JPH0131261B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0131261B2 JPH0131261B2 JP11399179A JP11399179A JPH0131261B2 JP H0131261 B2 JPH0131261 B2 JP H0131261B2 JP 11399179 A JP11399179 A JP 11399179A JP 11399179 A JP11399179 A JP 11399179A JP H0131261 B2 JPH0131261 B2 JP H0131261B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- target
- deflection
- image pickup
- electrode plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/70—Arrangements for deflecting ray or beam
- H01J29/72—Arrangements for deflecting ray or beam along one straight line or along two perpendicular straight lines
- H01J29/74—Deflecting by electric fields only
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、撮像管、特に電磁集束−静電偏向型
電子光学系を用いた撮像管に係わる。
電子光学系を用いた撮像管に係わる。
電磁集束−静電偏向型電子光学系を用いた撮像
管（以下MF型撮像管と略称する）は、原理的に
は集束収差が無いこと、偏向直線性が良好なこ
と、電子ビームの垂直ランデイングが得られるな
どの利点を有し、これがため、この種MF型撮像
管は賞用されるに到つている。ところが、この種
MF型撮像管においても、通常戻りビーム像と呼
ばれる偽信号の発生がある。この戻りビーム像に
ついて説明するに、先ず通常のMF型撮像管につ
いて説明する。この撮像管は、第１図に示すよう
に、管体１内に電子銃２が配置され、これよりの
電子ビームに対する水平の垂直偏向用の静電偏向
電極５が、例えば管体１の内周面に被着された導
電膜によつて構成される。６は集束コイル、７は
整列コイルを示す。電子銃２は、例えば第２図に
示すように、カソードＫと、第１グリツド電極
G1と、第２グリツド電極G2とを有し、第２グリ
ツド電極G2にはリミツテイングアパーチヤａを
有する電極板８が管軸とほぼ直交する面内に設け
られて成る。
管（以下MF型撮像管と略称する）は、原理的に
は集束収差が無いこと、偏向直線性が良好なこ
と、電子ビームの垂直ランデイングが得られるな
どの利点を有し、これがため、この種MF型撮像
管は賞用されるに到つている。ところが、この種
MF型撮像管においても、通常戻りビーム像と呼
ばれる偽信号の発生がある。この戻りビーム像に
ついて説明するに、先ず通常のMF型撮像管につ
いて説明する。この撮像管は、第１図に示すよう
に、管体１内に電子銃２が配置され、これよりの
電子ビームに対する水平の垂直偏向用の静電偏向
電極５が、例えば管体１の内周面に被着された導
電膜によつて構成される。６は集束コイル、７は
整列コイルを示す。電子銃２は、例えば第２図に
示すように、カソードＫと、第１グリツド電極
G1と、第２グリツド電極G2とを有し、第２グリ
ツド電極G2にはリミツテイングアパーチヤａを
有する電極板８が管軸とほぼ直交する面内に設け
られて成る。
このような構成による撮像管において、電子銃
２より発射されて電子ビーム９は、静電偏向電極
５によつて形成される電界によつて水平、垂直偏
向されて管体１のフエースプレート３の内面に配
されたターゲツト４上を走査するようになされ
る。
２より発射されて電子ビーム９は、静電偏向電極
５によつて形成される電界によつて水平、垂直偏
向されて管体１のフエースプレート３の内面に配
されたターゲツト４上を走査するようになされ
る。
このターゲツト４における電子ビームの走査領
域は、第２図において、領域Ａで示す範囲とする
とき、この領域Ａより外側の領域Ｂにおいて偽信
号が生ずる。すなわち、電子銃２より発射された
いわゆる往き電子ビーム９は、ターゲツト４の領
域Ａ上を走査するものであるが、その一部の電子
は破線１０で示すように電子銃２側に押し戻さ
れ、これがいわゆる戻りビームとなる。そして、
この戻りビーム１０が、第２グリツド電極G2の
主として電極板９に当り、その一部が再び破線１
１で示すようにターゲツト４に向う。このビーム
１１はそのエネルギーが小さく、一方、ターゲツ
