、CO2ガスにN2ガ
スやHeガスを添加することが一般的である。こ
のうち、N2ガスの第1振動レベルがCO2の前記
001レベルとエネルギー値がよく一致しており、
このため両者のエネルギーレベルが一種の共鳴状
態を作ることによつて、001レベルにあるCO2分
子の数を増加させる役割をする。又、He分子は
後述のようにガスの冷却に寄与する。
スやHeガスを添加することが一般的である。こ
のうち、N2ガスの第1振動レベルがCO2の前記
001レベルとエネルギー値がよく一致しており、
このため両者のエネルギーレベルが一種の共鳴状
態を作ることによつて、001レベルにあるCO2分
子の数を増加させる役割をする。又、He分子は
後述のようにガスの冷却に寄与する。
共振器内部に放電等の手段により大きなエネル
ギーを注入し大出力を得ようとする場合には、
100レベルに分布するCO2分子を速やかに000レベ
ルに遷移させてやることが重要となる。このため
の方法として、レーザ媒質ガスの冷却効果を高め
るための手法が、従来より種々提案されている。
以下ではそのいくつかの方法について簡単に説明
する。
ギーを注入し大出力を得ようとする場合には、
100レベルに分布するCO2分子を速やかに000レベ
ルに遷移させてやることが重要となる。このため
の方法として、レーザ媒質ガスの冷却効果を高め
るための手法が、従来より種々提案されている。
以下ではそのいくつかの方法について簡単に説明
する。
従来よりの冷却方法では、(1)放電管の管壁を外
部から冷却し、放電管内壁への媒質ガスの衝突に
より媒質ガスの熱交換を行なう間接拡散冷却法
と、(2)媒質ガスを放電管内で高速で流して冷却す
る高速対流冷却法との2つが主であつた。
部から冷却し、放電管内壁への媒質ガスの衝突に
より媒質ガスの熱交換を行なう間接拡散冷却法
と、(2)媒質ガスを放電管内で高速で流して冷却す
る高速対流冷却法との2つが主であつた。
公知のように半径rの円筒状放電管内において
放電によつて生じる熱エネルギーQは軸方向をx
とすれば次の式にしたがつて、半径方向に拡散さ
れるとともに管内ガスの軸方向移動によつて管外
に排出される(High Energy Lasers and Their
Applications(第247頁)Edited by Stephen
Jacobs.Murray Sargant Marlon O.
Scully)。
放電によつて生じる熱エネルギーQは軸方向をx
とすれば次の式にしたがつて、半径方向に拡散さ
れるとともに管内ガスの軸方向移動によつて管外
に排出される(High Energy Lasers and Their
Applications(第247頁)Edited by Stephen
Jacobs.Murray Sargant Marlon O.
Scully)。
ρVxCp∂T/∂x+1/r(∂/∂rrK∂T/∂r)=Q
………(1) 但し、ρ:ガス密度、T:温度、Cp:比熱、
K:熱伝導係数、Vx:ガス流速度、r:円筒形
放電管の半径 明らかなように、(1)式中の第1項はガス流方向
にそう温度の上昇に対応するものである。ところ
で、(1)式の第2項に対応する熱の伝搬は通常2〜
20ms程度(Introduction To Gas Lasers:
Population Inversion Mechanisms(第271〜272
頁):By Colins Willett、B.Sc.ph.D.、Inst.P.)
であつて、ガス速度Vxが小さい場合には第2項
による熱伝搬が支配的になる。このような状態に
よる冷却が前記の間接拡散冷却法に対応し、前記
(1)式中の第1項が大きい場合が高速対流冷却法に
対応する。通常、第1項が支配的になる場合には
前記Vxが音速又は亜音速以上になることが必要
である。
………(1) 但し、ρ:ガス密度、T:温度、Cp:比熱、
K:熱伝導係数、Vx:ガス流速度、r:円筒形
放電管の半径 明らかなように、(1)式中の第1項はガス流方向
にそう温度の上昇に対応するものである。ところ
で、(1)式の第2項に対応する熱の伝搬は通常2〜
20ms程度(Introduction To Gas Lasers:
Population Inversion Mechanisms(第271〜272
頁):By Colins Willett、B.Sc.ph.D.、Inst.P.)
