JPH0141276B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明は多層プリント基板を構成する中間層の
導体パターンの表面処理方法に関するものであ
る。

(2) 技術の背景 複数枚の中間層としてのプリント基板に所望の
導体パターンを形成し、プリプレーグを介在せし
めて積層して多層プリント基板となす時、それぞ
れのプリント基板とプリプレーグとの接着力を確
保するためにプリント基板の導体パターンの表面
を粗化して接着面積を増加する手法が用いられ
る。

(3) 従来技術と問題点 第１図は多層プリント基板の断面図を示し、第
２図はスルーホール透孔の断面図を示す。

図に於いて１は多層プリント基板、２は中間層
プリント基板、３は導体パターン、４はプリプレ
ーグ層、５は表面層プリント基板、６はスルーホ
ール透孔、７はランド、８はパターンをそれぞれ
示す。

第１図に示す如く、多層プリント基板１は両面
の表面層のプリント基板５と、複数枚の中間層の
プリント基板２と、それぞれのプリント基板を接
合するプリプレーグ層４とで構成され、それぞれ
のプリント基板２及び５との接合は、プリプレー
グ層４を介して接合され、それぞれのプリント基
板２及び５の表面とプリプレーグ層４との接合状
態によつて、プリント基板２及び５の接合強度が
左右される。

従がつてそれぞれのプリント基板２及び５の接
合力を増加せしめるために、プリプレーグ層４と
接するプリント基板２及び５に形成する導体パタ
ーン３の表面を粗化して、プリプレーグ４との接
合する表面積を増加し又接合部の投錨効果による
方法が一般的である。

このため導体パターン３の表面を粗化するの
に、次亜塩素酸ソーダと苛性ソーダを主剤とする
溶液で黒化処理し、酸化第二銅の直径１〜2μm、
長さ2μm程度の針状態を密生して形成せしめて、
導体パターン３の単位面積当りの有効表面積を増
加せしめると共に、プリプレーグ層４のエポキシ
樹脂との投錨効果を期待して積層成形し、第２図
に示す如く所望ケ所のスルーホールすべき部分を
穿孔して得たスルーホール透孔６を無電解メツキ
する。

この時、中間層プリント基板２の接続すべきラ
ンド７は、スルーホール透孔６の内壁に露呈す
る。

スルーホール透孔６に無電解メツキを成す前処
理として10％濃度の稀塩酸溶を成すが、２の稀塩
酸によつてスルーホール透孔６の内壁に露呈する
部分より、ランド７の表面の酸化第二鉄が容易に
還元されて、内壁面より内部方向の針状の酸化第
二銅が除去されて空洞化してハローイング状態と
なり、この空洞内に電解質の液体が浸透し、残留
したまま無電解メツキと電解メツキとがなされ多
層プリント基板１となり、部品を搭載して電子機
器を構成するパツケージとして使用中に、ランド
７とパターン８との電位差によりマイグレーシヨ
ンを生じ、その間の絶縁抵抗が常態の100万分の
１程度に劣化し、パツケージとしての機能を失す
ることがある。

従来ランド７とパターン８との最小間隔が
500μm以上である時は、絶縁抵抗の値が高くかつ
劣化時間が長かつたために実用的に大なる支障が
なかつたが、最近の如くパターンの密度が稠密と
なりランド７と隣接するパターン８との最小間隔
が100μm程度となる時の絶縁抵抗値は低く、劣化
時間が短かくなるため、回路間の所要の絶縁抵抗
を保持し得なくなつている。

(4) 発明の目的 本発明は上記従来の欠点に鑑み、プリント基板
の接合面の導体パターンのランドが、スルーホー
ル透孔に露呈したる状態で、透孔内の無電解メツ
キのための前処理によつて、ハローイングを生じ
ないランドを形成する、多層プリント基板の製造
方法の提供を目的とするものである。

(5) 発明の構成 そしてこの目的は本発明によれば、接合すべき
プリント基板の導体パターンを黒化処理して得ら
れた酸化第二銅を予め還元して酸化第一銅又は銅
となしたる後、積層成形することを特徴とする多
層プリント基板の製造方法を提供することによつ
て達成される。

(6) 発明の実施例 以下本発明の実施例を図面によつて詳述する。
第３図は導体パターンの表面の酸化第二銅による
針状態の模式図で、第４図は第３図の酸化第二銅
の還元を示す模式図である。

図に於いて９は銅箔、１０は酸化第二銅、１１
は第一酸化銅、１２は還元銅、１３はイミダゾー
ル被膜をそれぞれ示す。

多層プリント基板１を構成する中間層のプリン
ト基板２と表面層のプリント基板５の積層面の導
体パターン３の表面の模式的拡大断面図は、第３
図に示す如く、導体パターン３の銅箔９の表面が
黒化処理されて酸化第二銅１０が形成され、直径
１〜2μm長さ2μm程度の突起が密生する。

本発明は第３図に示す酸化第二銅１０を積層に
先立つて稀塩酸等の強酸で容易に還元されにくい
酸化第一銅１１又は還元銅１２に変換し、積層後
所望の位置にスルーホールメツキのための透孔６
を穿孔して得た内壁に、導体パターン３のランド
７が露呈した部分に、スルーホール透孔６の内壁
を無電解メツキする前処理としての稀塩酸浴をし
た時、透孔６に露呈するランド７の表面に、容易
に還元される酸化第二銅１０が酸化第一銅１１と
還元銅１２とに変換されており、ハローイングを
生ぜず銅箔９とプリプレーグ層４との接着部に空
洞を生ぜず、電解質の溶液の浸透を生ぜざるた
め、隣接するパターン８間でマイグレーシヨンを
生ずる事はない。

この酸化第二銅１０を酸化第一銅１１と還元銅
１２に変換するには、還元作用が緩漫なイミダゾ
ール系のベンゾトリヤゾールを用い、第４図に示
す如く酸化第二銅１０を酸化第１銅１１と、還元
銅１２にとなし、酸化第一銅１１の表面を1μm厚
程度のイミダゾール１３の防錆被膜を形成せしめ
ると共にプリプレーグ４のレジンとの密着性を高
める。

(7) 発明の効果 上記の説明で明らかな如く、本発明の多層プリ
ント基板の製造方法によれば、スルーホールの内
壁と接するランドと隣接するパターン間にマイグ
レーシヨンを生ずる事がないため、稠密なパター
ンでランドとパターン間の間隔が極めて狭小なプ
リント基板にあつても、絶縁抵抗の劣化がないた
め信頼性の高いパツケージを形成し得る。

【図面の簡単な説明】

第１図は多層プリント基板の断面図を示し、第
２図はスルーホール透孔の断面図を示し、第３図
は導体パターンの表面の酸化第２銅による針状態
の模式図を示し、第４図は第３図の酸化第二銅還
元を示す模式図である。 図に於いて２は中間層プリント基板、４はプリ
プレーグ層、５は表面層プリント基板、６はスル
ーホール透孔、７はランド、８はパターン、１０
は酸化第二銅層、１３はイミダゾール、をそれぞ
れ示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 多層プリント基板を構成する表面層と中間層
   のプリント基板の接合面の導体パターンの表面
   を、黒化処理して得た酸化第二銅を、イミダゾー
   ル形の溶液で還元した後積層することを特徴とす
   る多層プリント基板の製造方法。