JPH0157782B2 - - Google Patents
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- JPH0157782B2 JPH0157782B2 JP3413981A JP3413981A JPH0157782B2 JP H0157782 B2 JPH0157782 B2 JP H0157782B2 JP 3413981 A JP3413981 A JP 3413981A JP 3413981 A JP3413981 A JP 3413981A JP H0157782 B2 JPH0157782 B2 JP H0157782B2
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- Japan
- Prior art keywords
- photoreceptor
- substrate
- selenium
- photoconductive layer
- protrusions
- Prior art date
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
- G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Treatment Of Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真用感光体に関し、詳しくは導
電性基体として表面に酸化アルミニウムの１種で
あるベーマイト皮膜が形成されたAl基体を用い
たセレン又はセレン系電子写真用感光体に関す
る。
電性基体として表面に酸化アルミニウムの１種で
あるベーマイト皮膜が形成されたAl基体を用い
たセレン又はセレン系電子写真用感光体に関す
る。
セレン又はセレン系感光体はAl，In2O3、ステ
ンレスなどの導電性基体（導電性基板）上にSe
又はセレン合金からなる蒸着層（光導電層）を設
けたものである。
ンレスなどの導電性基体（導電性基板）上にSe
又はセレン合金からなる蒸着層（光導電層）を設
けたものである。
ところで、こうした感光体の製造においては導
電性基体と光導電層との接着性、光導電層の強度
等を向上させるために、導電性基体表面に微細な
凹凸を施すことがしばしば行なわれている。ま
た、この微細凹凸が光導電層表面に反映されると
感光体に転写分離性及びエツヂ効果がもたらされ
るといつたことも確められている。
電性基体と光導電層との接着性、光導電層の強度
等を向上させるために、導電性基体表面に微細な
凹凸を施すことがしばしば行なわれている。ま
た、この微細凹凸が光導電層表面に反映されると
感光体に転写分離性及びエツヂ効果がもたらされ
るといつたことも確められている。
だが、感光体表面（光導電層表面）に微細凹凸
が形成されることが有利であるといつてもその大
きさ、深さ等は自ずから制約されるべきものであ
つて、そのためセレン又はセレン系感光体を製造
する際には、導電性基体又は光導電層の表面に
種々の処理を行なつているのが実情である。例え
ば、基体表面をバブ研磨、電解研磨、ダイヤびき
などしてから、この上に光導電層を蒸着しその蒸
着層面をシランカツプリング剤で処理する（特開
昭50―98327号、特開昭49―39425号、特開昭50―
109732号などの公報）、基体表面をホーニング加
工する（特開昭51―58954号公報）、基体表面を金
属酸化物微粉末で研磨する（特公昭54―13979号
公報）、導体表面を超仕上加工を施すことにより
粗面化する（特開昭53―13424号公報）などであ
る。なお、これらの処理において基体表面が処理
された場合には、次に行なわれる蒸着に先立つて
基体表面を脱脂処理するのが一般的である。ま
た、これらの処理の他にも基体表面にさらに純導
電性金属を蒸着して導電性基体とされることも提
案されている。
が形成されることが有利であるといつてもその大
きさ、深さ等は自ずから制約されるべきものであ
つて、そのためセレン又はセレン系感光体を製造
する際には、導電性基体又は光導電層の表面に
種々の処理を行なつているのが実情である。例え
ば、基体表面をバブ研磨、電解研磨、ダイヤびき
などしてから、この上に光導電層を蒸着しその蒸
着層面をシランカツプリング剤で処理する（特開
昭50―98327号、特開昭49―39425号、特開昭50―
109732号などの公報）、基体表面をホーニング加
工する（特開昭51―58954号公報）、基体表面を金
属酸化物微粉末で研磨する（特公昭54―13979号
公報）、導体表面を超仕上加工を施すことにより
