JPH0158754B2 - - Google Patents
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- JPH0158754B2 JPH0158754B2 JP10650982A JP10650982A JPH0158754B2 JP H0158754 B2 JPH0158754 B2 JP H0158754B2 JP 10650982 A JP10650982 A JP 10650982A JP 10650982 A JP10650982 A JP 10650982A JP H0158754 B2 JPH0158754 B2 JP H0158754B2
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- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
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- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
- H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/06—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
- H02M3/07—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、スイツチ素子に断時にかかる電圧
波形が共振の孤になるようなスイツチング式電力
増幅器等に用いられる電力供給回路に関するもの
である。
波形が共振の孤になるようなスイツチング式電力
増幅器等に用いられる電力供給回路に関するもの
である。
従来のスイツチング式電力増幅器としては、チ
ヨツパ方式やフルブリツヂ方式にみられるように
入力電源電圧を直接矩形波状にスイツチングし、
その導通時間幅を変えて負荷への伝送電力を変え
るものと、D級電力増幅器にみられるように外部
回路を追加することにより入力電源電圧を直接切
り換えないスイツチング回路を構成して、スイツ
チ素子にかかる電圧または流れる電流を共振の孤
になるようにし、負荷への電力供給量は別途コン
パータまたは変調器等を用いて行なうものとが知
られている。
ヨツパ方式やフルブリツヂ方式にみられるように
入力電源電圧を直接矩形波状にスイツチングし、
その導通時間幅を変えて負荷への伝送電力を変え
るものと、D級電力増幅器にみられるように外部
回路を追加することにより入力電源電圧を直接切
り換えないスイツチング回路を構成して、スイツ
チ素子にかかる電圧または流れる電流を共振の孤
になるようにし、負荷への電力供給量は別途コン
パータまたは変調器等を用いて行なうものとが知
られている。
チヨツパ方式でのスイツチング損失はスイツチ
ング周波数が増大するにつれてスイツチ素子の遷
移損失が増大し、そのスイツチング周波数の限界
はスイツチ素子のスイツチングスピードによつて
決まる。一方、D級電力増幅器ではスイツチング
周波数が増大してもスイツチ素子の遷移損失は余
り増大せず高効率なスイツチングができる。しか
し反面、スイツチ素子にかかる電圧波形の共振条
件が外部回路によつて決つているので、スイツチ
素子の導通幅やスイツチング周期を変えても負荷
への供給電力は広範囲に変わらない。そのために
このD級電力増幅器での電力の制御には、前後に
もう一つの可変電圧装置を設置する必要があり、
構成の複雑化を招く欠点があつた。
ング周波数が増大するにつれてスイツチ素子の遷
移損失が増大し、そのスイツチング周波数の限界
はスイツチ素子のスイツチングスピードによつて
決まる。一方、D級電力増幅器ではスイツチング
周波数が増大してもスイツチ素子の遷移損失は余
り増大せず高効率なスイツチングができる。しか
し反面、スイツチ素子にかかる電圧波形の共振条
件が外部回路によつて決つているので、スイツチ
素子の導通幅やスイツチング周期を変えても負荷
への供給電力は広範囲に変わらない。そのために
このD級電力増幅器での電力の制御には、前後に
もう一つの可変電圧装置を設置する必要があり、
構成の複雑化を招く欠点があつた。
この発明の目的は、電圧共振波形を利用したス
イツチング式電力増幅器等において、共振波形を
保ちながら負荷への供給電力を広範囲に制御でき
る電力供給回路を提供することである。
イツチング式電力増幅器等において、共振波形を
保ちながら負荷への供給電力を広範囲に制御でき
