JPH0223026B2 - - Google Patents
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- JPH0223026B2 JPH0223026B2 JP56072888A JP7288881A JPH0223026B2 JP H0223026 B2 JPH0223026 B2 JP H0223026B2 JP 56072888 A JP56072888 A JP 56072888A JP 7288881 A JP7288881 A JP 7288881A JP H0223026 B2 JPH0223026 B2 JP H0223026B2
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
- H10W74/01—Manufacture or treatment
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、樹脂封止形半導体装置における、リ
ードフレーム上の樹脂バリを除去する方法に関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for removing resin burrs on a lead frame in a resin-sealed semiconductor device.
樹脂封止形半導体装置の多くは、第１図に例示
するように、メタルリボンから打ち抜かれたリー
ドフレーム２を用いてトランスフアモールドさ
れ、一度に多数の半導体素子が樹脂１，１′，
１′′によつて封止される。ところが樹脂封止の場
合には、リード部の塗りつぶした部分のように樹
脂バリ３が発生するのは常である。樹脂バリ３の
発生原因は、トランスフアモールドの樹脂封止で
は成形圧力が30〜80Kg／cm2というように高いこと
や、リードフレームの厚さの不均一性、リードフ
レーム加工時の金属バリ、金型の摩耗等があげら
れ、これらによる樹脂バリの発生は避けることが
できない。また、樹脂封止に使用される樹脂の多
くは、エポキシ系樹脂で付着力が強いから、樹脂
バリを除去は容易ではない。 Most resin-sealed semiconductor devices are transfer-molded using a lead frame 2 punched out of a metal ribbon, as illustrated in FIG.
1''. However, in the case of resin sealing, resin burrs 3 usually occur in the filled-in portions of the lead portions. The causes of resin burrs 3 are the high molding pressure of 30 to 80 kg/cm 2 in transfer mold resin sealing, uneven thickness of the lead frame, metal burrs during lead frame processing, Examples include abrasion of the mold, and the occurrence of resin burrs due to these factors cannot be avoided. Furthermore, most of the resins used for resin sealing are epoxy resins with strong adhesive strength, so it is not easy to remove resin burrs.
従来リードフレームから樹脂バリを除去するに
は、いろいろな方法が行なわれている。一つは砥
石による研摩法であり、他の一つはガラスビーズ
やアルミナ粒等を吹き付ける方法である。砥石に
よる研摩は、バリの除去が完全であり、樹脂部を
避けて必要部分のみ研摩することができるが、同
時に下地のリードフレームをも傷つけてしまう。
ガラスビーズやアルミナ粒等の吹付けでは、樹脂
部表面を傷つけるために保護マスクが必要であ
り、またその吹付粒が固いのでリードフレームに
つく傷も大きい。より軟かいクルミ粉やコーン等
を吹き付ければ保護マスクの必要はないが、樹脂
バリを完全に除去することは難かしい。 Conventionally, various methods have been used to remove resin burrs from lead frames. One is a method of polishing with a grindstone, and the other is a method of spraying glass beads, alumina grains, etc. Polishing with a whetstone can completely remove burrs and polish only the necessary parts while avoiding the resin part, but at the same time it also damages the underlying lead frame.
When spraying glass beads, alumina particles, etc., a protective mask is required to avoid damaging the surface of the resin part, and since the spray particles are hard, they also cause large scratches on the lead frame. If you spray softer walnut flour or corn, you won't need a protective mask, but it is difficult to completely remove resin burrs.
その他樹脂バリを除去する方法として、濃
NaOH液により70〜80℃の温度で化学的に処理
することを試みたが、そのような除去液に浸漬す
る方法は、バリの除去と同時に樹脂部表面も侵し
てしまう。 Other ways to remove resin burrs include
Attempts were made to chemically treat the material with a NaOH solution at a temperature of 70 to 80°C, but such a method of immersing it in a removal solution would also attack the surface of the resin part at the same time as removing the burr.
本発明の目的は、樹脂部やリードフレームを傷
つけることなく、リードフレーム上に付着した樹
脂バリを容易に除去することができる方法を提供
することにある。 An object of the present invention is to provide a method that can easily remove resin burrs attached to a lead frame without damaging the resin part or the lead frame.
