JPH0139622B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0139622B2 JPH0139622B2 JP54113990A JP11399079A JPH0139622B2 JP H0139622 B2 JPH0139622 B2 JP H0139622B2 JP 54113990 A JP54113990 A JP 54113990A JP 11399079 A JP11399079 A JP 11399079A JP H0139622 B2 JPH0139622 B2 JP H0139622B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- target
- electrode plate
- image pickup
- electrostatic deflection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/46—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the ray or beam, e.g. electron-optical arrangement
- H01J29/48—Electron guns
- H01J29/488—Schematic arrangements of the electrodes for beam forming; Place and form of the elecrodes
Landscapes
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は撮像管、特に電磁集束−静電偏向型電
子光学系を用いた撮像管に係わる。
子光学系を用いた撮像管に係わる。
電磁集束−静電偏向型電子光学系を用いた撮像
管（以下MF型撮像管と略称する）は、原理的に
は集束収差が無いこと、偏向直線性が良好なこ
と、電子ビームの垂直ランデイングが得られるな
どの利点を有し、これがため、この種MF型撮像
管は賞用されるに到つている。ところが、この種
MF型撮像管においても、通常戻りビーム像と呼
ばれる偽信号の発生がある。この戻りビーム像に
ついて説明するに、先ず通常のMF型撮像管につ
いて説明する。この撮像管は第１図に示すよう
に、管体１内に電子銃２が配置され、これよりの
電子ビームに対する水平・垂直偏向用の静電偏向
電極５が、例えば管体１の内周面に被着された導
電膜によつて構成される。６は集束コイル、７は
整列コイルを示す。電子銃２は例えば第２図に示
すように、カソードＫと、第１グリツド電極G1
と、第２グリツド電極G2とを有し、第２グリツ
ド電極G2にはリミツテイングアパーチヤａを有
する電極板８が管軸とほぼ直交する面内に設けら
れて成る。
管（以下MF型撮像管と略称する）は、原理的に
は集束収差が無いこと、偏向直線性が良好なこ
と、電子ビームの垂直ランデイングが得られるな
どの利点を有し、これがため、この種MF型撮像
管は賞用されるに到つている。ところが、この種
MF型撮像管においても、通常戻りビーム像と呼
ばれる偽信号の発生がある。この戻りビーム像に
ついて説明するに、先ず通常のMF型撮像管につ
いて説明する。この撮像管は第１図に示すよう
に、管体１内に電子銃２が配置され、これよりの
電子ビームに対する水平・垂直偏向用の静電偏向
電極５が、例えば管体１の内周面に被着された導
電膜によつて構成される。６は集束コイル、７は
整列コイルを示す。電子銃２は例えば第２図に示
すように、カソードＫと、第１グリツド電極G1
と、第２グリツド電極G2とを有し、第２グリツ
ド電極G2にはリミツテイングアパーチヤａを有
する電極板８が管軸とほぼ直交する面内に設けら
れて成る。
このような構成による撮像管において電子銃２
より発射された電子ビーム９は静電偏向電極５に
よつて形成される電界によつて水平・垂直偏向さ
れて管体１のフエースプレート３の内面に配され
たターゲツト４上を走査するようになされる。こ
のターゲツト４における電子ビームの走査領域
は、第２図において、領域Ａで示す範囲とすると
きこの領域Ａより外側の領域Ｂにおいて偽信号が
生ずる。すなわち、電子銃２より発射されたいわ
ゆる往き電子ビーム９は、ターゲツト４の領域Ａ
