JPH0346961B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明は厚膜回路に関し、特に厚膜抵抗体と厚
膜導体との接続部に特徴を有するものである。

(ロ) 従来の技術 抵抗体とそれに接続される導体とを厚膜技術に
より形成する際、それらの何れを先に形成すべき
かは抵抗体や導体の材料等により決まる。例え
ば、酸化ルテニウムペーストを用いて抵抗体を、
また銅ペーストを用いて導体を夫々作る場合、第
１図に示す如く、基板１上にまず抵抗体２を形成
し、次いで導体３，３を形成しなければならな
い。

なぜなら、酸化ルテニウムペーストの焼成は酸
化雰囲気、例えば空気中でなさねばならず、一方
銅ペーストの焼成により形成した銅からなる導体
は、その形成後、高温酸化雰囲気中に曝されると
瞬時に酸化してしまうからである。

この問題を解決する方法として、例えば特開昭
55−43810号（HOlC7／00）公報に開示されてい
るように、導体材料として貴金属である銀を使用
する方法が公知であるが、貴金属は高価であると
いう問題がある。

ところで、厚膜抵抗体の抵抗値は、ペースト中
の金属または金属酸化物の粉末と結着剤との混合
比により決まり、高抵抗になるほど、結着剤の量
が多くなる。従つて、数百キロオーム以上の高抵
抗用ペーストでは結着剤の割合が極めて多くな
り、斯るペーストの焼成により得られた抵抗体の
表面層はほとんど結着剤により占められる。

即ち上記第１図の例でいえば、抵抗体ペースト
は酸化ルテニウム粉末と結着剤であるガラス粉末
とを主成分とするものであるから、第２図に示す
如く焼成された抵抗体２の表面層２ａはガラスリ
ツチとなり、底面層２ｂは酸化ルテニウムリツチ
となるのである。

然るに、この様な場合、第２図中矢印で示す如
く、抵抗体２中を流れる電流の大部分は、導体
３，３との接続部付近において絶縁性に近いガラ
スリツチな部分を流れるため、その抵抗値は当初
期待した抵抗値から大きく変動し、また斯るガラ
スリツチな部分の発生状態は不安定であるため抵
抗値のばらつきも大きい。

(ハ) 発明が解決しようとする課題 そこで、本発明は、厚膜抵抗体の表面に現れる
結着剤成分を多く含む表面層により、厚膜抵抗体
の抵抗値が所期の抵抗値から外れるのが防止され
ると共に抵抗値のばらつきの少ない厚膜回路を提
供することを目的とするものである。

(ニ) 課題を解決するための手段 上述の点に鑑み、本発明の厚膜回路は、金属ま
たは金属酸化物と結着剤とを主成分とする抵抗体
ペーストを基板上に所定の間隔を設けて印刷、焼
成した一対の厚膜低抵抗体と、金属または金属酸
化物と結着剤とを主成分とする抵抗体ペーストを
両端部が夫々前記一対の厚膜低抵抗体上に位置す
るように前記基板上に印刷、焼成し、且つ結着剤
成分を多く含む第１の層及び該第１の層の下方に
位置する金属または金属酸化物成分を多く含む第
２の層を有した厚膜高抵抗体と、卑金属を主成分
とする導体ペーストを、前記両厚膜抵抗体が形成
された基板上に、その端部が前記厚膜低抵抗体上
に位置するように印刷、焼成した厚膜導体とを備
え、前記厚膜低抵抗体と前記厚膜高抵抗体の第２
の層とで電流路が形成されることを特徴とするも
のである。

(ホ) 作用 上記構成により、厚膜低抵抗体中を流れる電流
は、厚膜低抵抗体と厚膜高抵抗体の第２の層を介
して流れるので、結着剤成分を多く含む第１の層
を経由しない。

(ヘ) 実施例 以下に本発明の一実施例を第３図〜第７図に示
す製造工程順に説明する。

第３図工程で、アルミナ基板４上に一対の低抵
抗体ペースト５′，５′を印刷、乾焼し、次いで第
４図の工程で、上記各低抵抗体ペーストをブリツ
ジする如く本来の高抵抗体ペースト６′を印刷、
焼成した後、第５図の工程で低抵抗体ペースト
５′，５′及び高抵抗体ペースト６′の同時焼成を
行い低抵抗体５，５及び高抵抗体６を形成する。

