JPH0234490B2 - - Google Patents
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- JPH0234490B2 JPH0234490B2 JP57207005A JP20700582A JPH0234490B2 JP H0234490 B2 JPH0234490 B2 JP H0234490B2 JP 57207005 A JP57207005 A JP 57207005A JP 20700582 A JP20700582 A JP 20700582A JP H0234490 B2 JPH0234490 B2 JP H0234490B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
- H03K3/356—Bistable circuits
- H03K3/356017—Bistable circuits using additional transistors in the input circuit
Landscapes
- Manipulation Of Pulses (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、主として相補型絶縁ゲート構成の半
導体集積回路上に実現するA/D変換器等に用
い、微小なる差のある2つの電圧を比較しその大
小に応じた論理電圧を出力させるのに適した電圧
比較回路に関するものである。Detailed Description of the Invention The present invention is mainly used in an A/D converter etc. realized on a semiconductor integrated circuit with a complementary insulated gate configuration, and compares two voltages with a small difference and calculates the voltage according to the magnitude of the difference. The present invention relates to a voltage comparison circuit suitable for outputting a logic voltage.
従来相補型絶縁ゲート構成の半導体集積回路に
用いる電圧比較回路としては、第1図に示すごと
く、M1を定電流源とし、M2,M3を入力トラ
ンジスタとし、M4,M5を電流ミラー型負荷と
して構成した差動増幅器10により、端子2,3
に加えられた電圧の差に比例した出力電圧を端子
6からとり出し、これをM6を定電流負荷とする
反転増幅器11により更に増幅する2段構成の増
幅回路を使用していた。 Conventional voltage comparator circuits used in semiconductor integrated circuits with complementary insulated gate configurations are configured with M1 as a constant current source, M2 and M3 as input transistors, and M4 and M5 as current mirror loads, as shown in Figure 1. The terminals 2 and 3 are
A two-stage amplifier circuit was used in which an output voltage proportional to the difference between the voltages applied to the terminal 6 was taken out from the terminal 6, and this was further amplified by an inverting amplifier 11 with M6 as a constant current load.
第1図をはじめ本願において使用するシンボル
は、nチヤンネルトランジスタを第2図a、pチ
ヤンネルトランジスタを第2図bのように定め
る。共にGと示したのがゲート、Sと示したのが
ソース、Dと示したのがドレインである。この2
段構成の増幅回路によれば、通常2000倍〜5000倍
の利得が得られるが、利得の余裕を得るため普通
は更にトランジスタM8,M9からなる反転増幅
器12を1段付加している。13は前記M1とM
6を定電流領域で動作させるためのバイアス電圧
供給回路である。 Symbols used in this application, including FIG. 1, define an n-channel transistor as shown in FIG. 2a, and a p-channel transistor as shown in FIG. 2b. The gate is denoted by G, the source is denoted by S, and the drain is denoted by D. This 2
A stage-structured amplifier circuit usually provides a gain of 2,000 to 5,000 times, but in order to obtain a gain margin, one stage of inverting amplifier 12 consisting of transistors M8 and M9 is usually added. 13 is the above M1 and M
This is a bias voltage supply circuit for operating 6 in a constant current region.
