JPS649744B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS649744B2 JPS649744B2 JP58073183A JP7318383A JPS649744B2 JP S649744 B2 JPS649744 B2 JP S649744B2 JP 58073183 A JP58073183 A JP 58073183A JP 7318383 A JP7318383 A JP 7318383A JP S649744 B2 JPS649744 B2 JP S649744B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal electrode
- electrode
- solar cell
- amorphous silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はアモルフアスシリコン（以下ａ−Siと
記す）層に発生した光起電力の取出しのために表
面を覆つて金属電極が設けられるａ−Si太陽電池
に関する。
記す）層に発生した光起電力の取出しのために表
面を覆つて金属電極が設けられるａ−Si太陽電池
に関する。
ａ−Si太陽電池の電極としては光の入射側には
透明導電膜からなる透明電極が全面に設けられる
が、それに対向する電極には金属電極が全面に設
けられるのが一般的である。この種の金属電極と
してはアルミニウム電極あるいはアルミニウムと
チタンの積層電極が知られている。しかしこれら
の電極をAlあるいはTiの蒸着により形成する場
合、金属のスプラツシユあるいは突沸により金属
粒子が衝突しａ−Si層に損傷を与えることがしば
しばあり、太陽電池の製造歩留りを低下させる原
因となつていた。
透明導電膜からなる透明電極が全面に設けられる
が、それに対向する電極には金属電極が全面に設
けられるのが一般的である。この種の金属電極と
してはアルミニウム電極あるいはアルミニウムと
チタンの積層電極が知られている。しかしこれら
の電極をAlあるいはTiの蒸着により形成する場
合、金属のスプラツシユあるいは突沸により金属
粒子が衝突しａ−Si層に損傷を与えることがしば
しばあり、太陽電池の製造歩留りを低下させる原
因となつていた。
本発明は、上述の欠点を除去してより安定した
製造技術により製作できるａ−Si太陽電池に提供
することを目的とする。
製造技術により製作できるａ−Si太陽電池に提供
することを目的とする。
本発明はａ−Si太陽電池の金属電極とａ−Si層
との間に昇華性導電物質よりなる中間層が介在す
ることにつて金属電極蒸着時のａ−Si層に対する
金属粒子の作用を緩衝して上述の目的を達成す
る。昇華性導電物質としてはITO（インジウム、
すず酸化物）、SnO2が用いられる。
との間に昇華性導電物質よりなる中間層が介在す
ることにつて金属電極蒸着時のａ−Si層に対する
金属粒子の作用を緩衝して上述の目的を達成す
る。昇華性導電物質としてはITO（インジウム、
すず酸化物）、SnO2が用いられる。
第１図は本発明の一実施例を示すもので、ａ−
Si層３は、例えばシランのグロー放電分解により
透明絶縁基板、例えば１mmの厚さのガラス板１の
上に例えば20〜200nｍの厚さの透明導電膜から
なる透明電極２を介して成膜されている。ａ−Si
層３は例えば1μｍの厚さを有し、その上に全面
に蒸着により昇華性導電物質、例えば20〜100n
ｍの厚さのITO、SnO2などの膜４が形成され、
その上を従来と同様に蒸着法により成膜された
AlあるいはAl／Tiの金属電極５が覆つている。
金属電極の厚さは、例えば１〜2μｍである。
Si層３は、例えばシランのグロー放電分解により
透明絶縁基板、例えば１mmの厚さのガラス板１の
上に例えば20〜200nｍの厚さの透明導電膜から
なる透明電極２を介して成膜されている。ａ−Si
層３は例えば1μｍの厚さを有し、その上に全面
に蒸着により昇華性導電物質、例えば20〜100n
ｍの厚さのITO、SnO2などの膜４が形成され、
その上を従来と同様に蒸着法により成膜された
AlあるいはAl／Tiの金属電極５が覆つている。
金属電極の厚さは、例えば１〜2μｍである。
本発明によれば、ａ−Si太陽電池の電極構造に
おいて、金属電極とａ−Si層の間に緩衝材として
昇華性導電物質を挿入する。昇華性導電物質は蒸
着時にスプラツシユ、突沸等が少ないのでａ−Si
層に障害を与えることがなく、その上に金属電極
を蒸着する際にスプラツシユ、突沸等により衝突
する金属粒子に対してａ−Si層を保護する役目を
する。従つてａ−Si層の損傷による不良率は低下
し、ａ−Si太陽電池の安定した製造技術が得られ
る。
おいて、金属電極とａ−Si層の間に緩衝材として
昇華性導電物質を挿入する。昇華性導電物質は蒸
着時にスプラツシユ、突沸等が少ないのでａ−Si
層に障害を与えることがなく、その上に金属電極
を蒸着する際にスプラツシユ、突沸等により衝突
する金属粒子に対してａ−Si層を保護する役目を
する。従つてａ−Si層の損傷による不良率は低下
し、ａ−Si太陽電池の安定した製造技術が得られ
る。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。
３：ａ−Si層、４：昇華性導電物質層、５：金
属電極。
属電極。
Claims (1)
- １ 透明絶縁基板上に透明導電膜を介してアモル
フアスシリコン層を設け、該層を全面的に覆うよ
うに金属電極を形成して、前記基板側からの入射
光により発電を行う太陽電池において、前記アモ
ルフアスシリコン層と金属電極との間に昇華性導
電物質よりなる中間層が介在することを特徴とす
るアモルフアスシリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073183A JPS59198774A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073183A JPS59198774A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5236080A Division JP2746074B2 (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | アモルファスシリコン太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59198774A JPS59198774A (ja) | 1984-11-10 |
| JPS649744B2 true JPS649744B2 (ja) | 1989-02-20 |
Family
ID=13510763
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073183A Granted JPS59198774A (ja) | 1983-04-26 | 1983-04-26 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59198774A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0272564U (ja) * | 1988-11-24 | 1990-06-01 | ||
| JP3106786B2 (ja) * | 1993-08-26 | 2000-11-06 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5943102B2 (ja) * | 1979-12-14 | 1984-10-19 | 富士電機株式会社 | 太陽電池 |
-
1983
- 1983-04-26 JP JP58073183A patent/JPS59198774A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59198774A (ja) | 1984-11-10 |
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