であつて、ガス速度Vxが小さい場合には第2項
による熱伝搬が支配的になる。このような状態に
よる冷却が前記の間接拡散冷却法に対応し、前記
(1)式中の第1項が大きい場合が高速対流冷却法に
対応する。通常、第1項が支配的になる場合には
前記Vxが音速又は亜音速以上になることが必要
である。
間接拡散冷却の場合には半径方向に温度勾配
(∂T/∂r)を持ち、熱エネルギーQが大きいほ
ど、その温度勾配∂T/∂rは大きくなり、放電管
の中心部温度が上昇することは明白である。この
ように、前記の間接拡散冷却法では、レーザ媒質
ガスの熱伝導率が低いために放電管の中心軸付近
に存在するレーザ媒質ガスが充分に冷却されない
という問題があつた。
(∂T/∂r)を持ち、熱エネルギーQが大きいほ
ど、その温度勾配∂T/∂rは大きくなり、放電管
の中心部温度が上昇することは明白である。この
ように、前記の間接拡散冷却法では、レーザ媒質
ガスの熱伝導率が低いために放電管の中心軸付近
に存在するレーザ媒質ガスが充分に冷却されない
という問題があつた。
その対策として、一般にはHeガスを前記CO2
ガス、N2ガスに加えることによつて、レーザ媒
質ガスの冷却効果を高める方法が採用されてい
る。すなわち前記のCO2、N2、Heガスの熱伝導
係数は300Kにおいて、各々(1.66;2.61;15.1)
×10-4W/cm・degである。しかしながら、冷却
に関与する放電管の内壁および外壁の表面積は一
定であるのでその冷却作用には限度があり、媒質
温度がさらに高くなつた場合には有効な冷却をな
し得ないものとなつてしまう。このように、前記
間接拡散冷却方式では高い冷却効率が得られず、
高出力レーザには不適当である。
ガス、N2ガスに加えることによつて、レーザ媒
質ガスの冷却効果を高める方法が採用されてい
る。すなわち前記のCO2、N2、Heガスの熱伝導
係数は300Kにおいて、各々(1.66;2.61;15.1)
×10-4W/cm・degである。しかしながら、冷却
に関与する放電管の内壁および外壁の表面積は一
定であるのでその冷却作用には限度があり、媒質
温度がさらに高くなつた場合には有効な冷却をな
し得ないものとなつてしまう。このように、前記
間接拡散冷却方式では高い冷却効率が得られず、
高出力レーザには不適当である。
一方、高速対流冷却法は、前述のように放電管
内に高速でレーザ媒質ガスを流すものであり、ガ
スが放電等により所定の限度以上にあたためられ
る前に管外に放出し、レーザ媒質ガスの温度上昇
を抑制するものである。この高速対流冷却法では
レーザ媒質ガスを充分に冷却でき、比較的容易に
高出力を得ることが可能であるが、ガスを高速で
流すためのシステムが大型化し、かつガス使用量
も膨大なものとなつてしまう欠点がある。
内に高速でレーザ媒質ガスを流すものであり、ガ
スが放電等により所定の限度以上にあたためられ
る前に管外に放出し、レーザ媒質ガスの温度上昇
を抑制するものである。この高速対流冷却法では
レーザ媒質ガスを充分に冷却でき、比較的容易に
高出力を得ることが可能であるが、ガスを高速で
流すためのシステムが大型化し、かつガス使用量
も膨大なものとなつてしまう欠点がある。
今日、レーザ発振装置において、高出力なレー
ザ発振出力をより小型のシステムで実現すること
は、使用場所の装置床面積および占有空間を低減
させる意味においても非常に有益なことである
が、従来の方式によつて小型化・高出力化を同時
に図るには自ずと限界があつた。
ザ発振出力をより小型のシステムで実現すること
は、使用場所の装置床面積および占有空間を低減
させる意味においても非常に有益なことである
が、従来の方式によつて小型化・高出力化を同時
に図るには自ずと限界があつた。
そこで、本発明の目的は、レーザシステム、特
にその冷却システムに関して基本原理にたちかえ
り、新しい発想を現実化することによつて高出力
化・小型化されたガスレーザ発振装置を提供する
ことにある。
にその冷却システムに関して基本原理にたちかえ
り、新しい発想を現実化することによつて高出力
化・小型化されたガスレーザ発振装置を提供する
ことにある。
本発明は、レーザ媒質ガスの冷却に従来にない
手法を採用し、それに伴なつて、レーザ媒質ガス
供給システムに新たな改良を加えたものである。
すなわち、本発明においては、レーザ媒質ガス供
給システム内に従来用いられなかつた高圧発生
部、すなわちガス圧縮手段を設け、前記高圧発生
部から送られる高圧ガスがレーザ放電管内へ導入
される時に生ずる、気体膨張に伴う熱力学的冷却
効果を利用して媒質ガスを直接冷却するようにし
ている。
手法を採用し、それに伴なつて、レーザ媒質ガス
供給システムに新たな改良を加えたものである。
すなわち、本発明においては、レーザ媒質ガス供
給システム内に従来用いられなかつた高圧発生
部、すなわちガス圧縮手段を設け、前記高圧発生
部から送られる高圧ガスがレーザ放電管内へ導入
される時に生ずる、気体膨張に伴う熱力学的冷却
効果を利用して媒質ガスを直接冷却するようにし
ている。