かかる電圧比較回路は入力電圧が減少するとそ
れにみあつて増幅段数を増加せねばならず、集積
回路内の占有画積の増大、消費電力の増大を招
く。さらに初段の差動増幅器の同相電圧除去は万
全とは言えず、入力電圧の同相成分が変化する
と、節点6の出力電圧が変化し、この電圧が反転
増幅器により増幅されるため、入力電圧として1
mV以下の電圧差の場合には同相電圧によつては
最終段の出力で論理“1”の状態と、論理“0”
の状態が入れ替わることがある。また、電源電圧
が変動した場合にも同じ現象を生ずる。そのた
め、かかる電圧比較回路では入力電圧の同相電圧
が大きく変化する場合や、電源に雑音が多い場合
には1mV以下の電圧を比較することは困難とな
る。更に最も重大なこととして、差動増幅器10
の動作中心電圧と、反転増幅器11の動作中心電
圧を一致させることは非常に困難で、現在の技術
では数100mVずれるのが普通で、これが10mV
内外の入力オフセツト電圧となる。これは現在技
術では制御できない。したがつて電圧比較はオフ
セツトを込みにした電圧で比較する必要があり、
真の電圧差での比較は行えない欠点を有する。 In such a voltage comparator circuit, when the input voltage decreases, the number of amplification stages must be increased accordingly, resulting in an increase in the area occupied in the integrated circuit and an increase in power consumption. Furthermore, the common-mode voltage rejection of the first-stage differential amplifier is not perfect, and when the common-mode component of the input voltage changes, the output voltage at node 6 changes, and this voltage is amplified by the inverting amplifier, so the input voltage is
In the case of a voltage difference of less than mV, depending on the common mode voltage, the final stage output may be in a logic “1” state or a logic “0” state.
The state of may change. The same phenomenon also occurs when the power supply voltage fluctuates. Therefore, in such a voltage comparison circuit, it is difficult to compare voltages of 1 mV or less when the common mode voltage of the input voltage changes significantly or when there is a lot of noise in the power supply. More importantly, the differential amplifier 10
It is very difficult to match the operating center voltage of the inverting amplifier 11 with the operating center voltage of the inverting amplifier 11, and with current technology, it is normal for them to deviate by several hundred mV;
This is the internal and external input offset voltage. This cannot be controlled with current technology. Therefore, when comparing voltages, it is necessary to compare voltages that include offsets.
This method has the disadvantage that it is not possible to compare true voltage differences.
別の電圧比較方法としてたとえば1979年デイン
グウオールによりISSCCにて発表された第3図の
ごとき回路がある。(′79 ISSCC Digest of
Techrical papers pp 126)この回路の動作の詳
細は前記文献に書かれており省略する。本回路で
は図中端子102および103からの入力電圧
が、トランジスタM10,M11あるいはM1
2,M13からなるそれぞれ交互に導通するスイ
ツチを通して蓄積器C1の片側の電極に接続さ
れ、蓄積器の他の電極はトランジスタM14およ
びM15により構成される反転増幅器の入力端子
に接続される。この反転増幅器の入力端子と出力
端子は前記スイツチと同期して導通、非導通を行
うようにしてある。図中、φ,は互に相補なク
ロツクである。例えば入力端子103に接続され
たスイツチが導通しているとき、反転増幅器の入
力端105と出力端106の間に接続されたトラ
ンジスタM116,M17からなるスイツチも導
通し、端子105と106の電位を等しい電位と
する。次に入力端子102側に接続されたスイツ
チを導通させ他の2つのスイツチを非導通とする
と、端子104の電位は端子102の電圧と端子
103の電圧の差だけ変化する。この変化はC1
を通して前記反転増幅器に伝達され、出力106
にこの変化が数十倍に属幅されて出力される。し
たがつて端子102と103の間の電圧差が増幅
される。この回路は簡便であるようにみえるが、
蓄電器C1の寸法は前記反転増幅器の寸法の数倍
の大きさが必要である。また前記反転増幅器の利
得は高々数十倍であり、入力電圧差が1mV以下
となると、出力電圧は論理回路を動作させるに充
分な電圧ではないため、ラツチ107でもかなり
の増幅が必要となる。また、端子103の電圧を
サンプリングする時刻と端子102の電圧をサン
プリングする時刻が異なつているため、この両時
刻で電源電圧が変動すると、その電圧も信号入力
電圧と同等に扱つてしまう。したがつて電源雑音
に対して非常に弱い欠点を有している。 As another voltage comparison method, for example, there is a circuit as shown in Fig. 3, which was presented at the ISSCC by Deingwall in 1979. ('79 ISSCC Digest of
Technical papers pp 126) The details of the operation of this circuit are described in the above-mentioned document and will be omitted here. In this circuit, the input voltage from terminals 102 and 103 in the figure is applied to transistors M10, M11 or M1.
