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JPH0216073B2 - - Google Patents
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JPH0216073B2 - - Google Patents

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JPH0216073B2
JPH0216073B2 JP60173261A JP17326185A JPH0216073B2 JP H0216073 B2 JPH0216073 B2 JP H0216073B2 JP 60173261 A JP60173261 A JP 60173261A JP 17326185 A JP17326185 A JP 17326185A JP H0216073 B2 JPH0216073 B2 JP H0216073B2
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JP
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ccd
sensor
signal
signals
color
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JP60173261A
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Yasuo Hosaka
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は、画像等の読取装置に係わり、特に
高速密着センサに関する。 〔発明の従来技術及びその問題点〕 コンビユータに代表される情報処理装置は非常
な勢いで進歩し、その処理能力は分野を限れば人
間をはるかに凌賀している。しかしこの情報処理
装置に情報を入力させる装置は進歩が充分とは云
えなかつた。 このような状況の中で、フアクシミリの分野で
は現実的要求から画像の読取装置の開発に力が注
がれてきた。その技術目標は、高分解能を達成す
ると同時に装置を小型化にすることであつた。
又、カラー画像の読取も1つの目的であつた。 更に、複写機の分野においては、従来の電子写
真方式とは異なり、感熱転写方式等のようにドツ
トタイプで画素形成する方式が検討されている。
この時には、入力装置に対して通常のフアクシミ
リ装置よりも高速、高分解能であることが要求さ
れるようになつた。 このような要求に応える技術として固体走査方
式がある。例えば、光電変換用のホトダイオード
アレイとMOSスイツチとを組み合わせたものと、
デバイス自身で画素分解機能と光情報蓄積機能を
兼ね備えた半導体機能素子を用いたものとがあ
る。このような固体撮像素子は、高集積化されて
いるので1チツプの大きさが原稿よりも非常に小
さくなつてしまい、縮小光学系を用いなければな
らなかつた。特に特開昭54−79511号公報の第2
頁左欄下段には、「市販の光ダイオードアレイや
CCDセンサは集積化されているため原稿の読取
には縮少光学系を使わなければならない。このた
めに光学系部分が大型化することはさけられず、
これは小型の原稿読取装置を作るためには極めて
都合の悪いことである。それでは1:1の原稿結
像光学系、具体的にはセルフオツクレンズを使え
るような原稿幅大の受光素子アレイを採用しさえ
すれば小型にできるかと言うとそうではない。市
販の単品半導体スイツチを使つて読取回路を作ろ
うとすれば、部品の大きさ、個数から判断してか
なり大型且つ高価なものになつてしまう。」とい
う記載がなされている。この記載は、この分野に
おける状況を端的に表わしており、このような認
識の上に密着センサが開発された。密着センサは
レンズ系を省略し、対象物体である原稿とセンサ
とが1:1に直接対応する構成をとる。この密着
センサはレンズ系を用いなくてもよいことから装
置は小型化される。ところが原稿とセンサとの密
着が確実に行われ、例えば何10μmのオーダに収
まつていないと、読取画像の質が非常に低下して
しまつた。又、センサ材料の応答性が充分ではな
く高速読取ができなかつた。 〔発明の目的〕 この発明は以上の欠点を除去し、高分野の読取
が可能であつて、安価な密着センサを提供するこ
とを目的とする。 〔発明の概要〕 この発明は、密着センサにおいて読取ろうとす
る画像を同じ大きさで正立の実像のままICイメ
ージセンサチツプ上に結像させ、この像を複数の
ICイメージセンサチツプで読み取る装置であつ
て、光学系、基板そして光源とを一体化構造とす
るものである。 好ましくは、光電変換素子の個々の大きさをこ
の密着センサに要求される画素の大きさの2分の
1以下とする。 〔発明の効果〕 この発明は、2列以上の光電変換素子列によつ
て一走査線を覆うので大きな画像の読取が可能と
なる。又、読取画像をそのままの大きさと向きで
複数の光電変換素子列上に渡つて結像させるので
光電変換素子の大きさに依存した分解能が実現さ
れる。例えば、Si系からなる光電変換素子列を用
いれば現状の技術によつて容易に微細高集積化さ
れたものが入手可能だからである。 又、転送部は複数の光電変換素子列毎に対応し
て設けられているので、共通の転送部によつて電
気信号を転送する場合と比較して、信号の転送は
並列となりより高速となる。同時に転送距離が短
いので誤りの発生する確率も少なくなる。 〔発明の実施例〕 次に、この発明の実施例を図面に従つて説明す
る。この実施例での密着センサは、A4判の大き
さのカラー原稿を読取可能なものである。 この密着センサは、光電変換素子及びこの光電
変換素子により変換された電荷を転送する転送部
と、光電変換素子上に1対1の正立の実像を結像
しうる光学系としての集束性ロツドレンズアレイ
及び線状光源とから構成される。 この実施例では光電変換素子及び転送部として
の電荷結合素子を含むものをCCD(Charge
Coupled Device)と呼ぶ。これらは同一チツプ
上に形成される。更に、この実施例では光電変換
素子、即ち、ホトダイオードをC−Siで形成す
る。このC−Siによるホトダイオードは光電変換
速度が高く、1msec以下である。又、以下の説明
では光電変換素子をCCDセンサと呼ぶ。 このCCDセンサは14μmのピツチで設けられ1
チツプに2048素子設けられている。このような
CCDチツプ11a乃至11hを8個、第1図に
示すようにセラミツク基板12上に千鳥状に設け
る。CCDチツプ11a乃至11hは全体として
少なくともA4判の幅を覆うl=210mmの長さが必
要である。又、この実施例では各CCDチツプ1
1a乃至11hは重なりd=2.38mm、これはCCD
