JPH0222370B2 - - Google Patents
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- JPH0222370B2 JPH0222370B2 JP56084092A JP8409281A JPH0222370B2 JP H0222370 B2 JPH0222370 B2 JP H0222370B2 JP 56084092 A JP56084092 A JP 56084092A JP 8409281 A JP8409281 A JP 8409281A JP H0222370 B2 JPH0222370 B2 JP H0222370B2
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基板上にフルオロアルキルアクリレ
ートからなるパターンが形成されたレジスト被膜
を製造する方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for producing a resist film having a pattern of fluoroalkyl acrylate formed on a substrate.
本発明者らは、さきにプラズマ重合方法により
基板上にフルオロアルキルアクリレートおよび必
要に応じそれ以外の重合性物質を重合させて重合
体被膜を形成し、高エネルギー線を該被膜に照射
して潜像パターンを描画し、ついで現像する、と
くに酸素プラズマで現像することを特徴とする基
板上にフルオロアルキルアクリレートからなるパ
ターンが形成されたレジスト被膜を製造する方法
を発明し、特許出願を行なつた。 The present inventors first polymerized fluoroalkyl acrylate and other polymerizable substances as necessary on a substrate using a plasma polymerization method to form a polymer coating, and irradiated the coating with high-energy rays to infiltrate the substrate. Invented a method for producing a resist film in which a pattern made of fluoroalkyl acrylate is formed on a substrate, which is characterized by drawing an image pattern and then developing it, in particular, developing with oxygen plasma, and filed a patent application for this method. .
その後、鋭意研究をした結果、前記発明におけ
る潜像パターンを描画したレジスト被膜は、電子
線照射だけで現像されていることを発見し、本発
明を完成した。 Subsequently, as a result of intensive research, the inventors discovered that the resist film on which the latent image pattern was drawn in the invention was developed only by electron beam irradiation, and the present invention was completed.
すなわち、本発明は、
(A) 基板上にプラズマ重合方法により
(a) 一般式：
RfR2OCOCR1＝CH2
（式中、Rfは炭素数１〜15箇の直鎖状ま
たは分岐鎖状のパーフルオロアルキル基また
はそれらのフツ素原子１箇以上が水素原子に
よつて置換されかつ少なくともフツ素原子１
箇を有する基、R1は水素原子、メチル基、
エチル基またはハロゲン原子、R2は２価の
炭化水素残基を示す）
で示されるフルオロアルキルアクリレートの
少なくとも１種と
(b) 必要に応じ(a)以外の重合性物質
とを重合させてフルオロアルキルアクリレー
トの単独重合体もしくは共重合体またはフル
オロアルキルアクリレートの単独重合体と他
の重合性物質の単独重合体との混合物の重合
体被膜を形成し、
(B) ついで、該被膜に電子線を照射すること
を特徴とする基板上にパターンが形成されたレジ
スト被膜を製造する方法に関する。 That is, the present invention provides (A) a substrate with a plasma polymerization method (a) general formula: R f R 2 OCOCR 1 = CH 2 (wherein, R f is a linear or branched chain having 1 to 15 carbon atoms). A chain perfluoroalkyl group or one or more of their fluorine atoms is substituted with a hydrogen atom, and at least one fluorine atom is substituted with a hydrogen atom.
R 1 is a hydrogen atom, a methyl group,
At least one type of fluoroalkyl acrylate represented by (an ethyl group or a halogen atom, R 2 represents a divalent hydrocarbon residue) and (b) optionally a polymerizable substance other than (a) are polymerized to produce fluorocarbons. (B) forming a polymer film of a mixture of an alkyl acrylate homopolymer or copolymer or a fluoroalkyl acrylate homopolymer and a homopolymer of another polymerizable substance; (B) then exposing the film to an electron beam; The present invention relates to a method of manufacturing a patterned resist film on a substrate, the method comprising: irradiating a patterned resist film onto a substrate.