2 and M13, which conduct alternately, to one electrode of the accumulator C1, the other electrode of the accumulator being connected to the input terminal of an inverting amplifier constituted by the transistors M14 and M15. The input terminal and output terminal of this inverting amplifier are made conductive and non-conductive in synchronization with the switch. In the figure, φ and are mutually complementary clocks. For example, when the switch connected to the input terminal 103 is conductive, the switch consisting of transistors M116 and M17 connected between the input terminal 105 and the output terminal 106 of the inverting amplifier is also conductive, and the potential of the terminals 105 and 106 is changed. Equal potential. Next, when the switch connected to the input terminal 102 side is made conductive and the other two switches are made non-conductive, the potential at the terminal 104 changes by the difference between the voltage at the terminal 102 and the voltage at the terminal 103. This change is C1
to the inverting amplifier through the output 106.
This change is multiplied several dozen times and output. The voltage difference between terminals 102 and 103 is therefore amplified. Although this circuit seems simple,
The size of the capacitor C1 needs to be several times larger than the size of the inverting amplifier. Further, the gain of the inverting amplifier is several tens of times at most, and if the input voltage difference is less than 1 mV, the output voltage is not sufficient to operate the logic circuit, so the latch 107 also requires a considerable amount of amplification. Furthermore, since the time at which the voltage at the terminal 103 is sampled and the time at which the voltage at the terminal 102 is sampled are different, if the power supply voltage fluctuates at both times, that voltage is treated equally as the signal input voltage. Therefore, it has the disadvantage of being extremely susceptible to power supply noise.
本発明はかかる欠点を除去し、非常に高感度な
電圧比較回路を少ない素子数により実現しようと
するものである。 The present invention aims to eliminate such drawbacks and realize a voltage comparator circuit with very high sensitivity using a small number of elements.
本発明は、1対の交叉結合された一導電型の第
1および第2の電界効果トランジスタにより構成
される第1のフリツプフロツプと、このフリツプ
フロツプを構成するトランジスタとソースおよび
ドレインを共通にし第1のフリツプフロツプと同
極性の第3および第4の電界効果トランジスタ
と、前記第1のフリツプフロツプとは異極性の1
対の交叉結合された第5及び第6の電界効果トラ
ンジスタにより構成される第2のフリツプフロツ
プと、第2のフリツプフロツプを構成する第5お
よび第6のトランジスタとソースおよびドレイン
を共通にし第2のフリツプフロツプと同極性の第
9および第10の電界効果トランジスタと、パルス
を発生する手段により構成され、前記第7、第
8、第9、第10のトランジスタのゲート電極が前
記パルスを発生する手段に接続され、前記第3お
よび第4のトランジスタのゲート電極を信号入力
端子とし、前記第9および第10のトランジスタの
ドレイン電極を出力端子とすることを特徴とする
電圧比較回路にある。 The present invention provides a first flip-flop constituted by a pair of cross-coupled first and second field effect transistors of one conductivity type, and a first flip-flop having a common source and drain with the transistors constituting this flip-flop. The third and fourth field effect transistors have the same polarity as the flip-flop, and the first field effect transistor has a different polarity from the first flip-flop.
a second flip-flop constituted by a pair of cross-coupled fifth and sixth field effect transistors; and a second flip-flop having a common source and drain with the fifth and sixth transistors constituting the second flip-flop. comprising ninth and tenth field effect transistors having the same polarity as and means for generating a pulse, the gate electrodes of the seventh, eighth, ninth and tenth transistors being connected to the means for generating the pulse; The voltage comparison circuit is characterized in that the gate electrodes of the third and fourth transistors are used as signal input terminals, and the drain electrodes of the ninth and tenth transistors are used as output terminals.
