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JPH021369B2 - - Google Patents
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JPH021369B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH021369B2
JPH021369B2 JP59005772A JP577284A JPH021369B2 JP H021369 B2 JPH021369 B2 JP H021369B2 JP 59005772 A JP59005772 A JP 59005772A JP 577284 A JP577284 A JP 577284A JP H021369 B2 JPH021369 B2 JP H021369B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deviation angle
recognition
camera
approximate
relative
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59005772A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS60150637A (ja
Inventor
Hideaki Myoshi
Seiji Hayashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kaijo Denki Co Ltd
Original Assignee
Kaijo Denki Co Ltd
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Publication date
Application filed by Kaijo Denki Co Ltd filed Critical Kaijo Denki Co Ltd
Priority to JP59005772A priority Critical patent/JPS60150637A/ja
Publication of JPS60150637A publication Critical patent/JPS60150637A/ja
Publication of JPH021369B2 publication Critical patent/JPH021369B2/ja
Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711Apparatus therefor
    • H10W72/07141Means for applying energy, e.g. ovens or lasers

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、リードフレーム上などにおいてIC
素子にワイヤボンデイングを行なう際に、IC素
子の位置及び/又は方向を認識カメラを用いて認
識するIC素子の認識方法及びその装置に関する
ものである。
リードフレーム或いはパツケージなどのIC素
子の担持体上のIC素子にワイヤボンデイングを
行なう場合、パターン認識用カメラによりIC素
子の標準位置からのズレを検出し、そのズレ量に
基づいてIC素子のパツドの実際の位置の座標を
演算し、求められたパツドの位置に基づいてボン
デイングヘツドがXY方向に移動せしめられて自
動ボンデイングが行なわれる。
パターンマツチング方法によるIC素子のパタ
ーン認識について説明する。
例えば第1図に示すIC素子1がリードフレー
ムのマウント部2上にダイボンドされている。3
はリードである。4はパツド、5は回路部であ
る。IC素子1の二個所(対角線上が好ましい)
に認識用のウインドー領域6,7を定め、マウン
ト部2に正しくダイボンドされているIC素子を
標準IC素子として選んで、その標準IC素子のウ
インドー領域6,7に入るパツド4及び回路部5
の一部のパターンを標準パターンとして記憶せし
める。標準パターンはモニター19上に表わせば
例えばウインドー領域6に対しては第2図の如く
なる。認識用カメラ撮像及びモニター19上の表
示は、第2図の如く、直交した細かい格子により
分割された単位領域に従つて表示される。
或るIC素子が認識用カメラの認識位に到達し
たときに、カメラにより撮像されたパターンは、
ウインドー領域6,7それぞれにおいて標準パタ
ーンと最良マツチング点を以てズレ量が検出さ
れ、ウインドー領域6におけるズレ量ΔX1,
ΔY1及びウインドー領域7におけるズレΔX2,
ΔY2によりIC素子の中心のズレΔX,ΔY及び方
向のズレΔθが演算され、ΔX,ΔY及びΔθにより
各パツド4の実際の座標が算出され、この実際の
座標に基づいて自動ボンデイングが行なわれる。
このような従来の方法においては、IC素子の
方向のズレ角Δθが小さな場合は、XY方向の撮像
の格子或いはモニター19の格子に対するIC素
子1のズレ角が小さく、ΔX1,ΔY1,ΔX2,
ΔY2の検出値の誤差は少ないが、ズレ角Δθが大
きくなると、例えば第3図に示す如く矩形のパタ
ーン8を格子の目に応じて不規則なみかけのパタ
ーン9として認識するため、ΔX1,ΔY1,ΔX
2,ΔY2の検出誤差が大きくなり、パツド4の
実際の座標に誤差を生じ、円滑なボンデイング作
業を妨げることがあつた。
本発明は、従来における上記の欠点を除き、
IC素子のズレ角Δθに影響されずにズレ量及びズ
レ角を正確に検出することができるIC素子の認
式方法及びその装置を提供することを目的とする
ものである。
本発明は、ワイヤボンデイング作業における
IC素子の位置及び/又は方向を、認識カメラを
用いて認識するIC素子の認識方法において、前
記認識用カメラの標準方向に対する前記IC素子
の方向の概略の相対的ズレ角を検出し、前記認識
用カメラと前記IC素子とをカメラ光軸又は該光
軸に並行な軸のまわりに、前記概略の相対的ズレ
角の値だけ回転せしめて相対的ズレ角を僅小とな
し、その後前記IC素子の、前記認識用カメラに
対する位置及び/又は方向を正確に検出し、該正
確な検出値と前記概略の相対的ズレ角との基づき
標準位置及び/又は標準方向に対する前記IC素
子の位置及び/又は方向を求めることを特徴とす
