JPH0137595B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0137595B2 JPH0137595B2 JP21204081A JP21204081A JPH0137595B2 JP H0137595 B2 JPH0137595 B2 JP H0137595B2 JP 21204081 A JP21204081 A JP 21204081A JP 21204081 A JP21204081 A JP 21204081A JP H0137595 B2 JPH0137595 B2 JP H0137595B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pump
- vacuum
- chamber
- pump element
- evaporative
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
- F04B37/10—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use
- F04B37/14—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use to obtain high vacuum
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Electron Tubes For Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、非蒸発型ゲツタポンプ素子とスパ
ツタイオンポンプ素子を１個の真空ポンプ室内に
組込み、相乗作用によつて超高真空を得るように
した超高真空ポンプに関するものである。
ツタイオンポンプ素子を１個の真空ポンプ室内に
組込み、相乗作用によつて超高真空を得るように
した超高真空ポンプに関するものである。
ペニング放電を利用したスパツタイオンポンプ
は従来より公知のもので、超高真空やきれいな真
空を作るための真空ポンプとして使用されてい
る。通常のスパツタイオンポンプはネオン、アル
ゴンなどの稀ガスに対する排気速度が小さく、特
に多量のアルゴンガスを排気する際にはいわゆる
アルゴンガス不安定性と呼ばれる現象を起し、圧
力の周期的な変動を生じる欠点がある。そのため
に不活性ガスの排気を強化したいわゆるノーブル
ポンプ又は不活性ガス排気強化ポンプが使用され
ている。
は従来より公知のもので、超高真空やきれいな真
空を作るための真空ポンプとして使用されてい
る。通常のスパツタイオンポンプはネオン、アル
ゴンなどの稀ガスに対する排気速度が小さく、特
に多量のアルゴンガスを排気する際にはいわゆる
アルゴンガス不安定性と呼ばれる現象を起し、圧
力の周期的な変動を生じる欠点がある。そのため
に不活性ガスの排気を強化したいわゆるノーブル
ポンプ又は不活性ガス排気強化ポンプが使用され
ている。
又一方では、非常に活性なZr―Al合金が金属
のストリツプの両面にそれぞれ例えば50μの厚
さ、重量にして約17mg／cm2にコートされ、このコ
ートされたZr―Al合金が活性非蒸発ゲツタとし
て働く非蒸発型ゲツタポンプが真空ポンプとして
利用されていることも従来より知られている。し
かしこのポンプは蒸発型ゲツタポンプと同様に活
性ガスに対しては大きな排気速度をもつている
が、不活性ガスを排気することは困難である欠点
をもつている。
のストリツプの両面にそれぞれ例えば50μの厚
さ、重量にして約17mg／cm2にコートされ、このコ
ートされたZr―Al合金が活性非蒸発ゲツタとし
て働く非蒸発型ゲツタポンプが真空ポンプとして
利用されていることも従来より知られている。し
かしこのポンプは蒸発型ゲツタポンプと同様に活
性ガスに対しては大きな排気速度をもつている
が、不活性ガスを排気することは困難である欠点
をもつている。
そして、これらのポンプは、配管系を介して単
独又は並列に排気すべき真空槽に接続されて使用
されるのが従来の手段であつた。
独又は並列に排気すべき真空槽に接続されて使用
されるのが従来の手段であつた。
本願の発明は、非蒸発型ゲツタポンプ素子とス
パツタイオンポンプ素子特にノーブル型スパツタ
イオンポンプ素子を真空排気すべき真空槽とゲー
ト弁で連通する該ゲート弁と溶接一体化された真
空ポンプ室内に組込み、相乗作用を呈するように
配置し、上述した欠点を除去しようとするもので
ある。
パツタイオンポンプ素子特にノーブル型スパツタ
イオンポンプ素子を真空排気すべき真空槽とゲー
ト弁で連通する該ゲート弁と溶接一体化された真
空ポンプ室内に組込み、相乗作用を呈するように
配置し、上述した欠点を除去しようとするもので
ある。
すなわち、スパツタイオンポンプは超高真空に
なると水素やCOなどの排気速度が減少し、非蒸
発型ゲツタポンプは不活性ガスの排気ができない
というお互いの欠点を補償し合うことのできる超
高真空排気ポンプを提供することができる。
なると水素やCOなどの排気速度が減少し、非蒸
発型ゲツタポンプは不活性ガスの排気ができない
というお互いの欠点を補償し合うことのできる超
