JPH021443B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH021443B2 JPH021443B2 JP15570283A JP15570283A JPH021443B2 JP H021443 B2 JPH021443 B2 JP H021443B2 JP 15570283 A JP15570283 A JP 15570283A JP 15570283 A JP15570283 A JP 15570283A JP H021443 B2 JPH021443 B2 JP H021443B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oscillation
- waveguide
- dielectric resonator
- fundamental wave
- cut
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B19/00—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source
- H03B19/16—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes
- H03B19/18—Generation of oscillations by non-regenerative frequency multiplication or division of a signal from a separate source using uncontrolled rectifying devices, e.g. rectifying diodes or Schottky diodes and elements comprising distributed inductance and capacitance
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明はインパツトダイオード、ガンダイオー
ドなどの発振用半導体素子を用い周波数逓倍を行
なう発振逓倍器に関するものである。
ドなどの発振用半導体素子を用い周波数逓倍を行
なう発振逓倍器に関するものである。
従来技術と問題点
第１図は従来の導波管型の発振逓倍器を説明す
るための図であり、ａは正面図、ｂはａ図のｂ−
ｂ線における断面図を示す。同図において１及び
２は導波管、３は発振素子、４はデイスク型共振
器をそれぞれ示している。この発振逓倍器はデイ
スク型共振器４がそのデイスク直径できまる共振
周波数で発振し導波管１を励振せしめるので、他
方の導波管２をカツトオフ導波管としておくこと
により該導波管２から高調波だけが出て来るよう
になつている。ところがこの発振逓倍器は周波数
安定度が悪く、恒温槽に入れて使用するか、注入
同期にて安定化するなどの必要があり非常に高価
となる欠点があつた。またマイクロ波集積回路化
した発振逓倍器は、基本波発振部のハウジングが
立体回路として働らき、特にミリ波帯のような超
高周波では、高調波に対しては高次モードの共振
がいくつも起こり、出力の変動が大きく、広帯域
特性を阻害する欠点があつた。
るための図であり、ａは正面図、ｂはａ図のｂ−
ｂ線における断面図を示す。同図において１及び
２は導波管、３は発振素子、４はデイスク型共振
器をそれぞれ示している。この発振逓倍器はデイ
スク型共振器４がそのデイスク直径できまる共振
周波数で発振し導波管１を励振せしめるので、他
方の導波管２をカツトオフ導波管としておくこと
により該導波管２から高調波だけが出て来るよう
になつている。ところがこの発振逓倍器は周波数
安定度が悪く、恒温槽に入れて使用するか、注入
同期にて安定化するなどの必要があり非常に高価
となる欠点があつた。またマイクロ波集積回路化
した発振逓倍器は、基本波発振部のハウジングが
立体回路として働らき、特にミリ波帯のような超
高周波では、高調波に対しては高次モードの共振
がいくつも起こり、出力の変動が大きく、広帯域
特性を阻害する欠点があつた。
発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、誘電体共振器
を有する基本波発振部と発振用半導体素子を設け
た出力導波管部を分離し、高調波電流が流れこま
ないようにして動作の安定性を確保した発振逓倍
器を提供することを目的とするものである。
を有する基本波発振部と発振用半導体素子を設け
た出力導波管部を分離し、高調波電流が流れこま
ないようにして動作の安定性を確保した発振逓倍
器を提供することを目的とするものである。
発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、発振用半導
体素子と、ダミーロードを有するマイクロストリ
ツプラインと、基本波に共振する誘電体共振器
と、出力周波数以上を阻止するカツトオフ導波管
と、基本波を阻止する出力導波管とからなる発振
逓倍器において、前記発振用半導体素子を出力導
波管内に設置し、カツトオフ導波管を介してマイ
クロストリツプラインにより基本波発振部と接続
したことを特徴する発振逓倍器を提供することに
よつて達成される。
体素子と、ダミーロードを有するマイクロストリ
ツプラインと、基本波に共振する誘電体共振器
と、出力周波数以上を阻止するカツトオフ導波管
と、基本波を阻止する出力導波管とからなる発振
逓倍器において、前記発振用半導体素子を出力導
波管内に設置し、カツトオフ導波管を介してマイ
クロストリツプラインにより基本波発振部と接続
したことを特徴する発振逓倍器を提供することに
よつて達成される。
発明の実施例
以下、本発明実施例を図面によつて詳述する。