粗面化する（特開昭53―13424号公報）などであ
る。なお、これらの処理において基体表面が処理
された場合には、次に行なわれる蒸着に先立つて
基体表面を脱脂処理するのが一般的である。ま
た、これらの処理の他にも基体表面にさらに純導
電性金属を蒸着して導電性基体とされることも提
案されている。
かかる処理が施される理由は、感光体表面に形
成される微細凹凸の形態が理想又は理想に近づけ
るためになされるのであるが、現実にはなかなか
思うようにはいかず感光体表面にはかなり数の大
きな突起が生じるようになるのが通常である。こ
の突起は電子写真作像プロセスにおいて種々の問
題を引き起している。その幾つかをあげると、感
光体表面に形成された大きな又は多数の突起によ
つて、(1)直接的に潜像電荷の帯電ムラを発生させ
たり、あるいは現像時に機械的にトナーの付着ム
ラなどを生ぜしめ、その結果斑点のあるコピー画
像をもたらすこと、(2)ブレードを用いるクリーニ
ング方式を採用した電子写真法の場合には、感光
体表面の突起によつてブレードが除々に削られ、
クリーニング性能が極端に悪化し、そして最終的
にはクリーニング不良を招来しコピー画像にいわ
ゆる黒スジが多くみられるようになること、等で
ある。
成される微細凹凸の形態が理想又は理想に近づけ
るためになされるのであるが、現実にはなかなか
思うようにはいかず感光体表面にはかなり数の大
きな突起が生じるようになるのが通常である。こ
の突起は電子写真作像プロセスにおいて種々の問
題を引き起している。その幾つかをあげると、感
光体表面に形成された大きな又は多数の突起によ
つて、(1)直接的に潜像電荷の帯電ムラを発生させ
たり、あるいは現像時に機械的にトナーの付着ム
ラなどを生ぜしめ、その結果斑点のあるコピー画
像をもたらすこと、(2)ブレードを用いるクリーニ
ング方式を採用した電子写真法の場合には、感光
体表面の突起によつてブレードが除々に削られ、
クリーニング性能が極端に悪化し、そして最終的
にはクリーニング不良を招来しコピー画像にいわ
ゆる黒スジが多くみられるようになること、等で
ある。
このように、感光体表面に形成される不必要な
突起は電子写真作像プロセスに極めて悪影響を及
ぼすものであるが、これらの突起の発生は主とし
て光導電層の真空蒸着時に形成される。この突起
発生の原因としてはこれまで基体表面の凹凸の状
態、ホコリの付着などが考えられてきており、そ
れを回避するために既述のごときいろいろな研磨
法、パークレン洗浄、エツチング、水洗などの対
策が施されてきている。また、蒸着時の、蒸着源
中セレン又はセレン系合金の熱による突沸現象も
突起発生原因の一つと考えられており、この突沸
現象を防ぐ対策も提案されてきた。しかし、これ
らすべてを満足しても、現在のところなお突起の
発生が完全に又は完全に近いまでに防止できない
のが実情である。
突起は電子写真作像プロセスに極めて悪影響を及
ぼすものであるが、これらの突起の発生は主とし
て光導電層の真空蒸着時に形成される。この突起
発生の原因としてはこれまで基体表面の凹凸の状
態、ホコリの付着などが考えられてきており、そ
れを回避するために既述のごときいろいろな研磨
法、パークレン洗浄、エツチング、水洗などの対
策が施されてきている。また、蒸着時の、蒸着源
中セレン又はセレン系合金の熱による突沸現象も
突起発生原因の一つと考えられており、この突沸
現象を防ぐ対策も提案されてきた。しかし、これ
らすべてを満足しても、現在のところなお突起の
発生が完全に又は完全に近いまでに防止できない
のが実情である。
本発明者らは、この突起発生について多くの研
究、検討を行なつた結果、この種の突起は蒸着初
期における殊にアルミニウム基体（板状、ドラム
状、ベルト状のものを含めて）表面とセレン又は
セレン系合金のごとき蒸着物質との物理化学的な
界面現象のバラツキに基づくことをつきとめた。
本発明は、かかる知見に基づいてなされたもので
ある。
究、検討を行なつた結果、この種の突起は蒸着初
期における殊にアルミニウム基体（板状、ドラム
状、ベルト状のものを含めて）表面とセレン又は
セレン系合金のごとき蒸着物質との物理化学的な
界面現象のバラツキに基づくことをつきとめた。
本発明は、かかる知見に基づいてなされたもので
ある。
しかして、本発明の目的は、上記蒸着界面の物
理化学的な作業のバラツキをなくすことにより感
光体表面の突起発生を防止せしめた電子写真用感
光体を提供することにある。本発明の他の目的
は、Al基体の表面に多少の大き目の凹凸が存在
していても、Al基体表面の組成を均一にするこ
とによつて表面の濡れ性、熱伝導性が均一とな
り、その結果仮りに突起が生じてもその数が著し