センサの170素子分に相当する、を許して配列さ
れる。 このようなCCDチツプ11a乃至11hに対
し、第2図に示すように、2枚の集束性ロツドレ
ンズアレイ(商品名セルフオツクレンズ、日本板
硝子製)21a,21bをV字形に配列する。
個々の集束性ロツドレンズアレイ21a,21b
は、長さがA4判の原稿の幅以上とし、8個の
CCDチツプ11a乃至11hの全体としての長
さと同一にしておく。又、この集束性ロツドレン
ズアレイ21a,21bの高さhは、設計上20mm
乃至50mmが適当である。この値は、この集束性ロ
ツドレンズアレイ21a,21bの焦点深度を深
くするためである。特に50mmの焦点深度が深い。
集束性ロツドレンズアレイ21a,21bは、通
常板状である。しかし、この実施例では2つの集
束性ロツドレンズアレイ21a,21bが噛み合
うように、集束性ロツドレンズアレイ21a,2
1bの稜を削り取る。このようにすると削り取る
斜面の角度を調節することによつて、2つの集束
性ロツドレンズアレイ21a,21bのなす角度
を調節できる。しかも、これらの集束性ロツドレ
ンズアレイ21a,21bの占める空間が小さく
なる。但し、削り取られた斜面からは光が入り込
まないようにしている。 密着センサとして、線状光源31a,31bが
必要である。線状光源31a,31bは第3図に
示すように集束性ロツドレンズアレイ21a,2
1bに近接して平行に設けられる。 この線状光源31a,31b、集束性ロツドレ
ンズアレイ21a,21b及びセラミツク基板1
2が一体となつて密着センサを構成する。この密
着センサは原稿32を横断するように配置され、
1ラインずつを読み取つていく。 線状光源31a,31bからの光は原高の1ラ
インに照射される。照射された光は原稿32上で
反射し集束性ロツドレンズアレイ21a,21b
で受光される。集束性ロツドレンズアレイ21
a,21bは原稿32上の画像をCCDセンサ上
に結像する。集束性ロツドレンズアレイ21a,
21bは焦点深度が大きいので、集束性ロツドレ
ンズアレイ21a,21bと原稿32との距離が
一定ではなく、多少の変動があつてもCCDセン
サ上に鮮明な画像を結像させる。しかも、集束性
ロツドレンズアレイ21a,21bは原稿32上
の画像を縮小することなく1対1でCCDセンサ
上に結像させる。 次に、具体的かつ好ましい構造を説明する。第
4図に示すようにCCDチツプ11a乃至11h
が装着された基板11に、窓33a乃至33hが
設けられた蓋34を取り付ける。この蓋34は窓
33a乃至33h以外からは光を通さない。窓3
3a乃至33hはCCDチツプ11a乃至11h
に対応して設けられている。 このような基板11及び蓋34に対して、第5
図に示すように支持部35を取り付ける。この支
持部35は窓33a乃至33hに対応した上壁に
穴36が設けられている。この穴36の上部に、
集束性ロツドレンズアレイ21a,21bが位置
するように集束性ロツドレンズアレイ21a,2
1bを支持部35に取り付ける。 一方、この支持部35には1本の線状光源31
aを一体に取り付ける。この線状光源31aは第
5図図に示すように一部のみから光が放射される
ようにしている。即ち、原稿32に対し45゜の角
度付近からの光が放射されるように窓37を設け
る。他の部分からの光の照射はない。 このような密着センサは原稿32に対し、第6
図に示されるように搬送可能に配置される。即
ち、集束性ロツドレンズアレイ21a,21bが
原稿32に対向するように配置され、かつ線状光
源31aの窓37が原稿32に対し45゜の位置に
なるように配置される。 密着センサの大きさは、第6図に示すように原
稿32から基板12迄の距離Lが約60mm、支持部
35の端から線状光源31aの端迄の距離W1
60mm、支持部35の端から線状光源31aの点灯
回部38の端迄の距離W2が100mmである。 次にCCDセンサの配列ピツチについて説明す
る。 この実施例での密着センサの解像度は12本/mm
とする。この時の1画素は約84μmである。この
1画素の大きさは、第7図に示すように集束性ロ
ツドレンズアレイ21a,21bによつてCCD
センサ上でもやはり84μmである。このCCDセン
サは14μmのピツチで設けられている(実質上、
CCDセンサは72本/mmの分解能がある。)ので、
1画素の大きさの中に6エレメントのセンサが含
まれることになる。 この1画素を構成する6エレメントに対し、ホ
ワイト(W)、シアン(C)、イエロ(Y)のフイ
ルタを第4図に示すようにこの順で2枚づつ貼り
付ける。但し端の6エレメントには黒のフイルタ
を貼り付けておく。後述するようにこの実施例の
フイルタの貼り付けは、1枚のフイルタを貼り付
ける場合に比べ相当の誤差が許される。 次にこのようなCCDからの信号を処理する回
路について説明する。この回路は第5図に示すよ
うに入力部51と、この入力部51からの出力を
色毎に積分する積分部52と、この積分部52
らの出力を増幅する増幅部53と、この増幅部
3からの出力をデイジタル信号に変換するA−D
変換部54と、このA−D変換部54からの信号
を収納する記憶部55とから成る。 入力部51は、シリアル信号を出力する第1乃
至第8のCCDチツプ11a乃至11hと、零レ
ベルクランプ回路としてのサンプリングホールド
回路56a乃至56h及び差動増幅器57a乃至
57hとから構成される。1つのCCDチツプ1
1a乃至11hの出力信号の各々は、サンプリン
グホールド回路56a乃至56hの各々と、差動
増幅器57a乃至57hの各々に入力する。又サ
ンプリングホールド回路56a乃至56hの出力
は差動増幅器のもう1つの入力となる。 積分部52は、差動増幅器57a乃至57hほ
出力を色毎に分離するマルチプレクサ58a乃至
58hと、このマルチプレクサ58a乃至58h
からの色毎の出力信号を積分する積分器591
a,591b,591c(第1のCCDチツプ11
aの出力信号に対応)、592a,592b,5
92c(第2のCCDチツプ11bの出力信号に対
応)、593a,593b,593c(第3の
CCDチツプ11cの出力信号に対応)、594
a,594b,594c(第4のCCDチツプ11
cの出力信号に対応)、595a,595b,5
95c(第5のCCDチツプ11dの出力信号に対
応)、596a,596b,596c(第6の
CCDチツプ11eの出力信号に対応)、597
a,597,597c(第7のCCDチツプ11f
の出力信号に対応)、598a,598b,59
8c(第8のCCDチツプ11gの出力信号に対
応)とから成る。 増幅部53は、積分器591a乃至598cか
らの色毎の出力信号を増幅する増幅器531a,
531b,531c,532a,532b,53
2c,533a,533b,533c,534
a,534b,534c,535a,535b,
