JPH0233039B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

本発明はビンカ二量体の新規製造方法に関す
る。さらに詳述すれば、本発明は４―デスアセチ
ルビンクリスチンおよびホルミルロイロシンのよ
うなＣ―４―デスアセチル―Ｎ―ホルミルビンカ
二量体の改良製法に関する。 ビンブラスチン（VLB）をビンクリスチンに
変換する方法としてはすでに３つの方法が文献に
報告されている。その１つはペルオキシダーゼと
過酸化水素による酸素的酸化方法（Gorman、米
国特許第3354163号）であり、第２の方法はギ酸
中、常温において分子状酸素による接触酸化方法
（ソ連特許第521845号にもとづいたDerwent
Abstract33812Y／19）であり、そして第３の方
法は氷酢酸およびアセトン中、−60℃において無
水クロム酸で酸化する方法（米国特許第3899943
号）である。 先行技術の欠点を補つた方法としては最近出願
した発明があり、テトラヒドロフラン中、−50℃
においてクロム酸塩―硫酸水溶液を用いてVLB
をビンクリスチンに変換する方法があるる。本発
明は４―デスアセチルVLBを４―デスアセチル
ビンクリスチンンに変換する方法を提供するもの
である。 本発明は下記式 〔式中、R¹およびR²は単独では一方が水素も
しくはヒドロキシであつて、他方はエチルを表わ
し、R³は水素を表わす。また、R²とR³が一体に
なつてα―エポキシドを表わす場合、R¹はエチ
ルであり、R⁴はホルミルを表わす。〕 で表わされるビンカ二量体の製造方法を提供する
ものであつて、その要旨は、式においてR¹，
R²およびR³が前記と同意義であつて、R⁴がメチ
ルを表わす化合物を、テトラヒドロフラン中、−
50℃以下でクロム酸塩―硫酸水溶液と反応させる
点にある。 Ｃ―４―デスアセチル―Ｎ―ホルミルビンカ二
量体の好ましい製造方法は、出発物質の遊離塩基
をテトラヒドロフラン（THF）に溶解し、溶液
の温度を−60乃至−77℃に冷却し、約−50℃以下
に維持しながら二クニム酸塩―硫酸水溶液を加
え、実質的にすべての出発物質がＣ―４―デスア
セチル―Ｎ―ホルミルビンカ二量体に変換される
まで混液を約−60℃以下で撹拌し、得られたＣ―
４―デスアセチル―Ｎ―ホルミルビンカ二量体を
回収する方法である。 上記酸化工程によつて得られたビンクリスチン
は、シリカゲルもしくはアルミナまたはこれらを
組合せたものを用いて高速液体クロマトグラフイ
ーにより、および／または再結晶することによ
り、医薬用純度に容易に精製し得る。精製された
ビンクリスチンは、クロマトグラフイーおよび／
または結晶化後、硫酸塩に変換されるのが通常で
ある。 二クロム酸カリウム、クロム酸カリウム、クロ
ム酸ナトリウムなどの二クロム酸塩
（dichromates）がクロム酸塩（chromates）を
用いることも出来るが、上記反応には二クロム酸
ナトリウム・二水和物が好ましい。一般に用いら
れるTHFの量はVLBの約100乃至200倍（Ｖ／
Ｗ）であつて、その比が約150：１（Ｖ／Ｗ）の場
合が好ましい。反応温度はドライアイス／アセト
ン（−77℃）から−55℃の間であるが、最も良い
結果が得られるのは、アセトン／ドライアイス浴
（−77℃）を用いて約−70℃以下に保つた場合で
ある。至適温度ではないが、−50℃以下の場合に
は不純物の形成が減少する。一般には、−60℃以
下で反応を実施する。前記反応条件では２時間反
応させるのが好ましく、反応時間が短い程望まし
くない酸化副生成物の形成が減少する。しかし、
反応時間がこれより長くても充分実施出来る。硫