本発明の他の目的は、前記レーザ媒質ガスのレ
ーザ放電管内への導入手段を工夫することによつ
て簡便で効率のよいレーザ発振装置を提供するこ
とにある。
ーザ放電管内への導入手段を工夫することによつ
て簡便で効率のよいレーザ発振装置を提供するこ
とにある。
以下では添付図面にもとずき、CO2レーザ発振
装置を例として本発明を詳細に説明する。
装置を例として本発明を詳細に説明する。
第1図は本発明によるレーザ媒質ガス供給シス
テムを備えたガスレーザ発振装置の概略系統図で
ある。本発明はその基本構成としてガス高圧部
A、共振器部B、低圧部C、中圧部Dから成り立
つており、ここでは第1図に示すようにシステム
全体が1つの循環系を構成している場合を例にと
つて説明する。
テムを備えたガスレーザ発振装置の概略系統図で
ある。本発明はその基本構成としてガス高圧部
A、共振器部B、低圧部C、中圧部Dから成り立
つており、ここでは第1図に示すようにシステム
全体が1つの循環系を構成している場合を例にと
つて説明する。
前記高圧部Aには、システム内のガスを高圧に
加圧するための加圧器(または圧縮器)6、レー
ザ過程で生成され、レーザ発振出力を低下させる
反応生成物を除去するための触媒7、高圧部容量
調整用リザーバ8、および媒質ガス11を冷却す
るための熱交換器9等が設けられる。
加圧するための加圧器(または圧縮器)6、レー
ザ過程で生成され、レーザ発振出力を低下させる
反応生成物を除去するための触媒7、高圧部容量
調整用リザーバ8、および媒質ガス11を冷却す
るための熱交換器9等が設けられる。
共振器部Bには放電管1、放電管1内へガスを
導入するためのガス導入口14およびガス排気口
12が設けられる。
導入するためのガス導入口14およびガス排気口
12が設けられる。
低圧部Cには真空ポンプ2が設けられる。また
中圧部Dにはレーザ媒質ガスボンベ3、オイルト
ラツプ用フイルタ4および中圧部容量調整用リザ
ーバ5が設けられる。
中圧部Dにはレーザ媒質ガスボンベ3、オイルト
ラツプ用フイルタ4および中圧部容量調整用リザ
ーバ5が設けられる。
ガスレーザ発振装置の稼動にあたつて、ガスボ
ンベ3から本冷却システムに所定量のガスが供給
され、バルブ3aが閉められた後ガスは加圧器6
によつて高圧に加圧され、触媒7によつて前述の
ようにリフレツシユされた後、熱交換器9により
一旦冷却される。この場合、熱交換器に水冷を採
用するか空冷を採用するかはレーザ出力とシステ
ムのスケールにより適宜選択するものとする。ま
た、前記熱交換器9、容量調整用リザーバ8、触
媒7等の配置順序はそれぞれの仕様により異なる
場合もありうることは当然である。
ンベ3から本冷却システムに所定量のガスが供給
され、バルブ3aが閉められた後ガスは加圧器6
によつて高圧に加圧され、触媒7によつて前述の
ようにリフレツシユされた後、熱交換器9により
一旦冷却される。この場合、熱交換器に水冷を採
用するか空冷を採用するかはレーザ出力とシステ
ムのスケールにより適宜選択するものとする。ま
た、前記熱交換器9、容量調整用リザーバ8、触
媒7等の配置順序はそれぞれの仕様により異なる
場合もありうることは当然である。
前記熱交換器9により冷却されたガスは放電管
1に設けられたガス導入口14、つづいて後述す
るガス噴出口10を通り放電管1内に放出され
る。このとき、レーザ媒質ガスは、後述するよう
に気体膨張に伴う冷却効果によつて、さらにマイ
ナス数十度まで冷却された後、管1内に拡散す
る。電気励起によるレーザ過程であたためられた
レーザ媒質ガス11は、真空ポンプ2により放電
管1から排気口12を通して引き出された後、中
圧部Dへと送られる。中圧部Dには、前述したよ
うに、真空ポンプ2から排出されたオイルをレー
ザ媒質ガス11から除去するために、オイルトラ
ツプ用フイルタ4が設けられる。前記フイルタ4
を通過したレーザ媒質ガス11は、加圧器6を通
して再び高圧部Aへと送られ、前述の過程をくり
返して循環する。
1に設けられたガス導入口14、つづいて後述す
るガス噴出口10を通り放電管1内に放出され
る。このとき、レーザ媒質ガスは、後述するよう
に気体膨張に伴う冷却効果によつて、さらにマイ
ナス数十度まで冷却された後、管1内に拡散す
る。電気励起によるレーザ過程であたためられた
レーザ媒質ガス11は、真空ポンプ2により放電
管1から排気口12を通して引き出された後、中
圧部Dへと送られる。中圧部Dには、前述したよ
うに、真空ポンプ2から排出されたオイルをレー
ザ媒質ガス11から除去するために、オイルトラ
ツプ用フイルタ4が設けられる。前記フイルタ4
を通過したレーザ媒質ガス11は、加圧器6を通
して再び高圧部Aへと送られ、前述の過程をくり
返して循環する。
第2図は本発明の他の実施例の系統図で、放電
管1に供給したレーザ媒質ガス11を再利用しな
い場合のガス供給システムを示すものである。第
1図と同一の符号は同一部分をあらわす。その構
成および動作については、第1図に関する説明か
ら極めて容易に理解されるであろう。