535c,536a,536b,536c,53
7a,537b,537c,538a,538
b,538cとから成る。 A−D変換部54は、3色毎に増幅された信号
を時分割で切り換えて出力するセレクタ541a
乃至541hとこのセレクタ541a乃至541
hからのアナログ信号をデイジタル信号に変換す
るA/D変換器542a乃至542hとから成
る。 記憶部55はホワイト、シアン、イエロ毎のメ
モリを有し各色毎に2ライン分設けられており、
A/D変換器542a乃至542hの出力信号を
記憶していく。 さてこのような回路の動作について、白色原稿
を読取る場合を例に上げ、第1のCCDチツプ1
1aの出力信号を中心に説明する。 第1乃至第8のCCDチツプ11a乃至11h
には図示しないCCD走査パルス発生器からのパ
ルス信号が供給される。このパルス信号に同期し
て、CCDセンサで光電変換された信号がCCDチ
ツプ11a乃至11hから出力される。 第1のCCDチツプ11aからシリアルに出力
される信号は、第6図に示されるように最初の6
ドツト分は黒のフイルタがCCDセンサ上に貼り
付けてあるので、出力信号の電圧はV1である。
この電圧はCCDセンサの暗電流に伴う電圧であ
る。多くの場合、2乃至8ボルトである。これに
対し、W、Y、Cのフイルタが貼り付けられた
CCDセンサの出力信号の電圧はV1に対し、
100mVのオーダの変化量しかない。以下では電
圧V1を基準電圧と呼ぶ。 このような信号群のうち、黒のフイルタが貼り
付けられたCCDセンサからの信号がサンプリン
グホールド回路56aで保持される。このサンプ
リングホールド回路56aは、2048個のCCDセ
ンサからの出力信号が差動増幅器57aに全て送
出されるまでの間、基準電圧V1を有する信号を
差動増幅器57aに送出する。 従つて、差動増幅器57aはW、C、Yのフイ
ルタが貼り付けられたCCDセンサでの出力信号
の電圧と基準電圧との差をとり、同時のこの差の
電圧を適当に増幅する。 この時の差動増幅器57aの出力は、第7図に
示すようにWのフイルタが貼り付けられたCCD
センサからの信号71W、Yのフイルタが貼り付
けられたCCDセンサからの信号71Y、Cのフ
イルタが貼り付けられたCCDセンサからの信号
71Cの順序で連続している。但しこれらの信号
71W,71Y,71Cは2個のCCDセンサか
らの出力である。従つて、この時のCCDセンサ
の画小読取画素の大きさ(カラーであることを考
慮しなければ分解能)は、28μm(36本/mm)であ
る。 このような連続したアナログ信号が、マルチプ
レクサ58aに於いて色毎に分離する。第8図a
に示されるようなWのフイルタが貼り付けられた
CCDセンサからの信号71Wは積分器591a
に入力する。第8図bに示されるようなYのフイ
ルタが貼り付けられたCCDセンサからの信号7
1Yは積分器591bに入力する。第8図cに示
されるようなCCDセンサからの信号71Cは積
分器591cに入力する。 積分器591a,591b,591cにこの中
に含まれるコンデンサ(図示しない)に電荷を蓄
積する。第9図に示されるように積分器591
a,591b,591cに信号が入力される時間
t0の間積分動作を行う。積分が終了した時には、
第9図の実線で示されるようなこの時の電圧値を
保持して増幅器531a,531b,531cに
送出する。 積分器591a,591b,591cは次のよ
うな効果を有する。例えば第10図に示されるよ
うに積分器591a,591b,591cに入力
する以前に、ノズルが信号に乗つてしまう場合を
考える。このような信号が積分器591a,59
1b,591cに入力すると、第9図の点線で示
されるように、積分値に微小な変動があるだけで
ノイズの影響はほとんどなくなつてしまう。 このように、ノイズの影響がなくなつた信号が
増幅器531a,531b,531cに供給され
る。この増幅器531a,531b,531cの
個々の増幅率は色毎の出力の電圧が同一になるよ
うに調整される。従つて、増幅器531a,53
1b,531cの出力が原稿が全て白画像の場合
同一電圧V2の信号が出力される。 このような信号が、セレクタ541aに供給さ
れる。セレクタ541aは一種のスイツチであ
る。このセレクタ541aは、CCD走査パルス
発生器からのパルス信号の周期の2倍の周期でス
イツチ動作、即ち切り換え動作を行う。従つてセ
レクタ541aからは、第14図a,b,cに示
されるような時分割された信号が多重化されて出
力される。 このように時分割された信号が、A/D変換器
542aに供給される。3個の増幅器531a,
531b,531cに対応して1個のA/D変換
器542aを時分割で用いている。A/D変換器
542aは高価であり、少ない方が好ましい。 A/D変換器542aの出力は、記憶部55
収納される。この記憶部55は前述のように、ホ
ワイト、イエロー、シアン毎のメモリ121W,
121Y,121Cが用意されている。更にこの
記憶部55にはゲートが設けられている。このゲ
ートは、セレクタ541a乃至541hでの信号
切換と対応している。即ち、A/D変換器542
a乃至542hからのデイジタル信号は、CCD
センサに貼り付けられたフイルタの色に応じて、
ゲートが開かれ、ホワイト、イエロ、シアン毎の
メモリ121W,121Y,121Cに収納され
る。このメモリ121W,121Y,121Cに
は2048×8個の信号が記憶される訳ではない。前
述のように同一色のフイルタを2個のCCDセン
サに貼り付けているので信号数は2分1になる。
更に、3色の色毎に信号を完全に分離して記憶す
るので色毎のメモリ121W,121Y,121
Cに収納される信号数は、更に3分の1となる。
従つて全体として色毎のメモリ121W,121
Y,121Cには、全CCDセンサの6分の1の
数の信号数分だけを収納する能力があればよい。 このような色毎のメモリ121W,121Y,
121Cに収納された信号は、同一記憶容量を有
する読み出し用メモリ122W,122Y,12
2Cにパラレルに供給される。この読み出し用メ
モリ122W,122Y,122Cからの読み出
しに際しては次のことを注意する。第1図に示さ
れるように第1乃至第8のCCDチツプ11a乃
至11hが、画像読取の走査線上でCCDセンサ
数で170エレメント分光学的に重なつている。従
つて、この部分を除去しながら読み出す必要があ
る。 この実施例では、第1及び第8のCCDチツプ
11a乃至11hをハイブリツド技術により設け
る際に重なり部分がわかるので、この重なりに対
応する画素を除去すればよい。但し、CCDチツ
プ11a乃至11h上で画素と言及する時は、
W、C、Yのフイルタが貼り付けられた6個の
CCDセンサ群を指す。 例えば第13図に示すように第1のCCDチツ
プ11a左端からn番目の画素迄は、第2の
CCDチツプ11bとは重ならず、(n+1)番目
