JPH0156549B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0156549B2 JPH0156549B2 JP55006686A JP668680A JPH0156549B2 JP H0156549 B2 JPH0156549 B2 JP H0156549B2 JP 55006686 A JP55006686 A JP 55006686A JP 668680 A JP668680 A JP 668680A JP H0156549 B2 JPH0156549 B2 JP H0156549B2
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- wavelength
- laser element
- photoreceptor
- temperature
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- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K15/00—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers
- G06K15/02—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers
- G06K15/12—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers
- G06K15/1204—Arrangements for producing a permanent visual presentation of the output data, e.g. computer output printers using printers by photographic printing, e.g. by laser printers involving the fast moving of an optical beam in the main scanning direction
- G06K15/1209—Intensity control of the optical beam
- G06K15/1214—Intensity control of the optical beam by feedback
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- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体レーザ素子の出射ビーム波長の
温度依存性を、光検出器と感熱素子で補正する半
導体レーザ装置に関するものである。
温度依存性を、光検出器と感熱素子で補正する半
導体レーザ装置に関するものである。
半導体レーザ装置を画像記録等に用いる場合
は、装置に使われる感光体の感度の波長依存性が
大きな問題となる。通常のHe−Neレーザのよう
な短い波長のレーザではレーザ波長に対して感光
体の感度はフラツトのものが多く非常に使い易
い。
は、装置に使われる感光体の感度の波長依存性が
大きな問題となる。通常のHe−Neレーザのよう
な短い波長のレーザではレーザ波長に対して感光
体の感度はフラツトのものが多く非常に使い易
い。
一方半導体レーザ素子より出射される半導体レ
ーザは波長が8000Å前後とHe−Neレーザに比べ
ると長い為、通常使われる感光体では感度があま
りない。この半導体レーザをこのような画像記録
装置に用いる場合は感光体を増感して使う事が多
い。しかし増感しても感度は画質の安定性、感光
体の耐久等考慮すると、実用可能な所は8000Åあ
たりで波長に対して勾配をもつようになる。
ーザは波長が8000Å前後とHe−Neレーザに比べ
ると長い為、通常使われる感光体では感度があま
りない。この半導体レーザをこのような画像記録
装置に用いる場合は感光体を増感して使う事が多
い。しかし増感しても感度は画質の安定性、感光
体の耐久等考慮すると、実用可能な所は8000Åあ
たりで波長に対して勾配をもつようになる。
それ故使用する半導体レーザの波長により必要
光量が異なるので動作中波長変動が生ずると
APC（AUTO POWER CONTROL）方式では
良い画像は得られない。
光量が異なるので動作中波長変動が生ずると
APC（AUTO POWER CONTROL）方式では
良い画像は得られない。
一例を述べると半導体レーザは2.5〜3.0Åの波
長の温度係数があり30℃の温度変化があると
Max.90Åの波長変化が生ずる。この為感光体の
感度の波長依存性が高ければ高い程、得られる画
像は悪くなる。
長の温度係数があり30℃の温度変化があると
Max.90Åの波長変化が生ずる。この為感光体の
感度の波長依存性が高ければ高い程、得られる画
像は悪くなる。
一方冷却素子を用いて半導体レーザ素子を一定
温度で使用する方法もあるが構成素子数が多くコ
ストアツプになつている。
温度で使用する方法もあるが構成素子数が多くコ
ストアツプになつている。
本発明は上述の如き欠点を取り除くものにし
て、レーザ光量を常に最適値に保つことが出来る
半導体レーザ装置を提供するものである。
て、レーザ光量を常に最適値に保つことが出来る
半導体レーザ装置を提供するものである。
すなわち光源の温度をより忠実に伝える場所に
サーミスタのような温度により抵抗変化を示す感
熱素子を設置し、光源からの光を受光する光検出
器からの出力をとり出す回路に感熱素子をつなぎ
温度変化により波長変動が生じた時にその波長に
対応する必要光量が得られる様に情報をフイード
バツクする事により常に最適光量を維持できるよ
うにしたものである。
サーミスタのような温度により抵抗変化を示す感
