JPS64812B2 - - Google Patents
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- JPS64812B2 JPS64812B2 JP56107770A JP10777081A JPS64812B2 JP S64812 B2 JPS64812 B2 JP S64812B2 JP 56107770 A JP56107770 A JP 56107770A JP 10777081 A JP10777081 A JP 10777081A JP S64812 B2 JPS64812 B2 JP S64812B2
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- semiconductor element
- base body
- ceramic
- radiator
- cover
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/60—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers
- H10W70/67—Insulating or insulated package substrates; Interposers; Redistribution layers characterised by their insulating layers or insulating parts
- H10W70/69—Insulating materials thereof
- H10W70/692—Ceramics or glasses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関し、特に素子収容容器
（パツケージ）としてセラミツク材を主体とする
素子収容容器を用いた電力用半導体装置に関す
る。
（パツケージ）としてセラミツク材を主体とする
素子収容容器を用いた電力用半導体装置に関す
る。
かかるセラミツク材を主体とする素子収容容器
（以下セラミツクパツケージと称する）は、従来、
例えば第１図に示される構造を有してしている。
（以下セラミツクパツケージと称する）は、従来、
例えば第１図に示される構造を有してしている。
同図において、１１はアルミナ（Al2O3）等の
セラミツク材からなる容器基体、１２は前記容器
基体１１の表面に形成された金属化層（メタライ
ズ層）１３ａ上にろう材により固着された例えば
トランジスタ等の半導体素子である。かかる半導
体素子１２の他の電極はリード線１４ａ，１４ｂ
を介して前記容器基体１１の表面に形成された金
属化層１３ｂ，１３ｃに接続される。また１５は
前記容器体１１上に前記半導体素子１２を囲んで
配設されたセラミツク枠体、１６は該セラミツク
枠体１５の項面に形成される金属化層により該セ
ラミツク枠体１５上に固着されるセラミツクある
いはコバールからなる蓋（キヤツプ）である。ま
た１７ａ，１７ｂは前記セラミツク枠体１５の外
側において前記金属化層１３ｂ及び１３ｃに接続
される例えばコバールからなる外部接続端子であ
る。
セラミツク材からなる容器基体、１２は前記容器
基体１１の表面に形成された金属化層（メタライ
ズ層）１３ａ上にろう材により固着された例えば
トランジスタ等の半導体素子である。かかる半導
体素子１２の他の電極はリード線１４ａ，１４ｂ
を介して前記容器基体１１の表面に形成された金
属化層１３ｂ，１３ｃに接続される。また１５は
前記容器体１１上に前記半導体素子１２を囲んで
配設されたセラミツク枠体、１６は該セラミツク
枠体１５の項面に形成される金属化層により該セ
ラミツク枠体１５上に固着されるセラミツクある
いはコバールからなる蓋（キヤツプ）である。ま
た１７ａ，１７ｂは前記セラミツク枠体１５の外
側において前記金属化層１３ｂ及び１３ｃに接続
される例えばコバールからなる外部接続端子であ
る。
このような半導体装置において、前記半導体素
子１２が大電力を扱うものである場合には、第２
図に示されるように該半導体素子１２を支持する
容器基体１１の下面（半導体素子１２の固着面と
は反対の面）に銅製の放熱体（ヒートシリンク）
２１が金錫あるいは半田等のろう材により固着さ
れる。
子１２が大電力を扱うものである場合には、第２
図に示されるように該半導体素子１２を支持する
容器基体１１の下面（半導体素子１２の固着面と
は反対の面）に銅製の放熱体（ヒートシリンク）
２１が金錫あるいは半田等のろう材により固着さ
れる。
ところがこのような構造にあつては、前記放熱
体２１の固着時あるいはその後熱処理に伴う、該
放熱体２１の伸縮によつて、セラミツク製容器基
体１１にクラツクを生じ（第２図の部分Ａ）、当
該半導体装置の製造歩留り及び信頼性の低下を招
いていた。
体２１の固着時あるいはその後熱処理に伴う、該
放熱体２１の伸縮によつて、セラミツク製容器基
体１１にクラツクを生じ（第２図の部分Ａ）、当
該半導体装置の製造歩留り及び信頼性の低下を招