本発明の効果は、電子線照射だけでパターン形
成が完成するので、前記出願におけるごとき現像
のための処理、たとえば酸素プラズマによる処理
を必要としない。 The effect of the present invention is that pattern formation is completed only by electron beam irradiation, so there is no need for processing for development as in the above-mentioned application, such as processing using oxygen plasma.
本発明において用いるフルオロアルキルアクリ
レートは、前記一般式で示されるものである。
Rf基は、炭素原子数が１〜15箇好ましくは１〜
10箇であり、フツ素原子数が少なくとも１箇、好
ましくは、Rf基の炭素原子数とR2基の炭素原子
数との和の少なくとも1/2のものである。R2基
は、CH2＝CR1COO基とRf基とを連結するための
ものであり、その炭素原子数は１〜10箇、なかん
づく１〜５箇が好ましいが、臨界的なものではな
い。好ましいフルオロアルキルアクリレートは、
沸点が大気圧で400℃以下または40トールで70℃
以下のものである。 The fluoroalkyl acrylate used in the present invention is represented by the above general formula.
The R f group has 1 to 15 carbon atoms, preferably 1 to 15 carbon atoms.
The number of fluorine atoms is at least one, preferably at least 1/2 the sum of the number of carbon atoms in the R f group and the number of carbon atoms in the R 2 group. The R 2 group is for connecting the CH 2 =CR 1 COO group and the R f group, and the number of carbon atoms is preferably 1 to 10, particularly 1 to 5, but it is not critical. do not have. Preferred fluoroalkyl acrylates are
Boiling point is below 400℃ at atmospheric pressure or 70℃ at 40 torr
These are as follows.
本発明において用いられるフルオロアルキルア
クリレートを例示すると、
CH2＝Ｃ（CH3）COOCH2（CF2）2H
CH2＝Ｃ（CH3）COOC（CH3）2（CF2）2H
CH2＝Ｃ（CH3）COOCH2CHFCF3
CH2＝Ｃ（CH3）COOCH2CF2CHFCF3
CH2＝Ｃ（CH3）COOCH（CH3）
CF2CHFCF3
CH2＝Ｃ（CH3）COOCH（C2H5）
CF2CHFCF3
CH2＝Ｃ（CH3）COOCH（C3H7）
CF2CHFCF3
CH2＝Ｃ（CH）COOC（CH3）2OF2CHFCF3
CH2＝Ｃ（CH3）COOC（CH3）（C2H5）
CHFCF3
CH2＝Ｃ（CH3）COOCH2（CF2CF2）oＨ
ｎは２〜５
CH2＝Ｃ（CH3）COOC（CH3）2（CF2CF2）oＨ
ｎは２〜５
CH2＝Ｃ（CH3）COOC（CH3）2CF2CH
（CF3）2
CH2＝Ｃ（CH3）COOCH2CH2（CF2CF2）oCF
（CF3）2
ｎは１〜５
CH2＝Ｃ（CH3）COOCH2CH2（CF2）oＦ
ｎは１〜10
である。 Examples of the fluoroalkyl acrylates used in the present invention are: CH 2 =C(CH 3 )COOCH 2 (CF 2 ) 2 H CH 2 =C(CH 3 )COOC(CH 3 ) 2 (CF 2 ) 2 H CH 2 =C(CH 3 )COOCH 2 CHFCF 3 CH 2 =C(CH 3 )COOCH 2 CF 2 CHFCF 3 CH 2 =C(CH 3 )COOCH(CH 3 )
CF 2 CHFCF 3 CH 2 =C(CH 3 )COOCH(C 2 H 5 )
CF 2 CHFCF 3 CH 2 =C(CH 3 )COOCH(C 3 H 7 )
CF 2 CHFCF 3 CH 2 ＝C(CH)COOC(CH 3 ) 2 OF 2 CHFCF 3 CH 2 ＝C(CH 3 )COOC(CH 3 )(C 2 H 5 )
CHFCF 3 CH 2 = C (CH 3 ) COOCH 2 (CF 2 CF 2 ) o H n is 2 to 5 CH 2 = C (CH 3 ) COOC (CH 3 ) 2 (CF 2 CF 2 ) o H n is 2 ~5 CH2 =C( CH3 ) COOC ( CH3 ) 2CF2CH
(CF 3 ) 2 CH 2 =C(CH 3 ) COOCH 2 CH 2 (CF 2 CF 2 ) o CF
( CF3 ) 2n is 1-5 CH2 =C( CH3 ) COOCH2CH2 ( CF2 ) oFn is 1-10.