る電力供給回路を提供することである。
この発明は、電圧共振形スイツチングのための
主スイツチ素子とは別に、共振によるフライバツ
クパルスのエネルギー蓄積用である。第1のイン
ダクタンスおよびフオワードパルスの電流平滑用
である第2のインダクタンスのいずれかまたは両
方に補助スイツチ素子を直列に接続し、この補助
スイツチの導通幅を制御することによつて、負荷
への供給電力を制御するようにしたものである。
主スイツチ素子とは別に、共振によるフライバツ
クパルスのエネルギー蓄積用である。第1のイン
ダクタンスおよびフオワードパルスの電流平滑用
である第2のインダクタンスのいずれかまたは両
方に補助スイツチ素子を直列に接続し、この補助
スイツチの導通幅を制御することによつて、負荷
への供給電力を制御するようにしたものである。
この発明によれば、補助スイツチ素子の制御に
よつて負荷への供給電力を制御でき、主スイツチ
素子の導通幅およびスイツチング周期は基本的に
一定でよいため、共振条件は正しく維持される。
従つて電圧共振形スイツチングによる電力供給回
路の高効率という長所を生かしつつ、負荷への供
給電力を広範囲に制御することが可能となる。
よつて負荷への供給電力を制御でき、主スイツチ
素子の導通幅およびスイツチング周期は基本的に
一定でよいため、共振条件は正しく維持される。
従つて電圧共振形スイツチングによる電力供給回
路の高効率という長所を生かしつつ、負荷への供
給電力を広範囲に制御することが可能となる。
第1図はこの発明の一実施例を示す回路構成図
である。図において1は入力直流電源であり、こ
の電源1の一端に主スイツチ素子2と共振用コン
デンサ3との並列回路の一端が接続され、この並
列回路の他端と電源1の他端との間に第1の補助
スイツチ4を介して第1のインダクタ5が接続さ
れるとともに、第2の補助スイツチ6および第2
のインダクタ7を直列に介して整流用ダイオード
ブリツジ8と平滑用コンデンサ9からなる整流平
滑回路が接続されている。そしてこの整流平滑回
路の出力が負荷10に供給される。なお、各スイ
ツチ素子2,4,6にはそれぞれ逆並列にダンパ
ーダイオード11,12,13が接続されてい
る。
である。図において1は入力直流電源であり、こ
の電源1の一端に主スイツチ素子2と共振用コン
デンサ3との並列回路の一端が接続され、この並
列回路の他端と電源1の他端との間に第1の補助
スイツチ4を介して第1のインダクタ5が接続さ
れるとともに、第2の補助スイツチ6および第2
のインダクタ7を直列に介して整流用ダイオード
ブリツジ8と平滑用コンデンサ9からなる整流平
滑回路が接続されている。そしてこの整流平滑回
路の出力が負荷10に供給される。なお、各スイ
ツチ素子2,4,6にはそれぞれ逆並列にダンパ
ーダイオード11,12,13が接続されてい
る。
ここで第1図の動作を説明するために若干の仮
定をする。主スイツチ素子2は一定導通幅および
周期で開閉し、第1図の回路は定常状態に達して
いるとする。すなわちコンデンサ3の端子電圧υC
は第3図bに示すように主スイツチ素子2が導通
する寸前t=0には零電位に、また平滑用コンデ
ンサ9の端子電圧つまり出力電圧E outは一定
となり、等価的に第2図に示すように電池14
(以下、出力等価電池という)と見なせるものと
する。
定をする。主スイツチ素子2は一定導通幅および
周期で開閉し、第1図の回路は定常状態に達して
いるとする。すなわちコンデンサ3の端子電圧υC
は第3図bに示すように主スイツチ素子2が導通
する寸前t=0には零電位に、また平滑用コンデ
ンサ9の端子電圧つまり出力電圧E outは一定
となり、等価的に第2図に示すように電池14
(以下、出力等価電池という)と見なせるものと
する。
先づ簡単のために補助スイツチ素子4,6が常
時導通状態になつている条件での動作の説明をす
る。
時導通状態になつている条件での動作の説明をす
る。
主スイツチ素子2が閉じている期間の等価回路
は第2図aに示すようになる。この場合、第1の
インダクタ5には第3図aの曲線21に示すよう
に電源1の電圧E inとインダクタ5のインダク
タンス値L1との比E in/L1を比例係数として時
間tとともに比例して増加する電流i1が流れる。
一方、第2のインダクタ7には第3図cの曲線2
3に示すように電源1の電圧E inと出力電圧E
outとの差とインダクタ7のインダクタンス値
L2との比(E in―E out)/L2を比例係数と
して時間tとともに比例して増加する電流i2が流
れる。そして主スイツチ素子2にはインダクタ
5,7にそれぞれ流れる電流の和が流れ、主スイ
ツチ素子2の導通期間T onだけ継続する。
