JPS643667B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS643667B2 JPS643667B2 JP58222833A JP22283383A JPS643667B2 JP S643667 B2 JPS643667 B2 JP S643667B2 JP 58222833 A JP58222833 A JP 58222833A JP 22283383 A JP22283383 A JP 22283383A JP S643667 B2 JPS643667 B2 JP S643667B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- heat generating
- wiring
- generating layer
- wiring layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はサーマルプリントヘツドの製造方法
に関する。
に関する。
周知のようにこの種サーマルプリントヘツド
は、絶縁性の基板の表面に対をなす配線層を形成
し、そのあと両配線層にまたがつて発熱層を形成
することによつて構成される。したがつて配線層
の端部と発熱層の端部とは互いに重なり合うよう
になる。しかし通常配線層は金等により、又発熱
層は酸化ルテニウム等からなり、いずれもそれぞ
れ印刷焼成して形成されるので、両者の重なり部
分において互いになじむことがなく、すなわち両
者が一体化することが極めて困難である。そのた
め両層間で剥離が起りやすく、特に発熱のために
パルス状の電圧を繰返して印加するときは、急激
な加熱、冷却が繰返えされることになり、層間剥
離や浮きばなれが顕著に発生する。
は、絶縁性の基板の表面に対をなす配線層を形成
し、そのあと両配線層にまたがつて発熱層を形成
することによつて構成される。したがつて配線層
の端部と発熱層の端部とは互いに重なり合うよう
になる。しかし通常配線層は金等により、又発熱
層は酸化ルテニウム等からなり、いずれもそれぞ
れ印刷焼成して形成されるので、両者の重なり部
分において互いになじむことがなく、すなわち両
者が一体化することが極めて困難である。そのた
め両層間で剥離が起りやすく、特に発熱のために
パルス状の電圧を繰返して印加するときは、急激
な加熱、冷却が繰返えされることになり、層間剥
離や浮きばなれが顕著に発生する。
この発明は配線層と発熱層との重なり部分にお
ける両者の確実な一体化を図ることを目的とす
る。
ける両者の確実な一体化を図ることを目的とす
る。
この発明は配線層と発熱層との重なり領域に、
両者を融着させるための鉛又はその化合物からな
る融着層を介在せしめ、これを加熱することによ
つて融着層内の鉛成分を配線層及び発熱層内に含
まれているバインダーガラス中に拡散させること
によつて配線層と発熱層との重なり領域における
確実な一体化を図ることを特徴とする。
両者を融着させるための鉛又はその化合物からな
る融着層を介在せしめ、これを加熱することによ
つて融着層内の鉛成分を配線層及び発熱層内に含
まれているバインダーガラス中に拡散させること
によつて配線層と発熱層との重なり領域における
確実な一体化を図ることを特徴とする。
この発明の実施例方法を図を参照して説明す
る。１はアルミナセラミツク等のような絶縁性の
基板、２は対をなす配線層で、金等からなり、３
は発熱層で、酸化ルテニウム等からなり、両配線
層２の端部に重なるようにして形成される。配線
層２は印刷焼成によつて形成される。これを形成
したあと、発熱層３は同じく印刷焼成によつて形
成される。このような形成法は従来と特に相違す
るところはない。そしてこのような構成では、配
線層２と発熱層３との重なり領域で剥離する現象
が発生しやすいことは前述したとおりである。
る。１はアルミナセラミツク等のような絶縁性の
基板、２は対をなす配線層で、金等からなり、３
は発熱層で、酸化ルテニウム等からなり、両配線
層２の端部に重なるようにして形成される。配線
層２は印刷焼成によつて形成される。これを形成
したあと、発熱層３は同じく印刷焼成によつて形
成される。このような形成法は従来と特に相違す
るところはない。そしてこのような構成では、配
線層２と発熱層３との重なり領域で剥離する現象
が発生しやすいことは前述したとおりである。
この発明にしたがい、発熱層３を形成するのに
さきだつて、配線層２の端部すなわち発熱層３と
重なり合う領域に、鉛又はその化合物（たとえば
酸化鉛）からなる融着層４を形成する。融着層４
は実際には鉛又はその化合物を少くとも30％以上
含有するガラスペーストを印刷して焼成（膜厚
0.1〜5μ程度）するか又は真空蒸着等により膜状
（膜厚0.1〜3μ程度）に形成する。
さきだつて、配線層２の端部すなわち発熱層３と
重なり合う領域に、鉛又はその化合物（たとえば
酸化鉛）からなる融着層４を形成する。融着層４
は実際には鉛又はその化合物を少くとも30％以上
含有するガラスペーストを印刷して焼成（膜厚
0.1〜5μ程度）するか又は真空蒸着等により膜状
（膜厚0.1〜3μ程度）に形成する。
このあとで前述した発熱層３を印刷焼成するの
であるが、当然のことながら発熱層３は配線層２