管1に供給したレーザ媒質ガス11を再利用しな
い場合のガス供給システムを示すものである。第
1図と同一の符号は同一部分をあらわす。その構
成および動作については、第1図に関する説明か
ら極めて容易に理解されるであろう。
本発明によるガスレーザ装置は、前述したよう
に、ガス供給システムの高圧部Aから送られるガ
ス11がガス導入口を通して放電管1内に導入さ
れるときに生ずる気体膨張に伴う冷却効果を利用
し、レーザ媒質ガス11を直接冷却することを特
徴としている。
に、ガス供給システムの高圧部Aから送られるガ
ス11がガス導入口を通して放電管1内に導入さ
れるときに生ずる気体膨張に伴う冷却効果を利用
し、レーザ媒質ガス11を直接冷却することを特
徴としている。
第3図には、本発明による冷却方式を採用した
ガスレーザ共振器の1具体例についてその断面概
略図を示す。
ガスレーザ共振器の1具体例についてその断面概
略図を示す。
同図において、共振器を構成する放電管1はガ
ラス等の高絶縁性材料で形成され、外管1aおよ
び内管1bよりなる二重管で構成される。前記外
管1aはガラス管(例えば石英製)であり、内管
1bの管壁には、微小穴であるガス噴出口10が
多数個設けられる。
ラス等の高絶縁性材料で形成され、外管1aおよ
び内管1bよりなる二重管で構成される。前記外
管1aはガラス管(例えば石英製)であり、内管
1bの管壁には、微小穴であるガス噴出口10が
多数個設けられる。
このように、内管1bに設けられるガス噴出口
10の配置には以下に述べるような態様がある。
10の配置には以下に述べるような態様がある。
(1) 微小穴よりなるガス噴出口10が内管1bの
管壁上全面に均等に設けられる場合 (2) 前記ガス噴出口10が内管1bの管壁上に、
ある規則性をもつて(例えば管壁上にスパイラ
ルに)設けられる場合 (3) 前記ガス噴出口10が管壁上に不規則に設け
られる場合 (4) 前記(1)ないし(3)において、ガス噴出口10が
管内壁上の法線に対してある角度をもつて設け
られる場合 また、放電管1の内管1bとして、ガラスのか
わりに多孔質の高絶縁性、高熱伝導性の材料を用
いることも効果的であり、本発明の範囲に含まれ
る。このように、2重管で構成された放電管1の
両端には、電極をも兼ねたフランジ13が0リン
グあるいは接着剤等により固定される。フランジ
13にはガス供給システムの高圧部Aより送られ
るレーザ媒質ガス11を放電管1内へ導入するた
めのガス導入口14、および放電管1内へ拡散し
たガス11を管外へ放出するためのガス排気口1
2、および光学ミラー15,18ならびに電極端
子16が設けられる。
管壁上全面に均等に設けられる場合 (2) 前記ガス噴出口10が内管1bの管壁上に、
ある規則性をもつて(例えば管壁上にスパイラ
ルに)設けられる場合 (3) 前記ガス噴出口10が管壁上に不規則に設け
られる場合 (4) 前記(1)ないし(3)において、ガス噴出口10が
管内壁上の法線に対してある角度をもつて設け
られる場合 また、放電管1の内管1bとして、ガラスのか
わりに多孔質の高絶縁性、高熱伝導性の材料を用
いることも効果的であり、本発明の範囲に含まれ
る。このように、2重管で構成された放電管1の
両端には、電極をも兼ねたフランジ13が0リン
グあるいは接着剤等により固定される。フランジ
13にはガス供給システムの高圧部Aより送られ
るレーザ媒質ガス11を放電管1内へ導入するた
めのガス導入口14、および放電管1内へ拡散し
たガス11を管外へ放出するためのガス排気口1
2、および光学ミラー15,18ならびに電極端
子16が設けられる。
またこの場合、前記の2重管より構成される放
電管1の外側に、さらに外套管(図示せず)を設
け、外管1aと外套管の間に水を流してやること
により放電管の水冷を併用することも可能であ
る。
電管1の外側に、さらに外套管(図示せず)を設
け、外管1aと外套管の間に水を流してやること
により放電管の水冷を併用することも可能であ
る。
ガス供給システム内の加圧器6で高圧に加圧圧
縮されたレーザ媒質ガス11は熱交換器9により
一旦冷却された後、フランジ13に設けられたガ
ス導入口14を通り、放電管1内へ導入される。
すなわち、放電管1内へ導入されるレーザ媒質ガ
ス11は、放電管1の両端部に設けられたガス導
入口14から外管1aと内管1bとの間隙部に流
れ込み、前記間隙部で高圧を保つ。この際重要な
ことは、2重管間隙部内の圧力が十分に高く(普
通は7Kg/cm2前後が望ましい)に保たれることで
あり、またガス噴出口10の断面積は、これによ
つて圧力が減少しない程度の寸法に選ばれている
ことである。そうでないと、気体膨張によるガス
冷却効果が小さくなり、実用上十分な冷却が達成
されなくなる。
縮されたレーザ媒質ガス11は熱交換器9により
一旦冷却された後、フランジ13に設けられたガ
ス導入口14を通り、放電管1内へ導入される。
すなわち、放電管1内へ導入されるレーザ媒質ガ
ス11は、放電管1の両端部に設けられたガス導
入口14から外管1aと内管1bとの間隙部に流