本発明において必要に応じて用いる(a)以外の重
合性物質は、二重結合を有するビニル系単量体で
ある。 The polymerizable substance other than (a) used as necessary in the present invention is a vinyl monomer having a double bond.
該ビニル系単量体としては、たとえばエチレ
ン、プロピレン、ブチレン、イソブチレン、ブタ
ジエンなどのエチレン系不飽和オレフイン類；ス
チレン、α−メチルスチレン、ｐ−クロルスチレ
ンなどのスチレン類；アクリル酸、メタクリル
酸、イタコン酸、マレイン酸、無水マレイン酸な
どの不飽和カルボン酸類；アクリル酸メチル、ア
クリル酸エチル、アクリル酸ｎ−ブチル、アクリ
ル酸イソブチル、アクリル酸ドデシル、アクリル
酸ｎ−オクチル、アクリル酸２−クロロエチル、
アクリル酸フエニル、α−クロロアクリル酸メチ
ル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、
メタクリル酸ブチル、α−エチルアクリル酸エチ
ルなどのα−メチレン脂肪族モノカルボン酸のエ
ステル類；ビニルメチルエーテル、ビニルエチル
エーテル、ビニルイソブチルエーテルなどのビニ
ルエーテル類；塩化ビニル、酢酸ビニル、プロピ
オン酸ビニル、酪酸ビニル、安息香酸ビニルなど
のビニルエステル類；１−メチル−1′−メトキシ
エチレン、１，1′−ジメトキシエチレン、１，２
−ジメトキシエチレン、１，1′−ジメトキシカル
ボニルエチレン、１−メチル−1′−ニトロエチレ
ンなどのエチレン誘導体；Ｎ−ビニルピロール、
Ｎ−ビニルカルバゾール、Ｎ−ビニルエンドー
ル、Ｎ−ビニルピロリジン、Ｎ−ビニルピロリド
ンなどのＮ−ビニル化合物；そのほかアクリロニ
トリル、メタクリロニトリル、アクリルアミド、
メタクリルアミド、ａ−エチルアクリルアミド、
アクリルアニリド、ｐ−クロロアクリルアニリ
ド、ｍ−ニトロアクリルアニリド、ｍ−メトキシ
アクリルアニリド、ビニリデンクロライド、ビニ
リデンシアナイドなどがあげられる。 Examples of the vinyl monomer include ethylenically unsaturated olefins such as ethylene, propylene, butylene, isobutylene, and butadiene; styrenes such as styrene, α-methylstyrene, and p-chlorostyrene; acrylic acid, methacrylic acid, Unsaturated carboxylic acids such as itaconic acid, maleic acid, maleic anhydride; methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, dodecyl acrylate, n-octyl acrylate, 2-chloroethyl acrylate,
Phenyl acrylate, methyl α-chloroacrylate, methyl methacrylate, ethyl methacrylate,
Esters of α-methylene aliphatic monocarboxylic acids such as butyl methacrylate and ethyl α-ethyl acrylate; vinyl ethers such as vinyl methyl ether, vinyl ethyl ether, and vinyl isobutyl ether; vinyl chloride, vinyl acetate, vinyl propionate, Vinyl esters such as vinyl butyrate and vinyl benzoate; 1-methyl-1'-methoxyethylene, 1,1'-dimethoxyethylene, 1,2
- Ethylene derivatives such as dimethoxyethylene, 1,1'-dimethoxycarbonylethylene, 1-methyl-1'-nitroethylene; N-vinylpyrrole,
N-vinyl compounds such as N-vinylcarbazole, N-vinylendole, N-vinylpyrrolidine, and N-vinylpyrrolidone; in addition, acrylonitrile, methacrylonitrile, acrylamide,
methacrylamide, a-ethylacrylamide,
Examples include acrylanilide, p-chloroacrylanilide, m-nitroacrylanilide, m-methoxyacrylanilide, vinylidene chloride, and vinylidene cyanide.