の画素からは第2のCCDチツプ11bと重なる
場合を説明する。この実施例では(n+1)番目
以降の画素には全てCのフイルタを貼り付けてお
く。 メモリ121W,121Y,121C及び読み
出し用メモリ122W,122Y,122Cの
各々には、1画素に対して1つの信号が収納され
る。従つて(n+1)番目からCCDチツプ11
a上の端の画素(n0番目の画素とする。)までの
信号を除去すればよい。これは、読み出しの際に
スキツプさせればよい。このスキツプを各色毎の
読み出しメモリ122W,122Y,122Cか
らの読み出し時に用いる。重なり部分の識別は、
例えばWの信号について言えば、ハイブリツト化
した後、CCDカラーセンサで80μ程度の細い縦線
の原稿を読み取り、Wメモリ中からのデイジタル
信号をD/A変換してアナログ値として出力する
と、その出力信号が2つの信号として得られるの
で、これを1つの信号になるようにCCDセンサ
後端部のメモリのアドレスを除去することにより
容易に行える。 次に、以上の回路をどこに配置するかについて
説明する。この実施例では入力部51をセラミツ
ク基板12上に設ける。但し第1図には、第1乃
至第8のCCDチツプ11a乃至11hのみを示
している。積分部52、増幅部53、A−D変換
部及び記憶部55は密着センサを構成する基板1
2上には設けず、基板12外部に設ける。そして
これらの回路と入力部51とをコードで電気的に
接続する。 この利点は (i) CCDチツプ11a乃至11h、サンプリン
グホールド回路56a乃至56h及び差動増幅
器57a乃至57hそして線状光源31a,3
1b、集束性ロツドレンズアレイ21a,21
bが基板12と一体に設けられるので軽量であ
る。 (ii) コードでノイズが拾わられても積分部52
よりノイズが実質上打ち消される。 の2点である。 又、2つのCCDセンサに同一色のフイルタを
貼り付けているので、一方のCCDセンサに欠陥
があつても他方のCCDセンサからの信号を用い
ればよい。実際、CCDは2048素子を1チツプに
形成すると2乃至3個の欠陥素子が発生すること
はよくある。この場合には、不良品として廃棄し
ていたがこのように利用すると欠陥素子があつて
も実質上、欠陥素子はないのと等価である。これ
は白黒の原稿を読取る際により効果を発揮する。 欠陥がない場合には、2つのCCDセンサから
の信号を用いるとS/Nが上昇する。もつとも、1
画素を3個のCCDセンサにより読取つてもよい。
その時にはW、Y、Cのフイルタを1枚づつ
CCDセンサに貼り付ける。白黒の原稿を読取る
場合には1画素を1CCDセンサで読取つてもよ
い。 更に、同一色のフイルタを1画素中に貼り付け
ると、フイルタの貼り付け誤差が多少あつても色
分離が確実にできる。 この実施例での回路上の特徴をまとめると次の
通りである。 (i) ノイズに強い。 (ii) A/D変換器が少なくて済む。 (iii) 色毎の信号の調整が可能である。 (iv) 移動する基板上に設けられる構成要素が少く
基板の移動の支障とならない。 (i)及び(iv)の利点は関連があり、色に応じた信号
のみを取り出すと同時に適当に増幅する入力部
1のみを基板に設けているので基板重量は軽い。 ここで得られた信号を信号線により積分部52
に送るので、信号線でノイズが拾われても積分部
52でノイズが消される。 そしてノイズが消された後に増幅部53で増幅
するのでノイズの影響は表われない。 (ii)の利点は、時分割で用いているためである。 (iii)の利点は、色毎に増幅器を設けているためで
ある。 又、この実施例ではCCDにより信号の転送を
行つているがCCDは転送速度が速い。又、例え
ばA4判の大きさの原稿の読取に際し、この大き
さのCCDを1個用いるよりも、この実施例のよ
うに8個のCCDを用いた方が並列に信号転送を
行うので転送時間が短かい。余分に読取つてしま
つた信号は、前述のように読み出し用メモリ12
2W,122Y,122Cからの信号の読み出し
を選択して行えばよく、しかもそれは大きな
CCDを1個用いた場合に対して読み取りに要す
る時間は同じである。 以上、この発明の実施例について説明したが、
実施例には何等約束されるものではない。実施例
では光電変換素子列と転送部とをCCDにより実
現したが、CTD(Charge Transfer Device;電
荷転送素子)を用いてもよい。例えばBBD
(Bucket Brigade Device)、CID(Charge
Injection Device)、LCD(Light Coupled
Device)、PCD(Plasma Coupled Device)、ス
キヤンターである。又、光電変換素子列は、千鳥
状に配列しなくとも読取領域を覆うように3列に
配置してもよく、いかなる複数個の配置をとつて
もよい。 光学系は、集束性ロツドレンズアレイには限定
されない。光源も2個ではなく1個でもよく、数
には限定されない。又、光源としては螢光灯、
LED(Light Emitting Diode)でもよい。要する
に、この発明の趣旨を逸脱しない限りどのような
変形をもこの発明に含まれる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to an image reading device, and more particularly to a high-speed contact sensor. [Prior Art of the Invention and Problems Therewith] Information processing devices such as computer computers are progressing at an extremely fast pace, and their processing capabilities far exceed those of humans in certain fields. However, the devices for inputting information into this information processing device could not be said to have made sufficient progress. Under these circumstances, in the facsimile field, efforts have been focused on the development of image reading devices due to practical requirements. The technical goal was to achieve high resolution while at the same time miniaturizing the device.