く少ない蒸着膜が形成される電子写真用感光体を
提供することにある。本発明のさらに他の目的
は、製造過程にあつて従来より行なわれてきた他
の下地表面処理の余裕度を増すことのできる電子
写真用感光体を提供することにある。
理化学的な作業のバラツキをなくすことにより感
光体表面の突起発生を防止せしめた電子写真用感
光体を提供することにある。本発明の他の目的
は、Al基体の表面に多少の大き目の凹凸が存在
していても、Al基体表面の組成を均一にするこ
とによつて表面の濡れ性、熱伝導性が均一とな
り、その結果仮りに突起が生じてもその数が著し
く少ない蒸着膜が形成される電子写真用感光体を
提供することにある。本発明のさらに他の目的
は、製造過程にあつて従来より行なわれてきた他
の下地表面処理の余裕度を増すことのできる電子
写真用感光体を提供することにある。
即ち、本発明の電子写真用感光体は、アルミニ
ウム基体表面の少くとも画像領域部分に厚さ約
1000Å以上のベーマイト皮膜を形成した導電性基
体の前記ベーマイト皮膜上に、セレン又はセレン
合金からなる光導電層が設けられていることを特
徴とするものである。
ウム基体表面の少くとも画像領域部分に厚さ約
1000Å以上のベーマイト皮膜を形成した導電性基
体の前記ベーマイト皮膜上に、セレン又はセレン
合金からなる光導電層が設けられていることを特
徴とするものである。
以下に本発明をさらに詳細に説明すると、本発
明の電子写真用感光体はこのようにアルミニウム
基体の表面に意図的に一定厚の特定の酸化アルミ
ニウム皮膜を形成した導電性基体を使用したもの
である。もつとも、一般的にはAl表面は部分的
に酸化膜が形成されていることが多いが、その程
度の状態では、既述のとおり、むしろ表面組成の
バラツキ（即ち、表面物性のバラツキ）が大き
く、逆に突起を発生させやすい状態にある。ま
た、基体の均一な組成を達成するために純粋な金
属Alを蒸着した後、光導電層を蒸着することも
考えられるが、そうした場合には光導電層の界面
接着性が極めて悪くなり簡単に剥離してしまうと
いつたこともみられる。
明の電子写真用感光体はこのようにアルミニウム
基体の表面に意図的に一定厚の特定の酸化アルミ
ニウム皮膜を形成した導電性基体を使用したもの
である。もつとも、一般的にはAl表面は部分的
に酸化膜が形成されていることが多いが、その程
度の状態では、既述のとおり、むしろ表面組成の
バラツキ（即ち、表面物性のバラツキ）が大き
く、逆に突起を発生させやすい状態にある。ま
た、基体の均一な組成を達成するために純粋な金
属Alを蒸着した後、光導電層を蒸着することも
考えられるが、そうした場合には光導電層の界面
接着性が極めて悪くなり簡単に剥離してしまうと
いつたこともみられる。
従つて、本発明においてはAl基体表面により
均一な酸化膜の形成を行なつている。このアルミ
ニウム酸化膜としては本発明ではベーマイト
（Al・Ｏ・OH）皮膜が使用される。これは種々
実験の結果、各種アルミニウム酸化膜のうちベー
マイト皮膜が特に有効であることが明らかとなつ
たからである。ただ、このベーマイト皮膜は必ず
しも純粋なものとして得られなくとも本発明の目
的を達成できるものである。なお、ベーマイト皮
膜の生成は2Al＋4H2O＝2Al・Ｏ・OH＋3H2の
反応式によるものと考えられている。この反応は
60℃以上の温水のもとで行なうのが望ましい。更
に、この反応を促進させるために例えば適当量の
アルミン酸ナトリウムを温水に添加させて行なう
ことも効果的である。
均一な酸化膜の形成を行なつている。このアルミ
ニウム酸化膜としては本発明ではベーマイト
（Al・Ｏ・OH）皮膜が使用される。これは種々
実験の結果、各種アルミニウム酸化膜のうちベー
マイト皮膜が特に有効であることが明らかとなつ
たからである。ただ、このベーマイト皮膜は必ず
しも純粋なものとして得られなくとも本発明の目
的を達成できるものである。なお、ベーマイト皮
膜の生成は2Al＋4H2O＝2Al・Ｏ・OH＋3H2の
反応式によるものと考えられている。この反応は
60℃以上の温水のもとで行なうのが望ましい。更
に、この反応を促進させるために例えば適当量の
アルミン酸ナトリウムを温水に添加させて行なう
ことも効果的である。
ベーマイト皮膜の厚さは約1000Å以上、好まし
くは1000Å〜1μmが適当である。1000Åより薄い
と均一なベーマイト膜が形成されにくく、一方
1μmより厚くなつてもそれにより効果の増大はそ
れ程認められない。
くは1000Å〜1μmが適当である。1000Åより薄い
と均一なベーマイト膜が形成されにくく、一方
1μmより厚くなつてもそれにより効果の増大はそ
れ程認められない。
