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JPH0136382B2 - - Google Patents
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JPH0136382B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0136382B2
JPH0136382B2 JP59060047A JP6004784A JPH0136382B2 JP H0136382 B2 JPH0136382 B2 JP H0136382B2 JP 59060047 A JP59060047 A JP 59060047A JP 6004784 A JP6004784 A JP 6004784A JP H0136382 B2 JPH0136382 B2 JP H0136382B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ceramic
apatite
temperature
containing liquid
molded body
Prior art date
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Expired
Application number
JP59060047A
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English (en)
Other versions
JPS60203263A (ja
Inventor
Kazuo Kondo
Masahiko Okuyama
Shoichi Watanabe
Satoshi Iio
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高強度、高靭性且つ骨との親和性に優
れたインプラント用セラミツク体の製造法に関す
るものである。
従来、インプラント用セラミツク体製造法とし
て、高強度を備えたセラミツクスを基体とし、該
基体の表面に骨との親和性に優れた別種のセラミ
ツクスよりなる被覆層を形成する方法が注目され
ている。基体材料としては歯科用陶材、多結晶ア
ルミナ、単結晶アルミナ等、被覆層としてはアパ
タイトがそれぞれ代表的に知られているが、これ
ら基体材料とで予め焼結した基体材料の表面にア
パタイト粉末を付与して焼き付ける方法が特開昭
53−118411号公報「アパタイトコーテイング陶材
およびその製法」に開示されているが、この方法
では例えば基体材料に近年高強度、高破壊じん性
を特徴としインプラント材料として注目されてい
る部分安定化ジルコニア焼結体を用いた場合に
は、アパタイトの一般的な焼結温度1300℃および
さらに温度を上げ1500℃程度の温度でアパタイト
粉末を焼き付けたとしてもアパタイトの接着強度
は指でこすると容易にはがれてしまう程度の弱い
ものであつた。また、焼き付け温度をさらに1600
℃程度に上げると、基体の部分安定化ジルコニア
焼結体は著しい強度低下をひきおこした。
部分安定化ジルコニアセラミツクスは一般的な
焼結温度が1500〜1600℃とアパタイト焼結温度
1300℃に比較し、かなり高く、アパタイトと良好
な接合層を形成しにくく、また高い温度で再熱処
理をうけると粒成長が著しく、さらに相転移によ
る体積変化の結果、クラツクを発生し、著しい強
度劣化をおこすなど、従来の歯科用陶材やアルミ
ナセラミツクスとは異なつた性質を持つため、部
分安定化ジルコニアセラミツクスにアパタイトを
強固に焼き付けるのは困難であつた。
本発明は上記の情勢に鑑みてなされたものでそ
の要旨は、セラミツク成形体を半焼結させてなる
多孔質体の孔内に、カルシウムイオン含有液と燐
酸イオン含有液とを含浸させ、前記セラミツク成
形体の焼結温度で焼成し、次いで表面をアパタイ
トまたはアパタイトと燐酸カルシウム系フリツト
との混合物で被覆し、1350℃以下の温度で焼き付
けることを特徴とするインプラント用セラミツク
体の製造法に存する。
本発明においてセラミツク成形体を半焼結させ
てなる多孔質体とは最終的に本発明によつて製造
されるインプラント用セラミツク体の基体を構成
するもので、通常気孔率数パーセント以下の緻密
体に焼結しうるセラミツク成形体をその焼結温度
よりも200〜400℃程度低い温度で焼成してカルシ
ウムイオンまたは燐酸イオンを含有する液体が成
形体に浸透することを可能にする多数の気孔を有
しつつ該液体中に浸漬させてもその形状を崩さな
い程度に結合した一次粒子の集合体をいう。而し
てこの多孔質体をカルシウムイオン含有液に浸漬
して該多孔質体の孔内にカルシウムイオン含有液
を含有させて乾燥し次いで燐酸イオン含有液に浸
漬して同じ操作を行なつた後、前記セラミツク成