フルオロアルキルアクリレートの製造には、公
知の方法を採用することができる。 A known method can be employed for producing the fluoroalkyl acrylate.
たとえばフルオロアルコールとアクリル酸また
はメタクリル酸またはそれらの誘導体とを反応さ
せてうることができる。 For example, it can be obtained by reacting a fluoroalcohol with acrylic acid or methacrylic acid or a derivative thereof.
CH2＝CR1COOH＋RfR2OH→
CH2＝CR1COOR2Rf＋H2O
（式中、R1，R2およびRfは前記と同じ）
具体的には、たとえばメタクリル酸クロライド
に２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチ
ルアルコールを加え、さらに重合禁止剤、たとえ
ばハイドロキノンジメチルエーテルを少量加え、
60〜120℃に加熱して２，２，３，４，４，４−
ヘキサフルオロブチルメタクリレートを製造する
ことができる。 CH 2 = CR 1 COOH + R f R 2 OH→ CH 2 = CR 1 COOR 2 R f +H 2 O (In the formula, R 1 , R 2 and R f are the same as above) Specifically, for example, methacrylic acid chloride Add 2,2,3,4,4,4-hexafluorobutyl alcohol and further add a small amount of a polymerization inhibitor, such as hydroquinone dimethyl ether,
2,2,3,4,4,4- by heating to 60-120℃
Hexafluorobutyl methacrylate can be produced.
本発明に用いる基板はとくに限定されるもので
はなく、たとえば、食塩の結晶、クロムマスクし
たガラス板、シリコン、ゲルマニウムなどの半導
体フイルム、クロム、アルミ、チタン、金などの
導体フイルム、および酸化珪素、窒素珪素、ホス
ホシリケートガラス、アレゼノシリケートガラ
ス、ボロシリケートガラスなどの絶縁体フイルム
などを例示することができる。 The substrates used in the present invention are not particularly limited, and include, for example, salt crystals, chromium-masked glass plates, semiconductor films such as silicon and germanium, conductive films such as chromium, aluminum, titanium, and gold, and silicon oxide, Examples include insulating films such as nitrogen silicon, phosphosilicate glass, arezenosilicate glass, and borosilicate glass.
基板上でフルオロアルキルアクリレートまたは
フルオロアルキルアクリレートと他の重合性物質
とをプラズマ重合するには、たとえばそれらと不
活性気体との低圧混合気体の気流中に基板を置き
その周囲でグロー放電するか、またはグロー放電
により励起された不活性気体とアルキルアクリレ
ートまたはフルオロアルキルアクリレートとの低
圧混合気体の気流中に基板を置く（アフターグロ
ー法）かすることにより行なえばよい。 To plasma-polymerize fluoroalkyl acrylate or fluoroalkyl acrylate and other polymerizable substances on a substrate, for example, the substrate is placed in a flow of a low-pressure mixture of the fluoroalkyl acrylate and an inert gas, and a glow discharge is performed around the substrate; Alternatively, the substrate may be placed in a flow of a low-pressure mixed gas of an inert gas and an alkyl acrylate or a fluoroalkyl acrylate excited by glow discharge (afterglow method).
不活性ガスには、ヘリウム、ネオン、アルゴ
ン、クリプトン、キセノンを使用することがで
き、好ましくはアルゴンおよびクリプトンであ
る。 The inert gas can be helium, neon, argon, krypton, xenon, preferably argon and krypton.