ト４におけるビームの走査領域Ａにおいては、、
ビーム９の走査による放電によつて、陰極電位の
0Vに近く保持されているので、この領域Ａには
ビーム１１の入射がなされないが、走査領域Ａ外
の領域Ｂにおいては、ビーム９の走査がなされて
いないことによつてターゲツト印加電圧に近い高
いポテンシヤルの数十Ｖ程度の電位状態にあるた
めに、ここにビーム１０が入射し、これが偽信号
として読み出され、いわゆる戻りビーム像とな
る。２２はターゲツト４に対向して配置されるメ
ツシユ電極を示す。
域は、第２図において、領域Ａで示す範囲とする
とき、この領域Ａより外側の領域Ｂにおいて偽信
号が生ずる。すなわち、電子銃２より発射された
いわゆる往き電子ビーム９は、ターゲツト４の領
域Ａ上を走査するものであるが、その一部の電子
は破線１０で示すように電子銃２側に押し戻さ
れ、これがいわゆる戻りビームとなる。そして、
この戻りビーム１０が、第２グリツド電極G2の
主として電極板９に当り、その一部が再び破線１
１で示すようにターゲツト４に向う。このビーム
１１はそのエネルギーが小さく、一方、ターゲツ
ト４におけるビームの走査領域Ａにおいては、、
ビーム９の走査による放電によつて、陰極電位の
0Vに近く保持されているので、この領域Ａには
ビーム１１の入射がなされないが、走査領域Ａ外
の領域Ｂにおいては、ビーム９の走査がなされて
いないことによつてターゲツト印加電圧に近い高
いポテンシヤルの数十Ｖ程度の電位状態にあるた
めに、ここにビーム１０が入射し、これが偽信号
として読み出され、いわゆる戻りビーム像とな
る。２２はターゲツト４に対向して配置されるメ
ツシユ電極を示す。
本発明は、特にMF型撮像管において上述した
戻りビームによる偽信号の発生を効果的に回避す
ることができるようにする。
戻りビームによる偽信号の発生を効果的に回避す
ることができるようにする。
すなわち、本発明においては、MF型撮像管に
おいて往き戻り各ビームの偏向感度、すなわち第
２図に示す往きビーム９と、戻りビーム１０と、
更にこの戻りビーム１０によるターゲツト４に向
うビーム１１の各偏向感度が基本的には等しいこ
とに着目し、戻りビーム１０が、電子銃２のター
ゲツト４と対向するように配置された電極板部、
第２図の例では、第２グリツド電極G2の円筒部
の後端に、これを閉塞するように設けられたリミ
ツテイングアパーチヤ電極板８に当つてターゲツ
ト４の、特に領域Ａ以外の領域Ｂに戻されるの
は、領域Ａの幅をWtとするとき、電極板８の幅
が2/3Wt以上のところで戻りビーム１０が当るこ
とによつて生ずることを確認し、これに基いて、
少くともこの位置に向う戻りビーム１０を外側に
偏向させて、このビームが電極板８に当るを回避
させるかターゲツト４の少くとも領域Ｂ以外に向
わしめるようにする。
おいて往き戻り各ビームの偏向感度、すなわち第
２図に示す往きビーム９と、戻りビーム１０と、
更にこの戻りビーム１０によるターゲツト４に向
うビーム１１の各偏向感度が基本的には等しいこ
とに着目し、戻りビーム１０が、電子銃２のター
ゲツト４と対向するように配置された電極板部、
第２図の例では、第２グリツド電極G2の円筒部
の後端に、これを閉塞するように設けられたリミ
ツテイングアパーチヤ電極板８に当つてターゲツ
ト４の、特に領域Ａ以外の領域Ｂに戻されるの
は、領域Ａの幅をWtとするとき、電極板８の幅
が2/3Wt以上のところで戻りビーム１０が当るこ
とによつて生ずることを確認し、これに基いて、
少くともこの位置に向う戻りビーム１０を外側に
偏向させて、このビームが電極板８に当るを回避
させるかターゲツト４の少くとも領域Ｂ以外に向
わしめるようにする。
すなわち、電極板８の2/3Wt以上において戻り
ビーム１０が当ることがないようにするには、こ
の電極板８の幅を2/3Wt未満にとどめればよい
が、電極の機械的強度等の問題からこの幅を十分
小さくすることができない場合に、本発明を適用
して好適なものであり、本発明においては、往き
ビームと戻りビームに対する偏向感度を異ならし
める手段を設ける。
ビーム１０が当ることがないようにするには、こ
の電極板８の幅を2/3Wt未満にとどめればよい
が、電極の機械的強度等の問題からこの幅を十分
小さくすることができない場合に、本発明を適用
して好適なものであり、本発明においては、往き
ビームと戻りビームに対する偏向感度を異ならし
める手段を設ける。
第３図を参照して本発明の一例を説明するに、
第３図において第２図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。
第３図において第２図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。