酸第一鉄あるいはメタ亜硫酸水素ナトリウムのよ
うな還元剤で洗浄することは、過酸化物あるいは
残存酸化物の還元に好都合である。過塩素酸のよ
うな強酸を用いることも出来るが、酸化剤として
は硫酸が好ましい。 −60℃におけるVLBのクロム酸酸化において
は、アセトン―酢酸よりもテトラヒドロフラン
（THF）の方が溶媒として優れているので、
THFと二クロム酸ナトリウムとの組合せは、実
験結果が示している通り、THFとクロム酸また
はアセトンと二クロム酸との組合せよりも意外な
にすぐれている。本発明の新規製造方法の利点を
示すために、以下の酸化方法を用いた。 VLB硫酸塩から製造したVLB塩基（VLB含量
検定済）２ｇを、表１に示した一定量の溶媒に溶
解し氷酢酸を加え、陽圧の窒素ブランケツトを施
した。クロロホルム／ドライアイスを用いて溶液
の温度を約−61℃に冷却し、撹拌下にクロム酸塩
あるいはクロム酸の水溶液を徐々に加えた。この
間、溶液の温度をおよび−55℃以下に保持した。
添加終了後、混液を−61℃において約３時間撹拌
し、次のように処理を行なつた。この反応混液を
14N水酸化アンモニウム35mlと水200mlから成る
水溶液を加え、各200mlの塩化メチレンで３回抽
出した。抽出液を合して無水硫酸ナトリウムで乾
燥し、過して溶媒を蒸発留去し、残渣に含まれ
ているビンクリスチン、デスホルミルビンクリス
チンおよびVLBを分析した。収率は、分析した
物質、分子量変化および出発物質の純度をもとに
算出した。反応条件およびその時のアルカロイド
の収率を表１に示した。表１において、第１欄は
反応記号（Ａ―Ｄ）、第２欄は溶媒、第３欄は氷
酢酸の添加量（ml）、第４欄は酸化剤混合物、そ
して第５〜７欄はビンクリスチン、デスホルミル
ビンクリスチンおよびVLBの収率（％）をそれ
ぞれ示している。 酢酸―ギ酸混合物を用いて常温（約25℃）にお
いて１時間再ホルミル化すると、多少のデスホル
ミルビンクリスチン副生成物が含まれるものの、
以下に示すような収率でビンクリスチンが得られ
る。 Ｂ 53.3％ Ｃ 79.8％ Ｄ 64.8％ THFは氷酢酸―アセトンよりも溶媒として利
点はある（最少限、5′―アセトニルが形成されな
い）が、THFと二クロム酸塩、好ましくは二ク
ロム酸ナトリウムとの組合せは、ビンクリスチン
が高収率で得られること、およびデスホルミルビ
ンクリスチンもデスホルミルVLBも実質的に得
られない点で、THFとクロム酸との組合せより
もすぐれている。デスホルミルビンクリスチンが
存在しなければ、上記のような再ホルミル化の必
要性がなくなる。

【表】 ＊＊ 第１欄の肩数字は反覆数を表わす。
ロイロシン（ビンロイロシン、VLR）をホル
ミルロイロシン（ロイロホルミル、FVLR）に変
換する反応を二クロム酸ナトリウム／テトラヒド
ロフラン（THF）を用いて実施すると、三酸化
クロム／アセトンを用いるRichterのの修飾法と
比較して、収率に同様な改良がみとめられる。 修飾したRichterの方法は以下に述べるとおり
である。ロイロシン塩基5.0ｇを塩化メチレン50
mlに溶解してアセトン550mlを加え、窒素パージ
およびフランケツトを適用し、ドライアイス／ク
ロロホルム浴を用いて溶液の温度を−60℃乃至−
70℃に冷却した。三酸化クロム５ｇ、水10mlおよ
び氷酢酸50mlから成る溶液を10分間にわたつて加
え、混液を−59℃乃至−68℃で120分間撹拌した。
混液を、水500mlに溶解した28％水酸化アンモニ
ウム100mlに加え、各300mlの塩化メチレンで３回
抽出した。有機抽出物を合して減圧下に蒸発に付
し、粗製のホルミルロイロシン4.55ｇを得た。

【表】