熱素子を設置し、光源からの光を受光する光検出
器からの出力をとり出す回路に感熱素子をつなぎ
温度変化により波長変動が生じた時にその波長に
対応する必要光量が得られる様に情報をフイード
バツクする事により常に最適光量を維持できるよ
うにしたものである。
これにより例え感光体に感度の波長依存性があ
つても、感熱素子の抵抗値の温度係数を適当に選
べば、常に最適光量で画像記録が可能となる。
つても、感熱素子の抵抗値の温度係数を適当に選
べば、常に最適光量で画像記録が可能となる。
第１〜２図は本発明の実施例を示すものであ
る。第１図において１はフロントビームL1、バ
ツクビームL2を出射する半導体レーザ素子、２
は金属から成り半導体レーザ素子を支持するレー
ザマウント（支持部材）、３は半導体レーザ素子
の温度変化に応じて抵抗変化を示す感熱素子、例
えばサーミスターであり、前記支持部材２に設け
た穴に導熱性接着剤４により固着固定されている
が、前記半導体レーザ素子１上に固定してもよい
ものである。５は半導体レーザ素子の記録に使用
しない側のレーザビームすなわちバツクビーム
L2を受けとる光検出器であり、光検出器５の受
光面はバツクビームL2に対して非垂直となる如
く傾けて前記支持部材２上に固定して設けてあ
る。
る。第１図において１はフロントビームL1、バ
ツクビームL2を出射する半導体レーザ素子、２
は金属から成り半導体レーザ素子を支持するレー
ザマウント（支持部材）、３は半導体レーザ素子
の温度変化に応じて抵抗変化を示す感熱素子、例
えばサーミスターであり、前記支持部材２に設け
た穴に導熱性接着剤４により固着固定されている
が、前記半導体レーザ素子１上に固定してもよい
ものである。５は半導体レーザ素子の記録に使用
しない側のレーザビームすなわちバツクビーム
L2を受けとる光検出器であり、光検出器５の受
光面はバツクビームL2に対して非垂直となる如
く傾けて前記支持部材２上に固定して設けてあ
る。
第２図に示す如く、前記光検出器５には直列に
抵抗６（抵抗値Rs）が接続され、この光検出器
５と抵抗６と並列に感熱素子３（抵抗値RTH）が
接続される。
抵抗６（抵抗値Rs）が接続され、この光検出器
５と抵抗６と並列に感熱素子３（抵抗値RTH）が
接続される。
この光検出器５の端子Ｔ１には誤差アンプの入
力IN１が接続され、誤差アンプIN２と端子Ｔ２
の間には基準電位源８が接続されている。
力IN１が接続され、誤差アンプIN２と端子Ｔ２
の間には基準電位源８が接続されている。
レーザ素子１からのバツクビームＬ２が光検出
器５にあたると電流Ｉ１が流れる。そうするとサ
ーミスタ３間の端子電圧V1はI1RTHとなり基準電
圧V0と比較され、V1がV0になるようレーザ素子
１を発光駆動するレーザ駆動回路９に信号がフイ
ードバツクされレーザ素子１へ供給する電流を制
御する。
器５にあたると電流Ｉ１が流れる。そうするとサ
ーミスタ３間の端子電圧V1はI1RTHとなり基準電
圧V0と比較され、V1がV0になるようレーザ素子
１を発光駆動するレーザ駆動回路９に信号がフイ
ードバツクされレーザ素子１へ供給する電流を制
御する。
本発明の半導体レーザ装置は半導体レーザ素子
１の温度上昇により波長が変動し必要光量が変つ
ても、感温素子３の温度変化量でレーザ出力が常
に最適値に補正される。
１の温度上昇により波長が変動し必要光量が変つ
ても、感温素子３の温度変化量でレーザ出力が常
に最適値に補正される。
さらに詳しく述べるならば
まずフロントビームを照射する不図示の感光体
の感度を測定し、レーザ波長λ対必要光量Ｐを求
める。その一例を第３図に示す。
の感度を測定し、レーザ波長λ対必要光量Ｐを求
める。その一例を第３図に示す。
次に半導体レーザの波長の温度係数△λ／△Ｔ
を求める。これらの結果により使用温度範囲での
波長の変動量、さらには、必要光量の変化量がわ
かる。それ故波長の変化分だけ必要光量を補正す
ればよい。
を求める。これらの結果により使用温度範囲での
波長の変動量、さらには、必要光量の変化量がわ
かる。それ故波長の変化分だけ必要光量を補正す
ればよい。
この補正は次の通りである。
I1RTH＝V0の関係が常に維持されるように回路
は動作するので、第３図の感光体の感度カーブを
補正するようにサーミスタの抵抗値RTHが温度に
より変われば良い。その為にはサーミスタの抵抗
の温度係数（Ｂ定数）を装置の使用温度範囲例え
ば10〜40℃で求めれば良い。
は動作するので、第３図の感光体の感度カーブを
補正するようにサーミスタの抵抗値RTHが温度に
より変われば良い。その為にはサーミスタの抵抗
の温度係数（Ｂ定数）を装置の使用温度範囲例え
ば10〜40℃で求めれば良い。
今、RTH10℃／RTH40℃＝2.0とすると
からＢを求めると2000Kとなる。
すなわち2000KのＢ定数を有するサーミスター
をレーザマウント内に設置すれば適正光量が得ら
れる事となる。
をレーザマウント内に設置すれば適正光量が得ら
れる事となる。
尚、サーミスターのＢ定数は任意の数値を得る
ことはできないがサーミスターと固定抵抗を組合
せれば各種Ｂ定数を得る事は可能であるのでレー
ザ素子が2.5〜3.0Å／℃の波長の温度係数をもつ
ていても、かつドラム感度が異なつても十分に対
応できる。又、サーミスターの抵抗の温度変化は
リニアではないが30℃程度の温度変動では実質上
問題はない。
ことはできないがサーミスターと固定抵抗を組合
せれば各種Ｂ定数を得る事は可能であるのでレー
ザ素子が2.5〜3.0Å／℃の波長の温度係数をもつ
ていても、かつドラム感度が異なつても十分に対
応できる。又、サーミスターの抵抗の温度変化は
リニアではないが30℃程度の温度変動では実質上
問題はない。
以上説明したように本発明によるならば半導体
レーザ素子の波長変化に伴い必要光量が変動して
も光検出器と感熱素子により常に適正値にレーザ