第２図は本発明による発振逓倍器を説明するた
めの図であり、ａは蓋を除いた状態での平面図、
ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。
めの図であり、ａは蓋を除いた状態での平面図、
ｂはａ図のｂ−ｂ線における断面図である。
同図において、１０は金属筐体、１１は金属筐
体に形成されたキヤビテイ、１２はカツトオフ導
波管、１３は出力導波管、１４はガンダイオード
の発振用２端子半導体、１５はセラミツク基板、
１６はマイクロストリツプライン、１７はダミー
ロード、１８は第１の誘電体共振器、１９は副共
振回路、２０はバラクタ、２１はダイオード用バ
イアス端子、２２はバラクタ用バイアス端子、２
３は第２の誘電体共振器、２４は第２の誘電体共
振器の周波数調整用ネジ、２５は金属蓋をそれぞ
れ示している。
体に形成されたキヤビテイ、１２はカツトオフ導
波管、１３は出力導波管、１４はガンダイオード
の発振用２端子半導体、１５はセラミツク基板、
１６はマイクロストリツプライン、１７はダミー
ロード、１８は第１の誘電体共振器、１９は副共
振回路、２０はバラクタ、２１はダイオード用バ
イアス端子、２２はバラクタ用バイアス端子、２
３は第２の誘電体共振器、２４は第２の誘電体共
振器の周波数調整用ネジ、２５は金属蓋をそれぞ
れ示している。
本実施例は第２図に示す如く金属筐体１０と、
該金属筐体内に収容されたマイクロ波回路と、該
金属筐体のキヤビテイを閉じる金属蓋２５とから
なり、金属筐体１０には基本波発振部を収容する
キヤビテイ１１と、カツトオフ導波管１２と、出
力導波管１３とが形成されている。そしてキヤビ
テイ１１にはセラミツク基板の上に形成又は搭載
されたマイクロストリツプライン１６、ダミーロ
ード１７、第１の誘電体共振器１８、副共振回路
１９、バラクタ２０等を具備した基本波発振部が
収容され、カツトオフ導波管１２には第２の誘電
体共振器２３が設置され、出力導波管１３にはガ
ンダイオード等の発振用２端子半導体１４が設け
られカツトオフ導波管１２を介して基本波発振部
のマイクロストリツプライン１６に金リボンで接
続されている。この発振用２端子半導体１４と第
１の誘電体共振器１８との距離l3はほぼλg／４
（2n−１）（但しλgは基本波の波長、ｎは整数）
としている。また金属蓋２５には第１の誘電体共
振器１８の周波数調整用ネジ（図示なし）と第２
の誘電体共振器２３の周波数調整用ネジ２４とが
設けられている。
該金属筐体内に収容されたマイクロ波回路と、該
金属筐体のキヤビテイを閉じる金属蓋２５とから
なり、金属筐体１０には基本波発振部を収容する
キヤビテイ１１と、カツトオフ導波管１２と、出
力導波管１３とが形成されている。そしてキヤビ
テイ１１にはセラミツク基板の上に形成又は搭載
されたマイクロストリツプライン１６、ダミーロ
ード１７、第１の誘電体共振器１８、副共振回路
１９、バラクタ２０等を具備した基本波発振部が
収容され、カツトオフ導波管１２には第２の誘電
体共振器２３が設置され、出力導波管１３にはガ
ンダイオード等の発振用２端子半導体１４が設け
られカツトオフ導波管１２を介して基本波発振部
のマイクロストリツプライン１６に金リボンで接
続されている。この発振用２端子半導体１４と第
１の誘電体共振器１８との距離l3はほぼλg／４
（2n−１）（但しλgは基本波の波長、ｎは整数）
としている。また金属蓋２５には第１の誘電体共
振器１８の周波数調整用ネジ（図示なし）と第２
の誘電体共振器２３の周波数調整用ネジ２４とが
設けられている。
このように構成された本実施例は、発振用２端
子半導体１４と第１の誘電体共振器１８との距離
をほぼλg／４（2n−１）としていることにより基
本波発振部で基本波が発振される。また第１の誘
電体共振器１８は副共振回路１９にも結合してお
りバラクタ２０により周波数変調をかけることが
できる。またカツトオフ導波管１２は出力導波管
１３よりマイクロストリツプライン１６を通して
基本波発振部に洩れ込む高調波を第２の誘電体共
振器２３で阻止することにより高次モードの共振
の影響を除いている。また発振用２端子半導体１
４と第２の誘電体共振器２３との距離l2は出力周
波数に対して整合素子として働らくのでl2を可変
とすれば出力調整が可能となる。
子半導体１４と第１の誘電体共振器１８との距離
をほぼλg／４（2n−１）としていることにより基
本波発振部で基本波が発振される。また第１の誘
電体共振器１８は副共振回路１９にも結合してお
りバラクタ２０により周波数変調をかけることが
できる。またカツトオフ導波管１２は出力導波管
１３よりマイクロストリツプライン１６を通して
基本波発振部に洩れ込む高調波を第２の誘電体共
振器２３で阻止することにより高次モードの共振
の影響を除いている。また発振用２端子半導体１
４と第２の誘電体共振器２３との距離l2は出力周
波数に対して整合素子として働らくのでl2を可変
とすれば出力調整が可能となる。
なお第２の誘電体共振器２３がない場合でも第
１の誘電体共振器１８が出力周波に対して容量サ
セプタンスとして働らき、第１の誘電体共振器１
８の収容される基本波発振部内に流れこむ高調波
は少なく前記基本波発振部内に電波吸収体を置き
高次モードの共振を吸収しても出力電力の損失は
少なく、充分実用可能であり、第２誘電体共振器
２３が不要となる利点がある。
１の誘電体共振器１８が出力周波に対して容量サ
セプタンスとして働らき、第１の誘電体共振器１
８の収容される基本波発振部内に流れこむ高調波
は少なく前記基本波発振部内に電波吸収体を置き
高次モードの共振を吸収しても出力電力の損失は
少なく、充分実用可能であり、第２誘電体共振器
２３が不要となる利点がある。
第３図は他の実施例を説明するための図であ