この例においては電子銃２とターゲツト４との
間、すなわち、電極G2の電極板８の後段に、例
えば長さｌが0.05L〜0.4L（但しＬはアパーチヤａ
とターゲツト４との間の距離）を有し、直径φが
２／３Wt以下の円筒状の補助電極１３を設ける。そ
して、この補助電極１３は、例えばグリツド電極
G2、したがつてそのアパーチヤ−電極板８と電
気的に連結してその外側に配置された静電偏向電
極５に与えられる電圧の平均電圧の例えば400V
より低い例えば300Vの電圧として補助電極１３
と静電偏向電極５との間に静電偏向電界を形成す
る。このようにすれば、往きビーム９は、円筒状
補助電極１３内を通過させて、これによる偏向を
受けないが、戻りビーム１０は、補助電極１３と
偏向電極５との間の半径方向の静電偏向電界を通
過するのでこれが外側に偏向を受ける。尚、ここ
に補助電極１３の長さｌは、これが短かすぎると
戻りビームに充分な偏向を与えることができず、
長すぎると静電偏向電極５による本来の偏向を阻
害することになる。この長さｌは、電極１３に第
２グリツド電極G2及びそのリミツテイングアパ
ーチヤ電極板８に通常与えられる電圧を与えるも
のとし、一方静電偏向電極５の平均電圧も通常与
えられる電圧として、これらによつて両者間に生
ずる電界によつて戻りビームを偏向させるとする
と、0.05Lｌ0.4Lに選ばれることが望ましい
ことがわかつた。
間、すなわち、電極G2の電極板８の後段に、例
えば長さｌが0.05L〜0.4L（但しＬはアパーチヤａ
とターゲツト４との間の距離）を有し、直径φが
２／３Wt以下の円筒状の補助電極１３を設ける。そ
して、この補助電極１３は、例えばグリツド電極
G2、したがつてそのアパーチヤ−電極板８と電
気的に連結してその外側に配置された静電偏向電
極５に与えられる電圧の平均電圧の例えば400V
より低い例えば300Vの電圧として補助電極１３
と静電偏向電極５との間に静電偏向電界を形成す
る。このようにすれば、往きビーム９は、円筒状
補助電極１３内を通過させて、これによる偏向を
受けないが、戻りビーム１０は、補助電極１３と
偏向電極５との間の半径方向の静電偏向電界を通
過するのでこれが外側に偏向を受ける。尚、ここ
に補助電極１３の長さｌは、これが短かすぎると
戻りビームに充分な偏向を与えることができず、
長すぎると静電偏向電極５による本来の偏向を阻
害することになる。この長さｌは、電極１３に第
２グリツド電極G2及びそのリミツテイングアパ
ーチヤ電極板８に通常与えられる電圧を与えるも
のとし、一方静電偏向電極５の平均電圧も通常与
えられる電圧として、これらによつて両者間に生
ずる電界によつて戻りビームを偏向させるとする
と、0.05Lｌ0.4Lに選ばれることが望ましい
ことがわかつた。
今、電極G2の外径Ｗをターゲツト４の電子ビ
ーム走査領域Ａの幅Wtと等しくするときは、ｌ
＝0.15L、直径φが1/3Wtの補助電極１３を設け、
これの電圧を電極G2と同電位とし電極５との電
位差を50Vとするとき、戻りビーム像を完全に消
滅させることができた。
ーム走査領域Ａの幅Wtと等しくするときは、ｌ
＝0.15L、直径φが1/3Wtの補助電極１３を設け、
これの電圧を電極G2と同電位とし電極５との電
位差を50Vとするとき、戻りビーム像を完全に消
滅させることができた。
尚この例においては、補助電極１３を設けて、
往きビームと戻りビームとに関して偏向感度を異
ならしめるようにした場合であるが、このように
偏向感度を異ならしめるに第４図に示すように、
集束コイル６をターゲツト４側に片寄つて配置す
ることもできる。この場合、集束コイル６の長さ
lcは、これが長すぎると、戻りビームに充分な偏
向を与えることができず、短かすぎると本来の集
束作用が不充分となるものでありこの長さlcは
0.5L≦lc＜1.0Lに選ばれることが望ましいことが
わかつた。
往きビームと戻りビームとに関して偏向感度を異
ならしめるようにした場合であるが、このように
偏向感度を異ならしめるに第４図に示すように、
集束コイル６をターゲツト４側に片寄つて配置す
ることもできる。この場合、集束コイル６の長さ
lcは、これが長すぎると、戻りビームに充分な偏
向を与えることができず、短かすぎると本来の集
束作用が不充分となるものでありこの長さlcは
0.5L≦lc＜1.0Lに選ばれることが望ましいことが
わかつた。
尚、lc＝0.8Lとするとき往きビームに対する偏
向感度と戻りビームの偏向感度とは１：1.4とな
る。
向感度と戻りビームの偏向感度とは１：1.4とな
る。
また、往きビームと戻りビームに対する偏向感
度を異ならしめる手段としては、第５図に示すよ
うに前述した補助電極１３と第４図で説明した集
束コイル６による手段との双方を併用し、また必
要に応じて電極板８の少くともターゲツト４と対