グロー放電を行なうには、反応管内に２枚の平
行平板電極を設けるかまたは反応管外に誘導コイ
ルを設けて、高周波電圧または高周波電流をかけ
て行なう。いずれの手段で行なうにしても、また
放電域内に基板を置くかアフターグロー法で行な
うにしても、温度０〜200℃、圧力10〜10-4トー
ル、好ましくは１〜10-2トールで行ない、不活性
ガスの流量は、たとえば容器１あたり0.1〜200
cm3STP／minで、アルキルアクリレートなどのモ
ノマーの流量は不活性ガス流量の0.5〜50％の割
合、とくに１〜20％の割合で供給するのが好まし
い。またグロー放電は、0.1〜100MHzの高周波電
界下容器１あたり１〜500Wの放電電力で行な
うのが好ましい。 To perform glow discharge, two parallel plate electrodes are provided inside the reaction tube, or an induction coil is provided outside the reaction tube, and a high-frequency voltage or high-frequency current is applied. Regardless of which method is used, and whether the substrate is placed in the discharge area or by the afterglow method, it is performed at a temperature of 0 to 200°C and a pressure of 10 to 10 -4 Torr, preferably 1 to 10 -2 Torr. , the flow rate of inert gas is, for example, 0.1 to 200 per container.
In cm 3 STP/min, the flow rate of the monomer such as alkyl acrylate is preferably 0.5 to 50%, particularly 1 to 20% of the inert gas flow rate. Further, the glow discharge is preferably performed under a high frequency electric field of 0.1 to 100 MHz with a discharge power of 1 to 500 W per container.
このようにして形成された重合体の被膜は基板
とともに70〜200℃でプリベークを必要に応じて
行う。 The polymer film thus formed is prebaked together with the substrate at 70 to 200°C, if necessary.
重合体の被膜を形成した基板は、プリベークを
せずにまたはプリベーク後、電子線を照射するだ
けで被膜にパターンを形成することができる。 A pattern can be formed on a substrate on which a polymer film is formed by simply irradiating the film with an electron beam without prebaking or after prebaking.
電子線照射は、10-4〜10-7トール、好ましくは
10-5〜10-6の真空度で行なう。 Electron beam irradiation is carried out at 10 -4 to 10 -7 torr, preferably
Perform at a vacuum level of 10 -5 to 10 -6 .
照射量は、被膜を構成する重合体の種類および
被膜の厚さに応じて適宜選択すればよい。 The irradiation amount may be appropriately selected depending on the type of polymer constituting the coating and the thickness of the coating.
このようにして形成されたレジストパターン被
膜は、半導体素子、磁気バブル素子、光応用部
品、ビデオデイスクの製造に応用することができ
る。 The resist pattern film thus formed can be applied to the manufacture of semiconductor devices, magnetic bubble devices, optical application parts, and video disks.
つぎに実施例をあげて、本発明の方法を説明す
る。 Next, the method of the present invention will be explained with reference to Examples.
実施例 １
第１図に示すプラズマ重合装置を用いて、基板
上にフルオロアルキルアクリレートの重合体の被
膜を形成した。Example 1 A film of a fluoroalkyl acrylate polymer was formed on a substrate using the plasma polymerization apparatus shown in FIG.
装置の主体である真空容器１は全容積が１で
あり、該真空容器１内の圧力は真空ポンプ１１と
マクロード真空計３で0.7トールに調整され、真
空容器内のガスは液体チツ素トラツプ１０を介し
て排気される。先端のアルゴン容器２よりアルゴ
ンを63.5cm3STP／minで供給し、ラジオ波発生機
７より電力計６およびインピーダンス調整回路５
を経て誘電コイル４で発生した13.56MHzのグロ
ー放電域を通過させてアルゴンを励起させた。一
方、フルオロアルキルアクリレート容器８よりフ
ルオロアルキルアクリレートを1.6cm3STP／min
の流量で真空容器１内に供給し、前記励起された
アルゴンと合流させて冷却水で冷却された試料設
置台９上に置かれた基板（図示されていない）と
接触させ、真空ポンプ１１で排気した。 The vacuum vessel 1, which is the main body of the device, has a total volume of 1, the pressure inside the vacuum vessel 1 is adjusted to 0.7 Torr by a vacuum pump 11 and a McLeod vacuum gauge 3, and the gas inside the vacuum vessel is controlled by a liquid nitrogen trap 10. Exhausted via. Argon is supplied from the argon container 2 at the tip at a rate of 63.5 cm 3 STP/min, and the radio wave generator 7 supplies the wattmeter 6 and impedance adjustment circuit 5.