れ込み、前記間隙部で高圧を保つ。この際重要な
ことは、2重管間隙部内の圧力が十分に高く(普
通は7Kg/cm2前後が望ましい)に保たれることで
あり、またガス噴出口10の断面積は、これによ
つて圧力が減少しない程度の寸法に選ばれている
ことである。そうでないと、気体膨張によるガス
冷却効果が小さくなり、実用上十分な冷却が達成
されなくなる。
内管1bの管壁上には前述したガス噴出口10
が設けられているので、レーザ媒質ガス11は前
記ガス噴出口10より内管1b内へ流入する。一
方、内管1bはガス排気口12を通してガス供給
システム内の真空ポンプ2で吸引されているの
で、その内部圧力は十分低く、内管1b内へ流入
したレーザ媒質ガス11は管内へ瞬時に拡散す
る。管内へ噴出されたCO2ガス11は、前述した
ように気体膨張に伴う冷却効果によりマイナス数
十度まで温度が低下する。
が設けられているので、レーザ媒質ガス11は前
記ガス噴出口10より内管1b内へ流入する。一
方、内管1bはガス排気口12を通してガス供給
システム内の真空ポンプ2で吸引されているの
で、その内部圧力は十分低く、内管1b内へ流入
したレーザ媒質ガス11は管内へ瞬時に拡散す
る。管内へ噴出されたCO2ガス11は、前述した
ように気体膨張に伴う冷却効果によりマイナス数
十度まで温度が低下する。
放電管1内へのガス導入に際して、内管1bの
壁面に前記(1)〜(4)の態様で設けられた多数のガス
噴出口10からは放電管1の中心軸と直交または
斜交する方向に媒質ガス11が噴出させられると
共に冷却される。このように、各ガス噴出口周辺
において気体膨張によつて、低温化されたガスが
放電管1の中心部に向かつて流れたり、乱流を生
じたりする。
壁面に前記(1)〜(4)の態様で設けられた多数のガス
噴出口10からは放電管1の中心軸と直交または
斜交する方向に媒質ガス11が噴出させられると
共に冷却される。このように、各ガス噴出口周辺
において気体膨張によつて、低温化されたガスが
放電管1の中心部に向かつて流れたり、乱流を生
じたりする。
従つて、放電によりレーザ媒質ガス11が温め
られて拡散してきた低レベルのCO2分子は、低温
(基底レベル)の中性CO2分子との衝突によつて
熱交換を行なう。これによつて、前記拡散冷却法
の欠点である放電管1の中心部のガス温の冷却不
備が改善され、一層の冷却効果を生じるものであ
る。したがつて、真空ポンプの排気速度を上げな
くても、すなわち、より小さい真空ポンプで、従
来の高速対流冷却に近い冷却効果を得ることが容
易である。
られて拡散してきた低レベルのCO2分子は、低温
(基底レベル)の中性CO2分子との衝突によつて
熱交換を行なう。これによつて、前記拡散冷却法
の欠点である放電管1の中心部のガス温の冷却不
備が改善され、一層の冷却効果を生じるものであ
る。したがつて、真空ポンプの排気速度を上げな
くても、すなわち、より小さい真空ポンプで、従
来の高速対流冷却に近い冷却効果を得ることが容
易である。
冷却されたレーザ媒質ガス11は管内をガス排
気口12に向つて流れている間に電気励起による
レーザ過程であたためられるが、「100」レベルに
分布する分子数が十分増大しないうちにガス排気
口12から管外へ排出される。
気口12に向つて流れている間に電気励起による
レーザ過程であたためられるが、「100」レベルに
分布する分子数が十分増大しないうちにガス排気
口12から管外へ排出される。
本発明による冷却方式を採用した共振器は前述
したように放電管内へ高圧の媒質ガスを噴出し、
気体膨張に伴う冷却効果を利用して媒質ガスの冷
却を有効に行うものである。前述の実施例におい
て、放電管の壁面に設ける微小穴についていくつ
かの態様を示したが、そのいずれの方式において
も従来の間接拡散冷却法に比べ、放電管の単位長
あたり数倍の出力増加が得られる。
したように放電管内へ高圧の媒質ガスを噴出し、
気体膨張に伴う冷却効果を利用して媒質ガスの冷
却を有効に行うものである。前述の実施例におい
て、放電管の壁面に設ける微小穴についていくつ
かの態様を示したが、そのいずれの方式において
も従来の間接拡散冷却法に比べ、放電管の単位長
あたり数倍の出力増加が得られる。
すなわち、前記内管1b内に流入する過程で、
噴出ガスは対向する内管壁において反射し、相互
に乱流を発生せしめ、かつ、ガスが冷却されて放
出されるために、前述した低レベルのCO2分子数
の増加を抑えてレーザ発振出力の増加をもたらす
ものである。
噴出ガスは対向する内管壁において反射し、相互
に乱流を発生せしめ、かつ、ガスが冷却されて放
出されるために、前述した低レベルのCO2分子数
の増加を抑えてレーザ発振出力の増加をもたらす
ものである。
第4図は、本発明に適したガスレーザ共振器の
他の具体例の断面概略図であり、放電管1内へ導
入される高圧の媒質ガス11が局所的に設けられ
たガス噴出口10から管内へ導入される場合につ
いて示したものである。
他の具体例の断面概略図であり、放電管1内へ導