出力をシフトさせる事ができる。
レーザ素子の波長変化に伴い必要光量が変動して
も光検出器と感熱素子により常に適正値にレーザ
出力をシフトさせる事ができる。
これにより環境変動あるいは半導体レーザ素子
の自己発熱により半導体レーザ素子の温度変化が
生じても常に良い画像が得られることとなつた。
の自己発熱により半導体レーザ素子の温度変化が
生じても常に良い画像が得られることとなつた。
第１図は半導体レーザ装置の斜視図、第２図は
半導体レーザ装置の回路図、第３図はレーザの出
力対波長特性図である。 ここで１は半導体レーザ素子、２は支持部材、
４は導熱性接着剤、５は光検出器、６は抵抗、で
ある。
半導体レーザ装置の回路図、第３図はレーザの出
力対波長特性図である。 ここで１は半導体レーザ素子、２は支持部材、
４は導熱性接着剤、５は光検出器、６は抵抗、で
ある。
Claims (1)
- １ その感度が波長依存性を有する感光体を露光
する半導体レーザ素子と、該半導体レーザ素子の
近傍に設けられ、温度変化による半導体レーザ素
子の出力波長の変動を検知するための感熱素子
と、前記波長変動に伴なう前記感光体の露光に必
要な光量の変化を補償するように、前記感熱素子
の出力によつて前記半導体レーザ素子のビーム出
力を変化させる制御手段とから成る半導体レーザ
装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP668680A JPS56104486A (en) | 1980-01-23 | 1980-01-23 | Semiconductor laser device |
| US06/147,174 US4375067A (en) | 1979-05-08 | 1980-05-06 | Semiconductor laser device having a stabilized output beam |
| DE3017509A DE3017509C2 (de) | 1979-05-08 | 1980-05-07 | Halbleiterlaservorrichtung |
| GB8015314A GB2052841B (en) | 1979-05-08 | 1980-05-08 | Semiconductor laser device and an image recording apparatuus the same |
| GB08227459A GB2122022B (en) | 1979-05-08 | 1982-09-27 | A semiconductor laser device and an image recording apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP668680A JPS56104486A (en) | 1980-01-23 | 1980-01-23 | Semiconductor laser device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56104486A JPS56104486A (en) | 1981-08-20 |
| JPH0156549B2 true JPH0156549B2 (ja) | 1989-11-30 |
Family
ID=11645231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP668680A Granted JPS56104486A (en) | 1979-05-08 | 1980-01-23 | Semiconductor laser device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56104486A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4639924A (en) * | 1982-09-03 | 1987-01-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Drive system for a semiconductor laser |
| DE3546599C2 (ja) * | 1984-11-20 | 1993-06-03 | Olympus Optical Co., Ltd., Tokio/Tokyo, Jp | |
| JPH01307031A (ja) * | 1988-06-02 | 1989-12-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マイクロ光ヘッドの半導体レーザ駆動回路 |
| JP2005064483A (ja) * | 2003-07-30 | 2005-03-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 発光モジュール |
| JP4479614B2 (ja) * | 2005-07-12 | 2010-06-09 | パナソニック株式会社 | 光ピックアップ装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414180A (en) * | 1977-07-05 | 1979-02-02 | Canon Inc | Semiconductor laser unit |
-
1980
- 1980-01-23 JP JP668680A patent/JPS56104486A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56104486A (en) | 1981-08-20 |
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