以上のような導電性基体のベーマイト膜上には
光導電層が設けられている。光導電層は具体的に
はSe、Se―Te、Se―As、Se―Te―As、Se―
Te―Clのごときセレン又はセレン系合金からな
るものである。光導電層の厚さは30〜60μm程度
である。
光導電層が設けられている。光導電層は具体的に
はSe、Se―Te、Se―As、Se―Te―As、Se―
Te―Clのごときセレン又はセレン系合金からな
るものである。光導電層の厚さは30〜60μm程度
である。
実際に本発明感光体を製造するには、Al基体
の表面を研磨した後洗浄し、この上にベーマイト
膜を形成せしめて導電性基体とし、更にこの導電
性基体のベーマイト皮膜上に常法によつてSe又
はSe系合金を蒸着せしめて光導電層を設けるよ
うにすればよい。この製造過程において、ベーマ
イト膜を形成させるには、清浄にしたAl基体を
あらかじめ60℃以上に維持した温水に浸漬して膜
の厚さを1000Å〜1μmとなるようにすればよい。
ここでの水は望ましくはイオン交換水のごとき純
水であり、抵抗が0.1メガオームcm以上好ましく
は１メガオームcm以上のものである。
の表面を研磨した後洗浄し、この上にベーマイト
膜を形成せしめて導電性基体とし、更にこの導電
性基体のベーマイト皮膜上に常法によつてSe又
はSe系合金を蒸着せしめて光導電層を設けるよ
うにすればよい。この製造過程において、ベーマ
イト膜を形成させるには、清浄にしたAl基体を
あらかじめ60℃以上に維持した温水に浸漬して膜
の厚さを1000Å〜1μmとなるようにすればよい。
ここでの水は望ましくはイオン交換水のごとき純
水であり、抵抗が0.1メガオームcm以上好ましく
は１メガオームcm以上のものである。
以上のようにして製造される本発明の感光体が
電子写真作像プロセスにおいて良好な結果をもた
らすかについての充分かつ詳細な検討は末だなさ
れていないが、均一なベーマイト膜がAl基体表
面に形成されたことにより、Al基体表面にかな
り大きめの凹凸が存在していてもこれが可成り小
さなものとなり表面の組成を均一にせしめ、また
導電性基体表面の濡れ性、熱伝導性が均一かつ良
好になつたことから突起のない蒸着膜が形成され
たことによるものと考えられる。さらに、本発明
感光体によれば導電性基体表面と蒸着層とのなじ
みも良好となつたことから、蒸着層（光導電層）
が導電性基体から剥離してしまうような不都合は
みられなくなつたといつた効果も認められる。
電子写真作像プロセスにおいて良好な結果をもた
らすかについての充分かつ詳細な検討は末だなさ
れていないが、均一なベーマイト膜がAl基体表
面に形成されたことにより、Al基体表面にかな
り大きめの凹凸が存在していてもこれが可成り小
さなものとなり表面の組成を均一にせしめ、また
導電性基体表面の濡れ性、熱伝導性が均一かつ良
好になつたことから突起のない蒸着膜が形成され
たことによるものと考えられる。さらに、本発明
感光体によれば導電性基体表面と蒸着層とのなじ
みも良好となつたことから、蒸着層（光導電層）
が導電性基体から剥離してしまうような不都合は
みられなくなつたといつた効果も認められる。
次に実施例及び比較例を示す。
実施例 １
アルミニウムドラム（120φ×400mm）の表面を
研磨した後、パークレンで２分間洗浄した。さら
に水洗を２度くり返した（各々１分間）。次いで、
これをあらかじめ80℃に維持したイオン交換水中
に10分間浸漬してAlドラム表面に1000Å〜1μm
厚の範囲にあるベーマイト皮膜を形成せしめた。
研磨した後、パークレンで２分間洗浄した。さら
に水洗を２度くり返した（各々１分間）。次いで、
これをあらかじめ80℃に維持したイオン交換水中
に10分間浸漬してAlドラム表面に1000Å〜1μm
厚の範囲にあるベーマイト皮膜を形成せしめた。
乾燥後、このドラム状導電性基体を真空蒸着装
置にセツトし、10-5torrの減圧下で基体温度を
190℃に保持し蒸着源温度を400℃としてAs2Se3
を30分間蒸着せしめて、約50μm厚の光導電層を
前記導電性基体上に設けた。
置にセツトし、10-5torrの減圧下で基体温度を
190℃に保持し蒸着源温度を400℃としてAs2Se3
を30分間蒸着せしめて、約50μm厚の光導電層を
前記導電性基体上に設けた。
このようにして製造された電子写真用感光体の
表面を顕微鏡及び目視観察により調べたところ、
感光体表面全体で20μm以上の突起は確認されな
かつた。
表面を顕微鏡及び目視観察により調べたところ、
感光体表面全体で20μm以上の突起は確認されな
かつた。
実施例 ２
80℃に維持したイオン交換水中に10分間浸漬し
た代りに、そのイオン交換水にアルミン酸ナトリ