いていた。
本発明はこのような従来の半導体装置の有する
欠点を除去し、より高い製造歩留り及び信頼性を
得ることができる半導体装置を提供しようとする
ものである。
欠点を除去し、より高い製造歩留り及び信頼性を
得ることができる半導体装置を提供しようとする
ものである。
このため、本発明によれば、絶縁物基体の一方
の主面に搭載固着された半導体素子、前記主面上
において前記半導体素子を囲んで配設された絶縁
物枠体、前記絶縁物枠体に固着された蓋部材、前
記絶縁物基体の他方の主面に配設された放熱体及
び前記半導体素子から導出された外部接続端子を
備えてなる半導体装置において、前記蓋部材が前
記放熱体と同等の熱膨張係数を有する材料から構
成されてなる半導体装置が提供される。
の主面に搭載固着された半導体素子、前記主面上
において前記半導体素子を囲んで配設された絶縁
物枠体、前記絶縁物枠体に固着された蓋部材、前
記絶縁物基体の他方の主面に配設された放熱体及
び前記半導体素子から導出された外部接続端子を
備えてなる半導体装置において、前記蓋部材が前
記放熱体と同等の熱膨張係数を有する材料から構
成されてなる半導体装置が提供される。
以下本発明を実施例をもつて詳細に説明する。
第３図は本発明による半導体装置を示す。
同図において、３１はアルミナ（Al2O3）等の
セラミツク材からなる容器基体、３２は前記容器
基体３１の表面に形成された金属化層（メタライ
ズ層）３３ａ上にろう材により固着された例えば
トランジスタ等の半導体素子である。かかる半導
体素子３２の他の電極はリード線３４ａ，３４ｂ
を介して前記容器基体３１の表面に形成された金
属化層３３ｂ，３３ｃに接続される。また１５は
前記容器体３１上に前記半導体素子３２を囲んで
配設されたセラミツク枠体、３６は該セラミツク
枠体３５の項面に形成される金属化層により該セ
ラミツク枠体３５上に固着される蓋（キヤツプ）
である。また３７ａ，３７ｂは前記セラミツク枠
体３５の外側において前記金属化層３３ｂ及び３
３ｃに接続される例えばコバールからなる外部接
続端子である。更に３８は容器基体３１の下面に
金錫あるいは半田等のろう材により固着された銅
製の放熱体（ヒートシンク）である。かかる放熱
体３８は、容器基体３１への半導体素子３２の搭
載固着、リード線３４の接続、３６の固着等が終
了した後に取り付けられる。
セラミツク材からなる容器基体、３２は前記容器
基体３１の表面に形成された金属化層（メタライ
ズ層）３３ａ上にろう材により固着された例えば
トランジスタ等の半導体素子である。かかる半導
体素子３２の他の電極はリード線３４ａ，３４ｂ
を介して前記容器基体３１の表面に形成された金
属化層３３ｂ，３３ｃに接続される。また１５は
前記容器体３１上に前記半導体素子３２を囲んで
配設されたセラミツク枠体、３６は該セラミツク
枠体３５の項面に形成される金属化層により該セ
ラミツク枠体３５上に固着される蓋（キヤツプ）
である。また３７ａ，３７ｂは前記セラミツク枠
体３５の外側において前記金属化層３３ｂ及び３
３ｃに接続される例えばコバールからなる外部接
続端子である。更に３８は容器基体３１の下面に
金錫あるいは半田等のろう材により固着された銅
製の放熱体（ヒートシンク）である。かかる放熱
体３８は、容器基体３１への半導体素子３２の搭
載固着、リード線３４の接続、３６の固着等が終
了した後に取り付けられる。
このような本発明においては、前記蓋３６を構
成する部材として、前記放熱体３８と同一材料、
すなわち本実施例にあつては銅を用いる。
成する部材として、前記放熱体３８と同一材料、
すなわち本実施例にあつては銅を用いる。
このような構成によれば、前記放熱体３８を容
器基体３１に固着する際の熱処理あるいはその後
の熱処理により、当該放熱体が伸縮しても、蓋３
６も同一方向に伸縮するために、容器基体３１へ
加わる応力は相殺され、該容器基体３１へクラツ
クを生じない。
器基体３１に固着する際の熱処理あるいはその後
の熱処理により、当該放熱体が伸縮しても、蓋３
６も同一方向に伸縮するために、容器基体３１へ
加わる応力は相殺され、該容器基体３１へクラツ
クを生じない。
なお、前記蓋３６はそれ自体の体積が小さなた
め、該蓋３６のセラミツク枠体３５への固着の際
に該セラミツク枠体３５、容器基体３１へ加わる
応力は小さく、クラツクを生じない。したがつて
蓋３６と放熱体３７の固着を300〔℃〕程の温度で
同時に行なつてもよく、また蓋３６を300〔℃〕程
の温度で固着した後、放熱体３８を240〔℃〕程の
温度で固着する方法をとることもできる。
め、該蓋３６のセラミツク枠体３５への固着の際
に該セラミツク枠体３５、容器基体３１へ加わる
応力は小さく、クラツクを生じない。したがつて
蓋３６と放熱体３７の固着を300〔℃〕程の温度で
同時に行なつてもよく、また蓋３６を300〔℃〕程
の温度で固着した後、放熱体３８を240〔℃〕程の
温度で固着する方法をとることもできる。
以上のように、本発明によればセラミツク容器
基体上に固着された半導体素子を気密封止する蓋