るIC素子の認識方法及びその装置である。
本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第5図において、10はボンデイングヘツドで
あり、Xテーブル11、Yテーブル12上にあつ
て水平面内を二次元移動する。13はボンデイン
グステージであり、θテーブル14上に設けら
れ、垂直な回転軸のまわりに回転し得るようにな
つている。15はボンデイングアーム、16はボ
ンデイングツール、17はパターン認識用のカメ
ラである。θテーブル14の回転軸は、ボンデイ
ングステージ13上のIC素子面にほぼ垂直であ
れば、ボンデイングツール16を通るか或いはカ
メラ17の光軸と一致するか、或いは他の点を通
り光軸に平行な軸でもよい。
18は認識装置、19はモニター、20は制御
装置である。
作用につき説明すれば、例えばIC素子が標準
状態から真のズレ角Δθ0のズレ角を以てダイボン
ドされていたとする。ウインドー領域6,7のパ
ターンマツチングによる認識により第3図の如く
ズレ角がΔθ1であると算出されたとする。この
Δθ1は格子の目とのズレ角が大きいために真のズ
レ角Δθ0とはやや異なる概略の相対的なズレ角と
なる。
次に、θテーブル14を概略の相対的なズレ角
Δθ1だけ回転せしめ、IC素子の方向を、カメラ1
7の格子の方向とほぼ一致せしめ相対的なズレ角
を僅小となし、その後カメラ17によりもう一度
パターンマツチングにより認識動作を行ない、ズ
レ量ΔX1′,ΔY1′,ΔX2′,ΔY2′を求めズ
レ角Δθ′を求める。
この2回目のパターンマツチングにおいては、
IC素子の方向と標準パターンの方向との相対的
ズレ角Δθ′は僅かであるのでΔX1′,ΔY1′,
ΔX2′,ΔY2′の検出値の誤差は極めて小さく
なる。
これらの検出値ΔX1′,ΔY1′,ΔX2′,ΔY
2′,Δθ′及びΔθ1により、IC素子1の中心の真の
ズレ量ΔX0,ΔY0及び真の方向のズレ角Δθ0を算
出し、これに基づき実際のパツド4の座標を求
め、自動ボンデイングを行なう。
第6図は、別の実施例を示し、ボンデイングス
テージ13を回転させる代りにカメラ17をθテ
ーブル14上に設けてカメラ光軸或いはこれに並
行な軸のまわりに回転せしめるようにしたもので
ある。
作用は前述の実施例とほぼ同様であるが、ボン
デイングステージ13は回転せず、カメラ17が
概略のズレ角Δθ1だけ回転して第4図に示す如く
カメラ17の格子がIC素子とほぼ一致するよう
になつて第2回目のパターンマツチングによる認
識動作が行なわれる。
以上の実施例において、カメラ17と認識装置
18により、概略ズレ角検出手段が形成され、制
御装置20、θテーブル14によりカメラ17と
ボンデイングステージ13上のIC素子とを相対
的に回転せしめて相対的ズレ角を僅少とする相対
回転手段が形成され、カメラ17と認識装置18
とにより、相対的ズレ角が僅少なる状態でIC素
子1の位置及び/又は方向を認識する認識手段が
形成されている。
本発明により、IC素子がズレ角を有してダイ
ボンデイングされていても、その影響をなくした
状態で正確な認識を行ない、ズレ角に基因する誤
差を防ぎ、円滑なワイヤボンデイングを行なうこ
とが可能となるIC素子の認識方法及びその装置
を提供することができ、実用上極めて大なる効果
を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図はIC素子の装着状態の平面図、第2図
はパターンを表示しているモニターの正面図、第
3図、第4図はパターンと格子の向きとの関係を
示す説明図、第5図及び第6図は本発明の実施例
の正面図である。 1……IC素子、2……マウント部、3……リ
ード、4……パツド、5……回路部、6,7……
ウインドー領域、8……パターン、9……見かけ
のパターン、10……ボンデイングヘツド、11
……Xテーブル、12……Yテーブル、13……
ボンデイングステージ、14……θテーブル、1
5……ボンデイングアーム、16……ボンデイン
グツール、17……カメラ、18……認識装置、
19……モニター、20……制御装置。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ワイヤボンデイング作業におけるIC素子の
    位置及び/又は方向を、認識カメラを用いて認識
    するIC素子の認識方法において、 前記認識用カメラの標準方向に対する前記IC
    素子の方向の概略の相対的ズレ角を検出し、 前記認識用カメラと前記IC素子とをカメラ光
    軸又は該光軸に並行な軸のまわりに、前記概略の
    相対的ズレ角の値だけ回転せしめて相対的ズレ角
    を僅小となし その後前記IC素子の、前記認識用カメラに対
    する位置及び/又は方向を正確に検出し、 該正確な検出値と前記概略の相対的ズレ角とに
    基づき標準位置及び/又は標準方向に対する前記
    IC素子の位置及び/又は方向を求める ことを特徴とするIC素子の認識方法。 2 ワイヤボンダにおける、IC素子の位置及
    び/又は方向を、認識用カメラを用いて認識する
    IC素子の認識装置において、 前記認識用カメラの標準方向に対する前記IC
    素子の方向の概略のズレ角Δθ1を検出する概略ズ
    レ角検出手段と、 前記認識用カメラと前記IC素子とを、前記概
    略のズレ角Δθ1だけ相対的に、カメラ光軸又は該
    光軸に並行な軸のまわりに回転せしめて相対的ズ
    レ角を僅小とする相対回転手段と、 相対的ズレ角が僅小なる状態で前記IC素子の
    位置及び/又は方向を認識する認識手段とを 有することを特徴とするIC素子の認識装置。 3 前記相対回転手段が、前記認識用カメラをカ
    メラ光軸又は該光軸に並行な軸のまわりに回転せ
    しめる手段である特許請求の範囲第2項記載の装
    置。
JP59005772A 1984-01-18 1984-01-18 Ic素子の認識方法及びその装置 Granted JPS60150637A (ja)

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JPS60150637A JPS60150637A (ja) 1985-08-08
JPH021369B2 true JPH021369B2 (ja) 1990-01-11

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