は第2図aに示すようになる。この場合、第1の
インダクタ5には第3図aの曲線21に示すよう
に電源1の電圧E inとインダクタ5のインダク
タンス値L1との比E in/L1を比例係数として時
間tとともに比例して増加する電流i1が流れる。
一方、第2のインダクタ7には第3図cの曲線2
3に示すように電源1の電圧E inと出力電圧E
outとの差とインダクタ7のインダクタンス値
L2との比(E in―E out)/L2を比例係数と
して時間tとともに比例して増加する電流i2が流
れる。そして主スイツチ素子2にはインダクタ
5,7にそれぞれ流れる電流の和が流れ、主スイ
ツチ素子2の導通期間T onだけ継続する。
次に主スイツチ素子2が開くと、インダクタ7
には慣性電流が期間t1の間流れるが、この期間t1
の等価回路は第2図bに示すようになる。すなわ
ち、インダクタ5に流れていた電流は先ず電源1
を経由して共振用コンデンサ3を充電する。一
方、インダクタ7に流れていた慣性電流も出力等
価電池14と電源1を経由して同コンデンサ3を
充電する。したがつてコンデンサ3の端子電圧υC
は第3図bの曲線22のτ1期間に示すようにコン
デンサ3の容量値とインダクタ5,7の並列合成
インダクタンス値で共振した状態で上昇する。
には慣性電流が期間t1の間流れるが、この期間t1
の等価回路は第2図bに示すようになる。すなわ
ち、インダクタ5に流れていた電流は先ず電源1
を経由して共振用コンデンサ3を充電する。一
方、インダクタ7に流れていた慣性電流も出力等
価電池14と電源1を経由して同コンデンサ3を
充電する。したがつてコンデンサ3の端子電圧υC
は第3図bの曲線22のτ1期間に示すようにコン
デンサ3の容量値とインダクタ5,7の並列合成
インダクタンス値で共振した状態で上昇する。
そして次に、インダクタ7の慣性電流が流れな
くなると、インダクタ7の端子電圧は零になるの
で、ダイオードブリツジ8にには今までと逆極性
で電圧が印加され、出力等価電池14に対するダ
イオードの組合せが変わり、第2図cに示すよう
になる。
くなると、インダクタ7の端子電圧は零になるの
で、ダイオードブリツジ8にには今までと逆極性
で電圧が印加され、出力等価電池14に対するダ
イオードの組合せが変わり、第2図cに示すよう
になる。
この第2図cの状態の期間t=(T on+τ1)
〜(T―τ3)(但し、Tは主スイツチ素子2のス
イツチング周期)は主にインダクタ5に蓄えられ
ていた慣性電流によつて出力等価電池14に第3
図dに示すように電力が供給され、同時にコンデ
ンサ3に充電が行なわれる。そしてコンデンサ3
の充電が終り、その端子電圧νCが最大値電圧に達
した後はコンデンサ3に蓄えられた電荷が電流1
を径由し、さらにインダクタ5と出力等価電池1
4を経由してインダクタ7に流れ込む。この共振
の過程が更に進んでゆくと、やがてコンデンサ3
の端子電圧υCは主スイツチ素子2に逆並列につな
がつているダンパーダイオード11を導通させる
極性となる。その結果、等価回路は再び第2図a
に戻る。このダイオード11が導通している期間
τ3はインダクタ5,7に残つていた慣性電流が電
源1に戻つている。
〜(T―τ3)(但し、Tは主スイツチ素子2のス
イツチング周期)は主にインダクタ5に蓄えられ
ていた慣性電流によつて出力等価電池14に第3
図dに示すように電力が供給され、同時にコンデ
ンサ3に充電が行なわれる。そしてコンデンサ3
の充電が終り、その端子電圧νCが最大値電圧に達
した後はコンデンサ3に蓄えられた電荷が電流1
を径由し、さらにインダクタ5と出力等価電池1
4を経由してインダクタ7に流れ込む。この共振
の過程が更に進んでゆくと、やがてコンデンサ3
の端子電圧υCは主スイツチ素子2に逆並列につな
がつているダンパーダイオード11を導通させる
極性となる。その結果、等価回路は再び第2図a
に戻る。このダイオード11が導通している期間
τ3はインダクタ5,7に残つていた慣性電流が電
源1に戻つている。
以上が第1図の回路の電力制御を行なわない場
合の基本動作であるが、ここで出力等価電池14
に供給する電力を制御するために主スイツチ素子
2の導通幅を単純に変えると、回路の動作にいか
なる不都合が生ずるかを説明する。
合の基本動作であるが、ここで出力等価電池14
に供給する電力を制御するために主スイツチ素子
2の導通幅を単純に変えると、回路の動作にいか
なる不都合が生ずるかを説明する。
先ず負荷10が軽くなつたとき主スイツチ素子
2の導通幅T onをT on′まで狭くして出力電
力を絞ると、インダクタ5に流れる電流iは第3