を構成する材料として、前記容器基体の下面（半
導体素子の固着される面とは反対の面）に配設さ
れる放熱体と同一材料を用いることにより、前記
放熱体の固着時あるいはその後の熱処理において
もセラミツク容器基体にクラツクを生ぜず、半導
体装置の製造歩留り及び信頼性を高めることがで
きる。
基体上に固着された半導体素子を気密封止する蓋
を構成する材料として、前記容器基体の下面（半
導体素子の固着される面とは反対の面）に配設さ
れる放熱体と同一材料を用いることにより、前記
放熱体の固着時あるいはその後の熱処理において
もセラミツク容器基体にクラツクを生ぜず、半導
体装置の製造歩留り及び信頼性を高めることがで
きる。
なお前記蓋部材を構成する材料としては、放熱
体を構成する材料と同一でなくとも、ほぼ同等の
熱膨張係数を有するものであれば、適用すること
ができる。例えば放熱体を構成する材料として銅
を用いる場合には蓋部材を構成する材料として、
アルミニウム、銀等を用いることができる。
体を構成する材料と同一でなくとも、ほぼ同等の
熱膨張係数を有するものであれば、適用すること
ができる。例えば放熱体を構成する材料として銅
を用いる場合には蓋部材を構成する材料として、
アルミニウム、銀等を用いることができる。
第１図及び第２図は従来の半導体装置の構造を
示す断面図、第３図は本発明による半導体装置の
構造を示す断面図である。 図において１１，３１……セラミツク製容器基
体、１２，３２……半導体素子、１５，３５……
セラミツク枠体、１６，３６……蓋（キヤツプ）、
２１，３８……放熱体、である。
示す断面図、第３図は本発明による半導体装置の
構造を示す断面図である。 図において１１，３１……セラミツク製容器基
体、１２，３２……半導体素子、１５，３５……
セラミツク枠体、１６，３６……蓋（キヤツプ）、
２１，３８……放熱体、である。
Claims (1)
- １ 絶縁物基体の一方の主面に搭載固着された半
導体素子、前記主面上において前記半導体素子を
囲んで配設された絶縁物枠体、前記絶縁物枠体に
固着された蓋部材、前記絶縁物基体の他方の主面
に配設された放熱体及び前記半導体素子から導出
された外部接続端子を備えてなる半導体装置にお
いて、前記蓋部材が前記放熱体と同等の熱膨張係
数を有する材料から構成されてなることを特徴と
する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107770A JPS5810840A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56107770A JPS5810840A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5810840A JPS5810840A (ja) | 1983-01-21 |
| JPS64812B2 true JPS64812B2 (ja) | 1989-01-09 |
Family
ID=14467563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56107770A Granted JPS5810840A (ja) | 1981-07-10 | 1981-07-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5810840A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059756A (ja) * | 1983-09-12 | 1985-04-06 | Ibiden Co Ltd | プラグインパッケ−ジとその製造方法 |
| JPS6095944A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Ibiden Co Ltd | プラグインパツケ−ジとその製造方法 |
| JPS6095943A (ja) * | 1983-10-31 | 1985-05-29 | Ibiden Co Ltd | プラグインパツケ−ジとその製造方法 |
| JP2531469Y2 (ja) * | 1990-04-17 | 1997-04-02 | 三菱重工業株式会社 | 高温、高圧用フレキシブルジヨイント |
| US5173766A (en) * | 1990-06-25 | 1992-12-22 | Lsi Logic Corporation | Semiconductor device package and method of making such a package |
-
1981
- 1981-07-10 JP JP56107770A patent/JPS5810840A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5810840A (ja) | 1983-01-21 |
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