高真空排気ポンプを提供することができる。
又弁機構を槽と一体熔接して付加してあるの
で、排気すべき真空槽内を大気圧にした場合でも
ポンプ素子を設けた真空ポンプ室内を真空に保つ
ことができるので、ポンプの性能を保持しかつ寿
命を伸ばすことができる。このことは特に非蒸発
型ゲツタポンプ素子の寿命を長くすることに重要
である。その理由は非蒸発型ゲツタポンプ素子は
大気にさらされると、常温の下でもゲツタ材の表
面層が活性ガスの吸収（すなわち排気）を起しそ
のため寿命が著しく減少するからである。
で、排気すべき真空槽内を大気圧にした場合でも
ポンプ素子を設けた真空ポンプ室内を真空に保つ
ことができるので、ポンプの性能を保持しかつ寿
命を伸ばすことができる。このことは特に非蒸発
型ゲツタポンプ素子の寿命を長くすることに重要
である。その理由は非蒸発型ゲツタポンプ素子は
大気にさらされると、常温の下でもゲツタ材の表
面層が活性ガスの吸収（すなわち排気）を起しそ
のため寿命が著しく減少するからである。
さらに、非蒸発型ゲツタポンプ素子は蒸発型ゲ
ツタポンプと異なり周囲に壁を設ける必要がない
ため、非蒸発型ゲツタポンプ素子とスパツタイオ
ンポンプ素子をすぐ近くで同一室内に設けて適切
な配置にすることによつて、スパツタイオンポン
プ素子の放電区域内で励起活性化されたガス分子
が非蒸発型ゲツタポンプ素子に衝突しやすくな
り、排気能力はさらに高められるという相乗効果
をもつた超高真空排気ポンプが得られる。
ツタポンプと異なり周囲に壁を設ける必要がない
ため、非蒸発型ゲツタポンプ素子とスパツタイオ
ンポンプ素子をすぐ近くで同一室内に設けて適切
な配置にすることによつて、スパツタイオンポン
プ素子の放電区域内で励起活性化されたガス分子
が非蒸発型ゲツタポンプ素子に衝突しやすくな
り、排気能力はさらに高められるという相乗効果
をもつた超高真空排気ポンプが得られる。
以下図面について本願発明の実施例について説
明する。
明する。
第１図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは従来の使用型式を示す
略図であつて、Ａは排気すべき真空槽１に管２を
介してスパツタイオンポンプ３を接続した状態を
示し、Ｂは排気すべき真空槽１に管２を介してス
パツタイオンポンプ３を接続すると共にこれに並
列に管４を介して非蒸発型ゲツタポンプ５を接続
した状態を示し、Ｃ，ＤはＡ，Ｂにおける管２，
４にそれぞれ弁６，７を設け、装置の一部取替え
などに便利にした状態を示す。
略図であつて、Ａは排気すべき真空槽１に管２を
介してスパツタイオンポンプ３を接続した状態を
示し、Ｂは排気すべき真空槽１に管２を介してス
パツタイオンポンプ３を接続すると共にこれに並
列に管４を介して非蒸発型ゲツタポンプ５を接続
した状態を示し、Ｃ，ＤはＡ，Ｂにおける管２，
４にそれぞれ弁６，７を設け、装置の一部取替え
などに便利にした状態を示す。
第２図Ａ，Ｂは本願発明の実施例を示すもの
で、Ａは排気すべき真空槽７に取付けられるよう
にしたゲイト弁８を真空ポンプ室９に一体に溶着
形成し、真空ポンプ室９内に中央に非蒸発型ゲツ
タポンプ素子１０を配設し、その加熱用の導電線
１１，１１′を真空ポンプ室９の外方に導き、前
記ポンプ室９の非蒸発型ゲツタポンプ素子１０を
取巻く位置に４個の凹所１２を設けその内部にス
パツタイオンポンプ素子１３を内蔵させる。その
際各スパツタイオンポンプ素子に付属するＮ、Ｓ
の磁極はポンプ室９の外方に設ける。
で、Ａは排気すべき真空槽７に取付けられるよう
にしたゲイト弁８を真空ポンプ室９に一体に溶着
形成し、真空ポンプ室９内に中央に非蒸発型ゲツ
タポンプ素子１０を配設し、その加熱用の導電線
１１，１１′を真空ポンプ室９の外方に導き、前
記ポンプ室９の非蒸発型ゲツタポンプ素子１０を
取巻く位置に４個の凹所１２を設けその内部にス
パツタイオンポンプ素子１３を内蔵させる。その
際各スパツタイオンポンプ素子に付属するＮ、Ｓ
の磁極はポンプ室９の外方に設ける。
Ｂは他の実施例でスパツタイオンポンプ素子１
３がバルクゲツタポンプ素子１０の周囲に１個だ
け設けられた状態を示している。
３がバルクゲツタポンプ素子１０の周囲に１個だ
け設けられた状態を示している。
本願発明のものでは、非蒸発型ゲツタポンプ素
子の動作温度は400℃程度でも良いし、超高真空
領域では室温動作でも良い。超高真空での主残留
ガス成分はH2であり、非蒸発型ゲツタポンプ素
子は室温でもH2の排気速度は余り変らず400℃の
ときの約80％程度である。
子の動作温度は400℃程度でも良いし、超高真空
領域では室温動作でも良い。超高真空での主残留
ガス成分はH2であり、非蒸発型ゲツタポンプ素
子は室温でもH2の排気速度は余り変らず400℃の
ときの約80％程度である。
なお第２図Ｂ中の１４は補助バルブであつて、
ポンプ室９を予め真空にするために使用するもの
である。
ポンプ室９を予め真空にするために使用するもの
である。
第１図は従来のポンプ配置の説明図であつて、
Ａは真空槽にスパツタイオンポンプを単独に接続
した図、Ｂは真空槽にスパツタイオンポンプと非
蒸発型ゲツタポンプを並列に接続した図、Ｃ，Ｄ