The argon was excited by passing through a 13.56 MHz glow discharge region generated by the dielectric coil 4. On the other hand, 1.6 cm 3 STP/min of fluoroalkyl acrylate was added from the fluoroalkyl acrylate container 8.
is supplied into the vacuum container 1 at a flow rate of Exhausted.
被膜の形成条件はつぎのとおりであつた。 The conditions for forming the film were as follows.
フルオロアルキルアクリレート２，２，３，
４，４，４−ヘキサフルオロブチルメタク
リレート
基 板 クロム蒸着したガラス板
装置の周囲の温度 室温
真空容器内ガス圧 0.7トール
グロー放電電力 10W
アルゴン流量 63.5cm3STP／min
フルオロアルキルアクリレート流量
1.6cm3STP／min
接触時間 １時間
膜厚をタリステツプで測定した。膜厚は、
2.7μmであつた。 Fluoroalkyl acrylate 2,2,3,
4,4,4-Hexafluorobutyl methacrylate Substrate Glass plate coated with chromium Temperature around the device Room temperature Gas pressure inside the vacuum chamber 0.7 torr Glow discharge power 10W Argon flow rate 63.5 cm 3 STP/min Fluoroalkyl acrylate flow rate
1.6 cm 3 STP/min Contact time 1 hour The film thickness was measured with a Taly step. The film thickness is
It was 2.7 μm.
ついで前述実施例１と同じ条件でガラス板上の
クロムメツキ層上に形成した被膜に電子線描画を
行なつて、種々の照射線量に対する膜厚の減少量
を測定した。電子線描画は、10-5〜10-6トール下
に一辺が4μmの正方形の電子線束を0.5μmの間隔
をあけてゴバン目状に照射することによつて行な
つた。それらの結果は、つぎのとおりであつた。 Next, the film formed on the chrome plating layer on the glass plate was subjected to electron beam lithography under the same conditions as in Example 1, and the amount of decrease in film thickness for various irradiation doses was measured. Electron beam lithography was performed by irradiating a square electron beam bundle of 4 μm on a side in a grid pattern with an interval of 0.5 μm under 10 −5 to 10 −6 Torr. The results were as follows.
照射線量 膜厚の減少量 （μC／cm2） （μm） 10 0.008 20 0.06 30 0.11 40 0.16 50 0.24 Irradiation dose Reduction in film thickness (μC/cm 2 ) (μm) 10 0.008 20 0.06 30 0.11 40 0.16 50 0.24
第１図は本発明の方法を実施するための装置の
一例を示す概略説明図である。
図面の符号、１：真空容器、２：アルゴン容
器、３：マクロード真空計、４：誘電コイル、
５：インピーダンス調整回路、６：電力計、７：
ラジオ波発生機、８：フルオロアルキルアクリレ
ート容器、９：試料設置台、１０：液体窒素トラ
ツプ、１１：真空ポンプ。
FIG. 1 is a schematic explanatory diagram showing an example of an apparatus for carrying out the method of the present invention. Reference numbers in the drawings: 1: Vacuum vessel, 2: Argon vessel, 3: McLeod vacuum gauge, 4: Induction coil,
5: Impedance adjustment circuit, 6: Power meter, 7:
Radio wave generator, 8: Fluoroalkyl acrylate container, 9: Sample installation stand, 10: Liquid nitrogen trap, 11: Vacuum pump.