以下本発明に関して実施例を示す図面を用いて
詳細に説明する。第4図は本発明の一実施例を示
す回路図である。本回路はnチヤンネルMOSト
ランジスタT1,T2により構成されるフリツプ
フロツプと、それぞれのトランジスタに並列に接
続されたnチヤンネルMOSトランジスタT3,
T4と、pチヤンネルMOSトランジスタT5,
T6により構成されるフリツプフロツプと、T
5,T6にそれぞれ並列に接続されたpチヤンネ
ルMOSトランジスタT7,T8と、T1,T2
のドレイン電極とT5,T6のドレイン電極との
間がnチヤンネルトランジスタT9,T10で接
続されていることにより成り立つている。そし
て、T7,T8,T9,T10のゲート電極は端
子208としてパルス発生源に接続される。比較
するべき電圧はT3,T4のゲート電極202及
び203に印加される。またこの回路では端子2
01に正電源VDDが接続され、端子209は接
地されている。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below with reference to drawings showing embodiments. FIG. 4 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention. This circuit consists of a flip-flop composed of n-channel MOS transistors T1 and T2, and an n-channel MOS transistor T3, which is connected in parallel to each transistor.
T4, p-channel MOS transistor T5,
A flip-flop composed of T6 and T
p-channel MOS transistors T7 and T8 connected in parallel to 5 and T6, respectively, and T1 and T2.
This is achieved by connecting the drain electrodes of T5 and T6 with n-channel transistors T9 and T10. The gate electrodes of T7, T8, T9, and T10 are connected to a pulse generation source as a terminal 208. The voltages to be compared are applied to the gate electrodes 202 and 203 of T3 and T4. Also, in this circuit, terminal 2
01 is connected to the positive power supply VDD, and the terminal 209 is grounded.
この回路は最初パルス電圧零からスタートす
る。電源電圧として5V、nチヤンネルトランジ
スタのしきい値電圧が0.8Vの場合には入力電圧
は望ましくはT3,T4のしきい値電圧より1V
程度高いことが最も回路を高速に動作させること
ができる。以下この条件で説明する。T3,T4
は導通しているから節点204,205の電圧は
零でT9,T10は非導通、T7,T8は導通と
なるから、端子206,207の電位は電源端子
201の電圧VDDと等しい。次に端子208に正
のパルスを印加すると、T9,T10は導通し、
T7,T8は非導通となり、T9,T10をとう
してT1,T2のフリツプフロツプへ電流が流入
する。このとき端子202の電位が203より高
かつたとすると、トランジスタT3に流れる電流
の方がT4に流れる電流より多い。T1,T2に
はそれぞれ節点205もしくは204の電位がし
きい値電圧を超えるまでは流れない。T9,T1
0が導通した初期には節点204も205も同じ
ように充電されるが、節点204の方が放電量が
多いため、節点205の方が先にしきい値電圧を
超える。するとT1も放電を開始し、節点204
の電位は上昇しない。したがつて節点205の電
位は上昇をつづける。そのためT9に流れる電流
の方がT10に流れる電流より多くなる。する
と、端子206の電位の方が207の電位より低
くなるからT5,T6でつくられるフリツプフロ
ツプも動作し、端子206の電位は急速に低下す
る。このようにして入力電圧に応じて出力電圧の
状態が定まる。その動作は2重のフリツプフロツ
プで構成されるため、状態が定まるに要する時間
は、6ミクロン程度のチヤンネル長を有する
MOSトランジスタを用いても20ns以下と高速に
できる。また、入力から出力まで完全な対称配列
となつているため、従来回路において欠点であつ
たオフセツト電圧の生ずる原因を除去できる。ま
た電源雑音は両入力電圧に対して等しく加わるた
めキヤンセルされ雑音に対して誤動作するおそれ
も全くない。また、フリツプフロツプで正帰還が
かかつているため利得は無限大であり、入力電圧
が1mV以下になつても出力として論理振幅とし
て充分な電圧出力を得ることができる。 This circuit initially starts with a pulse voltage of zero. When the power supply voltage is 5V and the threshold voltage of the n-channel transistor is 0.8V, the input voltage is preferably 1V below the threshold voltage of T3 and T4.