即ち本発明は、リードフレームに塔置した半導
体素子を樹脂封止した後の樹脂バリ除去処理とし
て、Ｎ（CH3）4OH、コリン、ヒドラジン又はエチ
レンジアミンの有機アルカリ性水溶液中でリード
フレームを陰極として電解して発生させた水素ガ
スにより、樹脂バリをリードフレームから除去又
は除去しやすくすることを特徴とする、半導体装
置の樹脂バリ除去方法である。 That is, in the present invention, as a resin burr removal treatment after resin-sealing a semiconductor element mounted on a lead frame, the lead frame is used as a cathode in an organic alkaline aqueous solution of N(CH 3 ) 4 OH, choline, hydrazine, or ethylenediamine. This is a method for removing resin burrs from a semiconductor device, characterized in that resin burrs are removed or easily removed from a lead frame using hydrogen gas generated by electrolysis.
本発明の原理は、リードフレームを陰極として
電解することにより、樹脂バリとリードフレーム
の界面においてのみアルカリ性水溶液の濃度が高
まり、電解発生基の化学的作用が加わつて局部的
に樹脂バリを化学的に侵し、しかもその界面に発
生する水素ガスの機械的作用により樹脂バリをリ
ードフレームから浮き上がらせ、剥離することが
できるというものである。 The principle of the present invention is that by electrolyzing the lead frame as a cathode, the concentration of the alkaline aqueous solution increases only at the interface between the resin burr and the lead frame, and the chemical action of the electrolytic group is added to locally remove the resin burr. Furthermore, due to the mechanical action of hydrogen gas generated at the interface, the resin burr can be lifted from the lead frame and peeled off.
従つて、本発明が適用できる樹脂封止形半導体
装置としては、リードフレームをトランスフアモ
ールドする方式の装置に限らず、キヤステイング
やデイツピングする方式の装置であつてもよい。
また半導体素子を先に塔置したリードフレームを
樹脂封止する方式の装置に限らず、リードフレー
ムと樹脂とにより中空パツケージを形成し、後に
半導体素子を塔置する方式の装置であつても適用
できる。 Therefore, the resin-sealed semiconductor device to which the present invention can be applied is not limited to a device in which a lead frame is transfer-molded, but may also be a device in which a casting or dipping method is used.
It is also applicable not only to equipment in which a lead frame on which a semiconductor element is placed first is sealed with resin, but also to equipment in which a hollow package is formed from the lead frame and resin, and the semiconductor element is placed therein afterwards. can.
本発明のバリ除去処理の１例を図面により説明
する。第１図のようにトランスフアモールドした
後の連続したリードフレーム２を、第２図の電解
槽２１の中に吊す。第２図においてリードフレー
ムは、第１図のリードフレームを側面からみたよ
うに描かれ、１が樹脂部であり２がリード部であ
る。電解槽２１はステンレス製とするのがよく、
リードフレーム２を陰極として電解槽２１を陽極
とする。 An example of the burr removal process of the present invention will be explained with reference to the drawings. The continuous lead frame 2 after transfer molding as shown in FIG. 1 is suspended in an electrolytic cell 21 as shown in FIG. In FIG. 2, the lead frame is drawn as if the lead frame in FIG. 1 was viewed from the side, with reference numeral 1 representing a resin portion and 2 representing a lead portion. The electrolytic cell 21 is preferably made of stainless steel,
The lead frame 2 is used as a cathode and the electrolytic cell 21 is used as an anode.
電解液２２に溶解する電解質は、アルカリ性の
化合物のうち、NaOH、KOHなどの無機アルカ
リ、Ｎ（CH3）4OH、コリン、ヒドラジン、エチレ
ンジアミンなどの有機アルカリを単独或は複合し
て使用することが好ましい。 As the electrolyte dissolved in the electrolytic solution 22, among alkaline compounds, inorganic alkalis such as NaOH and KOH, and organic alkalis such as N(CH 3 ) 4 OH, choline, hydrazine, and ethylenediamine may be used alone or in combination. is preferred.