との重なり領域において融着層４が介在するよう
に印刷される。この印刷のあと700〜950℃程度で
焼成される。このときの焼成熱により、融着層
４、配線層２も同時に加熱されるが、この熱によ
り融着層４内の鉛成分が、配線層２、発熱層３内
のバインダーとして混在しているガラス（一般に
は鉛ガラス）内に拡散する。この拡散によつて配
線層２と発熱層３との間に一体的に鉛成分の多い
領域が形成されるようになり、これによつて配線
層２と発熱層３はこの拡散領域を介在して一体的
に融着接合されるようになる。
であるが、当然のことながら発熱層３は配線層２
との重なり領域において融着層４が介在するよう
に印刷される。この印刷のあと700〜950℃程度で
焼成される。このときの焼成熱により、融着層
４、配線層２も同時に加熱されるが、この熱によ
り融着層４内の鉛成分が、配線層２、発熱層３内
のバインダーとして混在しているガラス（一般に
は鉛ガラス）内に拡散する。この拡散によつて配
線層２と発熱層３との間に一体的に鉛成分の多い
領域が形成されるようになり、これによつて配線
層２と発熱層３はこの拡散領域を介在して一体的
に融着接合されるようになる。
次に本発明者が行つた実験について説明する。
デユーテイフアクター50％、波高値15Vのパルス
電圧を連続して印加した場合、従来構成のサーマ
ルプリントヘツドではパルス印加回数が３×10回
で局部的な剥離が発生した。これに対しこの発明
にしたがい、酸化鉛を35％含有するガラスペース
トを印刷焼成して膜厚3μの融着膜４を形成して
から発熱層３を印刷焼成（焼成温度約800℃）し
て膜厚2μに形成したところ、前記したパルス電
圧を同じ条件で10×108回連続印加しても剥離は
どこにも発生しなかつた。
デユーテイフアクター50％、波高値15Vのパルス
電圧を連続して印加した場合、従来構成のサーマ
ルプリントヘツドではパルス印加回数が３×10回
で局部的な剥離が発生した。これに対しこの発明
にしたがい、酸化鉛を35％含有するガラスペース
トを印刷焼成して膜厚3μの融着膜４を形成して
から発熱層３を印刷焼成（焼成温度約800℃）し
て膜厚2μに形成したところ、前記したパルス電
圧を同じ条件で10×108回連続印加しても剥離は
どこにも発生しなかつた。
以上詳述したようにこの発明によれば、配線層
と発熱層との重なり領域は鉛成分の多いガラス層
を介して一体的となるため、両者の融着は確実と
なり、急激な加熱、冷却によつても剥離や浮き離
れといつた事故は充分回避できるといつた効果を
奏する。
と発熱層との重なり領域は鉛成分の多いガラス層
を介して一体的となるため、両者の融着は確実と
なり、急激な加熱、冷却によつても剥離や浮き離
れといつた事故は充分回避できるといつた効果を
奏する。
図はこの発明方法の実施過程を示す断面図であ
る。 １……基板、２……配線層、３……発熱層、４
……融着層。
る。 １……基板、２……配線層、３……発熱層、４
……融着層。
Claims (1)
- １ 基板の表面に互いに対となる配線層を形成
し、ついで前記配線層の互いに相対する各端部
に、鉛又はその化合物からなる融着層を形成して
から、前記両配線層間に、前記融着層を介在させ
て発熱層を印刷するとともに、前記融着層内の鉛
成分が配線層及び発熱層内のバインダーガラス中
に拡散する程度に加熱して焼成してなるサーマル
プリントヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222833A JPS60112460A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | サ−マルプリントヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58222833A JPS60112460A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | サ−マルプリントヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60112460A JPS60112460A (ja) | 1985-06-18 |
| JPS643667B2 true JPS643667B2 (ja) | 1989-01-23 |
Family
ID=16788622
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58222833A Granted JPS60112460A (ja) | 1983-11-24 | 1983-11-24 | サ−マルプリントヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60112460A (ja) |
-
1983
- 1983-11-24 JP JP58222833A patent/JPS60112460A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60112460A (ja) | 1985-06-18 |
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