Another purpose was to read color images. Furthermore, in the field of copying machines, different from the conventional electrophotographic method, methods of forming pixels in a dot type, such as a thermal transfer method, are being considered.
At this time, input devices were required to be faster and have higher resolution than normal facsimile devices. A solid-state scanning method is a technology that meets these demands. For example, a combination of a photodiode array for photoelectric conversion and a MOS switch,
Some devices use semiconductor functional elements that have both a pixel resolution function and an optical information storage function. Since such solid-state imaging devices are highly integrated, the size of one chip is much smaller than the original, and a reduction optical system must be used. In particular, the second part of Japanese Patent Application Laid-Open No. 54-79511
At the bottom of the left column of the page is a list of ``commercially available photodiode arrays and
Since the CCD sensor is integrated, a reduction optical system must be used to read the original. For this reason, it is unavoidable that the optical system part becomes larger,
This is extremely inconvenient for manufacturing a small document reading device. This does not mean that the size can be reduced just by adopting a 1:1 original image forming optical system, specifically, a light-receiving element array with a wide original width that can use a self-occurring lens. If you try to make a reading circuit using a commercially available single semiconductor switch, it will be quite large and expensive, judging from the size and number of parts. ” is written. This description clearly represents the situation in this field, and based on this recognition, the contact sensor was developed. The close-contact sensor omits a lens system and has a configuration in which the target object, the document, and the sensor directly correspond on a 1:1 basis. Since this contact sensor does not require the use of a lens system, the device can be miniaturized. However, unless the document and the sensor are in close contact, for example on the order of 10 μm, the quality of the read image will deteriorate significantly. Furthermore, the responsiveness of the sensor material was insufficient, making it impossible to perform high-speed reading. [Object of the Invention] It is an object of the present invention to eliminate the above-mentioned drawbacks, to provide a contact sensor that is capable of reading in a wide range of fields and is inexpensive. [Summary of the Invention] The present invention focuses an image to be read by a contact sensor on an IC image sensor chip as an erect real image of the same size, and transmits this image into multiple images.
It is a device that reads with an IC image sensor chip, and has an integrated structure that includes an optical system, a substrate, and a light source. Preferably, the individual size of the photoelectric conversion elements is set to one-half or less of the pixel size required for this contact sensor. [Effects of the Invention] In the present invention, since one scanning line is covered by two or more photoelectric conversion element rows, it is possible to read a large image. Furthermore, since the read image is formed in the same size and direction over a plurality of photoelectric conversion element rows, a resolution that depends on the size of the photoelectric conversion elements can be realized. For example, if a photoelectric conversion element array made of Si-based material is used, it is possible to easily obtain a highly integrated device using current technology. In addition, since the transfer section is provided corresponding to each of the plurality of photoelectric conversion element rows, the signal transfer is parallel and faster than when electrical signals are transferred using a common transfer section. . At the same time, since the transfer distance is short, the probability of errors occurring is reduced. [Embodiments of the Invention] Next, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. The contact sensor in this embodiment is capable of reading an A4 size color document. This close contact sensor includes a photoelectric conversion element, a transfer section that transfers the charges converted by the photoelectric conversion element, and a focusing robot as an optical system that can form a one-to-one erect real image on the photoelectric conversion element. It consists of a drain lens array and a linear light source. In this example, a CCD (Charge Coupled Device) including a photoelectric conversion element and a charge coupled device as a transfer section is used.
It is called a coupled device. These are formed on the same chip. Furthermore, in this embodiment, a photoelectric conversion element, that is, a photodiode, is formed of C--Si. This C--Si photodiode has a high photoelectric conversion speed of 1 msec or less. Furthermore, in the following explanation, the photoelectric conversion element will be referred to as a CCD sensor. This CCD sensor is provided with a pitch of 14 μm and 1
The chip has 2048 elements. like this
Eight CCD chips 11a to 11h are provided on a ceramic substrate 12 in a staggered manner as shown in FIG. The CCD chips 11a to 11h as a whole must have a length l=210 mm that covers at least the width of an A4 size sheet. Also, in this embodiment, each CCD chip 1
1a to 11h overlap d=2.38mm, which is CCD
This is equivalent to 170 sensor elements. As shown in FIG. 2, two convergent rod lens arrays (trade name: Self-occurring lens, manufactured by Nippon Sheet Glass) 21a and 21b are arranged in a V-shape for these CCD chips 11a to 11h.
Individual focusing rod lens arrays 21a, 21b
The length should be longer than the width of an A4 size document, and there should be 8 pieces.
The length should be the same as the overall length of the CCD chips 11a to 11h. Also, the height h of the focusing rod lens arrays 21a and 21b is 20 mm in design.
50mm to 50mm is appropriate. This value is for increasing the depth of focus of the convergent rod lens arrays 21a, 21b. Especially the depth of focus at 50mm is deep.
The focusing rod lens arrays 21a and 21b are usually plate-shaped. However, in this embodiment, the two converging rod lens arrays 21a, 21b are arranged so that they mesh with each other.
Cut off the edge of 1b. In this way, by adjusting the angle of the slope to be cut, the angle formed by the two converging rod lens arrays 21a and 21b can be adjusted. Moreover, the space occupied by these convergent rod lens arrays 21a, 21b is reduced. However, the structure is designed to prevent light from entering through the carved slopes. Linear light sources 31a and 31b are required as contact sensors. The linear light sources 31a, 31b are provided with convergent rod lens arrays 21a, 2 as shown in FIG.
It is provided in parallel and close to 1b. The linear light sources 31a and 31b, the focusing rod lens arrays 21a and 21b, and the ceramic substrate 1
2 together constitute a contact sensor. This contact sensor is arranged so as to cross the document 32,
Read each line one by one. Light from the linear light sources 31a and 31b is irradiated onto one line at the original height. The irradiated light is reflected on the original 32 and is reflected by the focusing rod lens arrays 21a and 21b.