ウム（500mg／）を加えた水溶液を70℃に維持
し８分間浸漬したこと以外は実施例１とまつたく
同様にして電子写真用感光体を製造した。
た代りに、そのイオン交換水にアルミン酸ナトリ
ウム（500mg／）を加えた水溶液を70℃に維持
し８分間浸漬したこと以外は実施例１とまつたく
同様にして電子写真用感光体を製造した。
この感光体表面の突起の状態を調べたところ、
感光体表面全体で20μm以上のものは確認されな
かつた。
感光体表面全体で20μm以上のものは確認されな
かつた。
比較例
イオン交換水中に浸漬してベーマイト皮膜の形
成を省略した以外は実施例１とまつたく同様にし
て電子写真用感光体を製造した。
成を省略した以外は実施例１とまつたく同様にし
て電子写真用感光体を製造した。
この感光体表面の突起の状態を調べたところ、
感光体表面全体で20μm以上の突起が50個以上存
在するのが確認された。
感光体表面全体で20μm以上の突起が50個以上存
在するのが確認された。
Claims (1)
- １ アルミニウム基体表面の少くとも画像領域部
分に厚さ1000Å以上のベーマイト皮膜を形成した
導電性基体の前記ベーマイト皮膜上に、セレン又
はセレン合金からなる光導電層が設けられている
ことを特徴とする電子写真用感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3413981A JPS57147644A (en) | 1981-03-10 | 1981-03-10 | Photoreceptor for electrophotography |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3413981A JPS57147644A (en) | 1981-03-10 | 1981-03-10 | Photoreceptor for electrophotography |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57147644A JPS57147644A (en) | 1982-09-11 |
| JPH0157782B2 true JPH0157782B2 (ja) | 1989-12-07 |
Family
ID=12405877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3413981A Granted JPS57147644A (en) | 1981-03-10 | 1981-03-10 | Photoreceptor for electrophotography |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57147644A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60174864A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-09 | Showa Alum Corp | 薄膜形成用アルミニウム基材の表面処理方法 |
| JPS60174865A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-09 | Showa Alum Corp | 薄膜形成用アルミニウム基材の表面処理方法 |
| JPS60174863A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-09 | Showa Alum Corp | 薄膜形成用アルミニウム基材の表面処理方法 |
| JP2668360B2 (ja) * | 1987-07-24 | 1997-10-27 | 株式会社リコー | 電子写真用感光体 |
| JP2638185B2 (ja) * | 1988-12-23 | 1997-08-06 | 富士電機株式会社 | 電子写真用感光体の製造方法 |
| JPH0329959A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | 電子写真用感光体の製造方法 |
-
1981
- 1981-03-10 JP JP3413981A patent/JPS57147644A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57147644A (en) | 1982-09-11 |
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