上を走査するものであるがその一部の電子は破線
１０で示すように電子銃２側に押し戻され、これ
がいわゆる戻りビームとなる。そして、この戻り
ビーム１０が、第２グリツド電極G2の主として
電極板８に当り、その一部が再び破線１１で示す
ようにターゲツト４に向う。このビーム１１はそ
のエネルギーが小さく、一方ターゲツト４におけ
るビームの走査領域Ａにおいてはビーム９の走査
による放電によつて陰極電位の0Vに近く保持さ
れているので、この領域Ａにはビーム１１の入射
がなされないが、走査領域Ａ外の領域Ｂにおいて
はビーム９の走査がなされていないことによつて
ターゲツト印加電圧に近い高いポテンシンヤルの
数十Ｖ程度の電位状態にあるために、ここにビー
ム１０が入射し、これが偽信号として読み出さ
れ、いわゆる戻りビーム像となる。２２はターゲ
ツト４に対向して配置されるメツシユ電極を示
す。
より発射された電子ビーム９は静電偏向電極５に
よつて形成される電界によつて水平・垂直偏向さ
れて管体１のフエースプレート３の内面に配され
たターゲツト４上を走査するようになされる。こ
のターゲツト４における電子ビームの走査領域
は、第２図において、領域Ａで示す範囲とすると
きこの領域Ａより外側の領域Ｂにおいて偽信号が
生ずる。すなわち、電子銃２より発射されたいわ
ゆる往き電子ビーム９は、ターゲツト４の領域Ａ
上を走査するものであるがその一部の電子は破線
１０で示すように電子銃２側に押し戻され、これ
がいわゆる戻りビームとなる。そして、この戻り
ビーム１０が、第２グリツド電極G2の主として
電極板８に当り、その一部が再び破線１１で示す
ようにターゲツト４に向う。このビーム１１はそ
のエネルギーが小さく、一方ターゲツト４におけ
るビームの走査領域Ａにおいてはビーム９の走査
による放電によつて陰極電位の0Vに近く保持さ
れているので、この領域Ａにはビーム１１の入射
がなされないが、走査領域Ａ外の領域Ｂにおいて
はビーム９の走査がなされていないことによつて
ターゲツト印加電圧に近い高いポテンシンヤルの
数十Ｖ程度の電位状態にあるために、ここにビー
ム１０が入射し、これが偽信号として読み出さ
れ、いわゆる戻りビーム像となる。２２はターゲ
ツト４に対向して配置されるメツシユ電極を示
す。
本発明は、特にMF型撮像管において、上述し
た戻りビームによる偽信号の発生を効果的に回避
することができるようにする。
た戻りビームによる偽信号の発生を効果的に回避
することができるようにする。
すなわち本発明においては、MF型撮像管にお
いて往き戻り各ビームの偏向感度、すなわち第２
図に示す往きビーム９と、戻りビーム１０と、更
にこの戻りビーム１０によるターゲツト４に向う
ビーム１１の各偏向感度が基本的には等しいこと
に着目し、戻りビーム１０が電子銃２のターゲツ
ト４と対向するように配置された電極板部、第２
図の例では第２グリツド電極G2の円筒部の後端
に、これを閉塞するように設けられたリミツテイ
ングアパーチヤ電極板８に当つてターゲツト４
の、特に領域Ａ以外の領域Ｂに戻されるのは、領
域Ａの幅をWtとするとき、電極板８の幅が2/3
Wt以上のところで戻りビーム１０が当ることに
よつて生ずることを確認し、これに基いて電極板
８の配置位置の2/3Wt以上の位置に向う戻りビー
ム１０をターゲツト４の少くとも領域Ｂ以外に向
わしめるようにする。
いて往き戻り各ビームの偏向感度、すなわち第２
図に示す往きビーム９と、戻りビーム１０と、更
にこの戻りビーム１０によるターゲツト４に向う
ビーム１１の各偏向感度が基本的には等しいこと
に着目し、戻りビーム１０が電子銃２のターゲツ
ト４と対向するように配置された電極板部、第２
図の例では第２グリツド電極G2の円筒部の後端
に、これを閉塞するように設けられたリミツテイ
ングアパーチヤ電極板８に当つてターゲツト４
の、特に領域Ａ以外の領域Ｂに戻されるのは、領
域Ａの幅をWtとするとき、電極板８の幅が2/3
Wt以上のところで戻りビーム１０が当ることに
よつて生ずることを確認し、これに基いて電極板
８の配置位置の2/3Wt以上の位置に向う戻りビー
ム１０をターゲツト４の少くとも領域Ｂ以外に向
わしめるようにする。
第３図を参照して本発明の一例を説明するに、
第３図において第２図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。この例において