低抵抗体ペースト５′，５′には数オーム乃至数
百オームの低抵抗用、また高抵抗体ペースト６′
には数百キロオーム乃至数メガオームの高抵抗体
用の酸化ルテニウムペーストを夫々用い、その焼
成は850℃の空気中で行う。

第６図の工程で導体ペーストを所定パターンで
印刷し、乾燥と焼成をして低抵抗体５，５の端部
と重畳する導体７，７を形成する。上記導体ペー
ストとしてはデユポン社等から販売されている銅
ペーストを用い、その焼成は500〜600℃の窒素雰
囲気中で行う。

このように製造された厚膜回路において、第７
図に示すごとく、高抵抗体６の表面層（第１の
層）６ａはガラスリツチとなり、底面層（第２の
層）６ｂは酸化ルテニウムリツチとなるが、導体
７，７は低抵抗体５，５を介して高抵抗体６の酸
化ルテニウムリツチな底面層６ｂと電気的に結合
する。

これにより、高抵抗体６中を流れる電流はガラ
スリツチな表面層６ａをほとんど経由しないの
で、上記従来の従き抵抗値の変動やばらつきがな
い。

ところで、上述の実施例においては、高抵抗体
６は低抵抗体５，５と酸化ルテニウムリツチな面
で接続されているので、高抵抗体中６を、一方の
低抵抗体５から、他方の低抵抗体５に向かつて流
れる電流は、ガラス成分が極めて多い高抵抗体表
面層を除く部分に流れる。したがつて、高抵抗体
６の実質的な抵抗値は、表面層を除いた酸化ルテ
ニウム成分を含有する部分で決まる。言い換えれ
ば、高抵抗体６の実質的な抵抗値は、高抵抗体表
面層のガラスリツチな部分の発生状態によりその
値があまり変動することなく決定される。

斯る実質的な抵抗値は、厚膜高抵抗体６全体の
抵抗値（酸化ルテニウム成分とガラス成分との混
合比により決まる所期の抵抗値）より若干低くな
るが、上述のように実質的な抵抗値は、表面層を
除いた酸化ルテニウム成分を含有する部分で決ま
るので、ガラス成分が多く含まれる部分の発生状
態によるばらつきは小さく、ほぼ一定の値が得ら
れる。

この厚膜高抵抗体６の抵抗値の低下は、所期の
抵抗値に比して、極めて小さいものであるが、低
下する値はほぼ一定であるので、必要であれば、
この抵抗値の低下を予め補正することは容易であ
る。例えば、高抵抗体ペースト６′の印刷形成時
の面積を所期の大きさより、若干大きめにする方
法が考えられる。

(ト) 発明の効果 本発明によれば、厚膜抵抗体の表面層が結着剤
を多く含んだものになつても、低抵抗体の存在に
より斯る抵抗体中を流れる電流はそのような表面
層をほとんど経由しないので、ほぼ所期の抵抗値
を得ることができ、また、抵抗値のばらつきも少
ない。さらに、上記抵抗体は厚膜回路の他の同種
抵抗形成時に同時に作成し得るので、上記低抵抗
体作成のために工程が増えることもない。さらに
また、導体ペーストとして銅ペースト等の安価な
卑金属ペーストを使用することも可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は従来例を示す側面図、第３
図乃至第７図は本発明の一実施例を説明するため
の側面図である。 ５……厚膜低抵抗体、６……厚膜高抵抗体、６
ａ……表面層（第１の層）、６ｂ……底面層（第
２の層）、７……厚膜導体。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 金属または金属酸化物と結着剤とを主成分と
   する抵抗体ペースト５′，５′を基板４上に所定の
   間隔を設けて印刷、焼成した一対の厚膜低抵抗体
   ５，５と、 金属または金属酸化物と結着剤とを主成分とす
   る抵抗体ペースト６′を両端部が夫々前記一対の
   厚膜低抵抗体５，５上に位置するように前記基板
   ４上に印刷、焼成し、且つ結着剤成分を多く含む
   第１の層６ａ及び該第１の層６ａの下方に位置す
   る金属または金属酸化物成分を多く含む第２の層
   ６ｂを有した厚膜高抵抗体６と、 卑金属を主成分とする導体ペーストを、前記両
   厚膜抵抗体５，５，６が形成された基板４上に、
   その端部が前記厚膜低抵抗体５，５上に位置する
   ように印刷、焼成した厚膜導体７と、 を備え、 前記厚膜低抵抗体５，５と前記厚膜高抵抗体６
   の第２の層６ｂとで電流路が形成されることを特
   徴とする厚膜回路。