The light is received by Focusing rod lens array 21
a and 21b form an image on the original 32 onto a CCD sensor. focusing rod lens array 21a,
21b has a large depth of focus, so even if the distance between the convergent rod lens arrays 21a, 21b and the document 32 is not constant and varies slightly, a clear image is formed on the CCD sensor. Moreover, the converging rod lens arrays 21a and 21b form images on the CCD sensor one-to-one without reducing the image on the original 32. Next, a specific and preferable structure will be explained. As shown in FIG. 4, CCD chips 11a to 11h
A lid 34 provided with windows 33a to 33h is attached to the board 11 on which the windows 33a to 33h are attached. This lid 34 does not allow light to pass through except from the windows 33a to 33h. window 3
3a to 33h are CCD chips 11a to 11h
It is set up correspondingly. For such a substrate 11 and lid 34, the fifth
Attach the support portion 35 as shown in the figure. This support portion 35 has holes 36 provided in the upper wall corresponding to the windows 33a to 33h. At the top of this hole 36,
The focusing rod lens arrays 21a, 2 are arranged so that the focusing rod lens arrays 21a, 21b are positioned.
1b is attached to the support part 35. On the other hand, this support part 35 has one linear light source 31.
Attach a together. As shown in FIG. 5, this linear light source 31a is designed so that light is emitted from only a portion thereof. That is, the window 37 is provided so that light from around a 45° angle to the original 32 is emitted. There is no light irradiation from other parts. Such a contact sensor detects the sixth position on the original 32.
It is arranged so that it can be transported as shown in the figure. That is, the converging rod lens arrays 21a and 21b are arranged to face the original 32, and the window 37 of the linear light source 31a is arranged at an angle of 45 degrees with respect to the original 32. As shown in FIG. 6, the size of the contact sensor is such that the distance L from the original 32 to the substrate 12 is approximately 60 mm, and the distance W 1 from the end of the support section 35 to the end of the linear light source 31a is approximately 60 mm.
60 mm, and the distance W 2 from the end of the support part 35 to the end of the lighting circuit part 38 of the linear light source 31a is 100 mm. Next, the arrangement pitch of the CCD sensor will be explained. The resolution of the contact sensor in this example is 12 lines/mm
shall be. One pixel at this time is approximately 84 μm. The size of this one pixel is determined by the CCD by focusing rod lens arrays 21a and 21b as shown in FIG.
It is also 84 μm on the sensor. This CCD sensor is provided with a pitch of 14 μm (in effect,
The CCD sensor has a resolution of 72 lines/mm. ), so
Six element sensors are included in the size of one pixel. Two white (W), cyan (C), and yellow (Y) filters are attached in this order to each of the six elements constituting one pixel, as shown in FIG. However, a black filter is pasted on the 6 elements at the end. As will be described later, when attaching the filter in this embodiment, a considerable error is allowed compared to when attaching a single filter. Next, a circuit for processing signals from such a CCD will be explained. As shown in FIG. 5, this circuit includes an input section 51 , an integration section 52 that integrates the output from this input section 51 for each color, an amplification section 53 that amplifies the output from this integration section 52 , and an amplification section 53 that amplifies the output from this integration section 52. Part 5
A-D converts the output from 3 into a digital signal
It consists of a converting section 54 and a storage section 55 that stores the signal from the A-D converting section 54 . The input section 51 includes first to eighth CCD chips 11a to 11h that output serial signals, sampling and hold circuits 56a to 56h as zero level clamp circuits, and differential amplifiers 57a to 57h. 1 CCD chip 1
Each of the output signals 1a to 11h is input to each of sampling and hold circuits 56a to 56h and differential amplifiers 57a to 57h. Further, the outputs of the sampling and holding circuits 56a to 56h serve as another input to the differential amplifier. The integrating section 52 includes multiplexers 58a to 58h that separate the outputs of the differential amplifiers 57a to 57h for each color, and multiplexers 58a to 58h.
an integrator 591 that integrates the output signal for each color from
a, 591b, 591c (first CCD chip 11
corresponding to the output signal of a), 592a, 592b, 5
92c (corresponding to the output signal of the second CCD chip 11b), 593a, 593b, 593c (corresponding to the output signal of the third CCD chip 11b),
(corresponds to the output signal of CCD chip 11c), 594
a, 594b, 594c (4th CCD chip 11
c), 595a, 595b, 5
95c (corresponding to the output signal of the fifth CCD chip 11d), 596a, 596b, 596c (corresponding to the output signal of the sixth CCD chip 11d)
(corresponds to the output signal of CCD chip 11e), 597
a, 597, 597c (7th CCD chip 11f
), 598a, 598b, 59
8c (corresponding to the output signal of the eighth CCD chip 11g). The amplifying section 53 includes amplifiers 531a and 531a, which amplify the output signals for each color from the integrators 591a to 598c.
531b, 531c, 532a, 532b, 53
2c, 533a, 533b, 533c, 534
a, 534b, 534c, 535a, 535b,
535c, 536a, 536b, 536c, 53
7a, 537b, 537c, 538a, 538
b, 538c. The A-D converter 54 includes a selector 541a that switches and outputs signals amplified for each of the three colors in a time-division manner.
541h to 541h and the selectors 541a to 541
It consists of A/D converters 542a to 542h that convert analog signals from h to digital signals. The storage unit 55 has memories for white, cyan, and yellow, and is provided with two lines for each color.
The output signals of A/D converters 542a to 542h are stored. Now, regarding the operation of such a circuit, let's use the case of reading a white original as an example.
The explanation will focus on the output signal 1a. First to eighth CCD chips 11a to 11h
A pulse signal is supplied from a CCD scanning pulse generator (not shown). In synchronization with this pulse signal, signals photoelectrically converted by the CCD sensor are output from the CCD chips 11a to 11h. The signals serially output from the first CCD chip 11a are as shown in FIG.
For the dots, a black filter is pasted on the CCD sensor, so the voltage of the output signal is V1 .
This voltage is the voltage associated with the dark current of the CCD sensor. Often 2 to 8 volts. On the other hand, W, Y, and C filters were pasted.