は、電子銃２を構成し、ターゲツト４と対向する
ように配置された電極板部、図示の例では第２の
グリツド電極G2の電極板８の後段に、例えば長
さｌが0.05L〜0.4L（但しＬはアパーチヤａとター
ゲツト４との間の距離）を有し、外径が2/3Wt以
下の円筒状の補助電極１３を設ける。そしてこの
補助電極１３は、例えばグリツド電極G2、した
がつてそのアパーチヤ電極板８と電気的に連結し
てその外側に配置された静電偏向電極５に与えら
れる電圧の平均電圧の例えば400Vより低い例え
ば300Vの電圧を与えて、補助電極１３と静電偏
向電極５との間に静電偏向電界を形成し、戻りビ
ームのうち特にターゲツト４の領域Ｂに向うビー
ム１０を生じさせる方向に戻る戻りビーム９を外
側へ偏向させ電極G2の電極板８より遠去けるよ
うにする。尚、ここに補助電極１３の長さｌは、
これが短かすぎると戻りビームに充分な偏向を与
えることができず、長すぎると静電偏向電極５に
よる本来の偏向を阻害することになる。この長さ
ｌは、電極１３に第２グリツド電極G2及びその
リミツテイングアパーチヤ電極板８に通常与えら
れる電圧を与えるものとし、一方静電偏向電極５
の平均電圧も通常与えられる電圧として、これら
によつて両者間に生ずる電界によつて戻りビーム
を偏向させるとすると、0.05Lｌ0.4Lに選ば
れることが望ましいことがわかつた。
第３図において第２図と対応する部分には同一符
号を付して重複説明を省略する。この例において
は、電子銃２を構成し、ターゲツト４と対向する
ように配置された電極板部、図示の例では第２の
グリツド電極G2の電極板８の後段に、例えば長
さｌが0.05L〜0.4L（但しＬはアパーチヤａとター
ゲツト４との間の距離）を有し、外径が2/3Wt以
下の円筒状の補助電極１３を設ける。そしてこの
補助電極１３は、例えばグリツド電極G2、した
がつてそのアパーチヤ電極板８と電気的に連結し
てその外側に配置された静電偏向電極５に与えら
れる電圧の平均電圧の例えば400Vより低い例え
ば300Vの電圧を与えて、補助電極１３と静電偏
向電極５との間に静電偏向電界を形成し、戻りビ
ームのうち特にターゲツト４の領域Ｂに向うビー
ム１０を生じさせる方向に戻る戻りビーム９を外
側へ偏向させ電極G2の電極板８より遠去けるよ
うにする。尚、ここに補助電極１３の長さｌは、
これが短かすぎると戻りビームに充分な偏向を与
えることができず、長すぎると静電偏向電極５に
よる本来の偏向を阻害することになる。この長さ
ｌは、電極１３に第２グリツド電極G2及びその
リミツテイングアパーチヤ電極板８に通常与えら
れる電圧を与えるものとし、一方静電偏向電極５
の平均電圧も通常与えられる電圧として、これら
によつて両者間に生ずる電界によつて戻りビーム
を偏向させるとすると、0.05Lｌ0.4Lに選ば
れることが望ましいことがわかつた。
第４図の例においては補助電極１３を設けて往
きビームと戻りビームに関して偏向感度を異なら
しめるようにすると共に、集束コイル６をターゲ
ツト４側に偏つて配置した場合である。この場
合、集束コイル６の長さlcは、これが長すぎる
と、戻りビームに充分な偏向を与えることができ
ず、短かすぎると本来の集束作用が不充分となる
ものでありこの長さlcは0.05L≦lc＜1.0Lに選ば
れることが望ましいことがわかつた。
きビームと戻りビームに関して偏向感度を異なら
しめるようにすると共に、集束コイル６をターゲ
ツト４側に偏つて配置した場合である。この場
合、集束コイル６の長さlcは、これが長すぎる
と、戻りビームに充分な偏向を与えることができ
ず、短かすぎると本来の集束作用が不充分となる
ものでありこの長さlcは0.05L≦lc＜1.0Lに選ば
れることが望ましいことがわかつた。
尚、lc＝0.8Lとするとき往きビームに対する偏
向感度と戻りビームの偏向感度とは１：1.4とな
る。
向感度と戻りビームの偏向感度とは１：1.4とな
る。
尚、第３図及び第４図中１２は電極板８の周辺
部に設けられた戻りビーム１０の吸収ないしは散
乱に供する物質層で、電極板８の周辺部に戻りビ
ームが衝撃して再びターゲツト４に向うことを阻
止させるものである。
部に設けられた戻りビーム１０の吸収ないしは散
乱に供する物質層で、電極板８の周辺部に戻りビ
ームが衝撃して再びターゲツト４に向うことを阻
止させるものである。
また、各図示の例では電極G2のリミツテイン