る。本実施例が第２図に示した前実施例と異なる
ところは、カツトオフ導波管１２内の第２の誘電
体共振器２３を除き、マイクロストリツプライン
１６にスタブ２６，２６′を設け、出力周波数の
み阻止し、基本波に対して打消す関係の帯域阻止
波器を構成したものである。本実施例では第２
の誘電体共振器がなくても出力高調波を阻止でき
るので出力電力の損失を小さく、かつ動作の安定
化が可能となる。またマイクロストリツプライン
で構成できるので低価格で実現できる利点があ
る。
る。本実施例が第２図に示した前実施例と異なる
ところは、カツトオフ導波管１２内の第２の誘電
体共振器２３を除き、マイクロストリツプライン
１６にスタブ２６，２６′を設け、出力周波数の
み阻止し、基本波に対して打消す関係の帯域阻止
波器を構成したものである。本実施例では第２
の誘電体共振器がなくても出力高調波を阻止でき
るので出力電力の損失を小さく、かつ動作の安定
化が可能となる。またマイクロストリツプライン
で構成できるので低価格で実現できる利点があ
る。
第４図は発振用半導体素子として電界効果型ト
ランジスタ等の３端子半導体を使用する場合の１
例を示した図であり、ドレインＤを接地すること
により、ゲートＧより見ると負性抵抗としてみえ
るためダイオードと同様に使用することができ
る。
ランジスタ等の３端子半導体を使用する場合の１
例を示した図であり、ドレインＤを接地すること
により、ゲートＧより見ると負性抵抗としてみえ
るためダイオードと同様に使用することができ
る。
発明の効果
以上、詳細に説明したように本発明による発振
逓倍器は、発振用２端子半導体を出力導波管内に
配置し、基本波発振を行なう誘電体共振器との間
をマイクロストリツプラインで接続し、両者の間
に出力周波数を阻止するカツトオフ導波管をお
き、マイクロストリツプラインを通り基本波発振
部に洩れ込む高調波を阻止することにより動作の
安定性が確保されるといつた効果大なるものであ
る。
逓倍器は、発振用２端子半導体を出力導波管内に
配置し、基本波発振を行なう誘電体共振器との間
をマイクロストリツプラインで接続し、両者の間
に出力周波数を阻止するカツトオフ導波管をお
き、マイクロストリツプラインを通り基本波発振
部に洩れ込む高調波を阻止することにより動作の
安定性が確保されるといつた効果大なるものであ
る。
第１図は従来の導波管型発振逓倍器を説明する
ための図、第２図は本発明による発振逓倍器を説
明するための図、第３図及び第４図は他の実施例
を説明するための図である。 図面において、１０は金属筐体、１１はキヤビ
テイ、１２はカツトオフ導波管、１３は出力導波
管、１４は発振用２端子半導体、１６はマイクロ
ストリツプライン、１７はダミーロード、１８は
第１の誘電体共振器、２３は第２の誘電体共振
器、２５は金属蓋をそれぞれ示す。
ための図、第２図は本発明による発振逓倍器を説
明するための図、第３図及び第４図は他の実施例
を説明するための図である。 図面において、１０は金属筐体、１１はキヤビ
テイ、１２はカツトオフ導波管、１３は出力導波
管、１４は発振用２端子半導体、１６はマイクロ
ストリツプライン、１７はダミーロード、１８は
第１の誘電体共振器、２３は第２の誘電体共振
器、２５は金属蓋をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発振用半導体素子と、ダミーロードを有する
マイクロストリツプラインと、基本波に共振する
誘電体共振器と、出力周波数以上を阻止するカツ
トオフ導波管と、基本波を阻止する出力導波管と
からなる発振逓倍器において、前記発振用半導体
素子を出力導波管内に設置し、カツトオフ導波管
を介してマイクロストリツプラインにより基本波
発振部と接続したことを特徴とする発振逓倍器。 ２ 前記カツトオフ導波管に、出力周波数に共振
する第２の誘電体共振器を設けたことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の発振逓倍器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15570283A JPS6048604A (ja) | 1983-08-27 | 1983-08-27 | 発振逓倍器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15570283A JPS6048604A (ja) | 1983-08-27 | 1983-08-27 | 発振逓倍器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6048604A JPS6048604A (ja) | 1985-03-16 |
| JPH021443B2 true JPH021443B2 (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15611645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15570283A Granted JPS6048604A (ja) | 1983-08-27 | 1983-08-27 | 発振逓倍器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048604A (ja) |
-
1983
- 1983-08-27 JP JP15570283A patent/JPS6048604A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6048604A (ja) | 1985-03-16 |
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