The voltage of the output signal of the CCD sensor is V 1 ,
The amount of change is only on the order of 100mV. In the following, the voltage V 1 will be referred to as a reference voltage. Among these signal groups, the signal from the CCD sensor to which the black filter is attached is held by the sampling hold circuit 56a. This sampling hold circuit 56a sends a signal having the reference voltage V1 to the differential amplifier 57a until all output signals from the 2048 CCD sensors are sent to the differential amplifier 57a. Therefore, the differential amplifier 57a takes the difference between the voltage of the output signal from the CCD sensor to which the W, C, and Y filters are attached and the reference voltage, and appropriately amplifies this difference voltage at the same time. At this time, the output of the differential amplifier 57a is the output of the CCD with a W filter attached, as shown in FIG.
The signal 71W from the sensor, the signal 71Y from the CCD sensor to which the Y filter is attached, and the signal 71C from the CCD sensor to which the C filter is attached are successive in this order. However, these signals 71W, 71Y, and 71C are outputs from two CCD sensors. Therefore, the size of the small image reading pixel of the CCD sensor (resolution if color is not considered) at this time is 28 μm (36 lines/mm). These continuous analog signals are separated for each color in a multiplexer 58a. Figure 8a
A W filter as shown in is pasted.
The signal 71W from the CCD sensor is integrator 591a
Enter. Signal 7 from a CCD sensor with a Y filter attached as shown in Figure 8b
1Y is input to the integrator 591b. A signal 71C from the CCD sensor as shown in FIG. 8c is input to an integrator 591c. Charge is accumulated in capacitors (not shown) included in the integrators 591a, 591b, and 591c. Integrator 591 as shown in FIG.
Time when signals are input to a, 591b, 591c
Integral operation is performed during t 0 . When the integration is finished,
The voltage value at this time as shown by the solid line in FIG. 9 is held and sent to amplifiers 531a, 531b, and 531c. Integrators 591a, 591b, and 591c have the following effects. For example, consider a case where the nozzle rides on the signal before inputting it to the integrators 591a, 591b, and 591c, as shown in FIG. Such signals are transmitted to integrators 591a and 59
1b and 591c, as shown by the dotted line in FIG. 9, there is only a slight fluctuation in the integral value, and the influence of noise is almost eliminated. In this way, signals free from the influence of noise are supplied to amplifiers 531a, 531b, and 531c. The individual amplification factors of the amplifiers 531a, 531b, and 531c are adjusted so that the output voltages for each color are the same. Therefore, amplifiers 531a, 53
When the outputs of 1b and 531c are all white images, signals of the same voltage V2 are output. Such a signal is supplied to the selector 541a. The selector 541a is a kind of switch. This selector 541a performs a switch operation, that is, a switching operation, at a cycle twice as long as the cycle of the pulse signal from the CCD scanning pulse generator. Therefore, the selector 541a multiplexes and outputs time-divided signals as shown in FIGS. 14a, b, and c. The signals thus time-divided are supplied to the A/D converter 542a. three amplifiers 531a,
One A/D converter 542a is used in a time-division manner corresponding to 531b and 531c. The A/D converter 542a is expensive, and it is preferable to have fewer A/D converters. The output of the A/D converter 542a is stored in the storage section 55 . As described above, this storage unit 55 includes memories 121W for white, yellow, and cyan,
121Y and 121C are available. Furthermore, this storage section 55 is provided with a gate. This gate corresponds to signal switching by selectors 541a to 541h. That is, A/D converter 542
The digital signals from a to 542h are CCD
Depending on the color of the filter attached to the sensor,
The gate is opened and the data is stored in the memories 121W, 121Y, and 121C for white, yellow, and cyan. The memories 121W, 121Y, and 121C do not store 2048×8 signals. As mentioned above, since filters of the same color are attached to the two CCD sensors, the number of signals is reduced to 1/2.
Furthermore, since the signals are completely separated and stored for each of the three colors, the memories 121W, 121Y, 121 for each color are
The number of signals stored in C is further reduced to one-third.
Therefore, as a whole, the memory for each color is 121W, 121.
Y, 121C only needs to have the ability to accommodate one-sixth the number of signals of all CCD sensors. Such memories 121W, 121Y for each color,
The signal stored in 121C is transmitted to read memories 122W, 122Y, 12 having the same storage capacity.
2C in parallel. When reading from the read memories 122W, 122Y, and 122C, the following precautions should be taken. As shown in FIG. 1, the first to eighth CCD chips 11a to 11h are spectroscopically overlapped on the scanning line for image reading, with a total of 170 CCD sensors. Therefore, it is necessary to read while removing this portion. In this embodiment, when the first and eighth CCD chips 11a to 11h are provided by the hybrid technology, the overlapping portion can be found, so that the pixels corresponding to this overlapping can be removed. However, when referring to pixels on the CCD chips 11a to 11h,
6 pieces with W, C, and Y filters attached.
Refers to a group of CCD sensors. For example, as shown in FIG. 13, the n-th pixel from the left end of the first CCD chip 11a is
A case will be explained in which the pixel does not overlap with the CCD chip 11b, but overlaps with the second CCD chip 11b from the (n+1)th pixel onward. In this embodiment, C filters are attached to all pixels after the (n+1)th pixel. Each of the memories 121W, 121Y, 121C and the readout memories 122W, 122Y, 122C stores one signal for one pixel. Therefore, from the (n+1)th CCD chip 11
It is sufficient to remove signals up to the end pixel on a (assumed to be the n0th pixel). This can be done by skipping it when reading. This skip is used when reading from the readout memories 122W, 122Y, and 122C for each color. Identification of overlapping parts is
For example, regarding the W signal, after hybridization, a CCD color sensor reads an original with thin vertical lines of about 80 μm, and the digital signal from the W memory is D/A converted and output as an analog value. Since the signal is obtained as two signals, this can be easily done by removing the memory address at the rear end of the CCD sensor so that it becomes one signal. Next, a description will be given of where the above circuits are placed. In this embodiment, the input section 51 is provided on the ceramic substrate 12. However, in FIG. 1, only the first to eighth CCD chips 11a to 11h are shown. The integrating section 52 , the amplifying section 53 , the A-D converting section, and the storage section 55 are connected to the substrate 1 constituting the contact sensor.