The higher the degree, the faster the circuit can operate. This condition will be explained below. T3, T4
are conductive, so the voltage at nodes 204 and 205 is zero, T9 and T10 are non-conductive, and T7 and T8 are conductive, so the potential at terminals 206 and 207 is equal to the voltage V DD at power supply terminal 201. Next, when a positive pulse is applied to the terminal 208, T9 and T10 become conductive.
T7 and T8 become non-conductive, and current flows into the flip-flops T1 and T2 through T9 and T10. If the potential of terminal 202 is higher than 203 at this time, the current flowing through transistor T3 is greater than the current flowing through transistor T4. No current flows through T1 and T2 until the potential at node 205 or 204 exceeds the threshold voltage, respectively. T9, T1
At the initial stage when 0 becomes conductive, nodes 204 and 205 are charged in the same way, but since node 204 has a larger amount of discharge, node 205 exceeds the threshold voltage first. Then, T1 also starts discharging, and node 204
The potential of does not rise. Therefore, the potential at node 205 continues to rise. Therefore, the current flowing through T9 is greater than the current flowing through T10. Then, since the potential of the terminal 206 becomes lower than the potential of the terminal 207, the flip-flop formed by T5 and T6 also operates, and the potential of the terminal 206 rapidly decreases. In this way, the state of the output voltage is determined according to the input voltage. Since its operation consists of a double flip-flop, the time required for the state to be determined has a channel length of about 6 microns.
Even if MOS transistors are used, the speed can be increased to 20 ns or less. Furthermore, since the arrangement is completely symmetrical from input to output, the cause of offset voltage, which is a drawback in conventional circuits, can be eliminated. Furthermore, since power supply noise is applied equally to both input voltages, it is canceled and there is no risk of malfunction due to noise. Further, since positive feedback is provided by the flip-flop, the gain is infinite, and even if the input voltage is 1 mV or less, a voltage output sufficient for the logic amplitude can be obtained as an output.
初期状態への復帰は、前記パルスを零にもど
す。するとT9,T10は非導通となり、T7,
T8は導通する。すると節点204,205の電
荷はそれぞれT3およびT4をとうして急速に放
電し、一方節点206,207はそれぞれT7お
よびT8をとうして急速に充電して電源電圧VDD
にもどる。本発明の回路構成ならばこの復帰時間
は容易に10ns以下にできる。 Returning to the initial state returns the pulse to zero. Then, T9 and T10 become non-conductive, and T7,
T8 is conductive. The charges at nodes 204 and 205 are then rapidly discharged through T3 and T4, respectively, while nodes 206 and 207 are rapidly charged through T7 and T8, respectively, to the supply voltage V DD
Return to With the circuit configuration of the present invention, this recovery time can easily be reduced to 10 ns or less.
本回路は初期状態においては電流を消費しな
い。また、比較動作中においても非常に微少な電
流を消費するだけであり、消費電力も従来回路の
1/10以下である利点を有している。 This circuit does not consume current in its initial state. Further, even during the comparison operation, only a very small amount of current is consumed, and the power consumption is advantageously less than 1/10 of that of the conventional circuit.
本発明による入力電圧は前述のような場合にお
いては望ましくはT3,T4のしきい値電圧より
1V内外高い場合に最も性能がよい。この条件を
広い入力範囲で得る回路として通常の差動増幅回
路で充分である。その例を第5図に示す。第5図
は本発明による回路Bの部分に、従来回路である
差動増幅回路Aを付加したものである。 In the case described above, the input voltage according to the present invention is preferably lower than the threshold voltages of T3 and T4.
Performance is best when the voltage is around 1V. A normal differential amplifier circuit is sufficient as a circuit that can meet this condition over a wide input range. An example is shown in FIG. FIG. 5 shows a circuit B according to the present invention in which a conventional differential amplifier circuit A is added.
