JPH0211016B2 - - Google Patents
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- JPH0211016B2 JPH0211016B2 JP58040291A JP4029183A JPH0211016B2 JP H0211016 B2 JPH0211016 B2 JP H0211016B2 JP 58040291 A JP58040291 A JP 58040291A JP 4029183 A JP4029183 A JP 4029183A JP H0211016 B2 JPH0211016 B2 JP H0211016B2
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- JP
- Japan
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- wire
- bonding
- alloy
- coating
- surfactant
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
- H10W72/07168—Means for storing or moving the material for the connector
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
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- H10W72/07502—Connecting or disconnecting of bond wires using an auxiliary member
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/553—Materials of bond wires not comprising solid metals or solid metalloids, e.g. polymers, ceramics or liquids
-
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W72/555—Materials of bond wires of outermost layers of multilayered bond wires, e.g. material of a coating
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- Wire Bonding (AREA)
Description
この発明は、半導体装置の製造に際して施され
たワイヤ・ボンデイングに使用するのに適した
AuまたはAu合金細線に関するものである。 一般に、半導体装置としては、トランジスタや
IC、さらにLSIなどが知られているが、例えばIC
などの半導体装置は、 (a) Cu合金の板材または条材の片面に、Au，
Ag，Ni，およびその合金などのメツキ層を形
成したものからなるリード素材を用意し、 (b) 上記リード素材にプレス打抜き加工を施して
製造せんとする半導体装置の形状に適合したリ
ードフレームとし、 (c) 上記リードフレームの所定個所に高純度Siま
たはGeなどの半導体素子を上記メツキ層を介
して熱圧着し、 (d) 上記リードフレームと上記半導体素子に対し
て、AuまたはAu合金細線を用い、熱圧着また
は超音波熱圧着法にてワイヤ・ボンデイングを
施し、 (e) 上記半導体素子、上記AuまたはAu合金細
線、および半導体素子が取付けられている部分
のリードフレームをプラスチツクでパツクし、 (f) 最終的に、上記リードフレームにおける相互
に連なる部分を切除してリード材とする、 以上(a)〜(f)の主要工程によつて製造されてい
る。 このように半導体装置の製造に際しては、上記
の(d)工程において、AuまたはAu合金細線を用い
てワイヤ・ボンデイングが施されるが、従来その
ボンデイング線として、添付図面の第１図に示さ
れるように、アルミスプール上に一層に巻取られ
たAuまたはAu合金細線が使用され、手動式また
は自動式のボンデイングマシンを用いて半導体素
子とリードフレームとの結線が行なわれてきた。
しかし、最近では生産性をあげるためにボンデイ
ングマシンの改良や生産技術の向上がはかられ、
ボンデイング速度は高速化し、より長尺のボンデ
イング線が要求されてきている。 したがつて、従来から使用されてきた一層巻で
は、巻取量は精々100〜200mが限度であるところ
から、上記の要求に応えるため、最近では添付図
面の第２図に示されるようなクロス巻の多層巻線
が用いられるようになり、巻取量も500〜1000ｍ
へと長尺化してきているが、このような多層巻を
使用すると、次のようなトラブルが発生するもの
であつた。すなわち第１図の一層巻の場合には、
ボンデイング線は線どうしが互に接触している個
所がないため、線の取り出しの際Au線が引つ掛
かり折れることはないが、多層巻の場合は、第２
図から明らかなように、取り出されるAu線が下
層のAu線上でこすられて取り出されるため、取
り出されたAu線に折れ（曲り）が発生しやすく
なる。この折れは、そのままボンデイングされる
ため、ボンデイングループが変形され、たれや曲
りが生じ、シヨートを起こして製品不良の原因と
なる。 そこで、本発明者は、上記のような観点から、
ワイヤ・ボンデイング用の多層巻線において上記
のような折れを無くすべく鋭意研究を重ねた結
果、AuまたはAu合金細線の表面に界面活性剤の
コーテイング処理を施こし、その被膜の平均膜厚
を0.5μm〜50Åとすると、取り出されるAuまた
はAu合金細線の折れが無くなり、ボンデイング
が高速で、かつ正常なループ形状で行なわれると
いう知見を得たのである。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、スプール上に多層巻に巻かれた、半
導体装置のワイヤ・ボンデイング用AuまたはAu
合金細線の表面に、平均膜厚：0.5μm〜50Åとな