図aの曲線31に示すようにT on′まで直線的
に増加し、その後回路実数によつて決まる共振条
件で振動する。一方、コンデンサ3の端子電圧υC
は第3図bの曲線32に示すように主スイツチ素
子2が断になつた後、電源1の電圧E inを中心
に回路定数によつて決る共振条件で振動するが、
振動の始まる時刻t=T on′での共振エネルギ
ーが小さいためにその振幅は小さく、このためυC
は零電位に戻れなくなる。このようにコンデンサ
3の端子電圧υCが有限の値のまま主スイツチ素子
2の次のスイツチング周期が始まると、主スイツ
チ素子2で(1/2CυC 2)×Tのエネルギーを一 瞬の内の消費することになり、主スイツチ素子2
のスイツチング時の温度上昇は大きくなる。これ
が許容値を越えれば主スイツチ素子2は破損す
る。この不都合は主スイツチ素子2の導通時T
on′にインダクタ5に蓄えられている磁気エネル
ギーが少ないために生ずる。そこでインダクタ5
にはコンデンサ3の端子電圧υCの共振の孤が次の
スイツチング周期の始まる前に零電位に戻れる
程、十分エネルギーが蓄えられていなければなら
ない、 しかし、主スイツチ素子2については常に導通
幅T on、周期Tの比が50%前後の一定の状態
でスイツチング動作させておいて、例えば第2の
補助スイツチ素子7の導通幅を変えて負荷10へ
の供給電力を制御し、一方、コンデンサ3の端子
電圧υCの共振条件を維持できるのに十分な導通幅
T on″で第1の補助スイツチ素子4を開閉すれ
ば、コンデンサ4の端子電圧υC電圧共振条件を常
に保つた状態で負荷10への供給電力を自由に変
えることができる。
2の導通幅T onをT on′まで狭くして出力電
力を絞ると、インダクタ5に流れる電流iは第3
図aの曲線31に示すようにT on′まで直線的
に増加し、その後回路実数によつて決まる共振条
件で振動する。一方、コンデンサ3の端子電圧υC
は第3図bの曲線32に示すように主スイツチ素
子2が断になつた後、電源1の電圧E inを中心
に回路定数によつて決る共振条件で振動するが、
振動の始まる時刻t=T on′での共振エネルギ
ーが小さいためにその振幅は小さく、このためυC
は零電位に戻れなくなる。このようにコンデンサ
3の端子電圧υCが有限の値のまま主スイツチ素子
2の次のスイツチング周期が始まると、主スイツ
チ素子2で(1/2CυC 2)×Tのエネルギーを一 瞬の内の消費することになり、主スイツチ素子2
のスイツチング時の温度上昇は大きくなる。これ
が許容値を越えれば主スイツチ素子2は破損す
る。この不都合は主スイツチ素子2の導通時T
on′にインダクタ5に蓄えられている磁気エネル
ギーが少ないために生ずる。そこでインダクタ5
にはコンデンサ3の端子電圧υCの共振の孤が次の
スイツチング周期の始まる前に零電位に戻れる
程、十分エネルギーが蓄えられていなければなら
ない、 しかし、主スイツチ素子2については常に導通
幅T on、周期Tの比が50%前後の一定の状態
でスイツチング動作させておいて、例えば第2の
補助スイツチ素子7の導通幅を変えて負荷10へ
の供給電力を制御し、一方、コンデンサ3の端子
電圧υCの共振条件を維持できるのに十分な導通幅
T on″で第1の補助スイツチ素子4を開閉すれ
ば、コンデンサ4の端子電圧υC電圧共振条件を常
に保つた状態で負荷10への供給電力を自由に変
えることができる。
また、この実施例によれば補助スイツチ素子
4,6を設けたことにより、次のような副次的な
効果が得られる。すなわち、第1にこの第1図の
回路を補助スイツチ素子4,6を開くことによつ
て一時停止させ、再びスタートさせるようにする
と、コンデンサ3は主スイツチ素子2の導通開始
時点では電源1の電圧E inに充電されていない
ことになるので、回路の起動時に主スイツチ素子
2に過大電流が流れるのを防止することができ
る。
4,6を設けたことにより、次のような副次的な
効果が得られる。すなわち、第1にこの第1図の
回路を補助スイツチ素子4,6を開くことによつ
て一時停止させ、再びスタートさせるようにする
と、コンデンサ3は主スイツチ素子2の導通開始
時点では電源1の電圧E inに充電されていない
ことになるので、回路の起動時に主スイツチ素子
2に過大電流が流れるのを防止することができ
る。
また、第2の通常第1図のような回路の投入時
には平滑用コンデンサ9の端子電圧は零であるた
めに、第3図cの曲線24の傾斜は急峻になつ
て、主スイツチ素子2に過大な電流が流れ、もし
この過大電流に耐えるスイツチ素子を用意しよう
とすると定常負荷時の十倍近い耐電流のものが必
要となる。しかし第1図の回路ではフライバツク