入される高圧の媒質ガス11が局所的に設けられ
たガス噴出口10から管内へ導入される場合につ
いて示したものである。
この具体例においては、放電管1は高熱伝導
性・高絶縁性(例えばBeO(ベリリヤ)等)の管
体で構成され、その両端にはフランジ13が固定
される。前記フランジ13は、第3図の場合と同
様に電極をも兼ねており、電極端子16、光学ミ
ラー15,18、ガス導入口14あるいはガス排
気口12等が設けられる。
性・高絶縁性(例えばBeO(ベリリヤ)等)の管
体で構成され、その両端にはフランジ13が固定
される。前記フランジ13は、第3図の場合と同
様に電極をも兼ねており、電極端子16、光学ミ
ラー15,18、ガス導入口14あるいはガス排
気口12等が設けられる。
この場合、第5図に示すフランジ13の断面図
からも明らかなように、ガス導入口14から放電
管1内へ噴出される媒質ガス11が、管内壁の法
線に対してある角度をもつように、前記導入口1
4が位置決め、穿設されるのが望ましい。このよ
うな構成にすれば、噴出ガス相互間の干渉も加わ
つて、より著しいガスの乱流を生じさせることが
でき、熱交換特性の改善、放電の均一化、出力の
増大の面でより一層の効果がある。
からも明らかなように、ガス導入口14から放電
管1内へ噴出される媒質ガス11が、管内壁の法
線に対してある角度をもつように、前記導入口1
4が位置決め、穿設されるのが望ましい。このよ
うな構成にすれば、噴出ガス相互間の干渉も加わ
つて、より著しいガスの乱流を生じさせることが
でき、熱交換特性の改善、放電の均一化、出力の
増大の面でより一層の効果がある。
なお、第4,5図の共振器の変形例として、
(1) 放電管1の中央部に複数個のガス噴出口を、
前述と同様にして穿設し、管内へ噴出されたガ
スを拡散させながら、放電管の両端に設けたガ
ス排気口から排出する。
前述と同様にして穿設し、管内へ噴出されたガ
スを拡散させながら、放電管の両端に設けたガ
ス排気口から排出する。
(2) これとは逆に、放電管の両端部に複数個のガ
ス噴出口を設け、管中央部に排気口を設ける。
ス噴出口を設け、管中央部に排気口を設ける。
(3) ガスの噴出口と排気口を放電管の軸方向管壁
にそつて適宜に分散させる。
にそつて適宜に分散させる。
このような変形例では、噴出されたガスが排気
されるまでに管内を拡散し、移動する距離が短か
く、その時間も短かいので、媒質ガスの温度上昇
が少なくて済むという利点がある。
されるまでに管内を拡散し、移動する距離が短か
く、その時間も短かいので、媒質ガスの温度上昇
が少なくて済むという利点がある。
以上、詳細に述べてきたように本発明はレーザ
媒質ガスの冷却方式として、ガス噴出口を通して
管内へ流入するガスの気体膨張に伴う冷却効果を
巧みに利用したものであり、前記冷却方式を実用
化する手段として、低圧部、中圧部、高圧部より
成るガス供給システムを具備していることを特徴
としている。既述したようにガス供給システムに
触媒、オイルトラツプ用フイルタを配備し、媒質
用CO2ガスをシステム内で循環させるリサイクル
システムを採用した場合には、装置の稼動にあた
つて運転コストの軽減に寄与することができる。
また、前記システム内のレーザ媒質ガスの循環に
は、高圧発生用の加圧器と真空発生用のポンプと
を個別に設けているので、各々に小型の装置を用
いたとしても高い循環効率が得られ、装置全体と
しての小型化が達成されるものである。
媒質ガスの冷却方式として、ガス噴出口を通して
管内へ流入するガスの気体膨張に伴う冷却効果を
巧みに利用したものであり、前記冷却方式を実用
化する手段として、低圧部、中圧部、高圧部より
成るガス供給システムを具備していることを特徴
としている。既述したようにガス供給システムに
触媒、オイルトラツプ用フイルタを配備し、媒質
用CO2ガスをシステム内で循環させるリサイクル
システムを採用した場合には、装置の稼動にあた
つて運転コストの軽減に寄与することができる。
また、前記システム内のレーザ媒質ガスの循環に
は、高圧発生用の加圧器と真空発生用のポンプと
を個別に設けているので、各々に小型の装置を用
いたとしても高い循環効率が得られ、装置全体と
しての小型化が達成されるものである。
また、本発明のガス供給システムにおいて、シ
ステム内を流れる媒質用ガスは、その循環過程に
おいて熱交換器、リザーバー、触媒等を通過する
ことにより加圧器から発生する圧力の脈動が緩和
され、放電管内へのガス導入の前の段階でのガス
圧を一定にさせられる。このことによりガス噴出
口より管内に噴射されるCO2ガスは常に安定した
状態が保たれる。
ステム内を流れる媒質用ガスは、その循環過程に
おいて熱交換器、リザーバー、触媒等を通過する
ことにより加圧器から発生する圧力の脈動が緩和
され、放電管内へのガス導入の前の段階でのガス
圧を一定にさせられる。このことによりガス噴出
口より管内に噴射されるCO2ガスは常に安定した
状態が保たれる。
本発明の特徴を列記すれば、次のように要約さ
れる。
れる。
(1) レーザ発振用電源は従来の拡散冷却法と同等
