JPS637441B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、薄膜抵抗器に関するものであり、安
定性が良好で、高抵抗を容易に実現することので
きる抵抗器を提供しようとするものである。

近年、電子工業の飛躍的な発展にともない、回
路素子に対する電気的特性上の要求も次第に厳し
いものになつて来ている。薄膜回路や個別抵抗器
においても同様であり、抵抗材料として安定度の
高い窒化タンタルやニツケル−クロム合金が開発
され、実用化されている。しかしながら、これら
の抵抗材料は、いずれも固有抵抗が低いものであ
り、これで高抵抗薄膜抵抗器を実現しようとする
と、抵抗器が大型化することを避けることができ
ない。

一方、高抵抗材料として、クロム−シリコンや
ニオブ−シリコンなどの金属−シリコンが開発さ
れている。これらは1KΩ／□以上の高抵抗を容
易に実現でき、上述の問題点を解決することがで
きるものである。しかしながら、金属−シリコン
を使用した抵抗器は、精密級薄膜抵抗器として使
用するには安定性に問題のあるものである。その
原因を解析したところ、薄膜抵抗体を構成する金
属−シリコン中のシリコンが拡散しやすく、電極
をアルミニウムで構成した場合、アルミニウムと
シリコンとの固溶体が形成されて、電極と抵抗体
との接触抵抗が高くなり、かつ、アルミニウム中
にシリコンが連続的に拡散して行くので、両者の
接触界面部が不安定となるためであることを見出
した。

本発明は、この解析結果にもとずき、金属−シ
リコン薄膜抵抗体に接する電極を、アルミニウム
とニツケル−クロム合金とで構成し、かつ電極と
抵抗体との間にニツケル−クロムシリサイド層を
設けることによつて上述の問題点を解決したもの
である。

以下に、本発明の一実施例について、図面を用
いて説明する。

図において、１は絶縁基板であり、その上に金
属−シリコン系薄膜抵抗体２が設けられている。
この抵抗体２は、たとえばクロム−シリコンまた
はこれにニツケルや鉄を添加した合金を絶縁基板
１上に真空蒸着法またはスパツタリング法で着膜
させ、所定の形状にエツチングしたものである。
３は電極で、まずニツケル−クロム合金を、次に
アルミニウムをその上に順次真空蒸着法またはス
パツタリング法で膜厚合計1μｍ程度（ニツケル
−クロム合金の膜厚は500Å以下）に着膜させた
後、所定の形状にエツチングして形成したもので
ある。４はニツケル−クロムシリサイド層であ
り、金属−シリコン系薄膜抵抗体２上に電極３を
形成した後、真空中またはアルゴンガスや窒素ガ
スなどの不活性雰囲気またはグリーンガスなどの
還元性雰囲気中において300〜600℃の温度で１時
間前後処理することによつて生成させたものであ
る。熱処理の際の雰囲気中に酸素が含まれている
と酸化シリコンなどの酸化物が同時に生成され、
その結果、ニツケル−クロムシリサイド層が不均
一かつ不完全なものとなり、安定性に悪影響を与
えてしまうので注意を要する。このニツケル−ク
ロムシリサイド層４は安定であり、上述の熱処理
条件で容易に得られるものである。

アルミニウムと、ニツケル−クロム合金を電極
に利用する利点は抵抗体と電極との接触部分のみ
において、シリサイド合金層を形成させることが
できることである。その結果、抵抗体中のシリコ
ンが連続的に電極へ拡散するのが防止され、抵抗
器が安定化される。そして、金属−シリコン系薄
膜抵抗体の面積抵抗が大きいために、抵抗器を小
型化でき、かつ上述のように抵抗体と電極との接
触が安定化されていることもあつて、高密度抵抗
回路網を構成する上で特に本発明は有利となる。

以上のように、本発明によれば、金属−シリコ
ン系薄膜抵抗体と電極との接触が安定化されるの
で、特性の安定した抵抗器を得ることができる。
なお絶縁基板１としては、酸化シリコン絶縁層を
設けたシリコン板、アルミナ磁器、フオルステラ
イト磁器、グレーズドアルミナ磁器やガラスが適
当である。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の一実施例における薄膜抵抗器の断
面図である。 １……絶縁基体、２……金属−シリコン系薄膜
抵抗体、３……電極、４……ニツケル−クロムシ
リサイド層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 絶縁基板上に、金属−シリコン系薄膜抵抗体
   およびこの金属−シリコン系薄膜抵抗体に接する
   電極を有し、前記電極がアルミニウムとニツケル
   −クロム合金とで構成されており、かつ前記電極
   と前記金属−シリコン系薄膜抵抗体との界面にニ
   ツケル−クロムシリサイド層を有することを特徴
   とする薄膜抵抗器。