上記アルカリ性水溶液の濃度は、樹脂の種類、
電解液の温度などを考慮して樹脂部１が侵されな
いような濃度に決めればよい。NaOHの場合に
は１〜10％の範囲で使用でき、バリ除去の能率上
３〜７％の範囲が好ましい。 The concentration of the above alkaline aqueous solution depends on the type of resin,
The concentration may be determined in consideration of the temperature of the electrolytic solution, etc., so that the resin portion 1 is not attacked. In the case of NaOH, it can be used in a range of 1 to 10%, and a range of 3 to 7% is preferred in terms of efficiency in removing burrs.
25℃の５％NaOH溶液中で、陽極にステンレ
ス板２１陰極に樹脂バリ３のついたリードフレー
ム２を取付け、陰極側の電流密度を例えば3A／
ｄm2になるように適当に電源電圧を調節する。電
解が行われると、陰極のリードフレーム２から水
素ガス２３が、また陽極のステンレス板２１から
は酸素ガス２４が発生する。 In a 5% NaOH solution at 25°C, attach a stainless steel plate 21 to the anode and a lead frame 2 with a resin burr 3 to the cathode, and set the current density on the cathode side to, for example, 3A/
Adjust the power supply voltage appropriately so that it becomes dm 2 . When electrolysis is performed, hydrogen gas 23 is generated from the lead frame 2 of the cathode, and oxygen gas 24 is generated from the stainless steel plate 21 of the anode.
第２図のＡ部を拡大して第３図に示す。 FIG. 3 shows an enlarged view of part A in FIG. 2.
NaOHを電解すると、Na+は陰極であるリー
ドフレーム２に集まり、その周辺は平均濃度より
も高濃度のアルカリ液となる。エポキシ樹脂は高
濃度のアルカリに微可溶で侵され、樹脂バリ３と
リードフレーム２との間に隙間が生ずる。その隙
間に入り込んだアルカリ性水溶液が電解されて発
生する水素ガスは、樹脂バリに機械的作用を及ぼ
し、それをリードフレームから剥離させる。剥離
のための電解時間は30秒程ですむ。 When NaOH is electrolyzed, Na + collects on the lead frame 2, which is the cathode, and the area around it becomes an alkaline solution with a higher concentration than the average concentration. The epoxy resin is slightly soluble and eroded by a highly concentrated alkali, and a gap is created between the resin burr 3 and the lead frame 2. Hydrogen gas generated by electrolysis of the alkaline aqueous solution that has entered the gap exerts a mechanical effect on the resin burr, causing it to peel off from the lead frame. The electrolysis time for peeling is about 30 seconds.
従つて電解液のアルカリ性水溶液濃度は、使用
されるエポキシ樹脂が浸漬のみでは侵されない程
度の濃度のものであつても、樹脂バリの剥離除去
することができる。そして処理温度も高温にする
必要はない。このために、樹脂部１の表面を侵す
ことなく樹脂バリを除去することができる。ま
た、このような電解によつてリードフレームに使
用される金属が傷つけられることはない。 Therefore, even if the concentration of the alkaline aqueous electrolyte solution is such that the epoxy resin used is not attacked by immersion alone, resin burrs can be peeled off and removed. Furthermore, there is no need to raise the processing temperature to a high temperature. Therefore, resin burrs can be removed without damaging the surface of the resin portion 1. Furthermore, such electrolysis does not damage the metal used in the lead frame.
NaOHやKOHを電解液に用いる場合には、
Na+やK+等のアルカリ金属イオンがリードフレ
ームと樹脂との界面に残査として残り特性を悪化
させるおそれがあるので、HC1、H2SO4等の溶
液で十分に中和し十分洗浄することが望ましい。
この際、非イオン性界面活性剤を中和酸液に混入
させることが有効である。また本発明のようにコ
リン等の有機アルカリはNa+等の有害イオンを残
さない点に特長があり、中和させれば十分であ
る。中和液に界面活性剤を入れなくても、中和処
理後の洗浄が十分でなくても特性を悪くするおそ
れがない。 When using NaOH or KOH as an electrolyte,
Alkali metal ions such as Na + and K + may remain as a residue at the interface between the lead frame and the resin and deteriorate the characteristics, so neutralize it thoroughly with a solution such as HC1 or H 2 SO 4 and clean it thoroughly. This is desirable.
At this time, it is effective to mix a nonionic surfactant into the neutralizing acid solution. Furthermore, as in the present invention, organic alkalis such as choline have the advantage that they do not leave harmful ions such as Na + , and it is sufficient to neutralize them. Even if a surfactant is not added to the neutralization solution, there is no risk of deterioration of the properties even if the washing after neutralization treatment is not sufficient.
