JPH0211015B2 - - Google Patents
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- JPH0211015B2 JPH0211015B2 JP58040290A JP4029083A JPH0211015B2 JP H0211015 B2 JPH0211015 B2 JP H0211015B2 JP 58040290 A JP58040290 A JP 58040290A JP 4029083 A JP4029083 A JP 4029083A JP H0211015 B2 JPH0211015 B2 JP H0211015B2
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- JP
- Japan
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- wire
- bonding
- polyoxyethylene alkylamine
- coating
- winding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07168—Means for storing or moving the material for the connector
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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- H10W72/07502—Connecting or disconnecting of bond wires using an auxiliary member
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/521—Structures or relative sizes of bond wires
- H10W72/522—Multilayered bond wires, e.g. having a coating concentric around a core
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/553—Materials of bond wires not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. polymers, ceramics or liquids
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- H10W72/555—Materials of bond wires of outermost layers of multilayered bond wires, e.g. material of a coating
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
この発明は、半導体装置の製造に際して施され
るワイヤ・ボンデイングに使用するのに適した
AuまたはAu合金細線に関するものである。 一般に、半導体装置としては、トランジスタや
IC、さらにLSIなどが知られているが、例えばIC
などの半導体装置は、 (a) Cu合金の板材または条材の片面に、Au，
Ag，Ni，およびその合金などのメツキ層を形
成したものからなるリード素材を用意し、 (b) 上記リード素材にプレス打抜き加工を施して
製造せんとする半導体装置の形状に適合したリ
ードフレームとし、 (c) 上記リードフレームの所定個所に高純度Siま
たはGeなどの半導体素子を上記メツキ層を介
して熱圧着し、 (d) 上記リードフレームと上記半導体素子に対し
て、AuまたはAu合金細線を用い、熱圧着また
は超音波熱圧着法にてワイヤ・ボンデイングを
施し、 (e) 上記半導体素子、上記AuまたはAu合金細
線、および半導体素子が取付けられている部分
のリードフレームをプラスチツクでパツクし、 (f) 最終的に、上記リードフレームにおける相互
に連なる部分を切除してリード材とする、 以上(a)〜(f)の主要工程によつて製造されてい
る。 このように半導体装置の製造に際しては、上記
の(d)工程において、AuまたはAu合金細線を用い
てワイヤ・ボンデイングを施こし、従来そのボン
デイング線として、添附図面の第１図に示される
ように、アルミスプール上に一層に巻取られた
AuまたはAu合金細線が使用され、手動式または
自動式のボンデイングマシンを用いて半導体素子
とリードフレームとの結線が行なわれてきた。し
かし、最近では生産性をあげるためにボンデイン
グマシンの改良や生産技術の向上がはかられ、ボ
ンデイング速度は高速化し、より長尺のボンデイ
ング線が要求されてきている。 したがつて、従来から使用されてきた一層巻で
は、巻取量は精々100〜200ｍが限度であるところ
から、上記の要求に応えるため、最近では添附図
面の第２図に示されるようなクロス巻の多層巻線
が用いられるようになり、巻取量も500〜1000ｍ