グアパーチヤを有する電極板８の外径が電極G2
の円筒状部の径より大になされた場合を示したが
電極G2の円筒状部の径と同径を有する構造とす
ることもできる。また、電子銃２の構成も種々の
構成をとり得るものであり、ターゲツト４と対向
する電極板はリミツテイングアパーチヤを有する
電極板に限られるものではないことは付言を要さ
ないところであろう。
グアパーチヤを有する電極板８の外径が電極G2
の円筒状部の径より大になされた場合を示したが
電極G2の円筒状部の径と同径を有する構造とす
ることもできる。また、電子銃２の構成も種々の
構成をとり得るものであり、ターゲツト４と対向
する電極板はリミツテイングアパーチヤを有する
電極板に限られるものではないことは付言を要さ
ないところであろう。
第１図は本発明の説明に供する電磁集束−静電
偏向型撮像管の側面図、第２図はその要部の構成
図、第３図及び第４図は夫々本発明による撮像管
の各例の要部の構成図である。 １は管体、２は電子銃、３はフエースプレー
ト、４はターゲツト、５は静電偏向電極、６は集
束コイル、G1及びG2は第１及び第２グリツド、
８はリミツテイングアパーチヤ電極板、１２は電
子の吸収ないしは散乱層、１３は補助電極であ
る。
偏向型撮像管の側面図、第２図はその要部の構成
図、第３図及び第４図は夫々本発明による撮像管
の各例の要部の構成図である。 １は管体、２は電子銃、３はフエースプレー
ト、４はターゲツト、５は静電偏向電極、６は集
束コイル、G1及びG2は第１及び第２グリツド、
８はリミツテイングアパーチヤ電極板、１２は電
子の吸収ないしは散乱層、１３は補助電極であ
る。
Claims (1)
- １ 電磁集束−静電偏向型撮像管の電子銃の、タ
ーゲツトと対向する電極板部の後段に筒状の補助
電極を有し、静電偏向電極との間に静電偏向電界
を形成して前記電極板部の前記ターゲツトの電子
ビーム走査領域の幅の2/3以上の位置に向かうタ
ーゲツトよりの戻りビームが再びターゲツトに向
わないようした撮像管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11399079A JPS5638742A (en) | 1979-09-05 | 1979-09-05 | Camera tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11399079A JPS5638742A (en) | 1979-09-05 | 1979-09-05 | Camera tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5638742A JPS5638742A (en) | 1981-04-14 |
| JPH0139622B2 true JPH0139622B2 (ja) | 1989-08-22 |
Family
ID=14626290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11399079A Granted JPS5638742A (en) | 1979-09-05 | 1979-09-05 | Camera tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5638742A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5973838A (ja) * | 1982-10-20 | 1984-04-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電磁集束静電偏向型撮像管 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4728408U (ja) * | 1971-04-19 | 1972-12-01 |
-
1979
- 1979-09-05 JP JP11399079A patent/JPS5638742A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5638742A (en) | 1981-04-14 |
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