パルスだけでも負荷10に電力エネルギーを伝達
できるため、この回路の投入時は主に第1の補助
スイツチ4だけを開閉して第1のインダクタ5に
蓄えた磁気エネルギーを負荷10に供給し、平滑
用コンデンサ9の端子電圧が十分立ち上つて来た
頃を見はからつてから第2の補助スイツチ7を開
閉すれば、主スイツチ素子2は定時状態に比べて
過大な電流は流れることはなくなるので、耐電流
の低いもので済むことになる。
には平滑用コンデンサ9の端子電圧は零であるた
めに、第3図cの曲線24の傾斜は急峻になつ
て、主スイツチ素子2に過大な電流が流れ、もし
この過大電流に耐えるスイツチ素子を用意しよう
とすると定常負荷時の十倍近い耐電流のものが必
要となる。しかし第1図の回路ではフライバツク
パルスだけでも負荷10に電力エネルギーを伝達
できるため、この回路の投入時は主に第1の補助
スイツチ4だけを開閉して第1のインダクタ5に
蓄えた磁気エネルギーを負荷10に供給し、平滑
用コンデンサ9の端子電圧が十分立ち上つて来た
頃を見はからつてから第2の補助スイツチ7を開
閉すれば、主スイツチ素子2は定時状態に比べて
過大な電流は流れることはなくなるので、耐電流
の低いもので済むことになる。
第3図に、第1図において補助スイツチ素子
4,6がなくこの部分が常時接続されているとす
ると、主スイツチ素子2がある周期で一定期間開
閉動作をした後主スイツチ素子2が開いた状態で
休止した場合、インダクタ5,7の残留エネルギ
ーが電源1を経由して振動しつつ、負荷10およ
び回路の損失によつて減衰するが、補助スイツチ
素子4,6を用いることによつてこのような減衰
振動をなくすことができる。すなわち、主スイツ
チ素子2と補助スイツチ素子4,6とが同期して
開閉することにより、インダクタ5,7に蓄積さ
れていた残留エネルギーはダイオードブリツジ8
を経由して電源1に戻るので、効率の向上を図る
ことが可能となる。
4,6がなくこの部分が常時接続されているとす
ると、主スイツチ素子2がある周期で一定期間開
閉動作をした後主スイツチ素子2が開いた状態で
休止した場合、インダクタ5,7の残留エネルギ
ーが電源1を経由して振動しつつ、負荷10およ
び回路の損失によつて減衰するが、補助スイツチ
素子4,6を用いることによつてこのような減衰
振動をなくすことができる。すなわち、主スイツ
チ素子2と補助スイツチ素子4,6とが同期して
開閉することにより、インダクタ5,7に蓄積さ
れていた残留エネルギーはダイオードブリツジ8
を経由して電源1に戻るので、効率の向上を図る
ことが可能となる。
尚、第1図において特に大電力を扱う場合のよ
うに主スイツチ素子2として自身で電流を切れる
ジヤイントトランジスタやゲートターンオフサイ
リスタを用いれば補助スイツチ4,6は単にサイ
リスタ等を用いても転流回路は必要としない。
うに主スイツチ素子2として自身で電流を切れる
ジヤイントトランジスタやゲートターンオフサイ
リスタを用いれば補助スイツチ4,6は単にサイ
リスタ等を用いても転流回路は必要としない。
この発明は上述の実施例に限るものではなく、
例えば第1の補助スイツチ4と第1のインダクタ
5およびダイオード12を省略しても、電圧共振
条件を保ちつつ第2の補助スイツチ6によつて負
荷への供給電力の制御を行なうことができる。ま
た逆に第1のインダクタ5がある場合は、第2の
補助スイツチ6を省いて第1の補助スイツチ4の
みによつて負荷への供給電力の制御を行なうこと
も可能である。また第2のインダクタ7は負荷の
前に変成器を挿入する場合、その洩れインダクタ
ンスで代用しても良い。尚、洩れインダクタンス
とは変調器の2次側をシヨートして一次側からみ
えるインダクタンスである。
例えば第1の補助スイツチ4と第1のインダクタ
5およびダイオード12を省略しても、電圧共振
条件を保ちつつ第2の補助スイツチ6によつて負
荷への供給電力の制御を行なうことができる。ま
た逆に第1のインダクタ5がある場合は、第2の
補助スイツチ6を省いて第1の補助スイツチ4の
みによつて負荷への供給電力の制御を行なうこと
も可能である。また第2のインダクタ7は負荷の
前に変成器を挿入する場合、その洩れインダクタ
ンスで代用しても良い。尚、洩れインダクタンス
とは変調器の2次側をシヨートして一次側からみ
えるインダクタンスである。
さらに、この発明に係る回路はスイツチング式
電力増幅器およびスイツチング式電源のいずれに
も適用が可能であり、前者の場合は例えば補助ス
イツチング素子を入力信号で変調されたパルス幅
変調波でスイツチングさせ、後者の場合は負荷へ
の電圧の変動に応じてスイツチングさせればよ