へと長尺化してきているが、このような多層巻を
使用すると、次のようなトラブルが発生するもの
である。すなわち第１図の一層巻の場合には、ボ
ンデイング線は線どうしが互に接触している個所
がないため、線の取り出しの際Au線が引つ掛か
り折れることはないが、多層巻の場合は、第２図
から明らかなように、取り出さるAu線が下層の
Au線上でこすられて取り出されるため、取り出
されたAu線に折れ（曲り）が発生しやすくなる。
この折れは、そのままボンデイングされるため、
ボンデイングループが変形され、たれや曲りが生
じ、シヨートを起こして製品不良の原因となる。 そこで、本発明者は、上記のような観点から、
ワイヤ・ボンデイング用の多層巻線において上記
のような折れを無くすべく鋭意研究を重ねた結
果、AuまたはAu合金細線の表面に有機化合物系
の帯電防止剤であるポリオキシエチレンアルキル
アミンのコーテイング処理を施こし、その被膜の
平均膜厚を0.5μｍ〜50Åとすると、取り出される
AuまたはAu合金細線の折れが無くなり、ボンデ
イングが高速で、かつ正常なループ形状で行なわ
れるという知見を得たのである。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、スプール上に多層巻に巻かれた、半
導体装置のワイヤ・ボンデイング用AuまたはAu
合金細線の表面に、平均膜厚：0.5μｍ〜50Åとな
るようにポリオキシエチレンアルキルアミンの被
膜をコーテイングすることを特徴とするものであ
る。 以下に、被膜の平均膜厚を上記の通りに限定し
た理由を述べる。 通常ワイヤ・ボンデイングに際しては、前記の
通り、熱圧着法や超音波熱圧着法が用いられる
が、このコーテイング被膜が厚すぎると、ボンデ
イング不良を生じて圧着部の剥離を招き、他方被
膜が薄すぎると、コーテイングの効果がなく、前
述のような折れが発生してボンデイングループの
変形が起きてシヨートにつながるところから、被
膜の平均膜厚を、コーテイングの効果が現われる
50Åから剥離の起きない0.5μｍまでの範囲とし
た。 またポリオキシエチレンアルキルアミンの塗布
液を形成させるための溶媒としては、これを溶解
することができる周知の揮発性溶剤、例えば、フ
ロン、アセトン等を使用することができ、このよ
うな溶媒にポリオキシエチレンアルキルアミンを
溶かした塗布液をAuまたはAu合金細線上に塗布
した後溶媒を蒸発させると、AuまたはAu合金細
線の表面にきわめて薄いコーテイング膜を形成さ
せることができる。 つぎに、この発明のAu細線を実施例により具
体的に説明する。 実施例 第１表に示される種々の濃度のポリオキシエチ
レンアルキルアミンの水溶液を直径：25μｍφの
Au線表面に連続的に塗布し、乾燥することによ
り形成した本発明コーテイングAu線１〜６を、
アルミスプール上にクロス・多層巻で1000ｍ巻取
り、50000回の高速ボンデイングにおいて取り出
されたこの巻線の変形ループの発生回数を調査す
ることにより、ボンデイング・テストを行
るワイヤ・ボンデイングに使用するのに適した
AuまたはAu合金細線に関するものである。 一般に、半導体装置としては、トランジスタや
IC、さらにLSIなどが知られているが、例えばIC
などの半導体装置は、 (a) Cu合金の板材または条材の片面に、Au，
Ag，Ni，およびその合金などのメツキ層を形
成したものからなるリード素材を用意し、 (b) 上記リード素材にプレス打抜き加工を施して
製造せんとする半導体装置の形状に適合したリ
ードフレームとし、 (c) 上記リードフレームの所定個所に高純度Siま
たはGeなどの半導体素子を上記メツキ層を介
して熱圧着し、 (d) 上記リードフレームと上記半導体素子に対し
て、AuまたはAu合金細線を用い、熱圧着また
は超音波熱圧着法にてワイヤ・ボンデイングを
施し、 (e) 上記半導体素子、上記AuまたはAu合金細
線、および半導体素子が取付けられている部分
のリードフレームをプラスチツクでパツクし、 (f) 最終的に、上記リードフレームにおける相互
に連なる部分を切除してリード材とする、 以上(a)〜(f)の主要工程によつて製造されてい
る。 このように半導体装置の製造に際しては、上記
の(d)工程において、AuまたはAu合金細線を用い
てワイヤ・ボンデイングを施こし、従来そのボン
デイング線として、添附図面の第１図に示される
ように、アルミスプール上に一層に巻取られた
AuまたはAu合金細線が使用され、手動式または
自動式のボンデイングマシンを用いて半導体素子
とリードフレームとの結線が行なわれてきた。し
かし、最近では生産性をあげるためにボンデイン
グマシンの改良や生産技術の向上がはかられ、ボ
ンデイング速度は高速化し、より長尺のボンデイ
ング線が要求されてきている。 したがつて、従来から使用されてきた一層巻で
は、巻取量は精々100〜200ｍが限度であるところ
から、上記の要求に応えるため、最近では添附図
面の第２図に示されるようなクロス巻の多層巻線
が用いられるようになり、巻取量も500〜1000ｍ
へと長尺化してきているが、このような多層巻を
使用すると、次のようなトラブルが発生するもの
である。すなわち第１図の一層巻の場合には、ボ