第1図は従来技術である差動増幅器10と反転
増幅器11,12を組み合わせたコンパレータ回
路を示す図。第2図aはnチヤンネルトランジス
タを示す図、bはpチヤンネルトランジスタを示
す図。第3図は別の従来技術である反転増幅器と
トランスフアゲートをスイツチとして用いたコン
パレータを示す図。第4図は本発明の実施例の基
本的回路を示す図。第5図は差動増幅器を本発明
とを組み合わせて入力電圧範囲を拡大した回路例
を示す図。
M1〜M17,T1〜T10……MOSトラン
ジスタ。
FIG. 1 is a diagram showing a comparator circuit that combines a differential amplifier 10 and inverting amplifiers 11 and 12 according to the prior art. FIG. 2a shows an n-channel transistor, and FIG. 2b shows a p-channel transistor. FIG. 3 is a diagram showing another prior art comparator using an inverting amplifier and a transfer gate as a switch. FIG. 4 is a diagram showing a basic circuit of an embodiment of the present invention. FIG. 5 is a diagram showing an example of a circuit in which a differential amplifier is combined with the present invention to expand the input voltage range. M1 to M17, T1 to T10...MOS transistors.
Claims (1)
第2の電界効果トランジスタにより構成される第
1のフリツプフロツプと、このフリツプフロツプ
を構成する第1および第2のトランジスタとソー
スおよびドレインを共通にし第1のフリツプフロ
ツプと同極性の第3および第4の電界効果トラン
ジスタと、前記第1のフリツプフロツプとは異極
性の1対の交叉結合された第5及び第6の電界効
果トランジスタにより構成される第2のフリツプ
フロツプと、第2のフリツプフロツプを構成する
第5および第6のトランジスタとソースおよびド
レインを共通にし第2のフリツプフロツプと同極
性の第7および第8の電界効果トランジスタと、
第1のフリツプフロツプのドレイン電極対と第2
のフリツプフロツプのドレイン電極対をそれぞれ
ソース電極およびドレイン電極とする第1のフリ
ツプフロツプと同極性の第9および第10の電界効
果トランジスタと、パルスを発生する手段により
構成され、前記第7、第8、第9、第10のトラン
ジスタのゲート電極が前記パルスを発生する手段
に接続され、前記第3および第4のトランジスタ
のゲート電極を信号入力端子とし、前記第9及び
第10のトランジスタのドレイン電極を出力端子と
することを特徴とする電圧比較回路。1. A first flip-flop composed of a pair of cross-coupled first and second field effect transistors of one conductivity type, and a source and a drain common to the first and second transistors constituting this flip-flop. A third and fourth field effect transistor having the same polarity as the first flip-flop, and a pair of cross-coupled fifth and sixth field effect transistors having a different polarity from the first flip-flop. a second flip-flop, and seventh and eighth field effect transistors having a common source and drain with the fifth and sixth transistors constituting the second flip-flop and having the same polarity as the second flip-flop;
A pair of drain electrodes of the first flip-flop and a pair of drain electrodes of the second flip-flop.
Ninth and tenth field effect transistors having the same polarity as the first flip-flop, each of which uses the pair of drain electrodes of the flip-flop as a source electrode and a drain electrode, respectively, and means for generating a pulse; The gate electrodes of the ninth and tenth transistors are connected to the pulse generating means, the gate electrodes of the third and fourth transistors are used as signal input terminals, and the drain electrodes of the ninth and tenth transistors are connected to the means for generating the pulse. A voltage comparison circuit characterized by having an output terminal.
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207005A JPS5997220A (en) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | Voltage comparing circuit |
| DE8383111850T DE3370190D1 (en) | 1982-11-26 | 1983-11-25 | Voltage comparator circuit |
| EP83111850A EP0111230B1 (en) | 1982-11-26 | 1983-11-25 | Voltage comparator circuit |
| US06/555,730 US4602167A (en) | 1982-11-26 | 1983-11-28 | Voltage comparator circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57207005A JPS5997220A (en) | 1982-11-26 | 1982-11-26 | Voltage comparing circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5997220A JPS5997220A (en) | 1984-06-05 |
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Family
ID=16532612
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Cited By (4)
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-
1982
- 1982-11-26 JP JP57207005A patent/JPS5997220A/en active Granted
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| JPS5997220A (en) | 1984-06-05 |
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