向する外周面に戻りビーム１０を吸収ないしは散
乱させてターゲツト４の領域Ｂに向わしめるを阻
止する物質層ないしは表面処理層１２を配するこ
とができる。
度を異ならしめる手段としては、第５図に示すよ
うに前述した補助電極１３と第４図で説明した集
束コイル６による手段との双方を併用し、また必
要に応じて電極板８の少くともターゲツト４と対
向する外周面に戻りビーム１０を吸収ないしは散
乱させてターゲツト４の領域Ｂに向わしめるを阻
止する物質層ないしは表面処理層１２を配するこ
とができる。
この物質層ないしは表面処理層１２は、、例え
ばガラス、セラミツク等の絶縁物の被着、炭素
粉、アクアダツク等の半絶縁物の被着、電極板８
自体の粗面化等によつて形成することもできる。
ばガラス、セラミツク等の絶縁物の被着、炭素
粉、アクアダツク等の半絶縁物の被着、電極板８
自体の粗面化等によつて形成することもできる。
尚、各図示の例では、電極G2のリミツテイン
グアパーチヤを有する電極板８の外径が電極G2
の円筒状部の径より大になされた場合を示したが
電極G2の円筒状部の径と同径を有する構造とす
ることもできる。また、電子銃２の構成も種々の
構成をとり得るものであり、ターゲツト４と対向
する電極板はリミツテイングアパーチヤを有する
電極板に限られるものではないことは付言を要さ
ないところであろう。
グアパーチヤを有する電極板８の外径が電極G2
の円筒状部の径より大になされた場合を示したが
電極G2の円筒状部の径と同径を有する構造とす
ることもできる。また、電子銃２の構成も種々の
構成をとり得るものであり、ターゲツト４と対向
する電極板はリミツテイングアパーチヤを有する
電極板に限られるものではないことは付言を要さ
ないところであろう。
第１図は本発明の説明に供する電磁集束−静電
偏向型撮像管の側面図、第２図はその要部の構成
図、第３図ないし第５図は夫々本発明による撮像
管の各例の要部の構成図である。 １は管体、２は電子銃、３はフエースプレー
ト、４はターゲツト、５は静電偏向電極、６は集
束コイル、G1及びG2は第１及び第２グリツド、
８はリミツテイングアパーチヤ電極板、１２は電
子の吸収ないしは散乱層、１３は補助電極であ
る。
偏向型撮像管の側面図、第２図はその要部の構成
図、第３図ないし第５図は夫々本発明による撮像
管の各例の要部の構成図である。 １は管体、２は電子銃、３はフエースプレー
ト、４はターゲツト、５は静電偏向電極、６は集
束コイル、G1及びG2は第１及び第２グリツド、
８はリミツテイングアパーチヤ電極板、１２は電
子の吸収ないしは散乱層、１３は補助電極であ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 電磁集束−静電偏向型撮像管において、 電子銃とターゲツトの間で電子銃の後段に円筒
状の補助電極を設け、前記補助電極と静電偏向電
極との間に形成される静電偏向電界によりターゲ
ツトに対する往ビームと戻りビームとの偏向感度
を異ならせる様にした撮像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11399179A JPS5638743A (en) | 1979-09-05 | 1979-09-05 | Camera tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11399179A JPS5638743A (en) | 1979-09-05 | 1979-09-05 | Camera tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5638743A JPS5638743A (en) | 1981-04-14 |
| JPH0131261B2 true JPH0131261B2 (ja) | 1989-06-23 |
Family
ID=14626313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11399179A Granted JPS5638743A (en) | 1979-09-05 | 1979-09-05 | Camera tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5638743A (ja) |
-
1979
- 1979-09-05 JP JP11399179A patent/JPS5638743A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5638743A (en) | 1981-04-14 |
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