形体の焼結温度で焼成して緻密化する。ここで多
孔質体の表面付近の孔内にカルシウムイオン含有
液および燐酸イオン含有液を浸透させていること
から、該多孔質体を焼結させて緻密化しても焼結
体の少なくとも表面付近にはアパタイトと容易に
接着しうるカルシウム化合物や燐酸塩が基体材料
とともに混在している。かくして焼結体の表面を
アパタイトまたはアパタイトと燐酸カルシウム系
フリツトとの混合物で塗布、浸漬、スプレー等公
知の手段によつて被覆し、これらアパタイト等を
1350℃以下の低温でアパタイトの分解の心配なく
強固に焼き付け接合することが可能となる。また
前述のごとく基体となるべき多孔質体はその焼結
温度で焼成されて緻密化していることから、機械
的強度が高く、主成分が部分安定化ジルコニアで
ある場合には靭性にも優れたものとなるのであ
る。なお、カルシウムイオン含有液と燐酸イオン
含有液の孔内含浸順序は上記に限定されることな
く、先に燐酸イオンを含浸させても両イオンを同
時に含浸させても同様の効果を奏する。
以下実施例を示す。
実施例 1 オキシ塩化ジルコニウムと塩化イツトリウムと
を水溶液として混合し共沈、800℃にて仮焼して
得られたZrO297モル%、Y2O33モル%の粉末に
水溶性バインダーを添加し、湿式混合後噴霧乾燥
により造粒し、圧力1500Kg/cm2でラバープレス成
形し、成形体を脱脂後、温度1200℃で大気中1時
間保持して多孔質体とし、水酸化カルシウムの飽
和水溶液中に浸漬し、10分間真空脱泡した後液中
より取り出して乾燥し次いで1%のオルト燐酸水
溶液中に浸漬して同様に真空脱泡し乾燥し、大気
中温度1550℃、保持時間1時間の条件で焼成して
焼結体を得た。別途アパタイトの微粉末の懸濁液
を上記焼結体の表面に塗布し、温度1300℃、保持
時間1時間の条件で焼き付けてインプラント用セ
ラミツク体を製造した。焼き付け部分を金属ピン
でひつかき剥離試験したところ、剥離することな
く接合は良好であつた。抗折強度は約70Kg/mm2
あつた。
実施例 2 平均粒径1.5μmのAl2O3粉末99モル%および
MgO粉末1モル%を湿式混合することと造粒粉
末を圧力800Kg/cm2で金型プレス成形し、成形体
を脱脂後温度1200℃で大気中1時間保持して多孔
質体とすることと焼結体を得るための焼成条件を
温度1630℃、保持時間2時間とすること以外は実
施例1と同一条件でインプラント用セラミツク体
を製造した。実施例1と同様に剥離試験したとこ
ろ、剥離することなく接合は良好であつた。抗折
強度は約40Kg/mm2であつた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 セラミツク成形体を半焼結させてなる多孔質
    体の表面付近の孔内に、カルシウムイオン含有液
    と燐酸イオン含有液とを含浸させ、前記セラミツ
    ク成形体の焼結温度で焼成し、次いで表面をアパ
    タイト微粉末またはアパタイトと燐酸カルシウム
    系フリツトとの微粉末混合物で被覆し、1350℃以
    下の温度で焼き付けることを特徴とするインプラ
    ント用セラミツク体の製造法。 2 セラミツク成形体が部分安定化ジルコニアセ
    ラミツクスである特許請求の範囲第1項記載のイ
    ンプラント用セラミツク体の製造法。
JP59060047A 1984-03-28 1984-03-28 インプラント用セラミツク体の製造法 Granted JPS60203263A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59060047A JPS60203263A (ja) 1984-03-28 1984-03-28 インプラント用セラミツク体の製造法
US06/716,437 US4626392A (en) 1984-03-28 1985-03-27 Process for producing ceramic body for surgical implantation

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JP59060047A JPS60203263A (ja) 1984-03-28 1984-03-28 インプラント用セラミツク体の製造法

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Publication Number Publication Date
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JPH0136382B2 true JPH0136382B2 (ja) 1989-07-31

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