はＡ，Ｂの各接続管に弁を配置した図、第２図は
本願発明の実施例を示す図であつて、Ａは非蒸発
型ゲツタポンプ素子の周囲に４個のスパツタイオ
ンポンプ素子を設けたもの、Ｂは１個のスパツタ
イオンポンプ素子を設けたものを示す。 図中、１……真空槽、２，４……配管、３……
スパツタイオンポンプ、５……非蒸発型ゲツタポ
ンプ、６，７……弁、７……排気すべき真空槽、
８……ゲート弁、９……真空ポンプ室、１０……
非蒸発型ゲツタポンプ素子、１１，１１′……導
線、１２……凹部、１３……スパツタイオンポン
プ素子、１４……弁。
Ａは真空槽にスパツタイオンポンプを単独に接続
した図、Ｂは真空槽にスパツタイオンポンプと非
蒸発型ゲツタポンプを並列に接続した図、Ｃ，Ｄ
はＡ，Ｂの各接続管に弁を配置した図、第２図は
本願発明の実施例を示す図であつて、Ａは非蒸発
型ゲツタポンプ素子の周囲に４個のスパツタイオ
ンポンプ素子を設けたもの、Ｂは１個のスパツタ
イオンポンプ素子を設けたものを示す。 図中、１……真空槽、２，４……配管、３……
スパツタイオンポンプ、５……非蒸発型ゲツタポ
ンプ、６，７……弁、７……排気すべき真空槽、
８……ゲート弁、９……真空ポンプ室、１０……
非蒸発型ゲツタポンプ素子、１１，１１′……導
線、１２……凹部、１３……スパツタイオンポン
プ素子、１４……弁。
Claims (1)
- １ 被排気真空槽に一方を取付けるようにしたゲ
ート弁を一体に溶接した１個の真空ポンプ室内
に、該真空ポンプ室の中央に配設した非蒸発型ゲ
ツタポンプ素子と、前記真空ポンプ室の側壁の前
記非蒸発型ゲツタポンプ素子を取巻く位置に設け
た少なくとも１つの凹所内に、前記非蒸発型ゲツ
タポンプ素子にスパツタイオンポンプ素子の放電
区域で励起活性化したガス分子が衝突するよう配
設したスパツタイオンポンプ素子とを具備するこ
とを特徴とする非蒸発型ゲツタポンプとスパツタ
イオンポンプを組合わせた超高真空ポンプ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21204081A JPS58117371A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | バルクゲツタポンプとスパツタイオンポンプを組合わせた超高真空ポンプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21204081A JPS58117371A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | バルクゲツタポンプとスパツタイオンポンプを組合わせた超高真空ポンプ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58117371A JPS58117371A (ja) | 1983-07-12 |
| JPH0137595B2 true JPH0137595B2 (ja) | 1989-08-08 |
Family
ID=16615868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21204081A Granted JPS58117371A (ja) | 1981-12-30 | 1981-12-30 | バルクゲツタポンプとスパツタイオンポンプを組合わせた超高真空ポンプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58117371A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6361618B1 (en) | 1994-07-20 | 2002-03-26 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for forming and maintaining high vacuum environments |
| US6077404A (en) * | 1998-02-17 | 2000-06-20 | Applied Material, Inc. | Reflow chamber and process |
| CN101978463B (zh) | 2008-03-28 | 2013-02-13 | 工程吸气公司 | 包括吸气剂泵和离子泵的组合式抽气系统 |
| ITMI20090402A1 (it) | 2009-03-17 | 2010-09-18 | Getters Spa | Sistema di pompaggio combinato comprendente una pompa getter ed una pompa ionica |
-
1981
- 1981-12-30 JP JP21204081A patent/JPS58117371A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58117371A (ja) | 1983-07-12 |
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