【表】 表２で比較した収率は、表１に示したVLB／
VCRの収率に非常に近い値を示している。 HPLCおよびTLCプロフイルによれば、前記
反応条件下において二クロム酸ナトリウム／
THFを用いた反応の方が、すべての点において
修飾したRichter反応よりもはるかに優れている
ことが明らかである。この実験に用いたRichter
の条件は、VLBの場合と同様に、出発物質の修
飾（硫酸塩の代わりに遊離塩基）および一般的な
改良事項（容積の減少、改良処理法など）などの
点で修飾した。 従つて、VLBの場合と同様に、二クロム酸／
THF条件における反応の方が、Richter法の場合
よりも高収率、過反応および反応不足の回避、な
らびに副生成物（特に5′―アセトニル誘導体）の
回避に関してすぐれていることは疑う余地がな
い。 VLBの４―デスアセチル類似体およびその関
連出発物質も同様な方法で反応する。 以下の参考例は上記反応をさらに詳述するもの
である。 参考例 １ VLB硫酸塩から製造したVLB遊離塩基２ｇを
THF240mlに溶解して氷酢酸7.5mlを加え、陽圧
窒素ブランケツトの適用下、クロロホルム／ドラ
イアイス浴を用いて約−65℃に冷却した。二クロ
ム酸ナトリウム・二水和物３ｇを水15mlに溶解し
て18M硫酸２mlを加えた溶液を１〜２分間かけ
て、撹拌下の上記VLB遊離塩基溶液に加え、こ
の間、反応温度を約−50℃以下に保持した。混液
を約−65℃に保ちながらさらに３時間撹拌し、
14M水酸化アンモニウム35mlを含む水200mlに注
加した。この溶液を各200mlの塩化メチレンで３
回抽出し、有機抽出物を合して乾燥し、溶媒を留
去して、検出し得るVLBもしくはＮ―デスホル
ミルビンクスチンを含まない粗製のビンクリスチ
ン2.05ｇを得た。ビンクリスチンの収率は91.2％
（表３において反応１〜４の平均）であつて、こ
れは出発物質の純度および最終生成物のビンクリ
スチン分析用に修正したものである。 次の表３は前記方法に従つて実施した一連の反
応結果を示したものである。表において、第１欄
は反応の番号、第２欄は分析によるVLBの重量、
第３欄はビンクリスチンの原重量、第４欄は分析
によるビンクリスチンの収率、第５欄は分析した
VLBから得られるビンクリスチンの理論量、そ
して第６欄は分析したVLBをもとにしたビンク
リスチンの収率をそれぞれ表わす。 反応１〜４は前記参考例に従つて実施した。反
応５および６は酢酸を除去した点を除けば反応１
〜４と同じであつた。反応７〜８はTHF200mlだ
けを用いた点を除けば反応５〜６と同一である。
また、反応９〜12は、合併した有機抽出液を硫酸
第１鉄溶液（５ｇ／水100ml）で洗浄してから処
理する、という追加工程を除けば反応７〜８と同
じである。

【表】

【表】 溶媒としてTHFを用いた前記実験においては、
検出し得るＮ―デスホルミルビンクリスチンは未
反応のVLB出発物質と同様に、１％以下であつ
た。従つて、上記収率は実質的な収率であつて、
回収した出発物質または副生成物のＮ―デスホル
ミルビンクリスチンをホルミル化する工程を加え
て製造したビンクリスチンに基づいた収率ではな
い。さらに、アセトンを溶媒として使用しない限
り、5′―アセトニルVLB副生成物は得られない。 上記各反応において、VLB塩基は、VLB含有
量分析用のVLB硫酸塩から製造した。（VLB硫
酸塩の製造方法には、様々な量の溶媒および他の
不純物が含まれる。）同様に、VLB硫酸塩から単
離したVLB遊離塩基の重量は著しく変化したの
でVLB遊離塩基含有量として分析した。理論上
のビンクリスチンの収率は、分析したVLB塩基
の量を基にした。従つて、各反応においては2.00