の仕様のものが使用できる。
の仕様のものが使用できる。
(2) 放電管内におけるレーザガス媒質の流速は全
体としてみれば真空ポンプの排気速度、および
排気系のコンダクタンスで決められるが、放電
管の断面半径方向でみれば、気体膨張に伴うガ
ス冷却効果と同時に高速のガス流出速度を有す
るため、対流冷却法に類似した効果を有する。
体としてみれば真空ポンプの排気速度、および
排気系のコンダクタンスで決められるが、放電
管の断面半径方向でみれば、気体膨張に伴うガ
ス冷却効果と同時に高速のガス流出速度を有す
るため、対流冷却法に類似した効果を有する。
(3) レーザ媒質ガス圧力を一たん高圧力に高める
ことによつて、レーザ放電管内へのガス噴出口
における気体膨張による冷却という物理的手法
によるガス冷却法を採用したので、 (4) ガス噴出口の形状を工夫することによつて、
圧力差を大きくし、ガス流出速度を一層増加さ
せることができる。
ことによつて、レーザ放電管内へのガス噴出口
における気体膨張による冷却という物理的手法
によるガス冷却法を採用したので、 (4) ガス噴出口の形状を工夫することによつて、
圧力差を大きくし、ガス流出速度を一層増加さ
せることができる。
以上、詳細に述べてきたように、本発明によれ
ばレーザシステムを小型に保ち、かつレーザ発振
出力を数倍(5倍程度)に増加させることができ
る。このことは多方面にわたるレーザの応用に寄
与し産業の発展に貢献するものである。
ばレーザシステムを小型に保ち、かつレーザ発振
出力を数倍(5倍程度)に増加させることができ
る。このことは多方面にわたるレーザの応用に寄
与し産業の発展に貢献するものである。
第1図および第2図はそれぞれ本発明の実施例
の概略系統図、第3図および第4図はそれぞれ本
発明に好適なガスレーザ共振器の縦断面図、第5
図は第4図の−線断面図である。 1……放電管、2……真空ポンプ、3……媒質
ガスボンベ、6……加圧器、9……熱交換器、1
1……媒質ガス、12……ガス排気口、13……
フランジ、14……ガス導入口。
の概略系統図、第3図および第4図はそれぞれ本
発明に好適なガスレーザ共振器の縦断面図、第5
図は第4図の−線断面図である。 1……放電管、2……真空ポンプ、3……媒質
ガスボンベ、6……加圧器、9……熱交換器、1
1……媒質ガス、12……ガス排気口、13……
フランジ、14……ガス導入口。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 レーザ放電管と、その両端に配設された光学
ミラーと、前記放電管内へレーザ媒質ガスを導入
し、かつ排出するガス供給システムとを具備し、 前記ガス供給システムが、レーザ媒質ガス加圧
器、レーザ媒質ガス冷却のための熱交換器、レー
ザ放電管へのレーザ媒質ガスの導入部、レーザ放
電管からのレーザ媒質ガスの排気部および排気ポ
ンプを具備し、 前記レーザ放電管は2重管であつて、内管には
複数の小穴より成るガス導入部が形成され、内管
および外管の間の空間には、高圧力に高められた
レーザ媒質ガスが供給されると共に、 前記レーザ媒質ガスが放電管内へ導入される際
に、気体膨張に伴うレーザ媒質ガスの冷却を生じ
させるように構成されたことを特徴とするレーザ
発振装置。 2 さらに、外管を覆う外套管を具備し、外管と
外套管との間の空間に冷媒が供給されることを特
徴とする前記特許請求の範囲第1項記載のレーザ
発振装置。 3 内管に形成された小穴が管壁全面に設けられ
たことを特徴とする前記特許請求の範囲第1項ま
たは第2項記載のレーザ発振装置。 4 内管に形成された小穴が規則性を有するよう
に配置されたことを特徴とする前記特許請求の範
囲第1項または第2項記載のレーザ発振装置。 5 内管に形成された小穴が不規則に配置された
ことを特徴とする前記特許請求の範囲第1項また
は第2項記載のレーザ発振装置。 6 内管に形成された小穴の少なくとも1部が、
内管の管壁内面の法線と一致しない向きに開口し
ていることを特徴とする前記特許請求の範囲第1
項ないし第5項のいずれかに記載のレーザ発振装
置。 7 前記内管が多孔質、高絶縁性、高熱伝導性の
材料で構成されたことを特徴とする前記特許請求
の範囲第1項または第2項に記載のレーザ発振装
置。 8 前記放電管内へのレーザ媒質ガスの導入部が
複数のガス噴出口であることを特徴とする前記特
許請求の範囲第1項記載のレーザ発振装置。 9 前記複数のガス噴出口が放電管の一端に配設
され、排出口がその反対端に設けられたことを特
徴とする前記特許請求の範囲第8項記載のレーザ
発振装置。 10 前記放電管内へのレーザ媒質ガスの導入部
が、前記放電管の両端部に配設された複数のガス
噴出口であり、排出口が放電管の中央部に設けら
れたことを特徴とする前記特許請求の範囲第1項
記載のレーザ発振装置。 11 前記放電管内へのレーザ媒質ガスの導入部
が管中央部に設けられた複数のガス噴出口であ
り、排出口が放電管の両端部に設けられたことを
特徴とする前記特許請求の範囲第1項記載のレー