It is not provided on the substrate 12, but is provided outside the substrate 12. Then, these circuits and the input section 51 are electrically connected with a cord. This advantage is as follows: (i) CCD chips 11a to 11h, sampling and hold circuits 56a to 56h, differential amplifiers 57a to 57h, and linear light sources 31a, 3;
1b, focusing rod lens array 21a, 21
b is provided integrally with the substrate 12, so it is lightweight. (ii) Even if noise is picked up by the code, the noise is substantially canceled by the integrating section 52 . There are two points. Furthermore, since filters of the same color are attached to the two CCD sensors, even if one CCD sensor has a defect, the signal from the other CCD sensor can be used. In fact, when 2048 CCD elements are formed on one chip, two or three defective elements often occur. In this case, it was discarded as a defective product, but if it is used in this way, even if there is a defective element, it is essentially equivalent to having no defective element. This is more effective when reading black and white originals. If there are no defects, using signals from two CCD sensors will increase the S/N. However, 1
A pixel may be read by three CCD sensors.
At that time, use W, Y, and C filters one by one.
Paste it on the CCD sensor. When reading a black and white original, one pixel may be read by one CCD sensor. Furthermore, if filters of the same color are attached to one pixel, color separation can be ensured even if there is some error in attaching the filters. The circuit features of this embodiment are summarized as follows. (i) Strong against noise. (ii) Fewer A/D converters are required. (iii) It is possible to adjust the signal for each color. (iv) The number of components provided on the moving board is small and does not interfere with the movement of the board. The advantages of (i) and (iv) are related; the input section 5 extracts only the signal corresponding to the color and at the same time appropriately amplifies it.
Since only 1 is provided on the board, the weight of the board is light. The signal obtained here is sent to the integrating section 52 via a signal line.
Therefore, even if noise is picked up by the signal line, the noise is eliminated by the integrating section 52. After the noise is eliminated, the amplification section 53 amplifies the signal, so that the influence of the noise does not appear. The advantage of (ii) is that it is used in time division. The advantage of (iii) is that an amplifier is provided for each color. Further, in this embodiment, signals are transferred using a CCD, and the CCD has a high transfer speed. Furthermore, when reading an A4-sized document, for example, it is better to use eight CCDs as in this embodiment than to use one CCD of this size because signal transfer is performed in parallel, so the transfer time is shorter. is short. The extra read signal is stored in the read memory 12 as described above.
All you have to do is select and read the signals from 2W, 122Y, and 122C, and it is a big task.
The time required for reading is the same as when one CCD is used. The embodiments of this invention have been described above, but
No promises are made in the examples. In the embodiment, the photoelectric conversion element array and the transfer section are realized by a CCD, but a CTD (Charge Transfer Device) may also be used. For example, BBD
(Bucket Brigade Device), CID (Charge
Injection Device), LCD (Light Coupled
device), PCD (Plasma Coupled Device), and scanter. Furthermore, the photoelectric conversion element arrays do not need to be arranged in a staggered manner, but may be arranged in three rows so as to cover the reading area, or may be arranged in any plurality. The optical system is not limited to a focusing rod lens array. The number of light sources is not limited, and may be one instead of two. Also, as a light source, a fluorescent lamp,
It may also be an LED (Light Emitting Diode). In short, any modification is included in this invention as long as it does not depart from the spirit of this invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図乃至第16図は、実施例に係る密着セン
サを示し、第1図は8個のCCDチツプの配置を
示す図、第2図はCCDチツプと集束性ロツドレ
ンズアレイとの位置関係を示す模式斜視図、第3
図は、CCDチツプ上への結像を説明するための
密着センサの模式断面図、第4図はCCDチツプ
が設けられた基板を密着センサとして構成する際
の組立図、第5図は、密着センサの斜視図、第6
図は、第5図に示される密着センサの側面図、第
7図は、CCDセンサ上へのフイルタの貼り付け
方を示す図、第8図は、この密着センサの電気回
路図、第9図乃至第14図は、この電気回路図内
の各部の信号を示す図、第15図は、記憶部を示
す図、第16図は、CCDチツプの重なりを示す
図である。 11a,11b,11c,11d,11e,1
1f,11g,11h……CCDチツプ、21a,
21b……集束性ロツドレンズアレイ、31a,
31b……線状光源。
1 to 16 show the contact sensor according to the embodiment, FIG. 1 shows the arrangement of eight CCD chips, and FIG. 2 shows the positional relationship between the CCD chips and the focusing rod lens array. A schematic perspective view showing the third
The figure is a schematic sectional view of a contact sensor to explain image formation on a CCD chip, Figure 4 is an assembly diagram when configuring a substrate with a CCD chip as a contact sensor, and Figure 5 is a close contact sensor. Perspective view of sensor, 6th
The figures are a side view of the contact sensor shown in Fig. 5, Fig. 7 is a diagram showing how to attach a filter onto the CCD sensor, Fig. 8 is an electrical circuit diagram of this contact sensor, and Figs. FIG. 14 is a diagram showing the signals of each part in this electric circuit diagram, FIG. 15 is a diagram showing the storage section, and FIG. 16 is a diagram showing the overlapping of CCD chips. 11a, 11b, 11c, 11d, 11e, 1
1f, 11g, 11h...CCD chip, 21a,
21b...Focusing rod lens array, 31a,
31b... Linear light source.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 光源と、 この光源からの光が照射される原稿に対向して
設けられた基板と、 この基板上に前記原稿幅を〓間なく覆うように
して千鳥状に配列された複数のICイメージセン
サチツプと、 この複数のICイメージセンサチツプ上に前記
原稿上の被照射走査線部からの反射光が1対1の
正立の実像として結像させる光学系とを備え、 この光学系、前記基板そして前記光源とを一体
化構造とすることを特徴とする密着センサ。
[Scope of Claims] 1. A light source, a substrate provided opposite to the original onto which the light from the light source is irradiated, and a plurality of light sources arranged on the substrate in a staggered manner so as to completely cover the width of the original. a plurality of IC image sensor chips, and an optical system for forming a one-to-one erect real image of reflected light from the irradiated scanning line portion on the document on the plurality of IC image sensor chips, A contact sensor characterized in that the optical system, the substrate, and the light source have an integrated structure.
JP60173261A 1985-08-08 1985-08-08 Contact sensor Granted JPS6143870A (en)

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