るように界面活性剤の被膜をコーテイングするこ
とを特徴とするものである。 以下に被膜の平均膜厚を上記の通りに限定した
理由を述べる。 通常ワイヤ・ボンデイングに際しては、前記の
通り、熱圧着法や超音波熱圧着法が用いられる
が、このコーテイング被膜が厚すぎると、ボンデ
イング不良を生じて圧着部の剥離を招き、他方被
膜が薄すぎると、コーテイングの効果がなく、前
述のような折れが発生してボンデイングループの
変形が起きてシヨートにつながるところから、被
膜の平均膜厚を、コーテイングの効果が現われる
50Åから剥離の起きない0.5μmまでの範囲とし
た。 本発明において使用される界面活性剤として
は、従来知られているどのような界面活性剤でも
利用できるが、アニオン界面活性剤、特にポリオ
キシエチレンアルキルエーテルサルフエートおよ
び非イオン界面活性剤、特にポリオキシエチレン
アルキルエーテルが好ましい。 また界面活性剤の塗布液を形成させるための溶
媒としては、界面活性剤を溶解することができる
周知の溶剤、例えば水、フロン、アセトン等を使
用することができ、このような溶媒に界面活性剤
を溶かした塗布液をAuまたはAu合金線線上に塗
布した後溶媒を蒸発させると、Au線またはAu合
金線の表面にきわめて薄いコーテイング膜を形成
させることができる。 つぎに、この発明のAuまたはAu合金細線を実
施例により具体的に説明する。 実施例 第１表に示される種々の濃度のポリオキシエチ
レンアルキルエーテルサルフエート水溶液および
種々の濃度のポリオキシエチレンアルキルエーテ
ル水溶液を直径：25μmφのAu線表面に連続的に
塗布、乾燥することにより形成した本発明コーテ
イングAu線１〜６を、アルミスプール上にクロ
ス・多層巻で1000m巻取り、50000回の高速ボン
デイングにおいて取り出された二つの巻
たワイヤ・ボンデイングに使用するのに適した
AuまたはAu合金細線に関するものである。 一般に、半導体装置としては、トランジスタや
IC、さらにLSIなどが知られているが、例えばIC
などの半導体装置は、 (a) Cu合金の板材または条材の片面に、Au，
Ag，Ni，およびその合金などのメツキ層を形
成したものからなるリード素材を用意し、 (b) 上記リード素材にプレス打抜き加工を施して
製造せんとする半導体装置の形状に適合したリ
ードフレームとし、 (c) 上記リードフレームの所定個所に高純度Siま
たはGeなどの半導体素子を上記メツキ層を介
して熱圧着し、 (d) 上記リードフレームと上記半導体素子に対し
て、AuまたはAu合金細線を用い、熱圧着また
は超音波熱圧着法にてワイヤ・ボンデイングを
施し、 (e) 上記半導体素子、上記AuまたはAu合金細
線、および半導体素子が取付けられている部分
のリードフレームをプラスチツクでパツクし、 (f) 最終的に、上記リードフレームにおける相互
に連なる部分を切除してリード材とする、 以上(a)〜(f)の主要工程によつて製造されてい
る。 このように半導体装置の製造に際しては、上記
の(d)工程において、AuまたはAu合金細線を用い
てワイヤ・ボンデイングが施されるが、従来その
ボンデイング線として、添付図面の第１図に示さ
れるように、アルミスプール上に一層に巻取られ
たAuまたはAu合金細線が使用され、手動式また
は自動式のボンデイングマシンを用いて半導体素
子とリードフレームとの結線が行なわれてきた。
しかし、最近では生産性をあげるためにボンデイ
ングマシンの改良や生産技術の向上がはかられ、
ボンデイング速度は高速化し、より長尺のボンデ
イング線が要求されてきている。 したがつて、従来から使用されてきた一層巻で
は、巻取量は精々100〜200mが限度であるところ
から、上記の要求に応えるため、最近では添付図
面の第２図に示されるようなクロス巻の多層巻線
が用いられるようになり、巻取量も500〜1000ｍ
へと長尺化してきているが、このような多層巻を
使用すると、次のようなトラブルが発生するもの
であつた。すなわち第１図の一層巻の場合には、
ボンデイング線は線どうしが互に接触している個
所がないため、線の取り出しの際Au線が引つ掛
かり折れることはないが、多層巻の場合は、第２
図から明らかなように、取り出されるAu線が下
層のAu線上でこすられて取り出されるため、取
り出されたAu線に折れ（曲り）が発生しやすく
なる。この折れは、そのままボンデイングされる
ため、ボンデイングループが変形され、たれや曲
りが生じ、シヨートを起こして製品不良の原因と
なる。 そこで、本発明者は、上記のような観点から、
ワイヤ・ボンデイング用の多層巻線において上記
のような折れを無くすべく鋭意研究を重ねた結
果、AuまたはAu合金細線の表面に界面活性剤の
コーテイング処理を施こし、その被膜の平均膜厚
を0.5μm〜50Åとすると、取り出されるAuまた
はAu合金細線の折れが無くなり、ボンデイング
が高速で、かつ正常なループ形状で行なわれると
いう知見を得たのである。 この発明は、上記知見にもとづいてなされたも
のであつて、スプール上に多層巻に巻かれた、半
導体装置のワイヤ・ボンデイング用AuまたはAu
合金細線の表面に、平均膜厚：0.5μm〜50Åとな
るように界面活性剤の被膜をコーテイングするこ
とを特徴とするものである。 以下に被膜の平均膜厚を上記の通りに限定した
理由を述べる。 通常ワイヤ・ボンデイングに際しては、前記の
通り、熱圧着法や超音波熱圧着法が用いられる
が、このコーテイング被膜が厚すぎると、ボンデ
イング不良を生じて圧着部の剥離を招き、他方被
膜が薄すぎると、コーテイングの効果がなく、前
述のような折れが発生してボンデイングループの
変形が起きてシヨートにつながるところから、被
膜の平均膜厚を、コーテイングの効果が現われる
50Åから剥離の起きない0.5μmまでの範囲とし
た。 本発明において使用される界面活性剤として
は、従来知られているどのような界面活性剤でも
利用できるが、アニオン界面活性剤、特にポリオ
キシエチレンアルキルエーテルサルフエートおよ
び非イオン界面活性剤、特にポリオキシエチレン
アルキルエーテルが好ましい。 また界面活性剤の塗布液を形成させるための溶
媒としては、界面活性剤を溶解することができる