ザ発振装置。 12 前記ガス噴出口と排出口とが前記放電管の
軸方向にそつて分散配設されたことを特徴とする
前記特許請求の範囲第8項記載のレーザ発振装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8505079A JPS5610989A (en) | 1979-07-06 | 1979-07-06 | Laser oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8505079A JPS5610989A (en) | 1979-07-06 | 1979-07-06 | Laser oscillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5610989A JPS5610989A (en) | 1981-02-03 |
| JPS637036B2 true JPS637036B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=13847834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8505079A Granted JPS5610989A (en) | 1979-07-06 | 1979-07-06 | Laser oscillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5610989A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57188892A (en) * | 1981-05-18 | 1982-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Coaxial carbon dioxide laser oscillator |
| JPS5896788A (ja) * | 1981-12-03 | 1983-06-08 | Toshiba Corp | 横流式ガスレ−ザ装置 |
| JPS58182888A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ発振器 |
| JPS5956782A (ja) * | 1982-09-25 | 1984-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスレ−ザ装置 |
| US4622675A (en) * | 1983-07-29 | 1986-11-11 | P.R.C., Ltd. | Forced transport molecular gas laser and method |
| JPS60147181A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レ−ザ発振器 |
| FR2573931B1 (fr) * | 1984-11-29 | 1987-01-02 | Comp Generale Electricite | Generateur laser a flux gazeux et procede de fonctionnement de ce generateur |
| AU592859B2 (en) * | 1986-02-18 | 1990-01-25 | Metalaser Pty. Ltd. | Cold electrode metal vapour laser |
| JPS62295473A (ja) * | 1986-06-16 | 1987-12-22 | Tanaka Seisakusho:Kk | ガスフロ−型レ−ザ発振器 |
| DE19927788C2 (de) * | 1999-06-18 | 2003-03-06 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Polarisator für die Polarisation eines Edelgases |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5546071B2 (ja) * | 1972-05-18 | 1980-11-21 | ||
| JPS5286289A (en) * | 1976-01-12 | 1977-07-18 | Mochida Pharm Co Ltd | Forced oil cooled laser device |
-
1979
- 1979-07-06 JP JP8505079A patent/JPS5610989A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5610989A (en) | 1981-02-03 |
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