ｇのVLB塩基を用いた。表３の第２欄は、各
2.00ｇの試料中に実際に含まれているVLB塩基
の場合、具体的には約90％、を示したものであ
る。実質的な収率と分析値との差は、揮発性成分
に依存する。 参考例 ２ VLB塩基のバツチ2.00ｇ（実質量1.57ｇ、78.4
％）を用いて、参考例１と同様な酸化を行なつ
た。VLBは前記と同様にTHF240mlに溶解し、
クロロホルム／ドライアイス浴（−65℃）を用い
て冷却した。酸化溶液の構成々分は、二クロム酸
ナトリウム・二水和物2.5ｇ、水15mlおよび18M
硫酸1.7mlである。合併した有機抽出液を５％メ
タ亜硫酸水素ナトリウム水溶液で2.5ｇ／50mlの
割合（表２の反応９〜12における硫酸第一鉄に代
えて）で洗浄してから処理する点を除いて、参考
例１のようにビンクリスチンを単離した。 上記方法に従えば、分析による収率が98％以上
のビンクリスチンが一般に得られる。純度78.9％
のVLB塩基20ｇを用いた大規模生産では、分析
によるビンクリスチンの収率は93.4％であつた。 参考例 ３ ロイロシン塩基5.0ｇをテトラヒドロフラン
（THF）600mlに溶解して窒素パージとブランケ
ツトを適用し、ドライアイス／アセトン浴を用い
て溶液を−70℃乃至−77℃に冷却した。二クロム
酸ナトリウム6.25ｇ、水37.5mlおよび濃硫酸45ml
から成る溶液を10分間にわたつて加え、温度を−
70℃乃至−77℃に保ちながら120分間撹拌した。
冷却浴を取り除き、28％水酸化アンモニウム35ml
と水500mlから成る溶液を加えた。この溶液を各
300mlの塩化メチレンで３回抽出し、合併した有
機抽出液をメタ亜硫酸水素ナトリウム6.25ｇと水
125mlとから成る溶液で洗浄し、減圧下に蒸発に
付して粗製のホルミルロイロシン5.24ｇを得た。
この粗生成物は出発物質および比較物質と共に
HPLCによつて分析した。収率89.9％は、分子量
を考慮せずに、生成物の収量および純度ならびに
出発物質をもとに決定した。 実施例 １ 前記参考例に記載の方法に従つて４―デスアセ
チルVLB6.3ｇをテトラヒドロフラン溶液中、二
クロム酸ナトリウム―硫酸で酸化して４―デスア
セチルビンクリスチン4.3ｇ（67％）を得た。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 式 〔式中、R¹およびR²は単独では、一方が水素
   もしくはヒドロキシを表わし、他方はエチルを表
   わし、そしてR³は水素を表わす。またR²とR³が
   一体となつてα―エポキシドを表わす場合、R¹
   はエチルでR⁴はホルミルをそれぞれ表わす。〕 で表わされる化合物の製造に際して、式におい
   てR¹，R²およびR³が前記と同意義でR⁴がメチル
   である化合物を、テトラヒドロフラン中、−50℃
   以下でクロム酸塩―硫酸水溶液と反応させること
   を特徴とするビンカ二量体の製造方法。 ２ テトラヒドロフランと出発物質の遊離塩基と
   の比が約150：１（Ｖ／Ｗ）である特許請求の範囲
   １記載の製造方法。 ３ クロム酸塩が二クロム酸ナトリウムである特
   許請求の範囲１または２に記載の製造方法。 ４ 二クロム酸ナトリウムと出発物質の遊離塩基
   との比が約1.6：１（Ｗ／Ｗ）である特許請求の範
   囲１乃至３記載の製造方法。 ５ 18M硫酸と出発物質の遊離塩基との比が
   1.2：1.0（Ｖ／Ｗ）である特許請求の範囲１乃至
   ４に記載の製造方法。 ６ ビンカ二量体が４―デスアセチルビンクリス
   チンである特許請求の範囲１乃至５記載の製造方
   法。