Claims (1)
たは分岐鎖状のパーフルオロアルキル基また
はそれらのフツ素原子１箇以上が水素原子に
よつて置換されかつ少なくともフツ素原子１
箇を有する基、R1は水素原子、メチル基、
エチル基またはハロゲン原子、R2は２価の
炭化水素残基を示す） で示されるフルオロアルキルアクリレートの
少なくとも１種と (b) 必要に応じ(a)以外の重合性物質 とを重合させて、フルオロアルキルアクリレ
ートの単独重合体もしくは共重合体またはフ
ルオロアルキルアクリレートの単独重合体と
他の重合性物質の単独重合体との混合物の重
合体被膜を形成し、 (B) ついで、該被膜に電子線を照射することのみ
により該被膜にパターンを形成することを特徴
とする基板上にパターンが形成されたレジスト
被膜を製造する方法。[Claims] 1 (A) By plasma polymerization method on a substrate (a) General formula: R f R 2 OCOCR 1 = CH 2 (wherein, R f is a linear or A branched perfluoroalkyl group or one or more fluorine atoms thereof is substituted with a hydrogen atom and at least one fluorine atom
R 1 is a hydrogen atom, a methyl group,
(an ethyl group or a halogen atom, R 2 represents a divalent hydrocarbon residue); and (b) if necessary, a polymerizable substance other than (a) is polymerized, (B) forming a polymer coating of a homopolymer or copolymer of fluoroalkyl acrylate or a mixture of a homopolymer of fluoroalkyl acrylate and a homopolymer of another polymerizable substance; (B) then exposing the coating to an electron beam; A method for producing a patterned resist film on a substrate, the method comprising forming a pattern on the film only by irradiating the film with a resist film.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56084092A JPS585734A (en) | 1981-06-01 | 1981-06-01 | Manufacture of patterned resist film on substrate |
| US06/310,407 US4382985A (en) | 1980-10-11 | 1981-10-09 | Process for forming film of fluoroalkyl acrylate polymer on substrate and process for preparing patterned resist from the film |
| EP81108158A EP0049884B1 (en) | 1980-10-11 | 1981-10-10 | Process for forming film of fluoroalkyl acrylate polymer on substrate and process for preparing patterned resist from the film |
| DE8181108158T DE3173516D1 (en) | 1980-10-11 | 1981-10-10 | Process for forming film of fluoroalkyl acrylate polymer on substrate and process for preparing patterned resist from the film |
| US06/455,910 US4421843A (en) | 1980-10-11 | 1983-01-06 | Process for forming film of fluoroalkyl acrylate polymer on substrate and process for preparing patterned resist from the film |
| US06/455,909 US4421842A (en) | 1980-10-11 | 1983-01-06 | Process for forming film of fluoroalkyl acrylate polymer on substrate and process for preparing patterned resist from the film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56084092A JPS585734A (en) | 1981-06-01 | 1981-06-01 | Manufacture of patterned resist film on substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS585734A JPS585734A (en) | 1983-01-13 |
| JPH0222370B2 true JPH0222370B2 (en) | 1990-05-18 |
Family
ID=13820859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56084092A Granted JPS585734A (en) | 1980-10-11 | 1981-06-01 | Manufacture of patterned resist film on substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS585734A (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61226745A (en) * | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Radiation sensitive composition |
| JPS61226746A (en) * | 1985-03-30 | 1986-10-08 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | Radiation sensitive composition |
| JPH0778629B2 (en) * | 1986-12-19 | 1995-08-23 | ミノルタ株式会社 | Positive resist film and method for forming resist pattern thereof |
| US5157091A (en) * | 1987-10-07 | 1992-10-20 | Murahara Masataka | Ultraviolet-absorbing polymer material and photoetching process |
| JPH02111988A (en) * | 1988-10-21 | 1990-04-24 | Toppan Printing Co Ltd | Duplicating pattern for hologram, its production, and production of hologram |
| CA2381128A1 (en) | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Quantiscript Inc. | Plasma polymerized electron beam resist |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53135336A (en) * | 1977-04-28 | 1978-11-25 | Toppan Printing Co Ltd | Pattern forming method |
| JPS54145127A (en) * | 1978-05-04 | 1979-11-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Pattern formation material |
| JPS5518638A (en) * | 1978-07-27 | 1980-02-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Ionized radiation sensitive positive type resist |
-
1981
- 1981-06-01 JP JP56084092A patent/JPS585734A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS585734A (en) | 1983-01-13 |
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