周知の溶剤、例えば水、フロン、アセトン等を使
用することができ、このような溶媒に界面活性剤
を溶かした塗布液をAuまたはAu合金線線上に塗
布した後溶媒を蒸発させると、Au線またはAu合
金線の表面にきわめて薄いコーテイング膜を形成
させることができる。 つぎに、この発明のAuまたはAu合金細線を実
施例により具体的に説明する。 実施例 第１表に示される種々の濃度のポリオキシエチ
レンアルキルエーテルサルフエート水溶液および
種々の濃度のポリオキシエチレンアルキルエーテ
ル水溶液を直径：25μmφのAu線表面に連続的に
塗布、乾燥することにより形成した本発明コーテ
イングAu線１〜６を、アルミスプール上にクロ
ス・多層巻で1000m巻取り、50000回の高速ボン
デイングにおいて取り出された二つの巻
【表】
【表】
線の変形ループの発生回数を調査することによ
り、ボンデイング・テストを行ない、さらに比較
のため、上記コーテイング処理を施こさない同じ
太さの従来Au線を直接アルミスプール上へクロ
ス・多層巻で巻取り、上記と同じボンデイング・
テストを行つた。 これらの結果を第１表に示す。 第１表に示される結果から、多層巻に巻取られ
るAu線表面に界面活性剤のコーテイング被膜を
形成させることによつて、製品不良につながる変
形ループの発生を極度に減少できることがわか
る。 上述のように、この発明のAuまたはAu合金細
線は、ICなどの半導体装置のワイヤ・ボンデイ
ングにおいて折れの発生を回避して製品歩留りの
向上をもたらすとともに、ボンデイングの高速化
を達成して生産性の向上に役立つものである。
り、ボンデイング・テストを行ない、さらに比較
のため、上記コーテイング処理を施こさない同じ
太さの従来Au線を直接アルミスプール上へクロ
ス・多層巻で巻取り、上記と同じボンデイング・
テストを行つた。 これらの結果を第１表に示す。 第１表に示される結果から、多層巻に巻取られ
るAu線表面に界面活性剤のコーテイング被膜を
形成させることによつて、製品不良につながる変
形ループの発生を極度に減少できることがわか
る。 上述のように、この発明のAuまたはAu合金細
線は、ICなどの半導体装置のワイヤ・ボンデイ
ングにおいて折れの発生を回避して製品歩留りの
向上をもたらすとともに、ボンデイングの高速化
を達成して生産性の向上に役立つものである。
第１図はアルミスプール上に一層巻に巻取られ
たAu線を取り出す場合の状態を模式的に示す図
であり、第２図はクロス・多層巻に巻取られてい
る場合の図である。図面において、 １…アルミスプール、２…スペーサー、３…金
線。
たAu線を取り出す場合の状態を模式的に示す図
であり、第２図はクロス・多層巻に巻取られてい
る場合の図である。図面において、 １…アルミスプール、２…スペーサー、３…金
線。
Claims (1)
- １ 金または金合金細線の表面に界面活性剤をコ
ーテイングし、平均膜厚：0.5μm〜50Åの界面活
性剤の被膜を形成させたことを特徴とする、スプ
ール上に多層巻に巻かれた、半導体装置のワイ
ヤ・ボンデイング用金または金合金細線。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040291A JPS59167044A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58040291A JPS59167044A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59167044A JPS59167044A (ja) | 1984-09-20 |
| JPH0211016B2 true JPH0211016B2 (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=12576496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58040291A Granted JPS59167044A (ja) | 1983-03-11 | 1983-03-11 | 半導体装置のワイヤ・ボンデイング用金または金合金細線 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59167044A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH068226U (ja) * | 1991-02-08 | 1994-02-01 | 本州製紙株式会社 | 自動販売機用輸送箱 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6278862A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-11 | Tanaka Denshi Kogyo Kk | 半導体素子のボンデイング用銅線 |
| JP2737137B2 (ja) * | 1988-02-04 | 1998-04-08 | 三菱マテリアル株式会社 | 半導体素子ボンディング用絶縁被覆金または金合金極細線 |
| JPH0410633A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-01-14 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体素子ボンディング用コーティングワイヤ |
-
1983
- 1983-03-11 JP JP58040291A patent/JPS59167044A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH068226U (ja) * | 1991-02-08 | 1994-02-01 | 本州製紙株式会社 | 自動販売機用輸送箱 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59167044A (ja) | 1984-09-20 |
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