い。
電力増幅器およびスイツチング式電源のいずれに
も適用が可能であり、前者の場合は例えば補助ス
イツチング素子を入力信号で変調されたパルス幅
変調波でスイツチングさせ、後者の場合は負荷へ
の電圧の変動に応じてスイツチングさせればよ
い。
第1図はこの発明の一実施例を示す回路構成
図、第2図はその各動作モードにおける等価回路
図、第3図は第1図の各部の動作波形図である。 1…入力直流電源、2…主スイツチ素子、3…
共振用コンデンサ、4…第1の補助スイツチ素
子、5…第1のインダクタ、6…第2の補助スイ
ツチ素子、7…第2のインダクタ、8…軽流用ダ
イオードブリツジ、9…平滑用コンデンサ、10
…負荷、11〜13…ダンパーダイオード。
図、第2図はその各動作モードにおける等価回路
図、第3図は第1図の各部の動作波形図である。 1…入力直流電源、2…主スイツチ素子、3…
共振用コンデンサ、4…第1の補助スイツチ素
子、5…第1のインダクタ、6…第2の補助スイ
ツチ素子、7…第2のインダクタ、8…軽流用ダ
イオードブリツジ、9…平滑用コンデンサ、10
…負荷、11〜13…ダンパーダイオード。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 入力直流電源の一端に所定の導通幅および周
期で開閉する主スイツチ素子と共振用コンデンサ
との並列回路の一端を接続し、この並列回路の他
端と入力直流電源の他端との間にインダクタを介
して整流平滑回路を接続し、この整流平滑回路を
介して負荷に電力を供給する電力供給回路におい
て、前記インダクタと直列に補助スイツチ素子を
接続し、この補助スイツチ素子の導通幅を制御す
ることによつて負荷への供給電力を制御するよう
にしたことを特徴とする電力供給回路。 2 インダクタは変成器の洩れインダクタンスに
より構成することを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載の電力供給回路。 3 入力直流電源の一端に所定の導通幅および周
期で開閉する主スイツチ素子と共振用コンデンサ
との並列回路の一端を接続し、この並列回路の他
端と入力直流電源の他端との間に第1のインダク
タを接続するとともに、第2のインダクタを介し
て整流平滑回路を接続し、この整流平滑回路を介
して負荷に電力を供給する電力供給回路におい
て、前記第1、第2のインダクタの少なくとも一
方と直列に少なくとも1つの補助スイツチ素子を
接続し、この補助スイツチ素子の導通幅を制御す
ることによつて負荷への供給電力を制御するよう
にしたことを特徴とする電力供給回路。 4 第2のインダクタは変成器の洩れインダクタ
ンスにより構成することを特徴とする特許請求の
範囲第3項記載の電力供給回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10650982A JPS58222321A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 電力供給回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10650982A JPS58222321A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 電力供給回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58222321A JPS58222321A (ja) | 1983-12-24 |
| JPH0158754B2 true JPH0158754B2 (ja) | 1989-12-13 |
Family
ID=14435392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10650982A Granted JPS58222321A (ja) | 1982-06-21 | 1982-06-21 | 電力供給回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58222321A (ja) |
-
1982
- 1982-06-21 JP JP10650982A patent/JPS58222321A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58222321A (ja) | 1983-12-24 |
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