電解を終え、第３図のように剥離した樹脂バリ
は、そのままで除去されるか、又は完全に剥離し
なくても液体ジエツトを補助的に用いれば完全に
除去することができる。この他の補助除去方法と
して、クルミ粉の吹付けのように樹脂部１やリー
ドフレーム２を傷つけない方法も採用できる。 After the electrolysis, the resin burrs that are peeled off as shown in FIG. 3 can be removed as they are, or even if they are not completely peeled off, they can be completely removed by supplementary use of a liquid jet. As another auxiliary removal method, a method that does not damage the resin part 1 or lead frame 2, such as spraying walnut powder, can also be adopted.
以上説明したように、本発明によれば、樹脂部
とリードフレームを全く傷つけないで、樹脂バリ
の部分にのみ局部的に除去作用をさせてエポキシ
樹脂のような密着性の強い樹脂バリも簡単に除去
することができるとともに、無機アルカリを使用
する場合に比べて、半導体特性を悪くするおそれ
がなくまた製造工程を簡略化することができる。 As explained above, according to the present invention, resin burrs with strong adhesion such as epoxy resin can be easily removed by locally removing resin burrs only on resin burrs without damaging the resin part and lead frame at all. In addition, compared to the case where an inorganic alkali is used, there is no risk of deteriorating the semiconductor characteristics, and the manufacturing process can be simplified.
第１図は、トランスフアモールドにより樹脂封
止し、樹脂バリが発生しているリードフレームの
平面図、第２図は本発明方法の電解工程を示す電
解槽内の断面図、第３図は第２図のＡ円内の拡大
図で、樹脂バリ除去の作用を説明するものであ
る。
１……樹脂部、２……リードフレーム、３……
樹脂バリ、２２……電解液、２３……水素ガス。
Fig. 1 is a plan view of a lead frame sealed with resin by transfer molding and has resin burrs, Fig. 2 is a sectional view of the interior of the electrolytic cell showing the electrolytic process of the method of the present invention, and Fig. 3 is a plan view of a lead frame with resin burrs. This is an enlarged view of circle A in FIG. 2 for explaining the effect of resin burr removal. 1...Resin part, 2...Lead frame, 3...
Resin burr, 22... Electrolyte, 23... Hydrogen gas.
Claims (1)
封止した後の樹脂バリ除去処理として、Ｎ
（CH3）4OH、コリン、ヒドラジン又はエチレンジ
アミンの有機アルカリ性水溶液中でリードフレー
ムを陰極として電解して発生させた水素ガスによ
り、樹脂バリをリードフレームから除去又は除去
しやすくすることを特徴とする、半導体装置の樹
脂バリ除去方法。1 N
(CH 3 ) 4 OH, choline, hydrazine or ethylenediamine in an organic alkaline aqueous solution, using the lead frame as a cathode to electrolyze and generate hydrogen gas, which removes or facilitates the removal of resin burrs from the lead frame. , a method for removing resin burrs from semiconductor devices.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56072888A JPS57188830A (en) | 1981-05-16 | 1981-05-16 | Removing method for resin burr of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56072888A JPS57188830A (en) | 1981-05-16 | 1981-05-16 | Removing method for resin burr of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57188830A JPS57188830A (en) | 1982-11-19 |
| JPH0223026B2 true JPH0223026B2 (en) | 1990-05-22 |
Family
ID=13502327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56072888A Granted JPS57188830A (en) | 1981-05-16 | 1981-05-16 | Removing method for resin burr of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57188830A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6348821B2 (en) * | 2014-10-24 | 2018-06-27 | 化研テック株式会社 | Electrolytic solution composition for removing burrs and method for removing burrs |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6034811B2 (en) * | 1977-11-08 | 1985-08-10 | 日本電気株式会社 | Manufacturing method for resin-sealed semiconductor device |
| JPS6024586B2 (en) * | 1979-12-04 | 1985-06-13 | 株式会社 野毛電気工業 | Pre-treatment method for plating external leads after semiconductor device molding |
-
1981
- 1981-05-16 JP JP56072888A patent/JPS57188830A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57188830A (en) | 1982-11-19 |
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