ンデイング線は線どうしが互に接触している個所
がないため、線の取り出しの際Au線が引つ掛か
り折れることはないが、多層巻の場合は、第２図
から明らかなように、取り出さるAu線が下層の
Au線上でこすられて取り出されるため、取り出
されたAu線に折れ（曲り）が発生しやすくなる。
この折れは、そのままボンデイングされるため、
ボンデイングループが変形され、たれや曲りが生
じ、シヨートを起こして製品不良の原因となる。 そこで、本発明者は、上記のような観点から、
ワイヤ・ボンデイング用の多層巻線において上記
のような折れを無くすべく鋭意研究を重ねた結
果、AuまたはAu合金細線の表面に有機化合物系
の帯電防止剤であるポリオキシエチレンアルキル
アミンのコーテイング処理を施こし、その被膜の
平均膜厚を0.5μｍ〜50Åとすると、取り出される
AuまたはAu合金細線の折れが無くなり、ボンデ
イングが高速で、かつ正常なループ形状で行なわ
れるという知見を得たのである。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、スプール上に多層巻に巻かれた、半
導体装置のワイヤ・ボンデイング用AuまたはAu
合金細線の表面に、平均膜厚：0.5μｍ〜50Åとな
るようにポリオキシエチレンアルキルアミンの被
膜をコーテイングすることを特徴とするものであ
る。 以下に、被膜の平均膜厚を上記の通りに限定し
た理由を述べる。 通常ワイヤ・ボンデイングに際しては、前記の
通り、熱圧着法や超音波熱圧着法が用いられる
が、このコーテイング被膜が厚すぎると、ボンデ
イング不良を生じて圧着部の剥離を招き、他方被
膜が薄すぎると、コーテイングの効果がなく、前
述のような折れが発生してボンデイングループの
変形が起きてシヨートにつながるところから、被
膜の平均膜厚を、コーテイングの効果が現われる
50Åから剥離の起きない0.5μｍまでの範囲とし
た。 またポリオキシエチレンアルキルアミンの塗布
液を形成させるための溶媒としては、これを溶解
することができる周知の揮発性溶剤、例えば、フ
ロン、アセトン等を使用することができ、このよ
うな溶媒にポリオキシエチレンアルキルアミンを
溶かした塗布液をAuまたはAu合金細線上に塗布
した後溶媒を蒸発させると、AuまたはAu合金細
線の表面にきわめて薄いコーテイング膜を形成さ
せることができる。 つぎに、この発明のAu細線を実施例により具
体的に説明する。 実施例 第１表に示される種々の濃度のポリオキシエチ
レンアルキルアミンの水溶液を直径：25μｍφの
Au線表面に連続的に塗布し、乾燥することによ
り形成した本発明コーテイングAu線１〜６を、
アルミスプール上にクロス・多層巻で1000ｍ巻取
り、50000回の高速ボンデイングにおいて取り出
されたこの巻線の変形ループの発生回数を調査す
ることにより、ボンデイング・テストを行
【表】
Claims (1)
- １ 金または金合金細線の表面に有機化合物系の
帯電防止剤であるポリオキシエチレンアルキルア
ミンをコーテイングし、平均膜厚：0.5μｍ〜50Å
のポリオキシエチレンアルキルアミンの被膜を形
成させたことを特徴とする、スプール上に多層巻
に巻かれた、半導体装置のワイヤ・ボンデイング
用金または金合金細線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040290A JPS59167043A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040290A JPS59167043A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59167043A JPS59167043A (ja) | 1984-09-20 |
| JPH0211015B2 true JPH0211015B2 (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=12576466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58040290A Granted JPS59167043A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59167043A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03165044A (ja) * | 1989-11-22 | 1991-07-17 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 被覆線 |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP58040290A patent/JPS59167043A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59167043A (ja) | 1984-09-20 |
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